JPS6092093A - レ−ザ加工方法 - Google Patents
レ−ザ加工方法Info
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- JPS6092093A JPS6092093A JP58198234A JP19823483A JPS6092093A JP S6092093 A JPS6092093 A JP S6092093A JP 58198234 A JP58198234 A JP 58198234A JP 19823483 A JP19823483 A JP 19823483A JP S6092093 A JPS6092093 A JP S6092093A
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- JP
- Japan
- Prior art keywords
- substrate
- plate
- irradiated
- laser beam
- dummy
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Classifications
-
- B—PERFORMING OPERATIONS; TRANSPORTING
- B23—MACHINE TOOLS; METAL-WORKING NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
- B23K—SOLDERING OR UNSOLDERING; WELDING; CLADDING OR PLATING BY SOLDERING OR WELDING; CUTTING BY APPLYING HEAT LOCALLY, e.g. FLAME CUTTING; WORKING BY LASER BEAM
- B23K26/00—Working by laser beam, e.g. welding, cutting or boring
- B23K26/18—Working by laser beam, e.g. welding, cutting or boring using absorbing layers on the workpiece, e.g. for marking or protecting purposes
-
- B—PERFORMING OPERATIONS; TRANSPORTING
- B23—MACHINE TOOLS; METAL-WORKING NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
- B23K—SOLDERING OR UNSOLDERING; WELDING; CLADDING OR PLATING BY SOLDERING OR WELDING; CUTTING BY APPLYING HEAT LOCALLY, e.g. FLAME CUTTING; WORKING BY LASER BEAM
- B23K26/00—Working by laser beam, e.g. welding, cutting or boring
- B23K26/36—Removing material
- B23K26/362—Laser etching
- B23K26/364—Laser etching for making a groove or trench, e.g. for scribing a break initiation groove
Landscapes
- Engineering & Computer Science (AREA)
- Physics & Mathematics (AREA)
- Optics & Photonics (AREA)
- Plasma & Fusion (AREA)
- Mechanical Engineering (AREA)
- Laser Beam Processing (AREA)
Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
〔産業上の利用分野〕
本発明は各種材料にて形成された被加工基板にレーザ光
を照射することにょシ切断加工や溝加工〔背景技術とそ
の利用分野〕 一般に、各種電子機器やイに密聞器等の生産過程には極
めて微細な加工で、かつ高い精度が要求される切断加工
や溝加工等の各種加工過程が含−まれている。例えば、
磁気テープや磁気ディスク等の磁気記録媒体に映像信号
や楽音信号等の各種係号を記録したシ、又は記録された
それ等信号ケ再生する際に使用される磁気ヘッドの生産
過程には、例えば±1ミクロン程度の誤差しか許されな
