JPS601458Y2 - ブツシング - Google Patents
ブツシングInfo
- Publication number
- JPS601458Y2 JPS601458Y2 JP5839279U JP5839279U JPS601458Y2 JP S601458 Y2 JPS601458 Y2 JP S601458Y2 JP 5839279 U JP5839279 U JP 5839279U JP 5839279 U JP5839279 U JP 5839279U JP S601458 Y2 JPS601458 Y2 JP S601458Y2
- Authority
- JP
- Japan
- Prior art keywords
- capacitor
- bushing
- unit
- center conductor
- type
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Expired
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- Insulators (AREA)
Description
【考案の詳細な説明】
本考案は、高電圧機器に使用できるように破壊電圧を向
上しうるように改良したブッシングに関するものである
。
上しうるように改良したブッシングに関するものである
。
ブッシングは固体絶縁方式のものを代表として、多くの
種類がある。
種類がある。
この中で単純でコストも安いブッシングとして高電圧導
体の外側に接地シールド電極を施し、その導体と電極と
の中間に電界制御用シールド電極を介在させる構造のも
のがある。
体の外側に接地シールド電極を施し、その導体と電極と
の中間に電界制御用シールド電極を介在させる構造のも
のがある。
この場合高圧導体と接地シールド電極および電界制御用
シールド電極間の絶縁物は液体、気体のいずれでもよい
が、ガス絶縁開閉器に使用する場合には当然気体が介在
することになる。
シールド電極間の絶縁物は液体、気体のいずれでもよい
が、ガス絶縁開閉器に使用する場合には当然気体が介在
することになる。
このガス絶縁のブッシングにおいて、運転電圧が５００
ｋ Ｖ以上のものになると上記の電界制御シールドのみ
では耐圧的に限度があり、コンデンサ型絶縁物ユニット
を複数段積み重ねた構造のものが一般的になる。
ｋ Ｖ以上のものになると上記の電界制御シールドのみ
では耐圧的に限度があり、コンデンサ型絶縁物ユニット
を複数段積み重ねた構造のものが一般的になる。
第１図に従来形のブッシングの例を示す。
がい管１内に挿通した高電圧中心導体２は、がい管１下
部に於いた絶縁支持物４により保持されている。
部に於いた絶縁支持物４により保持されている。
尚、高電圧中心導体２の上部は頭部支持金物５で支持さ
れている。
れている。
がい管１内の絶縁媒体３は絶縁気体（一般ＳＦ５ガス）
である。
である。
尚、ガスブッシングに限定しなければ絶縁液体でも良い
。
。
がい管１の内部であって高電圧中心導体２の周囲に配置
される電位制御部材としてコンデンサ型絶縁ユニツ）６
． ７． ８が軸方向に積み重ねられてキャパシタンス
が直列接続される。
される電位制御部材としてコンデンサ型絶縁ユニツ）６
． ７． ８が軸方向に積み重ねられてキャパシタンス
が直列接続される。
各コンデンサ型絶縁ユニット６．７．８は上段になる程
円筒半径は小さくなっている。
円筒半径は小さくなっている。
第２図にコンデンサ型絶縁ユニット６、 ７． ８の取
付けの詳細を示す。
付けの詳細を示す。
多層に巻回されるコンデンサ箔はモールドされてコンデ
ンサ型絶縁ユニット３，７．８を形成する。
ンサ型絶縁ユニット３，７．８を形成する。
各コンデンサ型絶縁物は、上下に金属性の上部フランジ
９および下部フランジ１０が固着されており、最内層お
よび最外層のコンデンサ箔６ａ、？ａ、８ａは、この上
部フランジ９および下部フランジ１０と同電位である。
９および下部フランジ１０が固着されており、最内層お
よび最外層のコンデンサ箔６ａ、？ａ、８ａは、この上
部フランジ９および下部フランジ１０と同電位である。
最下段のコンデンサ型絶縁ユニット６は、ケースに取付
けられた支持金物１１の上に設置されボルト１２により
、支持金物１０に固定される。
けられた支持金物１１の上に設置されボルト１２により
、支持金物１０に固定される。
