JPS60160308A - ガス絶縁開閉装置の電圧検出装置 - Google Patents
ガス絶縁開閉装置の電圧検出装置Info
- Publication number
- JPS60160308A JPS60160308A JP59013514A JP1351484A JPS60160308A JP S60160308 A JPS60160308 A JP S60160308A JP 59013514 A JP59013514 A JP 59013514A JP 1351484 A JP1351484 A JP 1351484A JP S60160308 A JPS60160308 A JP S60160308A
- Authority
- JP
- Japan
- Prior art keywords
- capacitor
- voltage
- gas
- epoxy
- metal shield
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Pending
Links
Landscapes
- Fixed Capacitors And Capacitor Manufacturing Machines (AREA)
- Gas-Insulated Switchgears (AREA)
Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
[発明の技術分野1
本発明は、ガス絶縁開閉装置にお(〕る電電圧検出器に
関するもので、特に一つの金属容器内に容量或いは性能
の異なるコンデンサを収納して、各コンデンサをそれぞ
れ第1、第2の電圧検出器に接続することにJ:す、2
種の電圧測定を可能とし−2− た電圧検出装置に係るものである。
関するもので、特に一つの金属容器内に容量或いは性能
の異なるコンデンサを収納して、各コンデンサをそれぞ
れ第1、第2の電圧検出器に接続することにJ:す、2
種の電圧測定を可能とし−2− た電圧検出装置に係るものである。
[発明の技術的背景]
近年、電気所スペースの大幅縮小化、低騒音化、耐汚損
性の向上及び美観の改善を目的として開閉器を絶縁ガス
封入した密閉容器に収納したガス絶縁開閉装置が数多く
採用されてきている。
性の向上及び美観の改善を目的として開閉器を絶縁ガス
封入した密閉容器に収納したガス絶縁開閉装置が数多く
採用されてきている。
通常、この様なガス絶縁開閉装置には、充電部の電圧検
出のために使用する計器用変成器(以下PDと呼ぶ)用
の電圧検出装置と、ガス絶縁開閉装置の地絡点を評定す
るための故障点標定装置(以下FLと叶ぶ)用の電圧検
出装置との、2種類の電圧検出装置が設けられている。
出のために使用する計器用変成器(以下PDと呼ぶ)用
の電圧検出装置と、ガス絶縁開閉装置の地絡点を評定す
るための故障点標定装置(以下FLと叶ぶ)用の電圧検
出装置との、2種類の電圧検出装置が設けられている。
これらの電圧検出装置は、いずれもコンデンサ分圧によ
り充電部の電位を取出す様にしているが、双方の電圧検
出装置は、その要求される特性が異なることから、そこ
に使用されるコンデンサも自ずから異なったものとなる
。
り充電部の電位を取出す様にしているが、双方の電圧検
出装置は、その要求される特性が異なることから、そこ
に使用されるコンデンサも自ずから異なったものとなる
。
まず、[Lは、各電気所内の送電線又は母線等に設置さ
れ、送電線上を伝搬してくる事故サージ波形を受信し、
各Fl間の受信時刻を比較J°るこ−3− とで故障点を標定するものである。
れ、送電線上を伝搬してくる事故サージ波形を受信し、
各Fl間の受信時刻を比較J°るこ−3− とで故障点を標定するものである。
従って、このFl用の電圧検出装置に使用される一次側
コンデンサCF+とじては、サージ受信精度の観点から
、数1000pFの容量を持つものが使用されていた。
コンデンサCF+とじては、サージ受信精度の観点から
、数1000pFの容量を持つものが使用されていた。
イの理由は、故障サージ波形の受信感度は、受信器の入
力インピーダンスZと二次側コンデンサCF2どの積に
よって与えられる時定数τによって決定される。この時
定数τを一定値以上確保しなければ、受信サージ波形の
波頭レベルが小さくなり、波形の歪みも大きくなって故
障点標定感度が低下するので、大きな二次側付加コンデ
ンサ(対地側静電容!>CF2を必要とし、その分圧電
位を一定値以上確保するために数10001)Fという
大きな一次側コンデンサCF+が必要となってくる。
力インピーダンスZと二次側コンデンサCF2どの積に
よって与えられる時定数τによって決定される。この時
定数τを一定値以上確保しなければ、受信サージ波形の
波頭レベルが小さくなり、波形の歪みも大きくなって故
障点標定感度が低下するので、大きな二次側付加コンデ
ンサ(対地側静電容!>CF2を必要とし、その分圧電
位を一定値以上確保するために数10001)Fという
大きな一次側コンデンサCF+が必要となってくる。
この様な数1000pFという大きな一次側コンデンサ
CF+を確保するために、従来では、油入タイプのコン
デンサが使用されていたが、最近では、各機器のガス絶
縁化に伴い、エポキシコンデンサが用いられている。こ
