JPS6086709A - ブツシング - Google Patents
ブツシングInfo
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- JPS6086709A JPS6086709A JP19405983A JP19405983A JPS6086709A JP S6086709 A JPS6086709 A JP S6086709A JP 19405983 A JP19405983 A JP 19405983A JP 19405983 A JP19405983 A JP 19405983A JP S6086709 A JPS6086709 A JP S6086709A
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- cylindrical
- shield
- impedance
- bushing
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Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
〔発明の技術分野〕
本発明はブッシングに係シ、特に絶縁ガスを封入した耐
電圧性能を向上したブッシングに関する。
電圧性能を向上したブッシングに関する。
かい管内に導体と８Ｆ、ガスのような絶縁カスを封入し
たブッシングは簡単な構造であるため一般的に広く使用
されている。従来このブッシングは電界制御用として筒
状シールドを径方向に多重に配宜し、内側シールドの電
位によって絶縁ガス中及び気中の電界を制御していたか
、堆伺部が接地側に集中するため、枚数の電位を強制的
に発生させようとすると、径方向にさらに多重となｐ、
製作が困難に々る。これと同時に静電容量を確保すると
とは可能である反面、接地側部分の耐電圧性能が著しく
低下するという面があった。又、仮によｐ多重なシール
ドを接地側に取付けたとしても、この多重シールドが接
地側に集中しているため、この多重シールドによって制
御された電界によって、かい管の表面が分担する電位と
その範囲は、ブッシングの汚損特性すなわちかい管の長
さに関係なく同じである。また長いがい管を用い沿面距
離を増加させた効果が薄くなり、耐汚損性に対する性能
向上に問題点があった。この現象は局部汚損の場合、か
い管表面のもｎ抵抗がアンバランスになったとき特に問
題とな９、この部分の・Ｃα界によって無電極放電が発
生するおそれがあった。
たブッシングは簡単な構造であるため一般的に広く使用
されている。従来このブッシングは電界制御用として筒
状シールドを径方向に多重に配宜し、内側シールドの電
位によって絶縁ガス中及び気中の電界を制御していたか
、堆伺部が接地側に集中するため、枚数の電位を強制的
に発生させようとすると、径方向にさらに多重となｐ、
製作が困難に々る。これと同時に静電容量を確保すると
とは可能である反面、接地側部分の耐電圧性能が著しく
低下するという面があった。又、仮によｐ多重なシール
ドを接地側に取付けたとしても、この多重シールドが接
地側に集中しているため、この多重シールドによって制
御された電界によって、かい管の表面が分担する電位と
その範囲は、ブッシングの汚損特性すなわちかい管の長
さに関係なく同じである。また長いがい管を用い沿面距
離を増加させた効果が薄くなり、耐汚損性に対する性能
向上に問題点があった。この現象は局部汚損の場合、か
い管表面のもｎ抵抗がアンバランスになったとき特に問
題とな９、この部分の・Ｃα界によって無電極放電が発
生するおそれがあった。
これを改善するためにがい管表面の電位分布を接地電位
から高電圧部分にわたシ分布するようにした。すなわち
、接地側の筒状シールドの上側、すなわち高電圧側に絶
縁部材から々る支持部材を介して順次他の筒状シールド
を積み重ねることによって、かい管表面の′電界分布を
