JPS6088480A - 半導体圧力センサ - Google Patents

半導体圧力センサ

Info

Publication number
JPS6088480A
JPS6088480A JP19735283A JP19735283A JPS6088480A JP S6088480 A JPS6088480 A JP S6088480A JP 19735283 A JP19735283 A JP 19735283A JP 19735283 A JP19735283 A JP 19735283A JP S6088480 A JPS6088480 A JP S6088480A
Authority
JP
Japan
Prior art keywords
ring
pressure
case
sensor unit
pressure introduction
Prior art date
Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
Granted
Application number
JP19735283A
Other languages
English (en)
Other versions
JPH0478027B2 (ja
Inventor
Michitaka Hayashi
道孝 林
Michitake Kuroda
道毅 黒田
Current Assignee (The listed assignees may be inaccurate. Google has not performed a legal analysis and makes no representation or warranty as to the accuracy of the list.)
Denso Corp
Original Assignee
NipponDenso Co Ltd
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date
Application filed by NipponDenso Co Ltd filed Critical NipponDenso Co Ltd
Priority to JP19735283A priority Critical patent/JPS6088480A/ja
Publication of JPS6088480A publication Critical patent/JPS6088480A/ja
Publication of JPH0478027B2 publication Critical patent/JPH0478027B2/ja
Granted legal-status Critical Current

Links

Classifications

    • HELECTRICITY
    • H01ELECTRIC ELEMENTS
    • H01LSEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L29/00Semiconductor devices specially adapted for rectifying, amplifying, oscillating or switching and having potential barriers; Capacitors or resistors having potential barriers, e.g. a PN-junction depletion layer or carrier concentration layer; Details of semiconductor bodies or of electrodes thereof ; Multistep manufacturing processes therefor
    • H01L29/66Types of semiconductor device ; Multistep manufacturing processes therefor
    • H01L29/84Types of semiconductor device ; Multistep manufacturing processes therefor controllable by variation of applied mechanical force, e.g. of pressure

Landscapes

  • Engineering & Computer Science (AREA)
  • Microelectronics & Electronic Packaging (AREA)
  • Power Engineering (AREA)
  • Physics & Mathematics (AREA)
  • Ceramic Engineering (AREA)
  • Condensed Matter Physics & Semiconductors (AREA)
  • General Physics & Mathematics (AREA)
  • Computer Hardware Design (AREA)
  • Measuring Fluid Pressure (AREA)
  • Pressure Sensors (AREA)