の場合、■ボキシコー 4 − ンデンサ自身は、SF6ガスの温度特性が一20℃〜4
0℃での常用使用範囲内で2〜3%の一次側コンデンサ
CF+の変化を生じるので、−次側コンデンサCF+自
身に着目した場合は、JEC規格に定められた精度1%
又は0.3%以内に収められず不適当となる。しかし、
前述の時定数τを考えた時、2〜3%の一次側コンデン
サCF+の変化による時定数の変化は、Fl−用ザージ
受信器が故障点標定感度より大きな標定感度上の誤差を
有しているため、時定数での若干の変化は故障点標定全
体のシステム上で十分許容されつる変化量であり、故障
点標定感度にほとんど影響を与えないと考えられる。
CF+を確保するために、従来では、油入タイプのコン
デンサが使用されていたが、最近では、各機器のガス絶
縁化に伴い、エポキシコンデンサが用いられている。こ
の場合、■ボキシコー 4 − ンデンサ自身は、SF6ガスの温度特性が一20℃〜4
0℃での常用使用範囲内で2〜3%の一次側コンデンサ
CF+の変化を生じるので、−次側コンデンサCF+自
身に着目した場合は、JEC規格に定められた精度1%
又は0.3%以内に収められず不適当となる。しかし、
前述の時定数τを考えた時、2〜3%の一次側コンデン
サCF+の変化による時定数の変化は、Fl−用ザージ
受信器が故障点標定感度より大きな標定感度上の誤差を
有しているため、時定数での若干の変化は故障点標定全
体のシステム上で十分許容されつる変化量であり、故障
点標定感度にほとんど影響を与えないと考えられる。
この様なことから、Fl用の電圧検出WAWIでは、数
1000pFの容量を持つエポキシコンデンサが使用さ
れていた。第1図は、この様なエポキシコンデンサを使
用したFL用電電圧検出装置一例を示すものである。
1000pFの容量を持つエポキシコンデンサが使用さ
れていた。第1図は、この様なエポキシコンデンサを使
用したFL用電電圧検出装置一例を示すものである。
即ち、高圧導体1を収納したガス絶縁開閉装置の金属容
器2の端部には、絶縁スペー号3を介し−5− て電圧検出装置の金属容器4が固定されている。
器2の端部には、絶縁スペー号3を介し−5− て電圧検出装置の金属容器4が固定されている。
この金属容器4は、ガス絶縁開閉装置の容器1と共に接
地電位にあり、その内部にはエポキシコンデンサ5が配
設されている。このエポキシコンデンサ5は、高圧導体
1と電気的に接続された金属シールド6と、金属容器4
の底板4a上の支持板4bどの間に挟持されている。
地電位にあり、その内部にはエポキシコンデンサ5が配
設されている。このエポキシコンデンサ5は、高圧導体
1と電気的に接続された金属シールド6と、金属容器4
の底板4a上の支持板4bどの間に挟持されている。
エポキシコンデンサ5の内部には、クラフト紙或いは有
機ポリマー等を主体とした絶縁フィルムとアルミニウム
等の金属箔を多層に巻回して成る中間電位側部5aが設
けられ、この中間電位側部5aの内外周に同様な構成の
高圧電位側部5bと低圧電位側熱5Gとが独立して巻回
されている。
機ポリマー等を主体とした絶縁フィルムとアルミニウム
等の金属箔を多層に巻回して成る中間電位側部5aが設
けられ、この中間電位側部5aの内外周に同様な構成の
高圧電位側部5bと低圧電位側熱5Gとが独立して巻回
されている。
エル4ニジコンデンサ5の高圧側の端部には、高圧電位
側部5bに接続された高圧側端子5dが設けられ、この
高圧側端子5dによって、エポキシコンデンサ5の高圧
側端部が前記金属シールド6に固定されている。
側部5bに接続された高圧側端子5dが設けられ、この
高圧側端子5dによって、エポキシコンデンサ5の高圧
側端部が前記金属シールド6に固定されている。
エポキシコンデンサ5の低圧側端面と低圧電位側M5C
との間には、リング状のシールド5eが−〇 − 内蔵されている。このシールド5eは、低圧電位側部5
Cの最外周及び最内周の箔と電気的に接続されている。
との間には、リング状のシールド5eが−〇 − 内蔵されている。このシールド5eは、低圧電位側部5
Cの最外周及び最内周の箔と電気的に接続されている。
またエポキシコンデンサ5の低圧側の端面には、複数個
の締結金具7a〜7qが同一円周上にほぼ等間隔に設け
られている。このうち所定の一個の締結金具7aが前記
シールド5eに電気的に接続され、他の締結金具7Qは
■ポキシ樹脂等の熱硬化性樹脂にて一体にモールドされ
てシールド5eとは絶縁されている。ざらに、金属容器
4の底板4aには開口部4Gが設けられ、この開口部4
C内において、締結金具7aにコンタクト8が取付けら
れ、このコンタク1−8が底板4aに絶縁且つ気密に配
設された絶縁密封端子9と電気的に接続されている。
の締結金具7a〜7qが同一円周上にほぼ等間隔に設け
られている。このうち所定の一個の締結金具7aが前記
シールド5eに電気的に接続され、他の締結金具7Qは
■ポキシ樹脂等の熱硬化性樹脂にて一体にモールドされ
てシールド5eとは絶縁されている。ざらに、金属容器
4の底板4aには開口部4Gが設けられ、この開口部4
C内において、締結金具7aにコンタクト8が取付けら
れ、このコンタク1−8が底板4aに絶縁且つ気密に配
設された絶縁密封端子9と電気的に接続されている。
この様な構成のFL用電圧検出装置においては、充電部
