JPS6091807A - ガス絶縁開閉装置における電圧検出装置 - Google Patents
ガス絶縁開閉装置における電圧検出装置Info
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- JPS6091807A JPS6091807A JP58197529A JP19752983A JPS6091807A JP S6091807 A JPS6091807 A JP S6091807A JP 58197529 A JP58197529 A JP 58197529A JP 19752983 A JP19752983 A JP 19752983A JP S6091807 A JPS6091807 A JP S6091807A
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- Measuring Instrument Details And Bridges, And Automatic Balancing Devices (AREA)
Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
［発明の技術分野］
本発明は、ガス絶縁器Ｉ！１］装置にａ） ＋Ｊる電Ｌ
■［検出装置にＩ′ＩＩＩづるらのである。
■［検出装置にＩ′ＩＩＩづるらのである。
［発明の技術的青用］
近年電気所スペース人幅縮小化、低騒音化、耐汚損性能
の向上、及び美観の改善を目的として、開閉装置本体が
絶縁ガスと共に密閉容器に収納されたガス絶縁開閉装置
が数多く採用されてきている。この様なガス絶縁開閉装
置にＪ３りる電圧検出装置の構成とし−Ｃは、密閉容器
内部のガス空間を利用し、ガス絶縁開閉装置の充電部に
対して絶縁ガスによって絶縁された電極を対−１１さｕ
″ＣＣコンデンサ成することにより、充電部の電位をコ
ンデンリ分圧し、この分圧電位を前記電極に接続された
口出し端子Ｊ：ウリガス絶縁開閉装置外導出し、測定計
器へ伝送するのが通例である。
の向上、及び美観の改善を目的として、開閉装置本体が
絶縁ガスと共に密閉容器に収納されたガス絶縁開閉装置
が数多く採用されてきている。この様なガス絶縁開閉装
置にＪ３りる電圧検出装置の構成とし−Ｃは、密閉容器
内部のガス空間を利用し、ガス絶縁開閉装置の充電部に
対して絶縁ガスによって絶縁された電極を対−１１さｕ
″ＣＣコンデンサ成することにより、充電部の電位をコ
ンデンリ分圧し、この分圧電位を前記電極に接続された
口出し端子Ｊ：ウリガス絶縁開閉装置外導出し、測定計
器へ伝送するのが通例である。
第１図、第２図に従来用いられている電圧検出装置を示
す。第１図は従来の電圧検出装置の原理を示づ回路図で
あって、絶縁ガスの封入され且つ接地電位にある金属容
器２内に、外部の充電された系統に接続されている高圧
側ｆｆｉ極１が配設されている。この高圧側電極１と金
属容器２との間に、浮Ｎ雷位にある分圧電極５が設番ノ
られ、この分圧電極５と高圧側電極１との間でコンデン
”ｊ゛Ｃ＋が形成され、また、分圧型ｔ！ｉ ５と金属
容器２との間ではコンデンサＣ２が形成されている。そ
して、分圧電位５の電位ｌＪ１、高圧側電極１の電位を
′ＸＪンデンサＣ＋ とコンデンサＣ２とで分圧した電
位となり、この電位は金属容器２外に設［）られている
電圧測定装置８に接続され、電圧が測定される。
す。第１図は従来の電圧検出装置の原理を示づ回路図で
あって、絶縁ガスの封入され且つ接地電位にある金属容
器２内に、外部の充電された系統に接続されている高圧
側ｆｆｉ極１が配設されている。この高圧側電極１と金
属容器２との間に、浮Ｎ雷位にある分圧電極５が設番ノ
られ、この分圧電極５と高圧側電極１との間でコンデン
”ｊ゛Ｃ＋が形成され、また、分圧型ｔ！ｉ ５と金属
容器２との間ではコンデンサＣ２が形成されている。そ
して、分圧電位５の電位ｌＪ１、高圧側電極１の電位を
′ＸＪンデンサＣ＋ とコンデンサＣ２とで分圧した電
位となり、この電位は金属容器２外に設［）られている