Abstract

(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。

Description

【発明の詳細な説明】 〔産業上の利用分野〕 本発明は、例えば自動車用の内燃機関の吸入空気圧や大
気圧を検出する半導体圧力センサに関する。
〔従来技術〕
従来のものは、特開昭57−23831号公報に示され
るように、圧力を電気信号に変換するセンサユニットと
ケースの圧力導入孔とを接合する際に、嵌合部に接着剤
または接着剤とOリングを組合せて使用している。とこ
ろが、上述した従来のものでは、使用中に接着剤が劣化
して嵌合部から圧もれが発生したり、高い印加圧力の時
にはセンサユニットが浮かび上がって圧もれが発生して
被測定圧を正確に検出することができないという欠点が
ある。また、接着剤と0リングを組合せて使用する場合
は、0リングのシール機能を有効に利用できないという
欠点がある。
〔発明の目的〕
本発明は、上記の欠点を解消するため、センサユニソI
・の圧力導入パイプとケースの圧力導入孔との嵌合部を
0リングでシールし、さらにシール機能を補強する部材
を新たに設けることにより、圧もれがなく信頼性の高い
、しかも量産性の良い半導体圧力センサ、を提供するこ
とを目的とする。
(実施例〕 以下本発明を図に示す実施例に基ついて説明する。
第1図・は本発明の一実施例を示す要部断面図である。
センサユニット1は公知のシリコンダイヤフラム方式の
素子を内蔵し、パイプから印加される圧力を電気信号に
変換しリードビン1bより出力する構成によっている。
アンプユニット2はセラミック基板上に印刷された導体
、抵抗体及びモノリシックIC等(図示してない)から
なるハイブリッドICで構成され、センサユニット1の
信号を増幅及び調整する機能を有する。基板であるプリ
ント板3は、センサユニノl−1とアンプユニット2を
一体化すると同時に電気的に接続するものである。0リ
ング4は、センサユニソl−1の圧力導入パイプ1aと
たとえは樹脂製のケース5の圧力導入孔5aとをシール
し、被測定圧をセンサユニット1中のシリコンダイヤフ
ラム面に導く。
ここで圧力導入パイプ1aを圧力導入孔5a内に直接挿
入固定しないのは外部がら加わる機械的応力をこの部分
で緩和し、センサユニット1に伝えないようにするため
である。スリーブ6は、0リング4上のプリント板3と
ケース5との間に挿入されていて、スリーブ−6とプリ
ント板3との隙間は、0リング4の径に対して充分小さ
くしである。
また、スリーブ6の上面は、リードビン1bの突起に対
応して凹部が設けられており、絶縁抵抗の大きい樹脂あ
るいはゴム等の材質で作られている。
リード7はケース5を貫いた金属製のもので、プリント
板3で一体化されたセンサユニット1とアンプユニット
2に電気的入出力信号を提供する。
ボス8、ボス9はケース5と一体成形されており、プリ
ント板3の位置決めを行うと共に、プリント板3を介し
て上部を熱がしめすることによりプリント板3とケース
5の底面との間隔を所定値に設定して固定する機能をも
つものである。
次に、以上の様に構成された本発明の作動について説明
する。
ケース5の圧力導入孔5aから印加される圧力が比較的
大きい場合、0リング4はセンサユニット1の圧力導入
六イブ1aに沿って上向きに浮き上がる。実験結果によ
れば、センサユニット1の圧力導入パイプ1aの外径φ
2,5■、フッ素ゴムのOリング4の外径φ6.35m
m、0リング4の充填率7i%程度の寸法関係でスリー
ブ6を挿入しない場合、周囲温度が室温の特約4 kg
 / cJIlの印加圧でOリング4が浮き上がって圧
もれを発生する。
また、周囲温度100℃の時、同様の実験をした場合、
約’l kg / cJで圧もれを発生する。ここにお
いてスリーブ6を挿入した場合、上記実験を行うと、ス
リーブ6と上部のプリント板3との隙間は0リング4の
径より充分小さく設定されているので、0リング4の浮
き上がりが押さえられて圧もれが防止される。その結果
、半導体圧力センサの周囲温度を100℃として上記実
験をした時、5kg / ant以上の印加圧に対して
も、Oリング4が設けられた嵌合部からは圧もれが発生
しない。以上の様にプリント板3とケース5の間にスリ
ーブ6を挿入することによって、0リング4の浮き上が
りを防ぎシール機能を補強して圧もれを防止することが
でき、信頼性の高い半導体圧力センサを提供できる。
次に、本発明の他の実施例、特に0リングのシール機能
を補強する構造を第2図、第3図、第4図に示ずJ 第2図において、第1図のスリーブ6の代わりにプリン
ト板3またはリードビン1bの突起を補強用の部材とし
て直接用いてOIJソングを押さえる構造になっている
。この場合、プリント板3またはリードビン1bの先端
と0リング4との隙間は、0リング4の径に対して充分
小さく設定しであるから、0リング4の浮き上がりによ
る嵌合部から発生する圧もれを防止することができる。
以」二の様に、スリーブ6を取り除いても、プリント板
3またjはリードビン1bの突起を利用することによっ
て同様の効果が期待できる。
第3図において、第1図のスリーブ6の代わりに、第2
図の0リング4aを用いるものである。
この場合も、プリント板3またはリードビン1bの先端
と第2のOす・ング4aとの隙間を第2のOリング4a
の径に対して充分小さくすることにより同様の効果が期
待できる。
第4図において、第1図のスリーブ6の代わり0リング
4を設置した後にケース5内に設置される耐電磁波対策
用の金属ケース10を用いるものである。この場合、0
リング4の外径より小さい内径を設けた金属ケース10
によって、Oリング4の浮き上がりによる嵌合部から発
生ずる圧もれを同様に防止する効果が期待できる。
なお、本実施例は基板としてプリント板を、ケースとし
て樹脂製のケースを例に示したが、セラミソ、り等の基
板や、金属製のケースあるいけ金属と樹脂を組合せたケ
ースでもよい。また、本実施例はセンサユニット1とア
ンプユニット2とは別に基板3を設けているが、この基
板はアンプユニット自体の基板を兼用させるようにして
もよい。
〔発明の効果〕
以上述べたように本発明においては、半導体圧力センサ
を内蔵するケースの圧力導入孔トセンサユニットの圧力
導入パイプとの嵌合部をシールすく0リングを設け、さ
らに0リングのシール機能を補強する部材を0リングの
上部のプリント板とケースとの間に設けるという構成に
しているから、印加圧が高い場合でも0リングが浮き上
がることによって発生する圧もれを防止することができ
るという優れた効果がある。
【図面の簡単な説明】
第1図は、本発明の一実施例を示ず要部断面図、第2図
、第3図及び第4図は本発明の他の実施例を示す部分断
面図である。 ■・・・センサユニット、la・・・センサユニットの
圧力導入パイプ、2・・・アンプユニット、3・・・プ
リント板、4・・・0リング、5川ケース、6・・・ス
リーブ、8.9・・・ボス。 代理人弁理士 岡 部 隆 第1図 第2図 第3図 第4図