側の電圧はエポキシコンデンサ5により分圧され、低圧
電位側部50に:N導された電圧は、締結金具7aの低
圧側端子とコンタクト8とを経て、絶縁密封端子9に現
われる。絶縁密封端子9は、図示されていない二次側付
加コンデンサCF−7− 2に接続され、エポキシコンデンサ5によって構成され
た一次側コンデンサCF+ と二次側コンデンサCF2
とによって分圧された電圧が、FL用ザージ受信器側に
導かれる。
側の電圧はエポキシコンデンサ5により分圧され、低圧
電位側部50に:N導された電圧は、締結金具7aの低
圧側端子とコンタクト8とを経て、絶縁密封端子9に現
われる。絶縁密封端子9は、図示されていない二次側付
加コンデンサCF−7− 2に接続され、エポキシコンデンサ5によって構成され
た一次側コンデンサCF+ と二次側コンデンサCF2
とによって分圧された電圧が、FL用ザージ受信器側に
導かれる。
一方、PD用の電圧検出装置としては、JEC規格に定
められた1級あるいは0.3級等の全システムとしての
精度が、1%または0.3%以内に納められることが要
求されることが多い。この場合、PD用の一次側コンデ
ンサCP+ として、「1−用に使用される上記の様な
エポキシコンデンサを使用することは、それ自身の温度
特性が悪いため、不可能である。また、増幅型のPDを
使用する場合は、−次側コンデンサCP+の容量は、1
0〜50pF程廉で良く、数1000pFもの容量は必
要としない。
められた1級あるいは0.3級等の全システムとしての
精度が、1%または0.3%以内に納められることが要
求されることが多い。この場合、PD用の一次側コンデ
ンサCP+ として、「1−用に使用される上記の様な
エポキシコンデンサを使用することは、それ自身の温度
特性が悪いため、不可能である。また、増幅型のPDを
使用する場合は、−次側コンデンサCP+の容量は、1
0〜50pF程廉で良く、数1000pFもの容量は必
要としない。
この様なことから、PD用の電圧検出装置の一次側コン
デンザCP+ とじては、密閉容器内部のガス空間を利
用し、ガス絶縁開閉装置の充電部に対して絶縁ガスによ
って絶縁された中間電極を対峙させてガスコンデンサを
形成することにより、−8− 充電部の電位をコンデンサ分圧し、この分圧電位を前記
電極に接続された口出し端子よりガス絶縁開閉装置外に
導出し、測定計器へ伝送するものが使用されている。
デンザCP+ とじては、密閉容器内部のガス空間を利
用し、ガス絶縁開閉装置の充電部に対して絶縁ガスによ
って絶縁された中間電極を対峙させてガスコンデンサを
形成することにより、−8− 充電部の電位をコンデンサ分圧し、この分圧電位を前記
電極に接続された口出し端子よりガス絶縁開閉装置外に
導出し、測定計器へ伝送するものが使用されている。
第2図は、この様なガスコンデンサを使用したPD用電
圧検出装置の原理を示す回路図である。
圧検出装置の原理を示す回路図である。
即ち、絶縁ガスの封入され且つ接地電位にある金属容器
内に、外部の充電された系統に接続されている高圧側電
極11が配設されている。この高圧側電極11と金属容
器12との間に、浮遊電位にある中間電極13が設iノ
られ、この中間電極13と高圧側電極11との間で一次
側のガスコンデンサCP+が形成されている。中間電極
13の電位は、絶縁密封端子14を介して金属容器12
外部に導出され、二次側付加コンデンサCP2に接続さ
れ、−次側のガスコンデンサCP+及び二次側付加コン
デンサCP2に分圧された電位となり、この分圧された
電位は外部リード線15を介して電圧測定器16に伝送
され電圧が測定される。
内に、外部の充電された系統に接続されている高圧側電
極11が配設されている。この高圧側電極11と金属容
器12との間に、浮遊電位にある中間電極13が設iノ
られ、この中間電極13と高圧側電極11との間で一次
側のガスコンデンサCP+が形成されている。中間電極
13の電位は、絶縁密封端子14を介して金属容器12
外部に導出され、二次側付加コンデンサCP2に接続さ
れ、−次側のガスコンデンサCP+及び二次側付加コン
デンサCP2に分圧された電位となり、この分圧された
電位は外部リード線15を介して電圧測定器16に伝送
され電圧が測定される。
第2図に従って構成したPD用電圧検出!装を−9−
第3図に示す。高圧側N極21は、円筒状の金属容器2
2のガス空間内に収納され、高圧側電極21と金属容器
22との中間には高圧側N極21と同軸状に中間電極2
3が設【プられ、中間電極23の一端は絶縁棒24を介
して金属容器22に支持され、他端にはコンタクト25
が設けられている。
2のガス空間内に収納され、高圧側電極21と金属容器
22との中間には高圧側N極21と同軸状に中間電極2
3が設【プられ、中間電極23の一端は絶縁棒24を介
して金属容器22に支持され、他端にはコンタクト25
が設けられている。
このコンタクト25は金属容器22に絶縁且つ気密に取
付けられた絶縁密封端子26に接続され、この絶縁密封
端子26により中間電極23によって分圧された電位が
金属容器22外部に導出されている。金属容器22外で
は、絶縁密封端子26に図示されていないリード線を介
して二次側付加コンデンサCP2が接続され、分岐リー
ド線によって中間電極23の分圧された電位は、電圧測
定器に導かれる。