電圧測定装置８に接続され、電圧が測定される。
第１図に従って構成した電圧検出装置の構成図を第２図
に示す。高圧側電極１は、金属容器２ど絶縁スペーサ３
によって構成されるカス空間内に収納されている。高圧
側電極１と金属容器２との中間には、浮遊電位に置かれ
た分圧型（セ５が支持絶縁物４を介して設番）られてい
る。この分圧電極５により分圧され／、：電位ＧＪ、金
属容器２に絶縁打つ気密に取（Ｊｔ）た１」出し端子６
を紅白して金属容器２外に導出されている。金属容器２
外ではｌ」出し端子６に高圧クープルアが接続され、高
圧クープルアの他端は電圧測定装置８に接続されＩいる
。
に示す。高圧側電極１は、金属容器２ど絶縁スペーサ３
によって構成されるカス空間内に収納されている。高圧
側電極１と金属容器２との中間には、浮遊電位に置かれ
た分圧型（セ５が支持絶縁物４を介して設番）られてい
る。この分圧電極５により分圧され／、：電位ＧＪ、金
属容器２に絶縁打つ気密に取（Ｊｔ）た１」出し端子６
を紅白して金属容器２外に導出されている。金属容器２
外ではｌ」出し端子６に高圧クープルアが接続され、高
圧クープルアの他端は電圧測定装置８に接続されＩいる
。
［背狽技術の問題点］
しかしながら、この様に構成された従来の電圧検出装置
に４３いて；Ｊｌ、高圧側７１１１ｉ桃ｉ１と分圧電極
５間で構成される静電容量Ｃ＋４よ、高々１０〜２０ｐ
Ｆ程度である。この理由とし−ては、■誘電体どして比
誘電率が１に近いガスを用いること、０分圧電極５と高
圧側Ｙｉ極１を接近ｌしめるには絶縁上り「点があり信
頼性が低下りること、ｂ測定制瓜を上げる目的で、例え
ば静電容量ＣＩの１０〜２０ｐＦの電極を１０００ｐＦ
に高めるには、分圧電極５と高圧側電極１との対向面積
を５０−１００位の長さに増大する必要があり、ガス絶
縁開閉装置の縮小化の目的に相反し、不経済でもあるこ
となどが挙げられる。
に４３いて；Ｊｌ、高圧側７１１１ｉ桃ｉ１と分圧電極
５間で構成される静電容量Ｃ＋４よ、高々１０〜２０ｐ
Ｆ程度である。この理由とし−ては、■誘電体どして比
誘電率が１に近いガスを用いること、０分圧電極５と高
圧側Ｙｉ極１を接近ｌしめるには絶縁上り「点があり信
頼性が低下りること、ｂ測定制瓜を上げる目的で、例え
ば静電容量ＣＩの１０〜２０ｐＦの電極を１０００ｐＦ
に高めるには、分圧電極５と高圧側電極１との対向面積
を５０−１００位の長さに増大する必要があり、ガス絶
縁開閉装置の縮小化の目的に相反し、不経済でもあるこ
となどが挙げられる。
この様に従来の電圧検出装置では、１次側静電容ｆｆ１
ｃ＋ として１０〜２０ｐＦ程度しかとれない！こめ、
２次側静電容量 Ｃ２で分圧される電圧が低く、２次側
静電容量 Ｃ２に注入されるエネルギーが少ないので電
圧測定装置として増幅器を持′〕ものを用いていた。こ
の増幅器を用いる場合、高圧側電極１と増幅器どの間が
絶縁されておらす、１１１幅器が高圧側電■メに生じた
ザージにより誘導を受り、増幅器内部のトランジスタ回
路等を絶縁破壊することがあった。また、増幅器に至る
回路に用いられる同軸ケーブルの）１！遊容足が、２次
側静電容量Ｃ２と並列に入り誤差に影響を与える恐れが
あった。
ｃ＋ として１０〜２０ｐＦ程度しかとれない！こめ、
２次側静電容量 Ｃ２で分圧される電圧が低く、２次側
静電容量 Ｃ２に注入されるエネルギーが少ないので電
圧測定装置として増幅器を持′〕ものを用いていた。こ
の増幅器を用いる場合、高圧側電極１と増幅器どの間が
絶縁されておらす、１１１幅器が高圧側電■メに生じた
ザージにより誘導を受り、増幅器内部のトランジスタ回
路等を絶縁破壊することがあった。また、増幅器に至る
回路に用いられる同軸ケーブルの）１！遊容足が、２次
側静電容量Ｃ２と並列に入り誤差に影響を与える恐れが
あった。
上記欠点を回避Ｊ−るため、■１１次側静電容量Ｃ１２
次側静電容量Ｃ２の中間電位点と増幅１ｉｎｔどの間に
、絶縁トランスを介在させて耐４）−ジ性の向上を図る
。■増幅器自体を用いずに、負担のとれるトランスを用