拡げて汚損に対して良好な特性を有するようになった。
から高電圧部分にわたシ分布するようにした。すなわち
、接地側の筒状シールドの上側、すなわち高電圧側に絶
縁部材から々る支持部材を介して順次他の筒状シールド
を積み重ねることによって、かい管表面の′電界分布を
拡げて汚損に対して良好な特性を有するようになった。
しかし、このような構造においては、接地側の筒状シー
ルドの上に順次絶縁棒を介して積み重ねる筒状シールド
の静電容量の制御が難しく、製作の裕度が小さいもので
あった。これは各筒状シールドの静電容量が比較的に小
さいため、夫々が大連 地に対して有している番遊静電容惜に影ｑ（工されるた
めに各筒状シールドの静電容量の選定によってかい管表
面の電界分布を高電圧側から接地側までの範囲にわたり
分布するように選定するために裕度が小さい。すなわち
各筒状シールドの静′−容量を選定するのに困難さがあ
り、さらに多段績みした尚状シールドが高さが高くなる
ので耐震性が悪く、振れるおそれがあるなど改良すべき
問題点があった。
ルドの上に順次絶縁棒を介して積み重ねる筒状シールド
の静電容量の制御が難しく、製作の裕度が小さいもので
あった。これは各筒状シールドの静電容量が比較的に小
さいため、夫々が大連 地に対して有している番遊静電容惜に影ｑ（工されるた
めに各筒状シールドの静電容量の選定によってかい管表
面の電界分布を高電圧側から接地側までの範囲にわたり
分布するように選定するために裕度が小さい。すなわち
各筒状シールドの静′−容量を選定するのに困難さがあ
り、さらに多段績みした尚状シールドが高さが高くなる
ので耐震性が悪く、振れるおそれがあるなど改良すべき
問題点があった。
本発明は上記の点を考慮してなされたもので、その目的
とするところは、かい管表面の′電界をがい管沿面全体
にわたって分布させ、がい管沿面が分担する電位傾度を
緩和することにより、清浄時はもとより、汚損時におい
ても耐・電圧性を向上させるために設けられる多段積み
筒状シールドの夫々の静電容量の選定に大きい裕度を有
するようにし、また耐震性を向上したブッシングを提供
することにある。
とするところは、かい管表面の′電界をがい管沿面全体
にわたって分布させ、がい管沿面が分担する電位傾度を
緩和することにより、清浄時はもとより、汚損時におい
ても耐・電圧性を向上させるために設けられる多段積み
筒状シールドの夫々の静電容量の選定に大きい裕度を有
するようにし、また耐震性を向上したブッシングを提供
することにある。
かかる目的を達成するために本発明によれば、かい管内
部の接地側に中心導体を囲む筒状シールドを設け、この
筒状シールドの高圧側端にインピーダンス支持部を介し
て順次筒状シールドラ積み重ね、かつ中心導体と筒状シ
ールド間に絶縁部材からなる間隔片を挿着することによ
り、多段層みする筒状シールドの夫々の静電容量の選定
に裕度を有し、清浄時及び汚損時の耐電圧性を良好にし
、寸だ耐’ｒｊｉ性を向上することのできるブッシング
を提供することにある。
部の接地側に中心導体を囲む筒状シールドを設け、この
筒状シールドの高圧側端にインピーダンス支持部を介し
て順次筒状シールドラ積み重ね、かつ中心導体と筒状シ
ールド間に絶縁部材からなる間隔片を挿着することによ
り、多段層みする筒状シールドの夫々の静電容量の選定
に裕度を有し、清浄時及び汚損時の耐電圧性を良好にし
、寸だ耐’ｒｊｉ性を向上することのできるブッシング
を提供することにある。
以下本発明のブッシングの一実施例ケ第１図及び第２図
を参照して説明する。第１図において、がい管（１１）
内部にＳＦ６ガスのような絶縁カス（ｌｌａ）を封入し
、がい管（ｌ］）内部に挿通配設される中心導体０２の
一方側端はがい管（Ｉｌｌの上端すなわち高圧側に設け
られる高圧側端子０３）によって支持さｎる。
を参照して説明する。第１図において、がい管（１１）