付けられた絶縁密封端子26に接続され、この絶縁密封
端子26により中間電極23によって分圧された電位が
金属容器22外部に導出されている。金属容器22外で
は、絶縁密封端子26に図示されていないリード線を介
して二次側付加コンデンサCP2が接続され、分岐リー
ド線によって中間電極23の分圧された電位は、電圧測
定器に導かれる。
この様に構成されたPD用電圧検出装置においては、高
圧側電極21と中間電極23で構成されている一次側の
ガスコンデンサCP+の容量は、通例10〜50pF程
度である。ところが、ガス絶縁開閉装置において、この
様な構成によって大−10= 規模な一次側ガスコンデンザCP+の容量、例えば10
00pFをとるには、中間電極23と高圧側電極21と
の対向面積を数101TIの長さに増大する必要があり
、ガス絶縁開閉装置の縮小化の目的に相反するばかりで
なく不経済でもある。この様にガスコンデンサを用いた
PD用電圧検出装置は、−次側ガス]ンデン9′CP
+の容量どして10〜50PFl、かとれないため、電
圧測定器側に入ってくるエネルギー串が少ないので、一
般には、電圧測定器として増幅器が用いられ、増幅型彫
電圧測定器という形で利用されている。
圧側電極21と中間電極23で構成されている一次側の
ガスコンデンサCP+の容量は、通例10〜50pF程
度である。ところが、ガス絶縁開閉装置において、この
様な構成によって大−10= 規模な一次側ガスコンデンザCP+の容量、例えば10
00pFをとるには、中間電極23と高圧側電極21と
の対向面積を数101TIの長さに増大する必要があり
、ガス絶縁開閉装置の縮小化の目的に相反するばかりで
なく不経済でもある。この様にガスコンデンサを用いた
PD用電圧検出装置は、−次側ガス]ンデン9′CP
+の容量どして10〜50PFl、かとれないため、電
圧測定器側に入ってくるエネルギー串が少ないので、一
般には、電圧測定器として増幅器が用いられ、増幅型彫
電圧測定器という形で利用されている。
[背景技術の問題点]
以上述べた様に、従来のガス絶縁開閉装置においては、
エポキシコンデンサを使用したFL用の電圧検出装置と
、ガスコンデンサを使用したPD用の電圧検出装置とが
不可欠であり、同じ電圧検出という目的を持ちながら、
双方の検出精度の要求の相違や、FL用電圧検出装置と
増幅形電圧測定器を使用するPD用電圧検出装置どのコ
ンデンサ容量の相違等の理由から、それぞれ専用の電圧
−11− 検出装置を設置しなければならなかった。
エポキシコンデンサを使用したFL用の電圧検出装置と
、ガスコンデンサを使用したPD用の電圧検出装置とが
不可欠であり、同じ電圧検出という目的を持ちながら、
双方の検出精度の要求の相違や、FL用電圧検出装置と
増幅形電圧測定器を使用するPD用電圧検出装置どのコ
ンデンサ容量の相違等の理由から、それぞれ専用の電圧
−11− 検出装置を設置しなければならなかった。
そのため、各々の電圧検出装置の取付は所要空間が増加
()、現在強く要求されているガス絶縁開閉装置の小型
縮小化の妨げどなる問題点があった。
()、現在強く要求されているガス絶縁開閉装置の小型
縮小化の妨げどなる問題点があった。
[発明の目的]
本発明の目的は、上記PD用電圧検出装置とFL用電圧
検出装置の作用を合せ持ち、機能的でしかも取F目プ所
要空間が少なく、ガス絶縁開閉装置の小型縮小化に寄与
し得るガス絶縁開閉装置の電圧検出装置を提供リ−るこ
とにある。
検出装置の作用を合せ持ち、機能的でしかも取F目プ所
要空間が少なく、ガス絶縁開閉装置の小型縮小化に寄与
し得るガス絶縁開閉装置の電圧検出装置を提供リ−るこ
とにある。
[発明の概要1
本発明の電圧検出装置は、絶縁ガスの封入された接地金
属容器内に円筒状エポキシコンデンサを配置し、このエ
ポキシコンデンサの一端に高圧側金属シールドを設け、
この高圧側金属シールドを高圧電路に接続される充電部
側に接続し、ざらに、エポキシコンデンサの金属箔に接
続している一部の端子を第1の電圧測定器に接続するこ
とで、第1の電圧測定器の一次側コンデンサとし、ざら
に接地金属容器内には、前記高圧側金属シー 12 − 一ルドと対向して低圧側金属シールドを配設し、この低
圧側金属シールドを接地金属容器とは絶縁して中間電位
とし、高圧側金属シールドとの間にガスコンデンサを形
成し、このガスコンデンサを第2の電圧測定器に接続す
ることで、第2の電圧測定器の一次側コンデンサとした
もので、一つの接地金属容器内に容量の大きなエポキシ
コンデンサと、小容量で高精度のガスコンデンサとを組
込むことにより、一つの電圧検出装置で2種の電圧測定
を可能としたものである。
属容器内に円筒状エポキシコンデンサを配置し、このエ
ポキシコンデンサの一端に高圧側金属シールドを設け、
この高圧側金属シールドを高圧電路に接続される充電部
側に接続し、ざらに、エポキシコンデンサの金属箔に接
続している一部の端子を第1の電圧測定器に接続するこ
とで、第1の電圧測定器の一次側コンデンサとし、ざら
に接地金属容器内には、前記高圧側金属シー 12 − 一ルドと対向して低圧側金属シールドを配設し、この低
圧側金属シールドを接地金属容器とは絶縁して中間電位
とし、高圧側金属シールドとの間にガスコンデンサを形
成し、このガスコンデンサを第2の電圧測定器に接続す