各コンデンサ絶縁ユニット６．７．８同志は、同じよう
にボルト１２により固定されている。
にボルト１２により固定されている。
このようにしてコンデンサ型絶縁ユニット６、 ７．
８は、軸方向に積み重ねられていると同時にこの積み重
ねにより直列に接続される。
８は、軸方向に積み重ねられていると同時にこの積み重
ねにより直列に接続される。
この様なタイプのブッシングはがい管沿面の電位分布を
均一にするため先に述べたように５００ｋＶ以上の絶縁
階級の高いものに適した構造と言える。
均一にするため先に述べたように５００ｋＶ以上の絶縁
階級の高いものに適した構造と言える。
しかし、この様なタイプのブッシングでは、各コンデン
サ型絶縁ユニットを金属性の上、下部フランジ９，１０
により接続するようにしているため、これらのフランジ
９，１０に対向する高電圧中心導体２の表面の電界強度
は他の部分の高電圧中心導体表面より高くなり、それだ
けブッシングとしての絶縁性能が低下することになる。
サ型絶縁ユニットを金属性の上、下部フランジ９，１０
により接続するようにしているため、これらのフランジ
９，１０に対向する高電圧中心導体２の表面の電界強度
は他の部分の高電圧中心導体表面より高くなり、それだ
けブッシングとしての絶縁性能が低下することになる。
従って本発明の目的は、標準がい管を使用して耐電圧を
向上させることができるブッシングを得ることにある。
向上させることができるブッシングを得ることにある。
即ち、第３図に本発明ブッシングの一実施例を示す。
第１図および第２図と同一部品に同符号を記した。
第３図に示したように、がい管１内で中心導体２の周囲
に配置されるコンデンサ型絶縁ユニツｔ’ ６ｔ ７
ｔ ８が軸方向に積み重ねられてキャパシタンスが直
列接続されることは同じであるが、各コンデンサ型絶縁
ユニット６、７． ８は中心導体２に対向する面がテー
パ面に形成された円錐台をしており且つ上段になる程絶
縁ユニットの円筒半径は小さくなっている。
に配置されるコンデンサ型絶縁ユニツｔ’ ６ｔ ７
ｔ ８が軸方向に積み重ねられてキャパシタンスが直
列接続されることは同じであるが、各コンデンサ型絶縁
ユニット６、７． ８は中心導体２に対向する面がテー
パ面に形成された円錐台をしており且つ上段になる程絶
縁ユニットの円筒半径は小さくなっている。
第４図に本案によるコンデンサ型絶縁ユニット６、７．
８の一実施例をまた取付けの詳細を示す。
８の一実施例をまた取付けの詳細を示す。
各コンデンサ型絶縁ユニット６．７．８は上、下に金属
性の上部フランジ９および下部フランジ１０が固着され
ており、最内層および最外層のコンデンサ箔６ａ、７ａ
、８ａはこの上部フランジ９および下部フランジ１０と
同電位である。
性の上部フランジ９および下部フランジ１０が固着され
ており、最内層および最外層のコンデンサ箔６ａ、７ａ
、８ａはこの上部フランジ９および下部フランジ１０と
同電位である。
最下段のコンデンサ型絶縁ユニット６は、ケースに取付
けられた支持金物１１に設置され、ボルト１２により支
持金物１１に固定される。
けられた支持金物１１に設置され、ボルト１２により支
持金物１１に固定される。
各コンデンサ型絶縁ユニット６．７．８同志は同じよう
にボルト１２により固定されている。
にボルト１２により固定されている。
このようにして各コンデンサ型絶縁ユニット６．７．８
は軸方向に積み重ねられている。
は軸方向に積み重ねられている。
そして、各コンデンサ型絶縁ユニット６、７． ８の形
状が内面をテーパ面にした円錐形を呈している。
状が内面をテーパ面にした円錐形を呈している。
しかして上部フランジ９および下部フランジ１０が固着
される部分は、高電圧中心導体２に対して平行になって
おり、各フランジが取付は容易になっている。
される部分は、高電圧中心導体２に対して平行になって
おり、各フランジが取付は容易になっている。
このような形状および構造にすれば、高電圧中心導体２
とがい管１のスペースを有効に利用できる。
とがい管１のスペースを有効に利用できる。
すなわち高電圧中心導体２と各コンデンサ型絶縁ユニッ
ト６．７．８の上部フランジ９および下部フランジ１０
間の距離を従来構造のものに比べて大きく採ることが可
能である。
ト６．７．８の上部フランジ９および下部フランジ１０
間の距離を従来構造のものに比べて大きく採ることが可
能である。
このことは金属性の上部フランジ及び下部フランジと中
