JPS6090311A - 回折格子付光導波膜の製造方法 - Google Patents
回折格子付光導波膜の製造方法Info
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Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
本発明は、光通信等の分野に用いる回折格子付光導波膜
の製造方法に関するものである。
の製造方法に関するものである。
光通イ３分野における波長多重通信の有用性が認識され
るＫつれて、量産に適する光分波器の出現が待たれてい
る。製造に伴う組立て工程と調整工程が比較的簡便な光
分波器として光導波膜を用いた導波形光分波器が提案さ
れている。しかし、従来光導波膜に分波機能を果たす回
折格子を作り込むことが困難であったため、第１図に例
示するように、基板１上に形成された光導波膜２の端面
の一部に外部から回折格子３を貼り合わせる必吸があっ
た。第１図において、（ａ）は平面状回折格子、（ｂ）
は凹面状回折格子を貼シ合わせる場合を示す。
るＫつれて、量産に適する光分波器の出現が待たれてい
る。製造に伴う組立て工程と調整工程が比較的簡便な光
分波器として光導波膜を用いた導波形光分波器が提案さ
れている。しかし、従来光導波膜に分波機能を果たす回
折格子を作り込むことが困難であったため、第１図に例
示するように、基板１上に形成された光導波膜２の端面
の一部に外部から回折格子３を貼り合わせる必吸があっ
た。第１図において、（ａ）は平面状回折格子、（ｂ）
は凹面状回折格子を貼シ合わせる場合を示す。
貼シ合わせに際しては、あらかじめ光導波膜端面を精度
良く研磨仕上げしておく必要があり、光導波膜の他端に
設けられる光入出力部や光反射部との位１＃２関係を配
慮、しながら研磨する］二程ｄ長時間を要し、導波形光
分波器の低価格化を印書する要因となっていた。まだ、
外部から回折格子３を有機系の接着剤を用いて光導波膜
２の端面に貼り合わせるため、外部からの湿気や温度サ
イクルによって接着面が徐徐に劣化するという耐候性に
関するぼ念もあった。
良く研磨仕上げしておく必要があり、光導波膜の他端に
設けられる光入出力部や光反射部との位１＃２関係を配
慮、しながら研磨する］二程ｄ長時間を要し、導波形光
分波器の低価格化を印書する要因となっていた。まだ、
外部から回折格子３を有機系の接着剤を用いて光導波膜
２の端面に貼り合わせるため、外部からの湿気や温度サ
イクルによって接着面が徐徐に劣化するという耐候性に
関するぼ念もあった。
本発明は、光導波膜に一括生産性の高いフォトリングラ
フィの手法を用いて回折格子面を作り込むことにより、
回折格子付光導波膜ひいては導波形光分波器の量産を可
能とする回折格子付光導波膜の製造方法を提供するもの
である。
フィの手法を用いて回折格子面を作り込むことにより、
回折格子付光導波膜ひいては導波形光分波器の量産を可
能とする回折格子付光導波膜の製造方法を提供するもの
である。
以下本発明の詳細な説明する。
第２図は本発明の製造方法の基本工程例を示す図であり
、まず、基板１上に光導波膜２を形成したものを用意す
る（第２図ａ）。２ｂは保護膜であるが、本発明の構成
に必ずしも必須ではない。次に、光導波膜２上にレジス
ト膜４を形成し、フォトマスク５をレジスト膜上面に重
ねる（第２図ｂ）。
、まず、基板１上に光導波膜２を形成したものを用意す
る（第２図ａ）。２ｂは保護膜であるが、本発明の構成
に必ずしも必須ではない。次に、光導波膜２上にレジス
ト膜４を形成し、フォトマスク５をレジスト膜上面に重
ねる（第２図ｂ）。
フォトマスク５は所望の回折格子形状に対応する波状パ
ターン５ａを含んでいる。フォトリングラフィの手段に
より露光と現像を行ない、波状パターン５ａをくり抜か
れたレジスト膜４′を形成する（第２図Ｃ）。続いて、
このレジスト膜４′をマスクとして光導波膜２のエツチ