ることで、第2の電圧測定器の一次側コンデンサとした
もので、一つの接地金属容器内に容量の大きなエポキシ
コンデンサと、小容量で高精度のガスコンデンサとを組
込むことにより、一つの電圧検出装置で2種の電圧測定
を可能としたものである。
[発明の実施例]
以下、本発明の一実施例を第4図乃至第6図に基づいて
説明する。なお、第1図の従来のFL用電圧検出装置と
同一部分につい−Cは、同一符号を付して説明を省略J
る。
説明する。なお、第1図の従来のFL用電圧検出装置と
同一部分につい−Cは、同一符号を付して説明を省略J
る。
第4図において、金属容器4内には、従来の1L用電圧
検出装置と同様に、エポキシコンデンサ5が収納され、
この7[ボキシコンデン[15からコンタクト8、絶縁
密、Il端子9を介して容器4外部にエポキシコンデン
サ゛5で分圧された電位が導出−13− される様になつ−Cいる。即ち、本装置でエボキシコン
デン1す5は、「1−用電圧検出装置の一次側コンデン
サCF+を構成している。
検出装置と同様に、エポキシコンデンサ5が収納され、
この7[ボキシコンデン[15からコンタクト8、絶縁
密、Il端子9を介して容器4外部にエポキシコンデン
サ゛5で分圧された電位が導出−13− される様になつ−Cいる。即ち、本装置でエボキシコン
デン1す5は、「1−用電圧検出装置の一次側コンデン
サCF+を構成している。
一方、エポキシ:」ンデンサ5内部のガス空間には、高
圧側の金属シールド6と対向して低圧側金属シールド4
1が設けられている。低圧側金属シールド41は、円板
状金属シールドA1aと、これを支持する円柱状支持部
41bから形成され、支持部/11bの下端には取付フ
ランジ41cが形成されている。この低圧側金属シール
ド41は、支持板4b上に固定された絶縁リング42の
上面に、取付フランジ41Gを締付部材で固定すること
により、支持板4bに締結固定されている。また、低圧
側金属シールド41の支持部41bの下端にはコンタク
ト47が埋め込まれている。このコンタク1−43は、
底板4aの中央部に設けた第2の聞[1部4d内に絶縁
且つ気密に配設された絶縁密封端子44に対して、電気
的に接続されている、。
圧側の金属シールド6と対向して低圧側金属シールド4
1が設けられている。低圧側金属シールド41は、円板
状金属シールドA1aと、これを支持する円柱状支持部
41bから形成され、支持部/11bの下端には取付フ
ランジ41cが形成されている。この低圧側金属シール
ド41は、支持板4b上に固定された絶縁リング42の
上面に、取付フランジ41Gを締付部材で固定すること
により、支持板4bに締結固定されている。また、低圧
側金属シールド41の支持部41bの下端にはコンタク
ト47が埋め込まれている。このコンタク1−43は、
底板4aの中央部に設けた第2の聞[1部4d内に絶縁
且つ気密に配設された絶縁密封端子44に対して、電気
的に接続されている、。
この様に、エポキシコンデンサ5内に設けられ−14−
た低圧側金属シールド41は、接地電位にある金属容器
4とは絶縁されているので、高圧側の金属シールド6と
低圧側金属シールド41との間にガスコンデンサCP+
が形成される。モして、低圧側金属シールド41の電位
は、その端部に接続された絶縁密封端子44を介して金
属容器外部に導出される。
4とは絶縁されているので、高圧側の金属シールド6と
低圧側金属シールド41との間にガスコンデンサCP+
が形成される。モして、低圧側金属シールド41の電位
は、その端部に接続された絶縁密封端子44を介して金
属容器外部に導出される。
第5図に本発明の電圧検出装置の回路を等価的に示す。
金属容器12内に外部の充電された系統に接続されてい
る高圧側電極11が配設されている。この高圧側電極1
1と金属容器12との間に、■ルキシコンデ2勺にJこ
りFL用の一次側コンデンサCF+が形成され、その中
間電位は絶縁密封端子44を介して金属容器12外部に
導出され、絶縁密封端子44に接続された二次側付加コ
ンデンサCF2によって分圧された電位となり、この分
圧電位は外部リード線45を介してFL用雷電圧測定器
46と伝送される。
る高圧側電極11が配設されている。この高圧側電極1
1と金属容器12との間に、■ルキシコンデ2勺にJこ
りFL用の一次側コンデンサCF+が形成され、その中
間電位は絶縁密封端子44を介して金属容器12外部に
導出され、絶縁密封端子44に接続された二次側付加コ
ンデンサCF2によって分圧された電位となり、この分
圧電位は外部リード線45を介してFL用雷電圧測定器
46と伝送される。
一方、エポキシコンデンサ5内の低圧側金属シールド4
1と高圧側金属シールド6との間には、−15− 1) D用の一次側ガスコンデンサCP+が形成され、
その電位は絶縁密封端子44を介して金属容器12外部
に導出され、そこに接続された二次側付加コンデンサC
]〕2によって分圧された電位となり、この分圧電位は
外部リード1ij115を介して増幅器形のPDD電圧
測定器16へと伝送される。
1と高圧側金属シールド6との間には、−15− 1) D用の一次側ガスコンデンサCP+が形成され、
その電位は絶縁密封端子44を介して金属容器12外部
に導出され、そこに接続された二次側付加コンデンサC
]〕2によって分圧された電位となり、この分圧電位は