Claims (1)

  1. 【特許請求の範囲】 (])圧力を電気信号に変換するセンサユニットとこの
    センサユニットの信号を増幅するアンプユニットを備え
    、両ユニットを基板に固定して同一ケースに収納した構
    造の半導体圧力センサにおいて、前記センサユニットの
    圧力導入パイプと前記ケースの圧力導入孔との嵌合部を
    シールする0リングを設け、この0リングの上部の前記
    基板と前記ケースとの間に0リングのシール機能を補強
    する部材を設けたことを特徴とする半導体圧力センサ。 (2、特許請求の範囲第1項に記載した半導体圧力セン
    サにおいて、前記ケースと一体化されたボスにより前記
    基板を固定する構造としたことを特徴とする半導体圧力
    センサ。
JP19735283A 1983-10-20 1983-10-20 半導体圧力センサ Granted JPS6088480A (ja)

Priority Applications (1)

Application Number Priority Date Filing Date Title
JP19735283A JPS6088480A (ja) 1983-10-20 1983-10-20 半導体圧力センサ

Applications Claiming Priority (1)

Application Number Priority Date Filing Date Title
JP19735283A JPS6088480A (ja) 1983-10-20 1983-10-20 半導体圧力センサ

Related Child Applications (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
JP7236562A Division JP2661647B2 (ja) 1995-09-14 1995-09-14 半導体圧力センサの製造方法

Publications (2)

Publication Number Publication Date
JPS6088480A true JPS6088480A (ja) 1985-05-18
JPH0478027B2 JPH0478027B2 (ja) 1992-12-10

Family

ID=16373052

Family Applications (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
JP19735283A Granted JPS6088480A (ja) 1983-10-20 1983-10-20 半導体圧力センサ

Country Status (1)

Country Link
JP (1) JPS6088480A (ja)

Cited By (3)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JPS61202041U (ja) * 1985-06-10 1986-12-18
JPH01180630U (ja) * 1988-05-31 1989-12-26
JPH0821777A (ja) * 1995-06-29 1996-01-23 Fuji Koki Seisakusho:Kk 圧力検出装置

Citations (2)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JPS55137564U (ja) * 1979-03-20 1980-09-30
JPS5837530U (ja) * 1981-09-04 1983-03-11 三菱電機株式会社 圧力検出装置

Family Cites Families (1)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JPS5837530B2 (ja) * 1975-05-10 1983-08-17 株式会社リコー フクシヤキ

Patent Citations (2)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JPS55137564U (ja) * 1979-03-20 1980-09-30
JPS5837530U (ja) * 1981-09-04 1983-03-11 三菱電機株式会社 圧力検出装置

Cited By (3)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JPS61202041U (ja) * 1985-06-10 1986-12-18
JPH01180630U (ja) * 1988-05-31 1989-12-26
JPH0821777A (ja) * 1995-06-29 1996-01-23 Fuji Koki Seisakusho:Kk 圧力検出装置

Also Published As

Publication number Publication date
JPH0478027B2 (ja) 1992-12-10

Similar Documents

Publication Publication Date Title
US4040297A (en) Pressure transducer
US7234358B2 (en) Pressure detecting apparatus
US7436037B2 (en) Moisture resistant pressure sensors
JP3431603B2 (ja) 圧力センサ
US6883379B2 (en) Absolute-pressure type of pressure sensor
WO2001014842A1 (fr) Detecteur de pression semi-conducteur et dispositif de detection de pression
JP2002071491A (ja) 圧力センサ
US6169316B1 (en) Semiconductor pressure sensor including sensor chip fixed to package by adhesive
CN101581618A (zh) 具有焊接传感器芯附件的asic补偿压力传感器
US20050250371A1 (en) Sealing structure for connector
JP2005181066A (ja) 圧力センサ
JPS6088480A (ja) 半導体圧力センサ
JP2001033335A (ja) 圧力検出装置およびその製造方法
JPH02280026A (ja) 半導体式圧力検出装置
JPH05145085A (ja) 半導体圧力センサ
JP2661647B2 (ja) 半導体圧力センサの製造方法
JP3835317B2 (ja) 圧力センサ
JPS60171429A (ja) 圧力電気変換器
CN112897452B (zh) 传感器芯片、传感器和电子设备
JPS5936835B2 (ja) 半導体圧力・差圧伝送器
JP2000046674A (ja) 圧力センサ
JP2591145B2 (ja) 半導体圧力センサ
JPH01248033A (ja) 半導体式圧力センサ
JP2712596B2 (ja) 圧力センサ
JPH09178595A (ja) 圧力センサ