ングを行ない、このエツチング後にレジスト膜４′を除
去して、波状側面５ｂを有する溝６を得る（第２図ｄ）
。最後に溝６０波状側面５ｂをカバーするように反射金
属膜７を形成し、回折格子付光導波膜を得る。
ターン５ａを含んでいる。フォトリングラフィの手段に
より露光と現像を行ない、波状パターン５ａをくり抜か
れたレジスト膜４′を形成する（第２図Ｃ）。続いて、
このレジスト膜４′をマスクとして光導波膜２のエツチ
ングを行ない、このエツチング後にレジスト膜４′を除
去して、波状側面５ｂを有する溝６を得る（第２図ｄ）
。最後に溝６０波状側面５ｂをカバーするように反射金
属膜７を形成し、回折格子付光導波膜を得る。
第２図において、使用できる光導波膜としては、イオン
拡散法で形成した多成分ガラス光導波膜やＬｉ Ｎｂ
Ｏ１系光導波膜、スピンコード等の手法で形成したプラ
スチック系光樽波膜、真空蒸着法やスパッタ法で形成し
た種種の光導波膜、Ｓ＋Ｃ４。
拡散法で形成した多成分ガラス光導波膜やＬｉ Ｎｂ
Ｏ１系光導波膜、スピンコード等の手法で形成したプラ
スチック系光樽波膜、真空蒸着法やスパッタ法で形成し
た種種の光導波膜、Ｓ＋Ｃ４。
Ｇ ｅ Ｃ１４、Ｔ ｉ Ｃ１４等のガラス形成原料の
気相化学反応で形成した石英系ガラス光導波膜等を上げ
ることができる。
気相化学反応で形成した石英系ガラス光導波膜等を上げ
ることができる。
第２図では光導波膜のエツチングに先だちレジスト膜４
を形成しているが、光導波膜の拐質によって異なるエツ
チング特性のレジスト膜を２Ｎに形成する必要がある場
合もある。
を形成しているが、光導波膜の拐質によって異なるエツ
チング特性のレジスト膜を２Ｎに形成する必要がある場
合もある。
捷だ、第２図において第１図（ａ）に対応する平面状の
回折格子を形成する場合を例示したが、マスク５上の波
状パターン５ａの形状を選ぶことにより第１図（ｂ）に
対応する曲面状の回折格子等、任意形状の回折格子を光
４波膜に形成できるととは勿論である。
回折格子を形成する場合を例示したが、マスク５上の波
状パターン５ａの形状を選ぶことにより第１図（ｂ）に
対応する曲面状の回折格子等、任意形状の回折格子を光
４波膜に形成できるととは勿論である。
波状側面５ｂをカバーして形成すべき反射金属膜として
は、Ａｕ、ＡＡ等の材質が適当である。
は、Ａｕ、ＡＡ等の材質が適当である。
次に光導波膜として、石英系ガラス光導波膜を用いた場
合についてさらに詳細に本発明の製造工程を説明する。
合についてさらに詳細に本発明の製造工程を説明する。
捷ず、５ｉＣｔ４． ＴｌＣ４、ＢＣｔｓ 、 Ｐｃｔ
、を原料とする火炎加水分解反応を利用して、石英ガラ
ス基板（５ｃｒｎＸ５（１）、１．５Ｎ厚）上に光導波
膜を形成した。第３図にその断面構造を示す。第３図に
おいて、光導波膜２は保護膜２ｂに加えて、石英ガラス
基板１との境界にバッファ／４２ｃを有している。保護
膜２ｂ、バッファ層２Ｃのガラス組成は５ｉＯ２−Ｂ２
０３−ｐ２ｏ、であり、その屈折率は基板１とほぼ等し
く設定した。膜厚はいずれも５μｍである。光導波膜２
の膜厚は４５μｍであり、ガラス組成は５ｉｎ２−’ｒ
ｉｏ２−Ｂ２０ｓ−ＰｘＯ５でＴｉＯ□添加の量を調節
して屈折率はバッファ層、保護膜に比べて１１％高くし
である。
、を原料とする火炎加水分解反応を利用して、石英ガラ
ス基板（５ｃｒｎＸ５（１）、１．５Ｎ厚）上に光導波
膜を形成した。第３図にその断面構造を示す。第３図に
おいて、光導波膜２は保護膜２ｂに加えて、石英ガラス
基板１との境界にバッファ／４２ｃを有している。保護
膜２ｂ、バッファ層２Ｃのガラス組成は５ｉＯ２−Ｂ２
０３−ｐ２ｏ、であり、その屈折率は基板１とほぼ等し
く設定した。膜厚はいずれも５μｍである。光導波膜２
の膜厚は４５μｍであり、ガラス組成は５ｉｎ２−’ｒ
ｉｏ２−Ｂ２０ｓ−ＰｘＯ５でＴｉＯ□添加の量を調節
して屈折率はバッファ層、保護膜に比べて１１％高くし
である。