いトラック「1]の溝加工や切断加工が含まれている。
を照射することにょシ切断加工や溝加工〔背景技術とそ
の利用分野〕 一般に、各種電子機器やイに密聞器等の生産過程には極
めて微細な加工で、かつ高い精度が要求される切断加工
や溝加工等の各種加工過程が含−まれている。例えば、
磁気テープや磁気ディスク等の磁気記録媒体に映像信号
や楽音信号等の各種係号を記録したシ、又は記録された
それ等信号ケ再生する際に使用される磁気ヘッドの生産
過程には、例えば±1ミクロン程度の誤差しか許されな
いトラック「1]の溝加工や切断加工が含まれている。
そして、従来からそのような微細な加工は砥石にて研削
することによシ溝を形成するとか、カッタによって切l
]Uiする等、専ら機械的な方法が採られていた。
することによシ溝を形成するとか、カッタによって切l
]Uiする等、専ら機械的な方法が採られていた。
しかしながら、そのような方法による場合には被加工部
分の加二[によるダメージが生じ加工精度の向上ケ図る
うえで大きな妨げとなっていた。
分の加二[によるダメージが生じ加工精度の向上ケ図る
うえで大きな妨げとなっていた。
レリえば冒保磁力Heの硬質イ直性体層r表向に備えた
i夏合磁気ヘッドの基板に対する溝加工においては、加
工の際に皺加工部分周辺の磁性体層が剥離してしまうと
いう問題がめった。
i夏合磁気ヘッドの基板に対する溝加工においては、加
工の際に皺加工部分周辺の磁性体層が剥離してしまうと
いう問題がめった。
さらに、金属を加工する隙には被加工部分に金属特有の
パリが生じてしまう。そのためそのパリを取り除く/ζ
めにイσF摩処理等のいわゆる汝処理が心安となり生産
工程の短縮化が阻害されてい/こ。
パリが生じてしまう。そのためそのパリを取り除く/ζ
めにイσF摩処理等のいわゆる汝処理が心安となり生産
工程の短縮化が阻害されてい/こ。
ま1t1砥石弄による加工においては、この仲、石等の
機械的強度が茨木されるため、砥石の肉薄化には限界が
あり、狭ピツチ溝入わ等の微細加工にも限界があった。
機械的強度が茨木されるため、砥石の肉薄化には限界が
あり、狭ピツチ溝入わ等の微細加工にも限界があった。
さらに、上記砥石が革耗すると加工精度等に誤差が生じ
てしまうため砥石勿頻繁に交換しなければならずメイン
テナンスの点でも問題があった。
てしまうため砥石勿頻繁に交換しなければならずメイン
テナンスの点でも問題があった。
一方、最近、各種のレーザ光の有する熱エネルギを利用
して各棟加工2行なう方法が考えられている。
して各棟加工2行なう方法が考えられている。
しかしながら、レーザ光を被加工部分K lji射した
際に発する極めて高温な熱によって被加J二rrl)分
周辺に熱歪層が生じてしまい、レーザ光を用いて微細加
工ケ行なううえで問題となっていた。
際に発する極めて高温な熱によって被加J二rrl)分
周辺に熱歪層が生じてしまい、レーザ光を用いて微細加
工ケ行なううえで問題となっていた。
また、例えばυり明なガラス等のガラス質の4」>lに
近赤外光〜可視光の波長域のレーザ光r照射してもとの
レーザ光がガラス等ヲ透過してしまうため、その秤の材
料に対するレーザ光によるm工は不可能であるか、又は
4J #f vc特殊な処理rしなりればならなかった
。
近赤外光〜可視光の波長域のレーザ光r照射してもとの
レーザ光がガラス等ヲ透過してしまうため、その秤の材
料に対するレーザ光によるm工は不可能であるか、又は
4J #f vc特殊な処理rしなりればならなかった
。
本発明は上述の如@夾1?i K 省みてなされたもの
であシ微細な切所加工や溝加工の加工精度の向上を図る
とともにレーザ光を用いた加工方法の汎用住勿高めるこ
とt目的とする。
であシ微細な切所加工や溝加工の加工精度の向上を図る
とともにレーザ光を用いた加工方法の汎用住勿高めるこ
とt目的とする。
本発明は上記目的e=成するため波加工基板に熱エネル
ギの吸収効率の良好な金属あるいは金属1塵化9勿より
なるダミー材を自己設し、該ダミー拐の」二昌11より
レーザ光τ照υ寸すること?f:q′J徴とする。
ギの吸収効率の良好な金属あるいは金属1塵化9勿より
なるダミー材を自己設し、該ダミー拐の」二昌11より
レーザ光τ照υ寸すること?f:q′J徴とする。
以下、本元明τ適用した各独加工方法の具1不的実施1
タリτ子の工程順序((潜って各々詳却1に説明する。
タリτ子の工程順序((潜って各々詳却1に説明する。
先ず、第1の実施例は磁気テープとの接触面に八A−8
i −Fe センダスト合金等の高透磁率7I金属薄膜
層が設りられた複合磁気ヘッドのトラック[1]τ規制
する清f加工に本発明(l:適用したものである。
i −Fe センダスト合金等の高透磁率7I金属薄膜