内部にＳＦ６ガスのような絶縁カス（ｌｌａ）を封入し
、がい管（ｌ］）内部に挿通配設される中心導体０２の
一方側端はがい管（Ｉｌｌの上端すなわち高圧側に設け
られる高圧側端子０３）によって支持さｎる。
咬だ中心導体ａｚの他方側端はがい管（１１）の下娼す
なわち接地側に設けられる接地金具（１ツに配設される
絶縁スペーサ（１６）によって支持され、この？綺スペ
ーサ（ｔＢを介して他の機器側に接続される。がい管（
１υ及び接地金具０５１の内部には中心導体ｕｚと同心
的に設けられる円筒状シールドｑη、 Ｃ１８１からな
る二重シールド部（１１が配設される。二重シールド部
翰内側の円筒状シールドＱ８）はその両端が外（１１１
１の円筒状シールドα力の両端から突出するような長さ
に形成される。そして両回筒状シールド（Ｌ？＋ 、
（１８）間は絶縁部材ｔ２０） 、 （２０ａ）によっ
て機械的に連結される。また円筒状シールドＵ力は支持
金具（１７ａ）によって接地金具（１５１内側に電気的
かつ機械的に連結さ１する。
なわち接地側に設けられる接地金具（１ツに配設される
絶縁スペーサ（１６）によって支持され、この？綺スペ
ーサ（ｔＢを介して他の機器側に接続される。がい管（
１υ及び接地金具０５１の内部には中心導体ｕｚと同心
的に設けられる円筒状シールドｑη、 Ｃ１８１からな
る二重シールド部（１１が配設される。二重シールド部
翰内側の円筒状シールドＱ８）はその両端が外（１１１
１の円筒状シールドα力の両端から突出するような長さ
に形成される。そして両回筒状シールド（Ｌ？＋ 、
（１８）間は絶縁部材ｔ２０） 、 （２０ａ）によっ
て機械的に連結される。また円筒状シールドＵ力は支持
金具（１７ａ）によって接地金具（１５１内側に電気的
かつ機械的に連結さ１する。
そして、この二重シールド部（Ｉ９）の上方すなわち高
圧側に、がい管（１１）の長手方向に沿ってそれぞｎ異
彦っだ電圧を誘起する円筒状シールド＜Ｊｌ） 、 ！
２２１Ｆｃ多段に配設する。この円筒状シールド＋２１
１ 、 （２２）はそれぞれ後述するインピータンス支
持部ｔ２３１ 、 Ｃ２５１によって電気的及び機械的
に連結支持される。また例えば最も高圧側に位置する円
筒状シールド１２２１の内側と中心導体（１２１との間
に絶縁部材からなる間隔片Ｇ１７）を配設する。なお高
圧側端子（順と接続されるがい管（１１）のフランジ（
１３ａ）にはリング状の高圧側外部シールド（２８）が
取付けられ、また接地側金具０！５）と接続されるがい
管０１）のフランジ（１５ａ）にリング状の接地側外部
シールドＣ２錫が取付けら庇るウィンピーダンス支持部
（至）、 （２５＋はほぼ同様に形成されるが例えばイ
ンピーダンス支持部（２ツは第２図に示す通りである。
圧側に、がい管（１１）の長手方向に沿ってそれぞｎ異
彦っだ電圧を誘起する円筒状シールド＜Ｊｌ） 、 ！
２２１Ｆｃ多段に配設する。この円筒状シールド＋２１
１ 、 （２２）はそれぞれ後述するインピータンス支
持部ｔ２３１ 、 Ｃ２５１によって電気的及び機械的
に連結支持される。また例えば最も高圧側に位置する円
筒状シールド１２２１の内側と中心導体（１２１との間
に絶縁部材からなる間隔片Ｇ１７）を配設する。なお高
圧側端子（順と接続されるがい管（１１）のフランジ（
１３ａ）にはリング状の高圧側外部シールド（２８）が
取付けられ、また接地側金具０！５）と接続されるがい
管０１）のフランジ（１５ａ）にリング状の接地側外部
シールドＣ２錫が取付けら庇るウィンピーダンス支持部
（至）、 （２５＋はほぼ同様に形成されるが例えばイ
ンピーダンス支持部（２ツは第２図に示す通りである。
図において、インピーダンス支持部１２５）は絶縁棒Ｇ
ｏ）と、抵抗あるいはコンデンサからなるインピーダン
ス棒ｌ３１）とを円周上に例えば交互にほぼ等配に配設
して構成される。なお、このインビータンス棒が有する
インピータンス値は後述するような霜１位分布を得るよ