外部リード1ij115を介して増幅器形のPDD電圧
測定器16へと伝送される。
この様に本実施例の電圧検出装置は、F L用電圧検出
装置の一次側コンデンサCE1として作用するエポキシ
コンデンサ内部のガス空間に、ガスコンデンサCP+を
形成し、このガスコンデンサを精度の要求されるPD用
電電圧検出装置一次側ガスコンデンサとして作用させる
ことを特徴とするものである3、その結果、本発明によ
れば、一つの電圧検出装置で二つの機能が具備されるこ
とになるから、ガス絶縁開閉VX@内に2種類の電圧検
出装置を別々に配置することがなくなり、一つの電圧検
出装置が省略されたスペースだけガス絶縁開閉装置がそ
れだけ小型縮小化できる効果がある。
装置の一次側コンデンサCE1として作用するエポキシ
コンデンサ内部のガス空間に、ガスコンデンサCP+を
形成し、このガスコンデンサを精度の要求されるPD用
電電圧検出装置一次側ガスコンデンサとして作用させる
ことを特徴とするものである3、その結果、本発明によ
れば、一つの電圧検出装置で二つの機能が具備されるこ
とになるから、ガス絶縁開閉VX@内に2種類の電圧検
出装置を別々に配置することがなくなり、一つの電圧検
出装置が省略されたスペースだけガス絶縁開閉装置がそ
れだけ小型縮小化できる効果がある。
また、第1図において、エポキシコンデンサ5【よ、そ
のほぼ全長の1/2程度まで内外面が低圧−16− 側部5Cとなっている。従って、低圧側金属シールド4
1は、この低圧側箔5Cと常時はぼ同等の電位に分圧さ
れるため、低圧側箔5Cの設置位置の最高圧電位部位側
まで近接して設けることができる。故に、低圧側金属シ
ールド41は、高圧側金属シールド6との距離を上記範
囲内で適切な一次側ガスコンデンサCP+の容量を得る
様に自由に選択できる。
のほぼ全長の1/2程度まで内外面が低圧−16− 側部5Cとなっている。従って、低圧側金属シールド4
1は、この低圧側箔5Cと常時はぼ同等の電位に分圧さ
れるため、低圧側箔5Cの設置位置の最高圧電位部位側
まで近接して設けることができる。故に、低圧側金属シ
ールド41は、高圧側金属シールド6との距離を上記範
囲内で適切な一次側ガスコンデンサCP+の容量を得る
様に自由に選択できる。
以上の実施例に示す様に、本発明の電圧検出装置は、一
つの金属容器内にFL用のエポキシコンデンサとPD用
のガコンデンサを内蔵したものであるが、その具体的構
成は、前記実施例に限定されるものではない。
つの金属容器内にFL用のエポキシコンデンサとPD用
のガコンデンサを内蔵したものであるが、その具体的構
成は、前記実施例に限定されるものではない。
例えば、前記実施例では、エポキシコンデンサ5及び金
属容器4をガス絶縁開閉装置の金属容器2と同軸上に設
け、且つ絶縁スペーサ3によって電圧検出装置の金属容
器4をガス絶縁開閉装置の金属容器4に対してガス区分
しているが、エポキシコンデンサ5及び低圧側金属シー
ルド41は、いずれも金属容器4の底板4aに支持され
ている− 17 − ので、周囲の金属容器4と一体である必要はなく、第6
図の様に、ガス絶縁開閉装置の金属容器2の一部を、特
に絶縁スペーサを設けることなく、そのまま電圧検出装
置の金属容器として使用することもできる。
属容器4をガス絶縁開閉装置の金属容器2と同軸上に設
け、且つ絶縁スペーサ3によって電圧検出装置の金属容
器4をガス絶縁開閉装置の金属容器4に対してガス区分
しているが、エポキシコンデンサ5及び低圧側金属シー
ルド41は、いずれも金属容器4の底板4aに支持され
ている− 17 − ので、周囲の金属容器4と一体である必要はなく、第6
図の様に、ガス絶縁開閉装置の金属容器2の一部を、特
に絶縁スペーサを設けることなく、そのまま電圧検出装
置の金属容器として使用することもできる。
また、前記実施例は、エポキシコンデンサ5の低圧側を
支持する支持板4bを、低圧側金属シールド41の支持
板としてそのまま利用したが、低圧側金属シールド41
とエポキシコンデンサ5とは、全く別の支持手段により
金属容器4内に支持させることも可能である。
支持する支持板4bを、低圧側金属シールド41の支持
板としてそのまま利用したが、低圧側金属シールド41
とエポキシコンデンサ5とは、全く別の支持手段により
金属容器4内に支持させることも可能である。
更に、低圧側の金属シールドは、高圧側の金属シールド
との間で、PD用として適正な静電容量が得られるなら
ば、必ずしもその先端をエポキシコンデンサ5の内部に
挿入する必要はない。金属容器内のスペースや、外部に
導出する絶縁密封端子の取付は位置によっては、エポキ
シコンデンサ外部の周辺に低圧側金属シールドを設ける
ことも可能である。
との間で、PD用として適正な静電容量が得られるなら
ば、必ずしもその先端をエポキシコンデンサ5の内部に
挿入する必要はない。金属容器内のスペースや、外部に
導出する絶縁密封端子の取付は位置によっては、エポキ
シコンデンサ外部の周辺に低圧側金属シールドを設ける
ことも可能である。
[発明の効果1
− 18 −
以上の通り、本発明においては、一つの電圧検出装置内
に第1の電圧検出作用を果すエポキシコンデンサと、第
2の電圧検出作用を果すガスコンデンサが具漏されてい
るので、これらを各別に設けていた従来の電圧検出装置
