JPS6089786A - 放射線検出器 - Google Patents
放射線検出器Info
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- JPS6089786A JPS6089786A JP58198751A JP19875183A JPS6089786A JP S6089786 A JPS6089786 A JP S6089786A JP 58198751 A JP58198751 A JP 58198751A JP 19875183 A JP19875183 A JP 19875183A JP S6089786 A JPS6089786 A JP S6089786A
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- light
- radiation
- photodetector
- detector
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- G01—MEASURING; TESTING
- G01T—MEASUREMENT OF NUCLEAR OR X-RADIATION
- G01T1/00—Measuring X-radiation, gamma radiation, corpuscular radiation, or cosmic radiation
- G01T1/16—Measuring radiation intensity
- G01T1/20—Measuring radiation intensity with scintillation detectors
- G01T1/2018—Scintillation-photodiode combinations
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- G—PHYSICS
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- G01T1/161—Applications in the field of nuclear medicine, e.g. in vivo counting
- G01T1/164—Scintigraphy
- G01T1/1641—Static instruments for imaging the distribution of radioactivity in one or two dimensions using one or several scintillating elements; Radio-isotope cameras
- G01T1/1644—Static instruments for imaging the distribution of radioactivity in one or two dimensions using one or several scintillating elements; Radio-isotope cameras using an array of optically separate scintillation elements permitting direct location of scintillations
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- G01T1/20187—Position of the scintillator with respect to the photodiode, e.g. photodiode surrounding the crystal, the crystal surrounding the photodiode, shape or size of the scintillator
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Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
〔発明の利用分野〕
本完明は放射線検出器fl+に関し、特にX線CT装置
ifi等に用いられろランチlノージョン放射線検出器
に関するものである。
ifi等に用いられろランチlノージョン放射線検出器
に関するものである。
X線CT装置のX線計測系の構成の一例を第1図に示す
。本計測系においては、扇状に広がったX線ビーム2を
検出するため、X線源1を中心とする円弧上に配置され
た複数個(30〜2000個程度)の放射線検出素子3
から成る多素子放射線検出器4が用いられている。上記
多素子放射線検出器4としては、気体の電離作用を利用
する電離箱形検出器や固体の電離作用を利用する半導体
検出器、あるいはX線による蛍光作用を利用するシンチ
レーション検出器等が知られている。
。本計測系においては、扇状に広がったX線ビーム2を
検出するため、X線源1を中心とする円弧上に配置され
