JPS6087496A - 磁気バブル転送路形成方法 - Google Patents
磁気バブル転送路形成方法Info
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- JPS6087496A JPS6087496A JP58195745A JP19574583A JPS6087496A JP S6087496 A JPS6087496 A JP S6087496A JP 58195745 A JP58195745 A JP 58195745A JP 19574583 A JP19574583 A JP 19574583A JP S6087496 A JPS6087496 A JP S6087496A
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- Japan
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- forming
- film
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-
- G—PHYSICS
- G11—INFORMATION STORAGE
- G11C—STATIC STORES
- G11C11/00—Digital stores characterised by the use of particular electric or magnetic storage elements; Storage elements therefor
- G11C11/02—Digital stores characterised by the use of particular electric or magnetic storage elements; Storage elements therefor using magnetic elements
- G11C11/14—Digital stores characterised by the use of particular electric or magnetic storage elements; Storage elements therefor using magnetic elements using thin-film elements
Landscapes
- Engineering & Computer Science (AREA)
- Computer Hardware Design (AREA)
Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
本発明は磁気バブル転送路形成方法、特に磁性ガーネッ
ト単結晶薄膜にイオン注入することにょル磁気バブルド
メイン（以下バブルと称す）の転送路を形成する方法に
関する。
ト単結晶薄膜にイオン注入することにょル磁気バブルド
メイン（以下バブルと称す）の転送路を形成する方法に
関する。
本発明で対象とする磁気バブル転送路は負の磁歪定数金
持ち膜面に垂直な一軸磁気、異方性會有する磁性ガーネ
ット膜単結晶に数珠玉１木°の転送路形成用マスクパタ
ーンを形成した後、イオン注入することによシ、イオン
注入された表面層の膜面に垂直な方向の格子定数を大き
くシ、磁歪効果により前記表面層が膜面内に容易方向ｔ
もつように変化せしめることによシ形成される。このよ
うに形成された非イオン注入領域である転送路の境界の
外縁部に生じるチャージドウオールによシバプル全駆動
するものである。
持ち膜面に垂直な一軸磁気、異方性會有する磁性ガーネ
ット膜単結晶に数珠玉１木°の転送路形成用マスクパタ
ーンを形成した後、イオン注入することによシ、イオン
注入された表面層の膜面に垂直な方向の格子定数を大き
くシ、磁歪効果により前記表面層が膜面内に容易方向ｔ
もつように変化せしめることによシ形成される。このよ
うに形成された非イオン注入領域である転送路の境界の
外縁部に生じるチャージドウオールによシバプル全駆動
するものである。
従来、バブル転送路形成時のイオン注入工程は、磁性ガ
ーネット膜にハードバブル抑制のためにネオン（Ｎｅ＋
）注入した後、バブル転送路形成用マスク七形成し、そ
の後ヘリウム（Ｈｅ”）ないしネオン（Ｎｅ”）ないし
水素（Ｈ”、Ｈ２”）イオンによシ注入エネルギー全二
種以上変えた注入全行ない膜厚方向に均一な歪分布金有
するイオン注入層を形成し、バブル転送特性の良好なバ
ブル転送路全形成している。これは単一条件の注入では
、第５図に示すように、磁性ガーネット膜単結晶中のイ
オン注入層の膜厚方向の歪分布はイオン注入層の中間部
で歪量が最大とな夛、不均一性の大きな分布となるから
である。
ーネット膜にハードバブル抑制のためにネオン（Ｎｅ＋
）注入した後、バブル転送路形成用マスク七形成し、そ
の後ヘリウム（Ｈｅ”）ないしネオン（Ｎｅ”）ないし
水素（Ｈ”、Ｈ２”）イオンによシ注入エネルギー全二
種以上変えた注入全行ない膜厚方向に均一な歪分布金有
するイオン注入層を形成し、バブル転送特性の良好なバ
ブル転送路全形成している。これは単一条件の注入では
、第５図に示すように、磁性ガーネット膜単結晶中のイ
オン注入層の膜厚方向の歪分布はイオン注入層の中間部
で歪量が最大とな夛、不均一性の大きな分布となるから