に比較して、電圧検出装置の取付スペースの削減による
ガス絶縁開閉装置自体の小型化が可能である。
に第1の電圧検出作用を果すエポキシコンデンサと、第
2の電圧検出作用を果すガスコンデンサが具漏されてい
るので、これらを各別に設けていた従来の電圧検出装置
に比較して、電圧検出装置の取付スペースの削減による
ガス絶縁開閉装置自体の小型化が可能である。
第1図は従来のFL用電圧検出装置の一例を示1す断面
図、第2図は従来のPD用電圧検出装置の回路図、第3
図は第2図の回路図に従って構成した従来のPD用電圧
検出装置の断面図、第4図は本発明の電圧検出装置の断
面図、第5図は本発明の電圧検出装置の回路図、第6図
は本発明の電圧検出装置の他の実施例を示す断面図であ
る。 1.11.21・・・高圧側電極、2.12.22・・
・ガス絶縁開閉装置の金属容器、3・・・絶縁スペーサ
、4・・・電圧検出装置の金属容器、5・・・エポキシ
コンデンサ、6・・・高圧側金属シールド、7a〜7Q
・・・低圧側端子、8・・・コンタクト、9・・・絶縁
密封−19一 端子、13・・・中間電極、14・・・絶縁密封端子、
15・・・外部リード、16・・・PD用雷電圧測定器
23・・・中間電極、24・・・絶縁棒、25・・・コ
ンタクト、26・・・絶縁密封端子、41・・・低圧側
金属シールド、42・・・絶縁リング、43・・・コン
タクト、44・・・絶縁密封端子、45・・・外部リー
ド、46・・・FL用電圧検出器。 CP+・・・PD用−次ガスコンデンサ。 CF2・・・PD用用法次側付加コンデンサCP+・・
・FL用−次コンデンザ。 (エポキシコンデンサ) CF2・・・[1−用二次側付加]ンデンサ。 −20− 第1図 第2図 第3図 第4図 第5図 第6図 1 コ・
図、第2図は従来のPD用電圧検出装置の回路図、第3
図は第2図の回路図に従って構成した従来のPD用電圧
検出装置の断面図、第4図は本発明の電圧検出装置の断
面図、第5図は本発明の電圧検出装置の回路図、第6図
は本発明の電圧検出装置の他の実施例を示す断面図であ
る。 1.11.21・・・高圧側電極、2.12.22・・
・ガス絶縁開閉装置の金属容器、3・・・絶縁スペーサ
、4・・・電圧検出装置の金属容器、5・・・エポキシ
コンデンサ、6・・・高圧側金属シールド、7a〜7Q
・・・低圧側端子、8・・・コンタクト、9・・・絶縁
密封−19一 端子、13・・・中間電極、14・・・絶縁密封端子、
15・・・外部リード、16・・・PD用雷電圧測定器
23・・・中間電極、24・・・絶縁棒、25・・・コ
ンタクト、26・・・絶縁密封端子、41・・・低圧側
金属シールド、42・・・絶縁リング、43・・・コン
タクト、44・・・絶縁密封端子、45・・・外部リー
ド、46・・・FL用電圧検出器。 CP+・・・PD用−次ガスコンデンサ。 CF2・・・PD用用法次側付加コンデンサCP+・・
・FL用−次コンデンザ。 (エポキシコンデンサ) CF2・・・[1−用二次側付加]ンデンサ。 −20− 第1図 第2図 第3図 第4図 第5図 第6図 1 コ・
Claims (2)
- (1)内部に絶縁性に優れたガスが封入された接地電圧
にある金属容器内に、クラフト紙或いは有機ポリマー等
を主体とした絶縁フィルムと低電比側及び高電圧側のア
ルミ等の金属箔とを交互に多層に巻回し、これをエポキ
シ等の熱硬化性樹脂にて一体にモールドした円筒状のエ
ポキシコンデンサを収納し、 このエポキシコンデンサの高圧側に高圧側金属シールド
を設け、この高圧側金属シールドを高圧電路に接続され
る充電部側に接続し、またエポキシコンデンサの金属箔
に接続している低圧側の端子を接地金属容器外部の第1
の電圧測定器に接続して、前記エポキシコンデンサを第
1の電圧測定器の一次側コンデンサとし、 さらに前記接地金属容器内には、高圧側金属シールドと
対向して低圧側金属シールドを配設し、−1− この低圧側金属シールドを接地金属容器とは絶縁して中
間電位どし、この低圧側金属シールドと前記高圧側金属
シールドとの間のガス空間を利用してガスコンデンサを
形成し、この低圧側金属シールドを接地容器外部の第2
の電圧測定器に接続して、前記ガスコンデンサを第2の
電圧測定器の一次側コンデンザとしたことを特徴とする
ガス絶縁開閉装置の電圧検出装置。 - (2)低圧側金属シールドとして、その先端部が、円筒
状エポキシコンデンサの内側空間内に、エポキシコンデ
ンサの全長の1/2程度まで挿入されたものを用いた特
許請求の範囲第1項記載のガス絶縁開閉装置の電圧検出
装置。
Priority Applications (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP59013514A JPS60160308A (ja) | 1984-01-30 | 1984-01-30 | ガス絶縁開閉装置の電圧検出装置 |
Applications Claiming Priority (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP59013514A JPS60160308A (ja) | 1984-01-30 | 1984-01-30 | ガス絶縁開閉装置の電圧検出装置 |
Publications (1)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