第４図は本実施例で用いたフォトマスク５の波状パター
ン５ａの拡大図であり、格子間隔ｄは４μｍに、ブレー
ズ角度θは１０度とした。寸法り、は２０＋ｌＩＪ。
ン５ａの拡大図であり、格子間隔ｄは４μｍに、ブレー
ズ角度θは１０度とした。寸法り、は２０＋ｌＩＪ。
Ｂ２は１藺とした。
石英系ガラス光導波膜の場合には、単純なレジストによ
るエツチングが困難であるため、非晶質Ｓｉ膜（ａ−８
ｉ膜）を中間レジストする次の方法を用いた。すなわち
、寸ず、保護膜２ｂ上に、ａ −８ｉ膜ヲマグネトロン
・スパッタ法により６μｍ厚で形成した。次に、フォト
レジストＡＺ １３５０ Ｊ ラミー８ｉ膜上にスピン
コードし、第４図の波状パターン５ａを含むフォトマス
ク５を用いて、フォトレジスト膜を露光・現像しブこ。
るエツチングが困難であるため、非晶質Ｓｉ膜（ａ−８
ｉ膜）を中間レジストする次の方法を用いた。すなわち
、寸ず、保護膜２ｂ上に、ａ −８ｉ膜ヲマグネトロン
・スパッタ法により６μｍ厚で形成した。次に、フォト
レジストＡＺ １３５０ Ｊ ラミー８ｉ膜上にスピン
コードし、第４図の波状パターン５ａを含むフォトマス
ク５を用いて、フォトレジスト膜を露光・現像しブこ。
この段階で、フォトレジスト膜の波状パターン５ａに対
応する部分が除去される。次に、ＣＢｒＦ、、ガスを用
いたドライエツチング法により、波状パターン５ａ部分
に対応する部分の露出したａ−８ｌ膜を除去した。続い
て、エツチングガスをＣ，Ｆ、、 、 Ｃ２Ｈ４混合ガ
スに変えて、波状パターン５ａ部に対応する石英系ガラ
ス光導波膜を５５μｍ８度の深さまでドライエツチング
した。この時、光導波膜上に残っているａ−８ｉ膜がマ
スクとして働く。エツチング工程の最後にａ−３ｉ膜を
除去すると、第５図に示したように石英系ガラス光導波
膜に波状側面５ｂを有する溝６が現われた。
応する部分が除去される。次に、ＣＢｒＦ、、ガスを用
いたドライエツチング法により、波状パターン５ａ部分
に対応する部分の露出したａ−８ｌ膜を除去した。続い
て、エツチングガスをＣ，Ｆ、、 、 Ｃ２Ｈ４混合ガ
スに変えて、波状パターン５ａ部に対応する石英系ガラ
ス光導波膜を５５μｍ８度の深さまでドライエツチング
した。この時、光導波膜上に残っているａ−８ｉ膜がマ
スクとして働く。エツチング工程の最後にａ−３ｉ膜を
除去すると、第５図に示したように石英系ガラス光導波
膜に波状側面５ｂを有する溝６が現われた。
最後に第５図における波状側面５ｂをカバーするように
Ａｕを蒸着し、反躬形回折格子付の石英系ガラス光導波
膜を得だ。
Ａｕを蒸着し、反躬形回折格子付の石英系ガラス光導波
膜を得だ。
上記の実施例におけるドライエツチングに際しては、平
面電極型の反応性スパッタエツチング装置を使用したた
め、エツチングの垂直性が良く、波状側面５ｂと基板「
Ｉ］とがなす角度αは８８°であった。角度αが９０°
から大きくそれると、光導波膜を伝播してきた導波光が
、反射金属膜を形成された回折格子面で反射する際に、
基板へ洩れる成分が増加し、不適当である。光導波膜の
構造にも依存するが、角度αは９０°±４°の範囲にな
るようにエツチング条件を設定することが望ましい。
面電極型の反応性スパッタエツチング装置を使用したた
め、エツチングの垂直性が良く、波状側面５ｂと基板「
Ｉ］とがなす角度αは８８°であった。角度αが９０°
から大きくそれると、光導波膜を伝播してきた導波光が
、反射金属膜を形成された回折格子面で反射する際に、
基板へ洩れる成分が増加し、不適当である。光導波膜の
構造にも依存するが、角度αは９０°±４°の範囲にな
るようにエツチング条件を設定することが望ましい。
以上説明したように、本発明の方法によれば、フォトリ
ノグラフィを活用することにより、外部から回折格子面
を貼り合わせる等の手段を用いることなく、回折格子付
光導波膜を一括大量生産できる。さらに１特筆すべき本
発明の効果としては、フォトマスクとして波状パターン