心導体との絶縁距離をかい管径を変えずに、つまり標準
かい管を用いて増大することが可能となり、それだけブ
ッシングの絶縁性能を向上させることにより、高耐圧の
ブッシングを提供することができる。
心導体との絶縁距離をかい管径を変えずに、つまり標準
かい管を用いて増大することが可能となり、それだけブ
ッシングの絶縁性能を向上させることにより、高耐圧の
ブッシングを提供することができる。
尚、このような形状のコンデンサ型絶縁ユニットの製作
は、従来形のコンデンサ型絶縁ユニットを径方向に肉厚
を増して含浸した後、円錐形に機械加工すれば容易にで
きる。
は、従来形のコンデンサ型絶縁ユニットを径方向に肉厚
を増して含浸した後、円錐形に機械加工すれば容易にで
きる。
第１図は、従来のガスブッシングの縦断面図、第２図は
従来ガスブッシングのコンデンサ型絶縁ユニットの接続
を示す詳細図、第３図は、本発明によるブッシングの一
実施例の縦断面図、第４図は本案によるガスブッシング
のコンデンサ型絶縁ユニットの接続を示す詳細図である
。 １・・・・・・かい管、２・・・・・・高電圧中心導体
、３・・・・・・絶縁媒体、４・・・・・・絶縁支持物
、５・・・・・・頭部支持金物、６，７，８・・・・・
・コンデンサ型絶縁ユニット、９・・・・・・上部フラ
ンジ、１０・・・・・・下部フランジ、１１・・・・・
・支持金物、１２・・・・・・ボルト。
従来ガスブッシングのコンデンサ型絶縁ユニットの接続
を示す詳細図、第３図は、本発明によるブッシングの一
実施例の縦断面図、第４図は本案によるガスブッシング
のコンデンサ型絶縁ユニットの接続を示す詳細図である
。 １・・・・・・かい管、２・・・・・・高電圧中心導体
、３・・・・・・絶縁媒体、４・・・・・・絶縁支持物
、５・・・・・・頭部支持金物、６，７，８・・・・・
・コンデンサ型絶縁ユニット、９・・・・・・上部フラ
ンジ、１０・・・・・・下部フランジ、１１・・・・・
・支持金物、１２・・・・・・ボルト。
Claims (1)
- 絶縁媒体を満たしたがい管内にこれと同心的に中心導体
を配置し、前記かい管の内部に前記中心導体と同心的に
複数個のコンデンサ型絶縁ユニットを軸方向に積み重ね
ると共にその上、下部に有する金属性の上部フランジ及
び下部フランジを接続してなるコンデンサ型絶縁部を配
置するようにしたブッシングにおいて、前記コンデンサ
型絶縁ユニットの円筒半径を前記コンデンサ型絶縁ユニ
ットが上段になる程小さくシ、且つこれらの各コンデン
サ型絶縁ユニットの内面をテーパ面にして円錐台状に形
成したことを特徴とするブッシング。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP5839279U JPS601458Y2 (ja) | 1979-05-01 | 1979-05-01 | ブツシング |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP5839279U JPS601458Y2 (ja) | 1979-05-01 | 1979-05-01 | ブツシング |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPS55158525U JPS55158525U (ja) | 1980-11-14 |
| JPS601458Y2 true JPS601458Y2 (ja) | 1985-01-16 |
Family
ID=29292430
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP5839279U Expired JPS601458Y2 (ja) | 1979-05-01 | 1979-05-01 | ブツシング |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPS601458Y2 (ja) |
-
1979
- 1979-05-01 JP JP5839279U patent/JPS601458Y2/ja not_active Expired
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| JPS55158525U (ja) | 1980-11-14 |
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