た複数個(30〜2000個程度)の放射線検出素子3
から成る多素子放射線検出器4が用いられている。上記
多素子放射線検出器4としては、気体の電離作用を利用
する電離箱形検出器や固体の電離作用を利用する半導体
検出器、あるいはX線による蛍光作用を利用するシンチ
レーション検出器等が知られている。
シンチレーション検出器においては、一般に、単結晶無
機シンチレータ、例えば、NaT、CsI。
機シンチレータ、例えば、NaT、CsI。
CdWO+ 、B14Ge301゜等が用いられる。こ
れらのシンチレータは特性的に一長一短があり、すべて
のタイプのCT装置に適用できるものはない。
れらのシンチレータは特性的に一長一短があり、すべて
のタイプのCT装置に適用できるものはない。
単結晶シンチレータの上述の如き欠点を補うものとして
粉末シンチレータが用いられている。粉末シンチレータ
はポリスチレン樹脂等の適当なバインダーを用いて成形
して用いるが、単結晶シンチレータに比較して機械的強
度が劣るため破損し易いという欠点がある。
粉末シンチレータが用いられている。粉末シンチレータ
はポリスチレン樹脂等の適当なバインダーを用いて成形
して用いるが、単結晶シンチレータに比較して機械的強
度が劣るため破損し易いという欠点がある。
また、粉末シンチレータは単結晶シンチレータに比1り
して光の透過度が低いため、単結晶シンチレータと同様
の構造として放射線の出射側から光を取出し光検出器で
受光することは困難である。
して光の透過度が低いため、単結晶シンチレータと同様
の構造として放射線の出射側から光を取出し光検出器で
受光することは困難である。
そこで、粉末シンチレータを用いる放射線検出器では、
第2図に示す如きhvt造を採っている。
第2図に示す如きhvt造を採っている。
第2図に示す放射線検出器においては、入射する放射線
ビーム2は遮光板兼光反射板5を透過して、放射線ビー
ム2の光軸に対して斜めに配置された粉末シンチレータ
6に達しここで光に変換される。変換された光の殆んど
が上記シンチレータ6の放射線入射側に放射される。こ
の光は上記遮光板兼光反射板5および仕切板8の表面に
設けられた光反射膜9で反射さ、111、Siフォトダ
イオード等で構成される半導体光検出器7により受光さ
れ、電気信号に変換される。。
ビーム2は遮光板兼光反射板5を透過して、放射線ビー
ム2の光軸に対して斜めに配置された粉末シンチレータ
6に達しここで光に変換される。変換された光の殆んど
が上記シンチレータ6の放射線入射側に放射される。こ
の光は上記遮光板兼光反射板5および仕切板8の表面に
設けられた光反射膜9で反射さ、111、Siフォトダ
イオード等で構成される半導体光検出器7により受光さ
れ、電気信号に変換される。。
(−述の如く構成された従来のシンチレーション検出器
においては、シンチレータ表面と半導体光検出器の受光
面とが大きな角度を有しているため、シンチレータの上
記受光面から遠い部分で発生した蛍光は仕切板8による
吸収のため小さな電流出力となり、逆に受光面に近い部
分で発生した蛍光は大きな電流出力となる。この結果、
一様なX線が1素子に入射しても素子内部でX線に対す
る感度が異なって来るという問題が生ずる。これは、特
に、第3世代X線CTに再生画像上にリング状の偽像を
生じ、良好な計測を不可能とするものである。
においては、シンチレータ表面と半導体光検出器の受光
面とが大きな角度を有しているため、シンチレータの上
記受光面から遠い部分で発生した蛍光は仕切板8による
吸収のため小さな電流出力となり、逆に受光面に近い部
分で発生した蛍光は大きな電流出力となる。この結果、
一様なX線が1素子に入射しても素子内部でX線に対す
る感度が異なって来るという問題が生ずる。これは、特
に、第3世代X線CTに再生画像上にリング状の偽像を
生じ、良好な計測を不可能とするものである。
〔発明の[1的〕
本発明は上記事情に鑑みてなされたもので、その目的と
するところは、従来の粉末シンチレータを用いるシンチ
レーション放射線検出器における上述の如き問題を解消
し、素子内部で一様な感度を有する放射線検出器を提供
することにある。
するところは、従来の粉末シンチレータを用いるシンチ
レーション放射線検出器における上述の如き問題を解消
し、素子内部で一様な感度を有する放射線検出器を提供
することにある。
本発明の上記目的は、放射線を受けるシンチレータと、
該シンチレータの発光を放射線入射側で受光する光検出
器とから成る放射線検出器において、前記光検出器を前
記シンチレータの放射線入射側面に実質的に対向させて
、シンチレータの光検出器から遠い部分で発生した蛍光
の受光量を増し、逆に受光面に近い部分で発生した蛍光
の受光量を減少させることにより、入射X線に対する素
子内部での感度を均一化したことを特徴とする放射線検
出器によって達成される。
該シンチレータの発光を放射線入射側で受光する光検出
器とから成る放射線検出器において、前記光検出器を前
記シンチレータの放射線入射側面に実質的に対向させて
、シンチレータの光検出器から遠い部分で発生した蛍光