の他に光導波膜への光入力部、光出力部２等を含むマス
クを用意しておけば、機械的な導波膜端面研磨や光学的
な位置合わせをせず、無調整で導波形光分波器等を組み
立てることをあげることができる。すなわち、第６図は
本発明の一実施例で用いたマスクパターンであシ、第６
図（ａ）では、回折格子に対応する波状パターン５ａの
他に、入出力光ファイバ位ｆδに対応する入出力部パタ
ーン６１．凹面反射鏡に対応する凹面反射鏡パターン６
２を含んでいる。凹面反射鏡パターン６２に対応する最
終的な光導波膜の溝側面には、波状パターン５ａに対応
する波状側面溝と同様に、反射金属膜が形成されること
は言う１でもない。第６図（ｂ）は、凹面回折格子に対
応する波状パターン６２を含む例てあり、同時に２つの
分波器に対応するマスク例である。
ノグラフィを活用することにより、外部から回折格子面
を貼り合わせる等の手段を用いることなく、回折格子付
光導波膜を一括大量生産できる。さらに１特筆すべき本
発明の効果としては、フォトマスクとして波状パターン
の他に光導波膜への光入力部、光出力部２等を含むマス
クを用意しておけば、機械的な導波膜端面研磨や光学的
な位置合わせをせず、無調整で導波形光分波器等を組み
立てることをあげることができる。すなわち、第６図は
本発明の一実施例で用いたマスクパターンであシ、第６
図（ａ）では、回折格子に対応する波状パターン５ａの
他に、入出力光ファイバ位ｆδに対応する入出力部パタ
ーン６１．凹面反射鏡に対応する凹面反射鏡パターン６
２を含んでいる。凹面反射鏡パターン６２に対応する最
終的な光導波膜の溝側面には、波状パターン５ａに対応
する波状側面溝と同様に、反射金属膜が形成されること
は言う１でもない。第６図（ｂ）は、凹面回折格子に対
応する波状パターン６２を含む例てあり、同時に２つの
分波器に対応するマスク例である。
第７図は、第６図（ｂ）に対応するマスクパターンより
作製した導波形光分波器であり、光入出力部溝７１には
光フアイバ群７２が設置され固定されている。入力ファ
イバから光導波膜２へと導入された波長多重光は、反射
金属膜７をコートされた波状側面５ｂから成る回折格子
面で回折されるとともに集光され、波長に応じて出力フ
ァイバ群７２ｂへと分波される。なお、光フアイバ群７
２の外径は１．あらかじめ光入出力部溝の寸（に合わせ
て必要に応じて化学エツチングにより減少させておくこ
とができる。
作製した導波形光分波器であり、光入出力部溝７１には
光フアイバ群７２が設置され固定されている。入力ファ
イバから光導波膜２へと導入された波長多重光は、反射
金属膜７をコートされた波状側面５ｂから成る回折格子
面で回折されるとともに集光され、波長に応じて出力フ
ァイバ群７２ｂへと分波される。なお、光フアイバ群７
２の外径は１．あらかじめ光入出力部溝の寸（に合わせ
て必要に応じて化学エツチングにより減少させておくこ
とができる。
なお、第７図の光入出力部に代り、第８図に例示したよ
うな導波路群８１を介して光ファイバや光検知器と接続
することも可能であり、本発明の方法によれば、これら
の光導波路群８１も回折格子（第８図では省略）作製と
同一のマスクパターンを用いて一括作製できる。このよ
うに、光導波膜の所望の位置に、回折格子面、反射面、
溝及び光導波路を機械研磨の制約を受けることなく自由
に形成することができ、この際、従来の場合なような回
折格子貼り合わせ位置や、入出力ファイバ設置位置の調
雅を個個の素子について行なう必要はなく、組立て調整
時間の大幅な短縮をみることができる。
うな導波路群８１を介して光ファイバや光検知器と接続
することも可能であり、本発明の方法によれば、これら
の光導波路群８１も回折格子（第８図では省略）作製と
同一のマスクパターンを用いて一括作製できる。このよ
うに、光導波膜の所望の位置に、回折格子面、反射面、
溝及び光導波路を機械研磨の制約を受けることなく自由