層が設りられた複合磁気ヘッドのトラック[1]τ規制
する清f加工に本発明(l:適用したものである。
すなわち、本実用1+すはフェライト合金等のイ直性材
料にて形成され/ζ基板の表面匹上記金属薄j換層が設
けし、ftたW合基板を被加工基板とし、この基板に溝
加工ケ施す際に本発明を適用するものであり、上記金属
薄膜層上にダミー板忙積層貼別し、これを水中に浸漬し
た状態でレーザ光r照射し、上記複合基板を加工しよう
とするものでめる。以下、追ってl)吋+lftに説明
する。
料にて形成され/ζ基板の表面匹上記金属薄j換層が設
けし、ftたW合基板を被加工基板とし、この基板に溝
加工ケ施す際に本発明を適用するものであり、上記金属
薄膜層上にダミー板忙積層貼別し、これを水中に浸漬し
た状態でレーザ光r照射し、上記複合基板を加工しよう
とするものでめる。以下、追ってl)吋+lftに説明
する。
本実姉例に2いては、先ず第1図に示すように基板1を
平面研削し、さらにその表面に鏡面加工を施す。この基
板1としては従来から知られている磁気ヘッド基板とし
て用いられる磁性1];F’lで必ればどのようなもの
でもよく、例えばNi−Zn フェライトやMn−Zn
フェライト等が挙げられる。
平面研削し、さらにその表面に鏡面加工を施す。この基
板1としては従来から知られている磁気ヘッド基板とし
て用いられる磁性1];F’lで必ればどのようなもの
でもよく、例えばNi−Zn フェライトやMn−Zn
フェライト等が挙げられる。
次に、上述の如き基板10表面に第2図に示す如く金属
薄膜層2を設は被加工基板である峻合基板3を形成する
。上記金属薄膜層2としては強(双性薄膜r形成し得る
ものでめればどのようなもので形成してもよく、例えば
センダスト合金上、が挙げられる。
薄膜層2を設は被加工基板である峻合基板3を形成する
。上記金属薄膜層2としては強(双性薄膜r形成し得る
ものでめればどのようなもので形成してもよく、例えば
センダスト合金上、が挙げられる。
また、上記金属薄)素層20基板1への被層手段として
は、例えばスパッタ法が挙げられる。このスパッタ法は
、10−3〜10−’Torrのアルゴン金主成分とす
る雰囲気中でグロー放電を起し、これにより生じたアル
ゴンイオンでターゲット表面の原子ケたたき出すという
ものでるり、グロー放電τ起こす方法により直流2極、
3枠スパツタ法、及び高周波スパッタ法があり、またマ
グネトロン放電を利用するマグネ;・ロンスパンタ法等
かめる。
は、例えばスパッタ法が挙げられる。このスパッタ法は
、10−3〜10−’Torrのアルゴン金主成分とす
る雰囲気中でグロー放電を起し、これにより生じたアル
ゴンイオンでターゲット表面の原子ケたたき出すという
ものでるり、グロー放電τ起こす方法により直流2極、
3枠スパツタ法、及び高周波スパッタ法があり、またマ
グネトロン放電を利用するマグネ;・ロンスパンタ法等
かめる。
次に、上述の如き複合基板3の第3図中上面に上記金属
薄膜層2をはさむように厚さ0−35[mm’)程度の
金属、あるいは金属酸化物よりなるダミー板5ヶ積層貼
着する。このダミー板5の材料である金属、・りるいは
金属酸化物としては熱吸収効率の良い材料でろればより
、クリえばMn−Znフェライト等が挙げられる。
薄膜層2をはさむように厚さ0−35[mm’)程度の
金属、あるいは金属酸化物よりなるダミー板5ヶ積層貼
着する。このダミー板5の材料である金属、・りるいは
金属酸化物としては熱吸収効率の良い材料でろればより
、クリえばMn−Znフェライト等が挙げられる。
そして、上述の如くダミー板5が積層貼虞さハた複合基
板3を第4図に示すように水+llG中の水7に浸漬し
、第4図中上方よりこのダミー板50所定位置にレーザ
光10忙照射する。ずなわち、本実施例においてはレー
ザ装置から出射さハたレーザ光10忙プリズム11、及
びミラー12,11′7 3Vlて屈折、反射させるとともに集束レンズ4゜11
にて集束させて上記ダミー板5に照射する。
板3を第4図に示すように水+llG中の水7に浸漬し
、第4図中上方よりこのダミー板50所定位置にレーザ
光10忙照射する。ずなわち、本実施例においてはレー
ザ装置から出射さハたレーザ光10忙プリズム11、及
びミラー12,11′7 3Vlて屈折、反射させるとともに集束レンズ4゜11
にて集束させて上記ダミー板5に照射する。
これにより、ダミー板5のレーザ光10が照射された部
分は直ちに溶融される。そして、このレーザ光10の照
射ぐこよる溶融はダミー板5が除去芒れた部分、すなわ
ちレーザ光10が照射さ1を六部分の金属薄j膜層2、
及び基板1’Kまで及び第5図に示すように複合基板3
0所定位−に溝15,15・・・が形成される。なお、