の受光量を増し、逆に受光面に近い部分で発生した蛍光
の受光量を減少させることにより、入射X線に対する素
子内部での感度を均一化したことを特徴とする放射線検
出器によって達成される。
以下、本発明の実施例を図面に基づいて詳細に説明する
。
。
第3図は本発明の一実施例を示すシンチレーション多素
子検出器の断面図である。図声;おいて、記号2,5〜
7,9,1.0は第2図に示したと同じ構成要素を示し
ている。本実施例に示す検出器の構造−1−の特徴は、
従来シンチレータ6の下部から入射X線の光軸に平行に
設けられていた半導体光検出器7を、シンチレータ6が
ら離して全体に傾けるとともにやや」二方(X線源側)
に移動させて、゛1〜算体光倹14費j侶7とシンチレ
ータ6とを、他に支障のない範囲で対向させた点にある
。
子検出器の断面図である。図声;おいて、記号2,5〜
7,9,1.0は第2図に示したと同じ構成要素を示し
ている。本実施例に示す検出器の構造−1−の特徴は、
従来シンチレータ6の下部から入射X線の光軸に平行に
設けられていた半導体光検出器7を、シンチレータ6が
ら離して全体に傾けるとともにやや」二方(X線源側)
に移動させて、゛1〜算体光倹14費j侶7とシンチレ
ータ6とを、他に支障のない範囲で対向させた点にある
。
JL体的には、Fl′:Lti体光検光検出器7ンチレ
ータ6に対して、距離Xだけ上方に引上げるとともに角
度Oだけ回動させて、シンチレータ6と半導体光検出器
7との対向の程度を大きくし、これによりシンチレータ
6の発光を均一に受光可能にしているものである。上記
距離X、角度θの値については、シンチレータの位置、
大きさ、あるいは他の光反射面の大きさ等種々の条件に
より決定されるものであるため、細かく特定することは
困難であるが、−例は次の如くである。
ータ6に対して、距離Xだけ上方に引上げるとともに角
度Oだけ回動させて、シンチレータ6と半導体光検出器
7との対向の程度を大きくし、これによりシンチレータ
6の発光を均一に受光可能にしているものである。上記
距離X、角度θの値については、シンチレータの位置、
大きさ、あるいは他の光反射面の大きさ等種々の条件に
より決定されるものであるため、細かく特定することは
困難であるが、−例は次の如くである。
第4図は本発明の具体的実施例に基づくシンチレーショ
ン検出器の特性を示すもので、半導体光検出器7の高さ
く第3図の上下方向)が約20mm 、幅(第3図の紙
面に垂直の方向)が約1.2mmのとき、上記距離xを
9mm、角度Oを15度とした場合のシンチレータ長さ
方向(第3図の左右方向)における感度分布を示すもの
である。なお、破線は従来のシンチレーション検出器の
一般的な値を示すものであり、実線が本実施例のシンチ
レーション検出器の特性である。
ン検出器の特性を示すもので、半導体光検出器7の高さ
く第3図の上下方向)が約20mm 、幅(第3図の紙
面に垂直の方向)が約1.2mmのとき、上記距離xを
9mm、角度Oを15度とした場合のシンチレータ長さ
方向(第3図の左右方向)における感度分布を示すもの
である。なお、破線は従来のシンチレーション検出器の
一般的な値を示すものであり、実線が本実施例のシンチ
レーション検出器の特性である。
図からも明らかな如く、従来はシンチレータ6の半導体
光検出器7に近い側(第4図では左側)に感度の大きな
ピークがあったものが、本実施例の検出器では殆んど一
様な感度分布となっている。
光検出器7に近い側(第4図では左側)に感度の大きな
ピークがあったものが、本実施例の検出器では殆んど一
様な感度分布となっている。
また、感度分布が一様であるということは、再生画像上
での前記リング状の偽像を低減させる効果を有するのみ
ならず、X線ビームの幅を変化させて撮影を行う場合に
も検出器の任意の位置にX線を入射させることができろ
ことを意味し、実用上の利点が多い。
での前記リング状の偽像を低減させる効果を有するのみ
ならず、X線ビームの幅を変化させて撮影を行う場合に
も検出器の任意の位置にX線を入射させることができろ
ことを意味し、実用上の利点が多い。
上記実施例においては、シンチレータ6として粉末シン
チレータを用いる例を示したが、シンチレータ6は必ず
しも粉末シンチレータである必要はなく、貼結晶シンチ
レータでも差支えない。
チレータを用いる例を示したが、シンチレータ6は必ず
しも粉末シンチレータである必要はなく、貼結晶シンチ
レータでも差支えない。
以上述べた如く、本発明にJ:れば、放射線を受けるシ
ンチレータと、該シンチレータの発光を放射線入射側゛
で受光する光検出器とから成る放射線検出器において、
前記光検出器を前記シンチレータの放射線入射側面に実
質的に対向させて、シンチレータの光検出器から遠い部
分で発生もだ蛍光の受光量を増し、逆に受光面に近い部
分で発生した蛍光の受光量を減少させるようにしたので
、入射放射線に対する素子内部での感度を均一化した放
射線検出器を実現できるという顕著な効果を奏するもの
である。
ンチレータと、該シンチレータの発光を放射線入射側゛