いることで問題の解決を図る等の手段も提案されている
。
次側静電容量Ｃ２の中間電位点と増幅１ｉｎｔどの間に
、絶縁トランスを介在させて耐４）−ジ性の向上を図る
。■増幅器自体を用いずに、負担のとれるトランスを用
いることで問題の解決を図る等の手段も提案されている
。
しかるに、従来の電圧検出装置では、１次側静電容ｌｃ
＋が小さいために、■の方法では絶縁１−ランスの励磁
に必要なエネルギーを小さな１次側り電音■Ｃ１から得
ることができＪ゛、電圧測定装置としては十分な精度が
得られない。また、■の手段では、同様に１次側静電容
量ｃ＋を通じて負担のとれる１−ランスとづるため、十
分な励磁エネルギーを供給づることがてきず、電圧測定
装置として十分な精度がえられない欠点があった。
＋が小さいために、■の方法では絶縁１−ランスの励磁
に必要なエネルギーを小さな１次側り電音■Ｃ１から得
ることができＪ゛、電圧測定装置としては十分な精度が
得られない。また、■の手段では、同様に１次側静電容
量ｃ＋を通じて負担のとれる１−ランスとづるため、十
分な励磁エネルギーを供給づることがてきず、電圧測定
装置として十分な精度がえられない欠点があった。
［発明の目的］
本発明は上記の問題点に檻みなされたしので、その第１
の目的は、１次側静電容量を大きくとることができ、そ
れにＪ、り耐サージ性の向上並びに高精度な測定が可能
て、しかも小形で経済的なガス絶縁開閉装置にＪｊりる
電圧検出装置を提供りることにある。
の目的は、１次側静電容量を大きくとることができ、そ
れにＪ、り耐サージ性の向上並びに高精度な測定が可能
て、しかも小形で経済的なガス絶縁開閉装置にＪｊりる
電圧検出装置を提供りることにある。
また、本発明の第２の目的は、１次側静電容量を大きく
とることのできる様にしたガス絶縁開閉装置の電圧検出
装置において、外部の測定機器に対する口出し端子の取
付は構造に改良を施すことにより、絶縁性能の向上を達
成することにある。
とることのできる様にしたガス絶縁開閉装置の電圧検出
装置において、外部の測定機器に対する口出し端子の取
付は構造に改良を施すことにより、絶縁性能の向上を達
成することにある。
［発明の概要］
本発明のガス絶縁開閉装置における電圧検出装置は、１
ＮＮ電電にある円筒状金属容器内の金属容器とほぼ同軸
上の中心位置に、高圧側の電極−と低圧側の電極を対向
する様に設け、両者間に円筒状のエポキシコンデンサを
配置し、このエポキシコンデンサの一端を高圧側電極に
他端を低圧側電極に接続することで、高低圧電極間に形
成される１次側静電容量の増大を達成したものである。
ＮＮ電電にある円筒状金属容器内の金属容器とほぼ同軸
上の中心位置に、高圧側の電極−と低圧側の電極を対向
する様に設け、両者間に円筒状のエポキシコンデンサを
配置し、このエポキシコンデンサの一端を高圧側電極に
他端を低圧側電極に接続することで、高低圧電極間に形
成される１次側静電容量の増大を達成したものである。
また、本発明の電圧検出装置は、前記円筒状エポキシコ
ンデンサ中に含浸されるコンデンザ箔を、グラフ１〜紙
又はフィルムと共に多層に巻回したアルミニウム箔より
構成し、しかもこのアルミニウム箔の最外周の層を、コ
ンデンサの低電圧側の部分では前記低圧側電極に接続す
ることで、−での近傍に低電界領域を形成し、この低電
界領域に１」出し端子を設けることで、その部分の絶縁
性能の向」二を図１っ１こものである。
ンデンサ中に含浸されるコンデンザ箔を、グラフ１〜紙
又はフィルムと共に多層に巻回したアルミニウム箔より
構成し、しかもこのアルミニウム箔の最外周の層を、コ
ンデンサの低電圧側の部分では前記低圧側電極に接続す
ることで、−での近傍に低電界領域を形成し、この低電
界領域に１」出し端子を設けることで、その部分の絶縁
性能の向」二を図１っ１こものである。
［発明の実施例］
本発明の一実施例を、第３図乃至第５図に基づいて説明
づる。
づる。
まず、第３図にａ３いて、外部の充電された系統に電気
的に接続される高圧側電極′１１が、接地電位にある円