この溝15の巾や烈さは上記レーザ光10の出力パワー
、スポット径、照射時間、又は上記ダミー板5の厚さ等
τ適宜口1変制御することにより任意に調整することが
できる。
分は直ちに溶融される。そして、このレーザ光10の照
射ぐこよる溶融はダミー板5が除去芒れた部分、すなわ
ちレーザ光10が照射さ1を六部分の金属薄j膜層2、
及び基板1’Kまで及び第5図に示すように複合基板3
0所定位−に溝15,15・・・が形成される。なお、
この溝15の巾や烈さは上記レーザ光10の出力パワー
、スポット径、照射時間、又は上記ダミー板5の厚さ等
τ適宜口1変制御することにより任意に調整することが
できる。
また、本実施例における上記レーザ光10としては、波
長が1.06Cμm〕程度の近赤外光のNd:YAGレ
ーザ等の固体レーザが使用さQているが、レーザ光とし
てはこれに限らず、所定の出力パワーが得られるもので
あれば各種の半導体レーザや気体レーザ勿使用してもよ
い。
長が1.06Cμm〕程度の近赤外光のNd:YAGレ
ーザ等の固体レーザが使用さQているが、レーザ光とし
てはこれに限らず、所定の出力パワーが得られるもので
あれば各種の半導体レーザや気体レーザ勿使用してもよ
い。
上述の如く加工が紬され、ダミー板5が貼盾された複合
基板3を上配水漕6より取り出し上記ダ巾しτ南する複
合基板3が完成する。
基板3を上配水漕6より取り出し上記ダ巾しτ南する複
合基板3が完成する。
以上の記載から明らかなように、本実施例によれば複合
基板30所定位置に所定の巾、及び深さを有するイ阿1
5,15・・・を形成することができる。特に、レーザ
光10ケ用いて溝15.15・・° 勿形成するためこ
の415.15・・・の巾、及び深さを極めて止釘Gに
規制することができ、被合磁気ヘッドのトランク中しτ
正確に規制−することができるとともに加工時間の短縮
を図ることができる。
基板30所定位置に所定の巾、及び深さを有するイ阿1
5,15・・・を形成することができる。特に、レーザ
光10ケ用いて溝15.15・・° 勿形成するためこ
の415.15・・・の巾、及び深さを極めて止釘Gに
規制することができ、被合磁気ヘッドのトランク中しτ
正確に規制−することができるとともに加工時間の短縮
を図ることができる。
また、前記金属薄j莫層2勿基板1、及びダミー板5に
て袂んだ状態でレーザ光10を照射することによシこの
金属薄膜層2の溝周縁部でのパリの発生、及び金属薄膜
層2の剥離を完全に防止することができ加工精度の向上
を図ることができる。
て袂んだ状態でレーザ光10を照射することによシこの
金属薄膜層2の溝周縁部でのパリの発生、及び金属薄膜
層2の剥離を完全に防止することができ加工精度の向上
を図ることができる。
まん、上述の如くダミー板15を積層することにより被
加工部分での過度な熱をこのダミー板15が吸収し、−
かつ水7匹放熱する。この/ζめ被加工部分周辺に過度
な熱が伝わらず、被加工部分周辺にチッピングや熱歪層
の如き熱によるダメージが発生しない。さら(C1本本
実側に2いては、d合基板3を水中に浸漬した状、態で
レーザ光10&照射することによシ、このレーザ光10
が照射された部分の周辺部分牙水7にて冷却することが
できるためこの点からも上記溝15,15・・・の周縁
等の被加工部分周辺での熱歪層の発生2防止することが
できる。
加工部分での過度な熱をこのダミー板15が吸収し、−
かつ水7匹放熱する。この/ζめ被加工部分周辺に過度
な熱が伝わらず、被加工部分周辺にチッピングや熱歪層
の如き熱によるダメージが発生しない。さら(C1本本
実側に2いては、d合基板3を水中に浸漬した状、態で
レーザ光10&照射することによシ、このレーザ光10
が照射された部分の周辺部分牙水7にて冷却することが
できるためこの点からも上記溝15,15・・・の周縁
等の被加工部分周辺での熱歪層の発生2防止することが
できる。
よって、’4N合基板3の被加工部分周辺の加1’、
1lrrの熱によるダメージを極めて少なくすることが
でき、加工精度の向上を図ることができる。
1lrrの熱によるダメージを極めて少なくすることが
でき、加工精度の向上を図ることができる。
なお、本実施例は複合磁気ヘッドのトラックriで規制
するための溝加工に本発明(I:適用したものであるが
、本発明はこれに限らずその他の+M=形成するための
溝加工や切断加工に適用された場合においても前述と同
様な効果ケ奏し得るものである。
するための溝加工に本発明(I:適用したものであるが
、本発明はこれに限らずその他の+M=形成するための
溝加工や切断加工に適用された場合においても前述と同
様な効果ケ奏し得るものである。
ム等のガラス質の基板上にダミー板缶積層貼看し、この