で受光する光検出器とから成る放射線検出器において、
前記光検出器を前記シンチレータの放射線入射側面に実
質的に対向させて、シンチレータの光検出器から遠い部
分で発生もだ蛍光の受光量を増し、逆に受光面に近い部
分で発生した蛍光の受光量を減少させるようにしたので
、入射放射線に対する素子内部での感度を均一化した放
射線検出器を実現できるという顕著な効果を奏するもの
である。
第1図はX線CT装置のX線計測系の一例を示す図、第
2図は従来のシンチレーション検出器の構成を示す斜視
図、第3図は本発明の一実施例を示す断面図、第4図は
実施例の特性を示すグラフである。 2:放射線ビーム、5:遮光板兼光反射板、6:シンチ
レータ、7:半導体光検出器、8:仕切板、9:光反射
膜、IO=ケース。 特許出願人 株式会社日立製作所(ほか]名)代理人弁
理士磯村雅俊゛1 第 1 図 第 2 図 第 3 図 第 4 図 検出器横方向の位置(mm) 第1頁の続き 0発 明 者 吉 1) 稔 @発明者 川口 文男 @発明者山1)敞道 @発明者 牛油 功− 国分寺市東恋ケ窪1丁目28幡地 株式会社日立製作所
中央研究所内 国分寺市東恋ケ窪1丁目28幡地 株式会社日立製作所
中央研究所内 国分寺市東恋ケ窪1丁目28@地 株式会社日立製作所
中央研究所内 相市新十余二2番地1 株式会社日立メデイコ研究開発
センタ内
2図は従来のシンチレーション検出器の構成を示す斜視
図、第3図は本発明の一実施例を示す断面図、第4図は
実施例の特性を示すグラフである。 2:放射線ビーム、5:遮光板兼光反射板、6:シンチ
レータ、7:半導体光検出器、8:仕切板、9:光反射
膜、IO=ケース。 特許出願人 株式会社日立製作所(ほか]名)代理人弁
理士磯村雅俊゛1 第 1 図 第 2 図 第 3 図 第 4 図 検出器横方向の位置(mm) 第1頁の続き 0発 明 者 吉 1) 稔 @発明者 川口 文男 @発明者山1)敞道 @発明者 牛油 功− 国分寺市東恋ケ窪1丁目28幡地 株式会社日立製作所
中央研究所内 国分寺市東恋ケ窪1丁目28幡地 株式会社日立製作所
中央研究所内 国分寺市東恋ケ窪1丁目28@地 株式会社日立製作所
中央研究所内 相市新十余二2番地1 株式会社日立メデイコ研究開発
センタ内
Claims (2)
- (1)放射線を受けるシンチレ−タと、該シンチレータ
の発光を放射線入射側で受光する光検出器とから成る放
射線検出器において、前記光検出器を+’+if記シン
チレータの放射線入射側面に実質的に対向させたことを
特徴とする放射線検出器。 - (2)前記光検出器が前記シンチレータよりも放射線源
側に位置し、放射線入射方向に対して前記シンチレータ
よりは小さい゛角度を有する如く構成されていることを
特徴とする特許請求の範囲第1項記載の放射線検出器。
Priority Applications (3)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP58198751A JPS6089786A (ja) | 1983-10-24 | 1983-10-24 | 放射線検出器 |
US06/663,945 US4598203A (en) | 1983-10-24 | 1984-10-23 | Multielement radiation detector |
DE19843438984 DE3438984A1 (de) | 1983-10-24 | 1984-10-24 | Multielement-strahlungsdetektor |
Applications Claiming Priority (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP58198751A JPS6089786A (ja) | 1983-10-24 | 1983-10-24 | 放射線検出器 |
Publications (1)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
JPS6089786A true JPS6089786A (ja) | 1985-05-20 |
Family
ID=16396354
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
JP58198751A Pending JPS6089786A (ja) | 1983-10-24 | 1983-10-24 | 放射線検出器 |
Country Status (3)
Country | Link |
---|---|
US (1) | US4598203A (ja) |
JP (1) | JPS6089786A (ja) |
DE (1) | DE3438984A1 (ja) |
Cited By (1)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JP2020139816A (ja) * | 2019-02-27 | 2020-09-03 | 浜松ホトニクス株式会社 | 撮像ユニットおよび放射線画像取得システム |