である。
しかしながら、イオン注入エネルギーの条件全二種以上
変えて注入する工程はイオン注入装置の調整等工程上の
問題により、生産性は良くなかった。
変えて注入する工程はイオン注入装置の調整等工程上の
問題により、生産性は良くなかった。
従来、イオン注入の回数を減らし得る試みはほとんどな
されていす、ただ、磁性ガーネットハードバブル抑制用
にネオン注入した後にモリブデン膜を形成し、転送路形
成用パターンを形成した上から、イオン注入ｔ−１回行
なう形ａ法が試みられている。（日向他、昭和５８年度
電子通信学会総会全国大会講演論文集１−２４１頁）こ
れはモリブデン膜が膜面に垂直な配向性ヶもった構造で
あるため、注入イオンはチャンネリング現象奮起こし、
イオン注入層はモリブデン膜がない場合に近い深さでし
かも均一に注入されると考えられている。
されていす、ただ、磁性ガーネットハードバブル抑制用
にネオン注入した後にモリブデン膜を形成し、転送路形
成用パターンを形成した上から、イオン注入ｔ−１回行
なう形ａ法が試みられている。（日向他、昭和５８年度
電子通信学会総会全国大会講演論文集１−２４１頁）こ
れはモリブデン膜が膜面に垂直な配向性ヶもった構造で
あるため、注入イオンはチャンネリング現象奮起こし、
イオン注入層はモリブデン膜がない場合に近い深さでし
かも均一に注入されると考えられている。
この形成法では転送路形成用パターンを形成した後のイ
オン注入工程は１回で良いが、その注入条件はチャンネ
リングを利用するためモリブデン膜の膜面に垂直な方向
の配向性に依存しておシ、しかも、”注入中にその配向
性は変化してゆくため、注入イオン種ないしはドーズ量
によっては最適な条件が得られないこともあり得る。そ
の上この方法によってもイオン注入工程はＩ・−ドパプ
ル抑制用の注入工程と併せ２回要する。
オン注入工程は１回で良いが、その注入条件はチャンネ
リングを利用するためモリブデン膜の膜面に垂直な方向
の配向性に依存しておシ、しかも、”注入中にその配向
性は変化してゆくため、注入イオン種ないしはドーズ量
によっては最適な条件が得られないこともあり得る。そ
の上この方法によってもイオン注入工程はＩ・−ドパプ
ル抑制用の注入工程と併せ２回要する。
本発明はこのような点に鑑みてなされたもので、その目
的は一回のみの注入で膜厚方向に均一な歪分布を有する
磁気バブル転送路形成法全提供するにある。
的は一回のみの注入で膜厚方向に均一な歪分布を有する
磁気バブル転送路形成法全提供するにある。
本発明によると磁性ガーネット膜上に金、タングステン
またはクロムからなる薄層を少なくとも１５００Å以上
の厚さに形成した後、該薄層上に転送路？形成するため
のマスクパターン？形成し、この上よル一種のイオン全
加速エネルギー？変えずにイオン注入することｔ特徴と
する磁気バブル転送路形成方法が得られる。
またはクロムからなる薄層を少なくとも１５００Å以上
の厚さに形成した後、該薄層上に転送路？形成するため
のマスクパターン？形成し、この上よル一種のイオン全
加速エネルギー？変えずにイオン注入することｔ特徴と
する磁気バブル転送路形成方法が得られる。
本発明では注入イオンが薄層中に注入された際、薄層構
成原子と散乱過程？幾度も生じることによル、同一エネ
ルギーで注入されたイオンが薄層中でエネルギー全一部
失ない、磁性ガーネット膜に注入されるときにはイオン
のエネルギーが幅広い分布で分散し膜厚方向に均一な注
入分布が得られるためには薄層の厚さがある程度厚いこ
とが必要である。
成原子と散乱過程？幾度も生じることによル、同一エネ
ルギーで注入されたイオンが薄層中でエネルギー全一部
失ない、磁性ガーネット膜に注入されるときにはイオン
のエネルギーが幅広い分布で分散し膜厚方向に均一な注
入分布が得られるためには薄層の厚さがある程度厚いこ
とが必要である。
本発明の実施例について図面全参照して詳細に説明する
。
。
実施例１
第１図のように、磁性ガーネット膜単結晶体ｌ上に蒸着
法によシ厚さ２０００人の金膜２全形成した上に、ＡＺ
１３５０Ｊによシ転送路形成用マスクパターン３を形成
した後、ヘリウムイオン（Ｈｅ＋）ｋ加速−１ルキ−１
４０ＫＶ ｌ’−、（１１５，７Ｘ １０１！ｉ個／ｃ
Ｉｉ注入することによ）、バブル転送路を形成した。Ｘ
線二結晶法による測定の結果、第２図に示す如く単一条
件注入の歪分布（第５図）と比較して、表面からほぼ３
０００人にわたって歪量が均一なイオン注入層が形成さ
れた。
法によシ厚さ２０００人の金膜２全形成した上に、ＡＺ
１３５０Ｊによシ転送路形成用マスクパターン３を形成
した後、ヘリウムイオン（Ｈｅ＋）ｋ加速−１ルキ−１
４０ＫＶ ｌ’−、（１１５，７Ｘ １０１！ｉ個／ｃ
Ｉｉ注入することによ）、バブル転送路を形成した。Ｘ
線二結晶法による測定の結果、第２図に示す如く単一条
件注入の歪分布（第５図）と比較して、表面からほぼ３
０００人にわたって歪量が均一なイオン注入層が形成さ
れた。
実施例２
第１図のように磁性ガーネット膜単結晶体ｌ上にクロム
膜２を蒸着法によシ厚さ３０００人形成した上に、金に
よシ転送路形成用マスクパターン３全形成した後、ヘリ
ウムイオンを加速エネルギー１４０ＫＶ、ドーズ量４．
２Ｘ１０”個／ｃＩ＆注入することにより、バブル転送
路を形成した。Ｘ線二結晶法による測定の結果、第３図