筒状金属容器１２内にほぼ同軸に配置されている。また
、金属容器１２内には分圧用の低圧制電１１１５が、絶
縁物１４により金属容器より絶縁して取イ」けられＣい
る。これら高圧側７１２極１１と低圧制電１析１５の間
には、円筒状の］−ボ１−シコンデン→ノ°２１が配置
９されている。このエボニにシコンデンソ２１の内部に
は、静電容量を増りために９５７１〜紙又は右型ボッマ
ーを主体とし！、：フィルムと共に多層に巻回したアル
ミニウム箔にてキャパシタ２２が４１１？成され、その
層間に比誘電率の高いエポキシ樹脂Ｊ脂が含浸されＣい
る。さらに、イの周囲にもエポキシ樹脂が厚り二」−テ
ンプされている。
的に接続される高圧側電極′１１が、接地電位にある円
筒状金属容器１２内にほぼ同軸に配置されている。また
、金属容器１２内には分圧用の低圧制電１１１５が、絶
縁物１４により金属容器より絶縁して取イ」けられＣい
る。これら高圧側７１２極１１と低圧制電１析１５の間
には、円筒状の］−ボ１−シコンデン→ノ°２１が配置
９されている。このエボニにシコンデンソ２１の内部に
は、静電容量を増りために９５７１〜紙又は右型ボッマ
ーを主体とし！、：フィルムと共に多層に巻回したアル
ミニウム箔にてキャパシタ２２が４１１？成され、その
層間に比誘電率の高いエポキシ樹脂Ｊ脂が含浸されＣい
る。さらに、イの周囲にもエポキシ樹脂が厚り二」−テ
ンプされている。
まｆｃ、金属容器１２の側面にお１）る低圧側電極１５
の近傍、即ち、前記エポキシコンデンサ２１の低電界領
域に当たる位置には、金属容器に対し絶縁且つ気密に取
付りられた口出し端子１６があり、低圧側電極１５どこ
の口出し端子１６どは電気的に接続されている。口出し
端子１Ｇのもう一端には高圧ケーブル１７が接続され、
この高圧ケーブルの他端は絶縁１〜ランスを経て増幅器
１８に接続されるか、又は１００〜２００ｖ△程度のリ
レー用負担のとれる１〜ランスに接続されている。
の近傍、即ち、前記エポキシコンデンサ２１の低電界領
域に当たる位置には、金属容器に対し絶縁且つ気密に取
付りられた口出し端子１６があり、低圧側電極１５どこ
の口出し端子１６どは電気的に接続されている。口出し
端子１Ｇのもう一端には高圧ケーブル１７が接続され、
この高圧ケーブルの他端は絶縁１〜ランスを経て増幅器
１８に接続されるか、又は１００〜２００ｖ△程度のリ
レー用負担のとれる１〜ランスに接続されている。
なお、金属容器上端には、絶縁スペーサ１３が設（）ら
れているが、この絶縁スペーサ゛１３は金属容器内のガ
ス気密と高圧側電極１１の支持のためのちのである。
れているが、この絶縁スペーサ゛１３は金属容器内のガ
ス気密と高圧側電極１１の支持のためのちのである。
次に、上記に如き本発明の電圧検出装置に用いられるエ
ポキシコンデンサ２１の詳細構造を、第４図に基づいて
説明する。なお、エポキシ樹脂）゛ン４ノ２１は、高圧
側・低圧側の区別が無い場合もあるが、第４図では説明
を容易にづるため、その上部を高電圧側下部を低電圧側
として示す゛。
ポキシコンデンサ２１の詳細構造を、第４図に基づいて
説明する。なお、エポキシ樹脂）゛ン４ノ２１は、高圧
側・低圧側の区別が無い場合もあるが、第４図では説明
を容易にづるため、その上部を高電圧側下部を低電圧側
として示す゛。
第４（ａ）はいわゆる１段型キ１１パシタで、最内周に
高圧側と低圧側に共通のアルミニウム箔２２ａがあり、
イの外側にｎ圧側と低圧側とで独立したアルミニウム箔
２２ｂ、２：２Ｇが絶縁フィルムで互いに絶縁されて巻
回されζいる。このにうに構成されたエポキシコンデン
サ゛２１の上端面及び下端面には、金属ブツシュ２３ａ
、２３ｂが電気的な接続と（幾械的支持の目的で埋め込
まれている。即ち、金属ブツシュ２３ａは、キ１７バシ
タ２２の最外周のアルミニウムｆ１９２２ｂとリード線
２４ａを介して電気的に接続され、また金属ブツシュ２
３１）は、低圧側の最外周のアルミニウム箔２２Ｃとリ
ード線２４ｂを介して電気的に接続されいてる。
高圧側と低圧側に共通のアルミニウム箔２２ａがあり、