ダミー板にレーザ光を照射することにより上記基板に切
断加工や溝加工を・崩ずものでるる。なお、上記ダミー
板及びレーザ光は先の第1の実施例のダミー板、及びレ
ーザ光と同一であるため便宜上説明を省略する。
ダミー板にレーザ光を照射することにより上記基板に切
断加工や溝加工を・崩ずものでるる。なお、上記ダミー
板及びレーザ光は先の第1の実施例のダミー板、及びレ
ーザ光と同一であるため便宜上説明を省略する。
本実施例に変いては、先ず先に述べたように基板上に熱
吸収功準の良いダミー板碩貢層貼治する。
吸収功準の良いダミー板碩貢層貼治する。
そして、上記ダミー板にレーザ光ン照射する。
これによシレーザ光が照射された部分は溶融し、さらに
蒸発する。そして、上記ダミー板が浴融、蒸発1゛る際
に発する極めて高温な熱によって上記基板が溶1・Ml
L、さらに蒸発する。したがって、この基板のレーザ
光の照射された部分に荷が形成される。なお、第lの実
痛1+1の場合と同様に上記レーザ光の出力パワー青紫
適宜可変制御することにより上記溝の巾、深さ等全任意
に調整することができる。
蒸発する。そして、上記ダミー板が浴融、蒸発1゛る際
に発する極めて高温な熱によって上記基板が溶1・Ml
L、さらに蒸発する。したがって、この基板のレーザ
光の照射された部分に荷が形成される。なお、第lの実
痛1+1の場合と同様に上記レーザ光の出力パワー青紫
適宜可変制御することにより上記溝の巾、深さ等全任意
に調整することができる。
このように、本実施例によれば先の第1の実権例と同様
に正確な溝加工等電することができる。
に正確な溝加工等電することができる。
また、フオトセラム等のガラス質の倒斜に対するレーザ
光による加工は、フォトセラムがレーザ光t、透過して
しまうために不rIT能でめるが、または、フォト上2
ム等に熱吸収効率の良い粉末材料を混I融したうえでな
ければできなかった。これに対して本発明全適用した本
実施例においては上記7第1・セラム等のガラス質材料
に対してレーザ光による各種加工を極めて容易、かつ正
確に栴すことができる。
光による加工は、フォトセラムがレーザ光t、透過して
しまうために不rIT能でめるが、または、フォト上2
ム等に熱吸収効率の良い粉末材料を混I融したうえでな
ければできなかった。これに対して本発明全適用した本
実施例においては上記7第1・セラム等のガラス質材料
に対してレーザ光による各種加工を極めて容易、かつ正
確に栴すことができる。
なお、本実施例においては基板に貼層さ才またダミー板
に直接レーザ光イ照射したが、先の第1の実施例と同様
に上記ダミー板が貼堝された基板τ水中に浸漬した状態
でこのダミー板にレーザ光τ照射してもよい。
に直接レーザ光イ照射したが、先の第1の実施例と同様
に上記ダミー板が貼堝された基板τ水中に浸漬した状態
でこのダミー板にレーザ光τ照射してもよい。
次に、本発明に係る第3の実b(ロ例f:説明する。
この第3の実施例は薄膜磁気ヘッドの下部磁性層に磁路
を形成するための溝を形成するための(1春加工に本発
明を適用したものであり、先の第2の実施例と同様に、
表面にパーマロイやセンダスト等よシなる金属薄j炭層
が設けられたフォトセラム等のガラス質の基板上にダミ
ー板をh一層し、このダミー板にレーザ光を照射するこ
とにより上記基板に溝加工を施すものである。
を形成するための溝を形成するための(1春加工に本発
明を適用したものであり、先の第2の実施例と同様に、
表面にパーマロイやセンダスト等よシなる金属薄j炭層
が設けられたフォトセラム等のガラス質の基板上にダミ
ー板をh一層し、このダミー板にレーザ光を照射するこ
とにより上記基板に溝加工を施すものである。
すなわち、この第3の実施例においても、第2の実砲レ
リと同様(尾上記ダミー板5にレーザ光を照射した際に
発する熱により上記基板を溶融、蒸発させ、これによシ
ガラス質の基板に各槁加工を施すものでめる。
リと同様(尾上記ダミー板5にレーザ光を照射した際に
発する熱により上記基板を溶融、蒸発させ、これによシ
ガラス質の基板に各槁加工を施すものでめる。
そして、本実施例においても、第2の実施1+11と同
様に正確な溝加工等を行なうことができるとともに、ガ
ラス質の基板に対してレーザ光による各種加工を実現す
ることができる。
様に正確な溝加工等を行なうことができるとともに、ガ
ラス質の基板に対してレーザ光による各種加工を実現す
ることができる。
上述の記載から明らかなように、本発明によればレーザ
光を用いて各種微細加工を行なうためそれ等加工t 4
i!めて正確に行なうことができるとともに短時間でそ
れ′昏加工を行なうことができる。
光を用いて各種微細加工を行なうためそれ等加工t 4