のように表面からほぼ１７００人にわたって歪層が均一
なイオン注入層が形成式れた。
膜２を蒸着法によシ厚さ３０００人形成した上に、金に
よシ転送路形成用マスクパターン３全形成した後、ヘリ
ウムイオンを加速エネルギー１４０ＫＶ、ドーズ量４．
２Ｘ１０”個／ｃＩ＆注入することにより、バブル転送
路を形成した。Ｘ線二結晶法による測定の結果、第３図
のように表面からほぼ１７００人にわたって歪層が均一
なイオン注入層が形成式れた。
実施例３
第１図のように磁性ガーネット膜単結晶体ｌ上にＥガン
蒸着法によシ厚さ２０００人のタングステン膜２會形成
した上に、ＡＺ１３５０ Ｊにより転送路形成用マスク
パターン金形成した後ヘリウムイオン全加速エネルギー
１４０ＫＶ、ドーズ量５．７ＸＩＯ１ｓ個／ｃＩｌ注入
することによシバプル転送路を形成した。Ｘ線二結晶法
による測定の結果、第４図に示すように表面から＃１は
２５００ｋにわたってほぼ歪量が均一な注入層が形成さ
れた。
蒸着法によシ厚さ２０００人のタングステン膜２會形成
した上に、ＡＺ１３５０ Ｊにより転送路形成用マスク
パターン金形成した後ヘリウムイオン全加速エネルギー
１４０ＫＶ、ドーズ量５．７ＸＩＯ１ｓ個／ｃＩｌ注入
することによシバプル転送路を形成した。Ｘ線二結晶法
による測定の結果、第４図に示すように表面から＃１は
２５００ｋにわたってほぼ歪量が均一な注入層が形成さ
れた。
以上の実施例のすべての場合、金、クロムあるいはタン
グステン層の厚さ全台々ｚｏｏｏＡ、 ３ｏｏｏ人２０
００人から増減させた時、注入エネルギーを調節するこ
とによって比較的良好な深さ方向の歪量が均一なバブル
転送路が形成できたが、金、クロム０．タングステン３
つの場合共厚さ’ｋ１０００λ以下にすると、もはや均
一な歪層は形成できなかった。
グステン層の厚さ全台々ｚｏｏｏＡ、 ３ｏｏｏ人２０
００人から増減させた時、注入エネルギーを調節するこ
とによって比較的良好な深さ方向の歪量が均一なバブル
転送路が形成できたが、金、クロム０．タングステン３
つの場合共厚さ’ｋ１０００λ以下にすると、もはや均
一な歪層は形成できなかった。
本発明によシ、一種のイオンｔ−１つの加速エネルギー
で注入することによシ均一な深さ方向の歪分布を有する
イオン注入層が形成され、良好なバブル転送特性を有す
る磁気バブル転送路が得られる。
で注入することによシ均一な深さ方向の歪分布を有する
イオン注入層が形成され、良好なバブル転送特性を有す
る磁気バブル転送路が得られる。
第１図は本発明によって得たものの一例の断面図、第２
図、第３図、第４図は共に本発明によって形成されるイ
オン注入層の深さ方向の歪分布を示す図、第５図は従来
の方法で単一条件のイオン注入によって形成されるイオ
ン注入層の深さ方向の歪分布を示す図である。 ｌ・・・・・・磁性ガーネット膜単結晶、２・・・・・
・金、あるいはクロムあるいはタングステン層、３・・
・・・・転送路全形成するためのマスクパターン ７／−＋Ｓ。
図、第３図、第４図は共に本発明によって形成されるイ
オン注入層の深さ方向の歪分布を示す図、第５図は従来
の方法で単一条件のイオン注入によって形成されるイオ
ン注入層の深さ方向の歪分布を示す図である。 ｌ・・・・・・磁性ガーネット膜単結晶、２・・・・・
・金、あるいはクロムあるいはタングステン層、３・・
・・・・転送路全形成するためのマスクパターン ７／−＋Ｓ。
Claims (1)
- 磁性ガーネット膜上に金、タングステンまたはクロムか
らなる薄膜を少なくとも１５００Å以上の厚さに形成し
た後、該薄層上に転送路全形成するためのマスクパター
ン全形成し、この上よシ一種のイオン全加速エネルギー
音度えずにイオン注入すること？！−特徴とする磁気バ
ブル転送路形成方法。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP58195745A JPS6087496A (ja) | 1983-10-19 | 1983-10-19 | 磁気バブル転送路形成方法 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP58195745A JPS6087496A (ja) | 1983-10-19 | 1983-10-19 | 磁気バブル転送路形成方法 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPS6087496A true JPS6087496A (ja) | 1985-05-17 |
Family
ID=16346257
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP58195745A Pending JPS6087496A (ja) | 1983-10-19 | 1983-10-19 | 磁気バブル転送路形成方法 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPS6087496A (ja) |
-
1983
- 1983-10-19 JP JP58195745A patent/JPS6087496A/ja active Pending
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