イの外側にｎ圧側と低圧側とで独立したアルミニウム箔
２２ｂ、２：２Ｇが絶縁フィルムで互いに絶縁されて巻
回されζいる。このにうに構成されたエポキシコンデン
サ゛２１の上端面及び下端面には、金属ブツシュ２３ａ
、２３ｂが電気的な接続と（幾械的支持の目的で埋め込
まれている。即ち、金属ブツシュ２３ａは、キ１７バシ
タ２２の最外周のアルミニウムｆ１９２２ｂとリード線
２４ａを介して電気的に接続され、また金属ブツシュ２
３１）は、低圧側の最外周のアルミニウム箔２２Ｃとリ
ード線２４ｂを介して電気的に接続されいてる。
第４図（Ｌ））はいわゆる２段型キ亀・パシタで、高圧
側と低圧側に共通なアルミニラｌｘ ｆ５２２ ａの内
外両側に、高圧側と低圧側の独立したアルミニウムｆｉ
’＋２２ｂ、２２ｃを絶縁フィルムで互いに絶縁して巻
回している。モして、高圧側キトパシタの最外周のアル
ミニウム箔２２ｂと最内周のアルミニウム箔２２ｄ、は
リード線２４ａにて金属ブツシュ２３ａに電気的に接続
されている。また、低圧側キャパシタに最外周のアルミ
ニウム箔２２Ｇと最内周のアルミニウム箔２２ｅは、リ
ード線２４ ｄにて金属ブツシュ２３ｂに電気的に接続
されている。
側と低圧側に共通なアルミニラｌｘ ｆ５２２ ａの内
外両側に、高圧側と低圧側の独立したアルミニウムｆｉ
’＋２２ｂ、２２ｃを絶縁フィルムで互いに絶縁して巻
回している。モして、高圧側キトパシタの最外周のアル
ミニウム箔２２ｂと最内周のアルミニウム箔２２ｄ、は
リード線２４ａにて金属ブツシュ２３ａに電気的に接続
されている。また、低圧側キャパシタに最外周のアルミ
ニウム箔２２Ｇと最内周のアルミニウム箔２２ｅは、リ
ード線２４ ｄにて金属ブツシュ２３ｂに電気的に接続
されている。
第４図（Ｃ，）はいわゆる３段型キｐパシタで、その構
造については（ａ）（ｂ）に準じるので説明は省くが、
高圧側・低圧側ともに最外周に金属ブツシュに接続され
るアルミニウム箔が配置される点が（ａ）（、ｂ）（ｃ
）のエポキシコンアン１ノ２１に共通した特徴である。
造については（ａ）（ｂ）に準じるので説明は省くが、
高圧側・低圧側ともに最外周に金属ブツシュに接続され
るアルミニウム箔が配置される点が（ａ）（、ｂ）（ｃ
）のエポキシコンアン１ノ２１に共通した特徴である。
そして、各エル；１シコンデンサ２１の金属ブツシュ２
３ａは、高圧側電極１１に電気的・機械的に接続される
と共に、金属ブツシュ２３ｂは低圧側電極１５に電気的
・機械的に接続されている。
３ａは、高圧側電極１１に電気的・機械的に接続される
と共に、金属ブツシュ２３ｂは低圧側電極１５に電気的
・機械的に接続されている。
上記の様に本発明に採用されるエポキシコンデンサ−２
゛１の低電圧側においては、その最外周に低圧側７ｃ極
に電気的に接続されるアルミニウム箔が配置されている
。従って、このようなエポキシコンデンサにあっては、
その電界解析を実施し等電位線を描くと第５図に示す如
きものとなり、低電圧部最外周のアルミニウム箔と容器
の間に等電位線が存在しておらｆｌこの空間が著しく低
電界の部分りになっている。そこで、本発明においては
、この低電界領域に口出し端子１６を設けて、優れた絶
縁性能を確保している。
゛１の低電圧側においては、その最外周に低圧側７ｃ極
に電気的に接続されるアルミニウム箔が配置されている
。従って、このようなエポキシコンデンサにあっては、
その電界解析を実施し等電位線を描くと第５図に示す如
きものとなり、低電圧部最外周のアルミニウム箔と容器
の間に等電位線が存在しておらｆｌこの空間が著しく低
電界の部分りになっている。そこで、本発明においては
、この低電界領域に口出し端子１６を設けて、優れた絶
縁性能を確保している。
以上の様に、静電容量を増Ｊためにエポキシコンデンサ
２１を用いた本発明の電圧検出装置においては、第４図
に示１様に絶縁フィルムとアルミニウム箔にて構成され
るキＡ・パシタの層間に比誘電率の高いエポキシ樹脂を
含浸りるどとしに、イの周囲にもエポキシ樹脂を厚く」