うに選定される。
ｏ）と、抵抗あるいはコンデンサからなるインピーダン
ス棒ｌ３１）とを円周上に例えば交互にほぼ等配に配設
して構成される。なお、このインビータンス棒が有する
インピータンス値は後述するような霜１位分布を得るよ
うに選定される。
次にこのように構成された本発明のブッシングの作用効
果について説明する。二重シールド部（１９）の筒状シ
ールド（１７）と（Ｉ８）間、筒状シールドα８）と中
心導体（Ｉｚとの間、中心導体（１２＋と円筒状シール
ド＆］）及び（２渇との間にそれぞれ静電答（ａ ｆ形
成する。又円筒状シールドθ〜、 （２１） 、 （２
２１の接続はインピータンス支持部１．！３１及び（２
つによってなされている。すなわち円筒状シールド（１
８１、（２１） 、 １２２）間はインピーダンス棒を
介して接続されている。したがって、円筒状シールドＱ
８１ 、 ｅ、’ｌ） 、 （２２）と中心導体（１２
１との間のそれぞ扛の静電容量と、インピーダンス支持
部１２３） 、 （２！′ｉ）のそｎぞれのインピーダ
ンス棒のインピータンス値の比率で決定される分圧比で
、円筒状シールド賭。
果について説明する。二重シールド部（１９）の筒状シ
ールド（１７）と（Ｉ８）間、筒状シールドα８）と中
心導体（Ｉｚとの間、中心導体（１２＋と円筒状シール
ド＆］）及び（２渇との間にそれぞれ静電答（ａ ｆ形
成する。又円筒状シールドθ〜、 （２１） 、 （２
２１の接続はインピータンス支持部１．！３１及び（２
つによってなされている。すなわち円筒状シールド（１
８１、（２１） 、 １２２）間はインピーダンス棒を
介して接続されている。したがって、円筒状シールドＱ
８１ 、 ｅ、’ｌ） 、 （２２）と中心導体（１２
１との間のそれぞ扛の静電容量と、インピーダンス支持
部１２３） 、 （２！′ｉ）のそｎぞれのインピーダ
ンス棒のインピータンス値の比率で決定される分圧比で
、円筒状シールド賭。
ｔ２ｉ＋ 、 （２ａがそれぞれ異なる電位を有するこ
とができる。
とができる。
これら円筒状シールドＱＢ） 、 ＋２＋１ 、 （２
２１による分圧比はそれぞれの円筒状シールドの位置、
寸法とインピーダンス棒のインピータンス値から比較的
自由に選定することができる。その−例は第１図に示す
ように、円筒状シールド（１８１、（２１） 、 １２
２＋が点線で示したようにそフ１ぞｎ２０ないし４０％
、５０チないし７０％、８０チないし９０チ等電位面の
ようにそれぞれ異方っだ電位を有しているため、ブッシ
ング内部の空間における電位分布が接地側′電位から高
電圧側電位にわたり、強制的に上側、すなわち高電圧側
に押し広げらｎる。このためにがい管０℃の長い沿面を
有効に活用して、沿面に沿って電位を分担することにな
り、がい営０１）の外側沿面方向の電界ストレスを小さ
くでき、耐電圧性卵内上はもとより、耐汚損性能も飛躍
的に向上させることができる。
２１による分圧比はそれぞれの円筒状シールドの位置、
寸法とインピーダンス棒のインピータンス値から比較的
自由に選定することができる。その−例は第１図に示す
ように、円筒状シールド（１８１、（２１） 、 １２
２＋が点線で示したようにそフ１ぞｎ２０ないし４０％
、５０チないし７０％、８０チないし９０チ等電位面の
ようにそれぞれ異方っだ電位を有しているため、ブッシ
ング内部の空間における電位分布が接地側′電位から高
電圧側電位にわたり、強制的に上側、すなわち高電圧側
に押し広げらｎる。このためにがい管０℃の長い沿面を
有効に活用して、沿面に沿って電位を分担することにな
り、がい営０１）の外側沿面方向の電界ストレスを小さ
くでき、耐電圧性卵内上はもとより、耐汚損性能も飛躍
的に向上させることができる。
そして、円筒状シールド（１８１、（２＋＋ 、 Ｃ２
２］を多段に積み重ねてインピーダンス支持部（２）、
（２５１のそれぞれの絶＃Ｉ棒によって機械的に強固に