i!めて正確に行なうことができるとともに短時間でそ
れ′昏加工を行なうことができる。
また、ガラス質の材料に対する加工((も本発明を適用
することにより近赤外光〜可視光の波長域のレーザ光に
よる加工を容易に行なうことができレーザ光の各種加工
への利用分野を広げることができる。
することにより近赤外光〜可視光の波長域のレーザ光に
よる加工を容易に行なうことができレーザ光の各種加工
への利用分野を広げることができる。
第1図ないし第5図は本発明に係る第1の実施例の工程
順序を示すものでめシ、第1図は基板の外観斜視図、第
2図は被加工基板の外観斜視図、吊3図は第2図に示す
被加工基板にダミー板を積層する状態τ示す外観斜視図
、第4図は水中に浸漬した被加工基板にレーザ光を照射
する状態を示す外観斜視[凶、第5図は溝加工が廁さg
た被加工基板の外観斜視図である。 3・・・・・・・・・複合基板 5・・・・・・・・・ダミー板 10・・・・・・・・・し〜ザ光 特許出願人 ソニー株式会社 代理人 弁理士 小 池 晃 同 1) 村 榮 − 1″1 第29 第3図 第4図 第5図
順序を示すものでめシ、第1図は基板の外観斜視図、第
2図は被加工基板の外観斜視図、吊3図は第2図に示す
被加工基板にダミー板を積層する状態τ示す外観斜視図
、第4図は水中に浸漬した被加工基板にレーザ光を照射
する状態を示す外観斜視[凶、第5図は溝加工が廁さg
た被加工基板の外観斜視図である。 3・・・・・・・・・複合基板 5・・・・・・・・・ダミー板 10・・・・・・・・・し〜ザ光 特許出願人 ソニー株式会社 代理人 弁理士 小 池 晃 同 1) 村 榮 − 1″1 第29 第3図 第4図 第5図
Claims (1)
- 被加工基板に熱エネルギの吸収効率の良好な金属あるい
は金属酸化物よシなるダミー材を配設し、該ダミー材の
上部よりレーザ光を照射することを特徴とするレーザ加
工方法。
Priority Applications (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP58198234A JPS6092093A (ja) | 1983-10-25 | 1983-10-25 | レ−ザ加工方法 |
Applications Claiming Priority (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP58198234A JPS6092093A (ja) | 1983-10-25 | 1983-10-25 | レ−ザ加工方法 |
Publications (1)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
JPS6092093A true JPS6092093A (ja) | 1985-05-23 |
Family
ID=16387733
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
JP58198234A Pending JPS6092093A (ja) | 1983-10-25 | 1983-10-25 | レ−ザ加工方法 |
Country Status (1)
Country | Link |
---|---|
JP (1) | JPS6092093A (ja) |
Cited By (2)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
EP0256938A2 (en) * | 1986-08-08 | 1988-02-24 | Quantum Corporation | Lithographic technique using laser for fabrication of electronic components and the like |
US5221422A (en) * | 1988-06-06 | 1993-06-22 | Digital Equipment Corporation | Lithographic technique using laser scanning for fabrication of electronic components and the like |
-
1983
- 1983-10-25 JP JP58198234A patent/JPS6092093A/ja active Pending
Cited By (2)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
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