−ティングしているため、イの静電容量はガスコンデン
リに比較して著しく大きくなる。例えば、内径３５０
ｍ ｒｎ 。
２１を用いた本発明の電圧検出装置においては、第４図
に示１様に絶縁フィルムとアルミニウム箔にて構成され
るキＡ・パシタの層間に比誘電率の高いエポキシ樹脂を
含浸りるどとしに、イの周囲にもエポキシ樹脂を厚く」
−ティングしているため、イの静電容量はガスコンデン
リに比較して著しく大きくなる。例えば、内径３５０
ｍ ｒｎ 。
外径５００ ｍ ｍ、長さ１０００ ｍ ｍ程度の大き
さのエポキシコンデンサであっても、第１図中の１次側
静電容量Ｃ１として１０００ Ｄ 「Ｖｊ！度を容易に
確保することができる。この結果、１次側静電音ｆｆ１
Ｃ１と２次側静電容ＭＡ Ｃ２の中間電位点に絶縁トラ
ンスを介して増幅器を接続したり、又は１００〜２００
ＶＡ程度の負担の取れる１−ランスを直接に接続しても
、１次側静電音ｆｆ１ｃ＋の静電容量が大きいためにこ
れらのトランスを励磁するだ【ノの十分なエネルギーを
１次側静電容量Ｃ１より供給できることになる。さらに
、１次側静電容量Ｃ１から１〜ランスを励磁するだ１ノ
の十分なエネルギーを供給できるので、絶縁］−ラン又
と増幅器を用いた場合でも、またトランスのみの場合で
し、電圧測定装置としての十分な精度を得ることができ
る。且つ、増幅器を使う場合は絶縁トランスを用いるの
で、サージを絶縁１〜ランスにて遮蔽づることかでき、
増幅器の耐υ−ジ性の向上がｎｌれる。
さのエポキシコンデンサであっても、第１図中の１次側
静電容量Ｃ１として１０００ Ｄ 「Ｖｊ！度を容易に
確保することができる。この結果、１次側静電音ｆｆ１
Ｃ１と２次側静電容ＭＡ Ｃ２の中間電位点に絶縁トラ
ンスを介して増幅器を接続したり、又は１００〜２００
ＶＡ程度の負担の取れる１−ランスを直接に接続しても
、１次側静電音ｆｆ１ｃ＋の静電容量が大きいためにこ
れらのトランスを励磁するだ【ノの十分なエネルギーを
１次側静電容量Ｃ１より供給できることになる。さらに
、１次側静電容量Ｃ１から１〜ランスを励磁するだ１ノ
の十分なエネルギーを供給できるので、絶縁］−ラン又
と増幅器を用いた場合でも、またトランスのみの場合で
し、電圧測定装置としての十分な精度を得ることができ
る。且つ、増幅器を使う場合は絶縁トランスを用いるの
で、サージを絶縁１〜ランスにて遮蔽づることかでき、
増幅器の耐υ−ジ性の向上がｎｌれる。
特に、負担のとれる１−ランスを耐サージ性を考慮して
製作Ｊることは容易であるので、その様な構成を用いて
も信頼性のある電圧検出装置が１ｑられる。さらに、上
述のエポキシコンデンサは小形で安価であるため電圧検
出装置の小形かつ低」スト化も達成できる。
製作Ｊることは容易であるので、その様な構成を用いて
も信頼性のある電圧検出装置が１ｑられる。さらに、上
述のエポキシコンデンサは小形で安価であるため電圧検
出装置の小形かつ低」スト化も達成できる。
［発明の効果］
以上の通り、本発明によれば、エポキシコンデンサの採
用により、１次側静電容量増大したため、耐サージ性の
向上並びに高精度の電圧測定の実施が可能で、しかも小
形で紅演的なガス絶縁開閉装置にＪ３ける電圧検出装置
を冑ることができる。１ｚｉに、Ａ＼発明は、口出じ端
子を再ポキシコンデン〃の低電界領域に設けｌこことで
、Ｉ」出し部分における絶縁性が格段に向上し信頼性の
高い電圧検出装置を得ることができる。
用により、１次側静電容量増大したため、耐サージ性の
向上並びに高精度の電圧測定の実施が可能で、しかも小
形で紅演的なガス絶縁開閉装置にＪ３ける電圧検出装置
を冑ることができる。１ｚｉに、Ａ＼発明は、口出じ端
子を再ポキシコンデン〃の低電界領域に設けｌこことで
、Ｉ」出し部分における絶縁性が格段に向上し信頼性の
高い電圧検出装置を得ることができる。
第１図は従来のガス絶縁開閉装置における電圧検出装置
の原理を示づ回路図、第２図は同しくその構成を示づ一
断面図、第３図は本発明のガス絶縁間開装置用電圧検出
装置の一実施例を示づ断面図、第４図（ａ）〜（Ｃ）は