支持できる。また前述のように電位分布を拡げるように
静電容量を設定するには、インピーダンス支持部１２（
資）、 （２５）の例文ばコンデンサからなるインピー
ダンス棒のインピーダンス値によって選定さ扛るので、
裕度の大きい円筒状シールドの静電容量を選定できる。
２］を多段に積み重ねてインピーダンス支持部（２）、
（２５１のそれぞれの絶＃Ｉ棒によって機械的に強固に
支持できる。また前述のように電位分布を拡げるように
静電容量を設定するには、インピーダンス支持部１２（
資）、 （２５）の例文ばコンデンサからなるインピー
ダンス棒のインピーダンス値によって選定さ扛るので、
裕度の大きい円筒状シールドの静電容量を選定できる。
すなわち円筒状シールドの静′屯容量は比較的小さく、
寸だ各円筒状シールド（１８１、（２１） 、 （２２
１が有する対地漂遊静電容量に対して、インピータンス
支持部のインピーダンス棒のインピータンス値は大きな
値に選定できるので、このインピータンス値によって主
として・電位分布を容易に決定できる。したがって対地
の漂遊静電容量に影響されることなく、裕度を大きく選
定することができるから、円筒状シールドの静電容量の
選定が極めて容易となる。。
寸だ各円筒状シールド（１８１、（２１） 、 （２２
１が有する対地漂遊静電容量に対して、インピータンス
支持部のインピーダンス棒のインピータンス値は大きな
値に選定できるので、このインピータンス値によって主
として・電位分布を容易に決定できる。したがって対地
の漂遊静電容量に影響されることなく、裕度を大きく選
定することができるから、円筒状シールドの静電容量の
選定が極めて容易となる。。
なおインピーダンス棒が抵抗であってもコンデンサと同
様に電位分布を選定できることは勿論である。
様に電位分布を選定できることは勿論である。
寸だ中心導体（１２と例えば最上端の円筒状シールド（
２２１との間に振れによる不定定さを防止するために絶
縁部材からなる間隔片（２’Ｄｋ配設したので、耐震性
を向上することができる。
２２１との間に振れによる不定定さを防止するために絶
縁部材からなる間隔片（２’Ｄｋ配設したので、耐震性
を向上することができる。
さらに、汚損仕様によりかい管が長くなる場合、そのか
い管の長さに合せて円筒状シールドの段数を増加させ、
さらにがい管沿面の′［シ位傾度を低下させることがで
きる。
い管の長さに合せて円筒状シールドの段数を増加させ、
さらにがい管沿面の′［シ位傾度を低下させることがで
きる。
以上説明したように本発明の一案施例のブッシングによ
れば、二重シールド部の内側の円筒状シールドの高圧’
ＡＮ Ｍ面に中心導体と同心的に円筒状シールドを順次
インピータンス支持部を介して多段に積み重ね、多段に
重み私ねた円筒状シールドと中心導体間に間隔片を配設
することにより、がい管沿面に沿って電位分布を拡大し
て耐ζ；圧性卵及び耐汚損性能を向上するような電位分
布を主としてインピーダンス支持部のインピーダンス値
によって社ホ半≦選定することにより、電位分布を選定
する裕度を大きくシ、また耐震性を向上したブッシング
を提供することができる、
れば、二重シールド部の内側の円筒状シールドの高圧’
ＡＮ Ｍ面に中心導体と同心的に円筒状シールドを順次
インピータンス支持部を介して多段に積み重ね、多段に
重み私ねた円筒状シールドと中心導体間に間隔片を配設
することにより、がい管沿面に沿って電位分布を拡大し
て耐ζ；圧性卵及び耐汚損性能を向上するような電位分
布を主としてインピーダンス支持部のインピーダンス値
によって社ホ半≦選定することにより、電位分布を選定
する裕度を大きくシ、また耐震性を向上したブッシング
を提供することができる、
第１図は本発明の一実施例のブッシングの縦断面図、
第２図は第１図の■−■線矢視拡犬断面図である。
θ１）・・・がい骨、 （ｌｌａ）・・・絶縁ガス、Ｕ
２１・・・中心導体。 ０３）・・・高圧側端子、＋１５１・・・接地金具、（