に形成することができ、この際、従来の場合なような回
折格子貼り合わせ位置や、入出力ファイバ設置位置の調
雅を個個の素子について行なう必要はなく、組立て調整
時間の大幅な短縮をみることができる。
本発明の方法で作製した回折格子の回折効率を調べる目
的で、第７図の配置で入力ファイバフ２ａから白色光を
光導波膜２へと導入し、出力ファイバ群７２ｂからの出
射光の波長依存性を調べたところ、回折効率はブレーズ
角度で強調された波長帯では８０％以上に達し、充分実
用に供し得ることを確認した。
的で、第７図の配置で入力ファイバフ２ａから白色光を
光導波膜２へと導入し、出力ファイバ群７２ｂからの出
射光の波長依存性を調べたところ、回折効率はブレーズ
角度で強調された波長帯では８０％以上に達し、充分実
用に供し得ることを確認した。
以上説明したように、本発明の方法によれば、回折格子
付光導波膜を光入出力部も含めてフメトリソグラフィの
手法で作製できるので、特に光通信の発展に伴って大量
の需要が見込せれる導波形光分波器の構成に応用して効
果か大である。
付光導波膜を光入出力部も含めてフメトリソグラフィの
手法で作製できるので、特に光通信の発展に伴って大量
の需要が見込せれる導波形光分波器の構成に応用して効
果か大である。
以上説明した具体的な実施例の光導波膜は、いわゆる多
モード用に相当する膜厚と屈折率差を有していだが、膜
厚の小さい単一モード用光導波膜にも本発明の方法が適
用できることは勿論である。
モード用に相当する膜厚と屈折率差を有していだが、膜
厚の小さい単一モード用光導波膜にも本発明の方法が適
用できることは勿論である。
また、本発明の具体的な実施例で用いた平面電極型反応
性スパッタエツチング法の他、垂直性の良いエツチング
法として反応性イオンビームエツチング法などをあげる
ことができ、光導波膜の月質に応じて選択して使用する
ことが望ましい。また、フォトリノグラフィの際に７メ
トマスクの代りに電子ビーム露光を用いても良いことは
勿論である。
性スパッタエツチング法の他、垂直性の良いエツチング
法として反応性イオンビームエツチング法などをあげる
ことができ、光導波膜の月質に応じて選択して使用する
ことが望ましい。また、フォトリノグラフィの際に７メ
トマスクの代りに電子ビーム露光を用いても良いことは
勿論である。
第１図（ａ）（ｂ）は従来の回折格子付光導波膜の構成
例を示す斜視図、第２図（ａ） （ｂ） （ｃ） （ｄ
） （ｅ）は本発明の回折格子付光導波膜作製基本工程
例を説明するだめの斜視図、第３図は本発明の一実施例
で使用した石英系ガラス光導波膜の断面構造図、第４図
は本発明に用いる回折格子に対応する波状パターン例を
示す平面図、第５図は本発明において石英系光導波膜に
形成した波状側面溝の例を示す斜視図、第６図（ａ）
（ｂ）は本発明で用いるマスクパターンの例を示す平面
図、第７図、第８図は本発明の寸法で作製した樽波形光
分波器構造例を示す斜視図である。 １・・・基板、２・・・光導波膜、 ２ｂ・・・保護膜
、２ｃ・・・バッファ層、 ３・・・回折格子、４・・
・レジスｕＬ ５・・・フォトマスク、５ａ・・・波状
パターン、４′・・・露光現像後のレジスト膜、５ｂ・
・・波状側面、６・・・溝、７・・・反射金属膜、６１
・・・入出力部パターン、６２・・・凹面反射鏡パター
ン、７１・・・先入出力部溝、 ７２・・入出力光ファ
イバ群、７２ａ・・入力ファイバ、 ７２ｂ・・・出力ファイバ群、８１・・・光導波路群。 特許出願人 日本電信電話公社 代理人 白水常雄 外１名 第３０ 第４凶 躬５０ らｈ
例を示す斜視図、第２図（ａ） （ｂ） （ｃ） （ｄ
） （ｅ）は本発明の回折格子付光導波膜作製基本工程
例を説明するだめの斜視図、第３図は本発明の一実施例
で使用した石英系ガラス光導波膜の断面構造図、第４図
は本発明に用いる回折格子に対応する波状パターン例を
示す平面図、第５図は本発明において石英系光導波膜に
形成した波状側面溝の例を示す斜視図、第６図（ａ）