それぞれ本発明に用いられているエポキシ］ンデン１ノ
のｎＴ １ｌｌｊ ’；ｃ…ｉ面図、第５図は第４図の
エボキシコンデンリの等電位線を示り電界解析図である
。 １．１１・・・高圧側電極、２．１２・・・金属容器、
３．１３・・・絶縁スペーサ、４．１／Ｉ・・・絶縁物
、５゜１５・・・分圧電極、６，１６・・・口出し端子
、７，１７・・・高圧クープル、８．１８・・・増幅器
、１９・・・リード線、２１・・・エボキシコンデンリ
゛、２２・・・キｉ・パシタ、２３・・・埋込みブツシ
ュ、２４・・・リード線、Ｌ・・・低電界領域。 第１図 第３図 ｆＪＳ４ 閃 （ａ） （ｂ） 、 （ｃ）
の原理を示づ回路図、第２図は同しくその構成を示づ一
断面図、第３図は本発明のガス絶縁間開装置用電圧検出
装置の一実施例を示づ断面図、第４図（ａ）〜（Ｃ）は
それぞれ本発明に用いられているエポキシ］ンデン１ノ
のｎＴ １ｌｌｊ ’；ｃ…ｉ面図、第５図は第４図の
エボキシコンデンリの等電位線を示り電界解析図である
。 １．１１・・・高圧側電極、２．１２・・・金属容器、
３．１３・・・絶縁スペーサ、４．１／Ｉ・・・絶縁物
、５゜１５・・・分圧電極、６，１６・・・口出し端子
、７，１７・・・高圧クープル、８．１８・・・増幅器
、１９・・・リード線、２１・・・エボキシコンデンリ
゛、２２・・・キｉ・パシタ、２３・・・埋込みブツシ
ュ、２４・・・リード線、Ｌ・・・低電界領域。 第１図 第３図 ｆＪＳ４ 閃 （ａ） （ｂ） 、 （ｃ）
Claims (4)
- （１） 内部に絶縁性に（夕れたガスが封入され接地電
位にある円筒状金属容器を備え、この円筒状金属容器内
のほぼ同軸の中心位置に、充電されＩこ系統に電気的に
接続されｌ〔高圧側電極を設けると共に、この円筒状金
属容器の内部に、当該円筒状容器より絶縁物を用いて絶
縁支持された低圧側電極を設置）、これら高圧側電極と
低圧側電極を対向覆る様に配置し、両者の間に円筒状の
一エボキシコンデン１ノ°を配置したガス絶縁開閉装置
用電圧検出装置において、 円筒状のエボキシコンデン４ノ中に含浸されるコンデン
サ箔を、クラフト紙又は有はポリマーを主体としたフィ
ルムどバに多層に巻回したアルミニウム箔にて構成し、
この多層に巻回したアルミニウム箔の最外周の層を、そ
の高電圧側の部分にａ３いては前記高圧側電極に、低電
圧側の部分においては前記低圧側電極にそれぞれ電気的
に接続し、前記円筒状金属容器の側面にお（）る低圧側
電極近傍の低電界領域には、金属容器に対し絶縁且つ気
密に口出し端子を設け、この口出し端子と低）上側電極
の間を電気的に接続すると共に、口出し端子の他端を外
部に設しプだ充電都電圧測定装置に電気的に接続したこ
とを特徴とするガス絶縁開閉装置にＪ３ける電圧検出装
置。 - （２） エボキシコンデンリ−として、最内周に高圧側
と低圧側に共通なアルミニウム箔を設【ノ、この外側に
高圧側と低圧側で独立したアルミニウム箔を巻回してな
る１段型キャパシタを使用した特許請求の範囲第１項記
載のガス絶縁開閉装置にＪ＞ける電圧検出装置。 - （３） エボキシコンデン号として、高圧側と１１（圧
側に共通なアルミニウム箔の内外両側に高圧側と低圧側
の独立したアルミニウム箔を巻回してなる２段型キトパ
シタを使用した特許請求の範囲第１項記載のガス絶縁開
閉装置における電圧検出装置。 - （４） エポキシコンデンサが、その両端にエポキシコ
ンデン１ノーを構成づるアルミニウメ１箭に接続された
金属製ブッシングを備え、この金属製ブッシングを介し
て高圧側と低圧側の電極に接続されているものである特
許請求の範囲第１項記載のガス絶縁開閉装置における電