１７１、１１８） 、 ＋２１１ 、 （２Ｚ・・・円
筒状シールド、「ト・・二重シールド部。 Ｃ２０１，（２０ａ）・・・絶縁部材、１２３１ 、１
２５；Ｉ・−・インピーダンス支持部。 ｃｚ゛ｎ・・・間隔片、 側・・・絶縁棒、Ｃ１ｌ・・
・インビータンス棒。 代理人 弁理士 井 上 −男 第 １ 図 第２図
２１・・・中心導体。 ０３）・・・高圧側端子、＋１５１・・・接地金具、（
１７１、１１８） 、 ＋２１１ 、 （２Ｚ・・・円
筒状シールド、「ト・・二重シールド部。 Ｃ２０１，（２０ａ）・・・絶縁部材、１２３１ 、１
２５；Ｉ・−・インピーダンス支持部。 ｃｚ゛ｎ・・・間隔片、 側・・・絶縁棒、Ｃ１ｌ・・
・インビータンス棒。 代理人 弁理士 井 上 −男 第 １ 図 第２図
Claims (2)
- （１）かい管内部に中心導体を挿通し、絶縁ガスを封入
したブッシングにおいて、前記かい管内部に前記中心導
体と同軸状に接地電位にある第１の円筒状シールドを設
け、この第１の円筒状シールドの内側に大地電位以上の
第１番目の電位を有する円筒状シールドを設けて二重シ
ールド部を形成し、この二重シールド部の第１番目の′
電位を有する円筒状シールドよりも前記中心導体に近い
位置であって、かつ第１番目の電位を有する前記円筒状
シールドよりも高電圧側にインピーダンス支持部を介し
て順次円筒状シールドを多段積みし、この多段積みした
円筒状シールドと前記中心導体間に絶縁部材からなる間
隔片を挿着したことを特徴とするブッシング。 - （２）インピーダンス支持部が絶縁棒と抵抗あるいはコ
ンデンサからなるインピーダンス棒とを交互に中心導体
の軸方向に沿って配設して構成した特許請求の範囲第１
項記載のブッシング。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP19405983A JPS6086709A (ja) | 1983-10-19 | 1983-10-19 | ブツシング |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP19405983A JPS6086709A (ja) | 1983-10-19 | 1983-10-19 | ブツシング |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPS6086709A true JPS6086709A (ja) | 1985-05-16 |
Family
ID=16318261
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP19405983A Pending JPS6086709A (ja) | 1983-10-19 | 1983-10-19 | ブツシング |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPS6086709A (ja) |
Cited By (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US6218627B1 (en) | 1998-02-04 | 2001-04-17 | Hitachi, Ltd. | Bushing |
-
1983
- 1983-10-19 JP JP19405983A patent/JPS6086709A/ja active Pending
Cited By (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US6218627B1 (en) | 1998-02-04 | 2001-04-17 | Hitachi, Ltd. | Bushing |
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