JPS60160308A true JPS60160308A (ja) | 1985-08-21 |
Family
ID=11835253
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
JP59013514A Pending JPS60160308A (ja) | 1984-01-30 | 1984-01-30 | ガス絶縁開閉装置の電圧検出装置 |
Country Status (1)
Country | Link |
---|---|
JP (1) | JPS60160308A (ja) |
Cited By (2)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JPWO2015049725A1 (ja) * | 2013-10-01 | 2017-03-09 | 三菱電機株式会社 | 部分放電センサー |
EP2905854B1 (de) * | 2014-02-07 | 2023-03-01 | Siemens Aktiengesellschaft | Kapazitive Spannungsmessvorrichtung und eine Sammelschienenanordnung einer Schaltanlage und Schaltanlage |
-
1984
- 1984-01-30 JP JP59013514A patent/JPS60160308A/ja active Pending
Cited By (2)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JPWO2015049725A1 (ja) * | 2013-10-01 | 2017-03-09 | 三菱電機株式会社 | 部分放電センサー |
EP2905854B1 (de) * | 2014-02-07 | 2023-03-01 | Siemens Aktiengesellschaft | Kapazitive Spannungsmessvorrichtung und eine Sammelschienenanordnung einer Schaltanlage und Schaltanlage |
Similar Documents
Publication | Publication Date | Title |
---|---|---|
US7064267B2 (en) | Gas insulating apparatus and method for locating fault point thereof | |
US20060012382A1 (en) | Modular voltage sensor | |
US7027280B2 (en) | Gas insulating apparatus and method for locating fault point thereof | |
US3763378A (en) | Voltage transformer for fully insulated, metal-clad high voltage switching installations | |
JPH0714739A (ja) | 熱安定性の高いコンデンサ | |
US6717499B2 (en) | Transformer for gas insulated electric apparatus | |
CN110542777B (zh) | 一种三相一体gis的独立式母线电压测量装置 | |
JPS60160308A (ja) | ガス絶縁開閉装置の電圧検出装置 | |
US4553139A (en) | Vacuum monitor for vacuum interrupter | |
JPH05508223A (ja) | 高電圧電位の測定トランスデューサ | |
CN114594298A (zh) | 一种分压器及gis设备 | |
KR100305615B1 (ko) | 특고압배전선로의전압검출장치 | |
CN110596442B (zh) | 一种电子式电压互感器 | |
JP2000286108A (ja) | 碍子形避雷器 | |
JP2543787Y2 (ja) | ガス絶縁開閉装置用電圧変成器 | |
JP2004357376A (ja) | 開閉装置用計測装置 | |
JP2001052942A (ja) | 計器用変圧器 | |
JPS6091808A (ja) | ガス絶縁開閉装置の電圧検出装置 | |
JPH063462B2 (ja) | 容量分圧形検電装置 | |
JPS59221671A (ja) | ガス絶縁電気機器用光学式電圧変成装置 | |
WO2024006615A1 (en) | Low power instrument transformer (lpit) in conical connector | |
CN114487533A (zh) | 一种阻容模块及电压互感器 | |
JPH118134A (ja) | 受電設備用トランス | |
JP2000125425A (ja) | ガス絶縁開閉装置 | |
JPS59149727A (ja) | 電圧検出装置 |