圧検出装置。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP58197529A JPS6091807A (ja) | 1983-10-24 | 1983-10-24 | ガス絶縁開閉装置における電圧検出装置 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP58197529A JPS6091807A (ja) | 1983-10-24 | 1983-10-24 | ガス絶縁開閉装置における電圧検出装置 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPS6091807A true JPS6091807A (ja) | 1985-05-23 |
Family
ID=16375980
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP58197529A Pending JPS6091807A (ja) | 1983-10-24 | 1983-10-24 | ガス絶縁開閉装置における電圧検出装置 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPS6091807A (ja) |
Cited By (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| GB2588631A (en) * | 2019-10-29 | 2021-05-05 | Tavrida Electric Holding Ag | Voltage sensor for electrical switchgear and electrical switchgear comprising same |
Citations (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS5365937A (en) * | 1976-11-25 | 1978-06-12 | Toshiba Corp | Voltage detection apparatus for composite type gas insulation opening andclosing system |
-
1983
- 1983-10-24 JP JP58197529A patent/JPS6091807A/ja active Pending
Patent Citations (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS5365937A (en) * | 1976-11-25 | 1978-06-12 | Toshiba Corp | Voltage detection apparatus for composite type gas insulation opening andclosing system |
Cited By (3)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| GB2588631A (en) * | 2019-10-29 | 2021-05-05 | Tavrida Electric Holding Ag | Voltage sensor for electrical switchgear and electrical switchgear comprising same |
| GB2588631B (en) * | 2019-10-29 | 2022-03-23 | Tavrida Electric Holding Ag | Voltage sensor for electrical switchgear and electrical switchgear comprising same |
| US12087524B2 (en) | 2019-10-29 | 2024-09-10 | Tavrida Electric Holding Ag | Voltage sensor for electrical switchgear and electrical switchgear comprising same |
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