（ｂ）は本発明で用いるマスクパターンの例を示す平面
図、第７図、第８図は本発明の寸法で作製した樽波形光
分波器構造例を示す斜視図である。 １・・・基板、２・・・光導波膜、 ２ｂ・・・保護膜
、２ｃ・・・バッファ層、 ３・・・回折格子、４・・
・レジスｕＬ ５・・・フォトマスク、５ａ・・・波状
パターン、４′・・・露光現像後のレジスト膜、５ｂ・
・・波状側面、６・・・溝、７・・・反射金属膜、６１
・・・入出力部パターン、６２・・・凹面反射鏡パター
ン、７１・・・先入出力部溝、 ７２・・入出力光ファ
イバ群、７２ａ・・入力ファイバ、 ７２ｂ・・・出力ファイバ群、８１・・・光導波路群。 特許出願人 日本電信電話公社 代理人 白水常雄 外１名 第３０ 第４凶 躬５０ らｈ
Claims (1)
- （１）基板上に形成された光導波膜に所望の回折格子形
状に対応する波状パターンを含むマスクを重ね、フォト
リングラフィの手段によシ前記光導波膜の一部に波状側
面を有する溝を形成し、しかる後肢溝の前記波状側面に
反射形回折格子面となる反射金属膜を形成することを特
徴とする回折格子付光導波膜の製造方法。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP19873883A JPS6090311A (ja) | 1983-10-24 | 1983-10-24 | 回折格子付光導波膜の製造方法 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP19873883A JPS6090311A (ja) | 1983-10-24 | 1983-10-24 | 回折格子付光導波膜の製造方法 |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPS6090311A true JPS6090311A (ja) | 1985-05-21 |
| JPH0477883B2 JPH0477883B2 (ja) | 1992-12-09 |
Family
ID=16396153
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP19873883A Granted JPS6090311A (ja) | 1983-10-24 | 1983-10-24 | 回折格子付光導波膜の製造方法 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPS6090311A (ja) |
Cited By (7)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS62119505A (ja) * | 1985-11-20 | 1987-05-30 | Fujitsu Ltd | 光導波路デイバイスの形成方法 |
| JPS62299917A (ja) * | 1986-06-20 | 1987-12-26 | Fujitsu Ltd | 導波路−グレ−テイング形光合分波器及びその製造方法 |
| JPS635309A (ja) * | 1986-04-04 | 1988-01-11 | ケルンフオルシユングスツエントルム・カ−ルスル−エ・ゲゼルシヤフト・ミツト・ベシユレンクテル・ハフツング | １つまたはそれ以上のエシユレツト格子を有する受動光学構成素子の製造法 |
| JPH03230106A (ja) * | 1990-02-05 | 1991-10-14 | Nippon Telegr & Teleph Corp <Ntt> | 波長分合波器 |
| WO1997026568A1 (de) * | 1996-01-20 | 1997-07-24 | Forschungszentrum Karlsruhe Gmbh | Verfahren zum herstellen eines reflexionsgitters für mikrospektrometer |