Families Citing this family (5)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
FR2623019B1 (fr) * | 1987-11-10 | 1990-05-11 | Thomson Csf | Dispositif de prise d'image radiologique |
US5401973A (en) * | 1992-12-04 | 1995-03-28 | Atomic Energy Of Canada Limited | Industrial material processing electron linear accelerator |
US6553092B1 (en) * | 2000-03-07 | 2003-04-22 | Koninklijke Philips Electronics, N.V. | Multi-layer x-ray detector for diagnostic imaging |
US8161610B2 (en) * | 2008-04-28 | 2012-04-24 | RKR Ventures, LLC | Retaining tool for exhaust brake power piston and method of use |
ITMI20081798A1 (it) * | 2008-10-10 | 2010-04-11 | Cnr Consiglio Naz Delle Ric Erche | Dispositivo scintigrafico a super-risoluzione spaziale |
Family Cites Families (6)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
GB1583868A (en) * | 1976-08-28 | 1981-02-04 | Emi Ltd | Radiography |
US4234792A (en) * | 1977-09-29 | 1980-11-18 | Raytheon Company | Scintillator crystal radiation detector |
US4187427A (en) * | 1978-01-09 | 1980-02-05 | General Electric Company | Structure for collimated scintillation detectors useful in tomography |
US4159424A (en) * | 1978-04-03 | 1979-06-26 | General Electric Company | Trapezoidal scintillator for radiation detectors |
JPS54179782U (ja) * | 1978-06-09 | 1979-12-19 | ||
JPS6058430B2 (ja) * | 1980-10-22 | 1985-12-19 | 株式会社 日立メデイコ | 放射線検出器 |
-
1983
- 1983-10-24 JP JP58198751A patent/JPS6089786A/ja active Pending
-
1984
- 1984-10-23 US US06/663,945 patent/US4598203A/en not_active Expired - Fee Related
- 1984-10-24 DE DE19843438984 patent/DE3438984A1/de active Granted
Cited By (3)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JP2020139816A (ja) * | 2019-02-27 | 2020-09-03 | 浜松ホトニクス株式会社 | 撮像ユニットおよび放射線画像取得システム |
WO2020174850A1 (ja) * | 2019-02-27 | 2020-09-03 | 浜松ホトニクス株式会社 | 撮像ユニットおよび放射線画像取得システム |
US11729344B2 (en) | 2019-02-27 | 2023-08-15 | Hamamatsu Photonics K.K. | Imaging unit and radiation image acquisition system |
Also Published As
Publication number | Publication date |
---|---|
US4598203A (en) | 1986-07-01 |
DE3438984C2 (ja) | 1987-11-12 |
DE3438984A1 (de) | 1985-05-15 |
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