| WO2013067846A1 (en) * | 2011-11-08 | 2013-05-16 | Cheng-Hao Ko | Optical wavelength dispersion device and method of manufacturing the same |
| JP2021516778A (ja) * | 2018-03-28 | 2021-07-08 | ディスペリックス オサケ ユキチュア | 反射表面を有する導波路表示素子 |
Citations (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS59116602A (ja) * | 1982-12-23 | 1984-07-05 | Agency Of Ind Science & Technol | チヤ−プトグレ−テイングの製造方法 |
-
1983
- 1983-10-24 JP JP19873883A patent/JPS6090311A/ja active Granted
Patent Citations (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS59116602A (ja) * | 1982-12-23 | 1984-07-05 | Agency Of Ind Science & Technol | チヤ−プトグレ−テイングの製造方法 |
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| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS62119505A (ja) * | 1985-11-20 | 1987-05-30 | Fujitsu Ltd | 光導波路デイバイスの形成方法 |
| JPS635309A (ja) * | 1986-04-04 | 1988-01-11 | ケルンフオルシユングスツエントルム・カ−ルスル−エ・ゲゼルシヤフト・ミツト・ベシユレンクテル・ハフツング | １つまたはそれ以上のエシユレツト格子を有する受動光学構成素子の製造法 |
| JPS62299917A (ja) * | 1986-06-20 | 1987-12-26 | Fujitsu Ltd | 導波路−グレ−テイング形光合分波器及びその製造方法 |
| JPH03230106A (ja) * | 1990-02-05 | 1991-10-14 | Nippon Telegr & Teleph Corp <Ntt> | 波長分合波器 |
| WO1997026568A1 (de) * | 1996-01-20 | 1997-07-24 | Forschungszentrum Karlsruhe Gmbh | Verfahren zum herstellen eines reflexionsgitters für mikrospektrometer |
| WO2013067846A1 (en) * | 2011-11-08 | 2013-05-16 | Cheng-Hao Ko | Optical wavelength dispersion device and method of manufacturing the same |
| JP2021516778A (ja) * | 2018-03-28 | 2021-07-08 | ディスペリックス オサケ ユキチュア | 反射表面を有する導波路表示素子 |
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| JPH0477883B2 (ja) | 1992-12-09 |
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