JPS645306Y2 - - Google Patents
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- Publication number
- JPS645306Y2 JPS645306Y2 JP1982160298U JP16029882U JPS645306Y2 JP S645306 Y2 JPS645306 Y2 JP S645306Y2 JP 1982160298 U JP1982160298 U JP 1982160298U JP 16029882 U JP16029882 U JP 16029882U JP S645306 Y2 JPS645306 Y2 JP S645306Y2
- Authority
- JP
- Japan
- Prior art keywords
- capacitor
- type insulating
- units
- type
- unit
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Expired
Links
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- 239000004020 conductor Substances 0.000 claims description 13
- 239000012212 insulator Substances 0.000 claims description 11
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- 239000004593 Epoxy Substances 0.000 claims description 3
- 238000009413 insulation Methods 0.000 description 12
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Landscapes
- Insulators (AREA)
Description
【考案の詳細な説明】
〔考案の技術分野〕
この考案は高電圧機器に使用されるブツシング
の改良に関する。
の改良に関する。
従来この種のブツシングとして種々の絶縁方式
のものがあるが、この代表的なものとして固体絶
絶方式のものがある。固体絶縁方式の中で、構成
が簡単でコストが安いブツシングとして高電圧導
体の外側に接地シールド電極を施し、この電極と
その導体との中間に、電界制御用シールド電極を
介在させる構造のものがある。この場合、高電圧
導体と接地シールド電極および電界制御用シール
ド電極間の絶縁物は液体、気体のいずれでもよい
が、SF6を使用したガス絶縁開閉器に使用する場
合に、SF6ガスが介在されることになる。このガ
ス絶縁のブツシングにおいて、運転電圧が
500KV以上のものになると上記の電界制御シー
ルドのみでは耐圧的に限度があり、コンデンサ型
絶縁物ユニツトを複数段積み重ねた構造のものが
一般的になる。
のものがあるが、この代表的なものとして固体絶
絶方式のものがある。固体絶縁方式の中で、構成
が簡単でコストが安いブツシングとして高電圧導
体の外側に接地シールド電極を施し、この電極と
その導体との中間に、電界制御用シールド電極を
介在させる構造のものがある。この場合、高電圧
導体と接地シールド電極および電界制御用シール
ド電極間の絶縁物は液体、気体のいずれでもよい
が、SF6を使用したガス絶縁開閉器に使用する場
合に、SF6ガスが介在されることになる。このガ
ス絶縁のブツシングにおいて、運転電圧が
500KV以上のものになると上記の電界制御シー
ルドのみでは耐圧的に限度があり、コンデンサ型
絶縁物ユニツトを複数段積み重ねた構造のものが
一般的になる。
第１図に従来形のブツシングの例を示す。がい
管１内に挿通した高電圧中心導体２は、がい管１
下部にて絶縁支持物４により保持されている。
尚、高電圧中心導体２の上部は頭部支持金物５で
支持されている。がい管１内の絶縁媒体３は絶縁
気体（一般にSF6ガス）である。尚、ガスブツシ
ングに限定しなければ絶縁液体でも良い。がい管
１の内部であつて高電圧中心導体２の周囲に配置
される電位制御部材としてコンデンサ型絶縁ユニ
ツト６，７，８を軸方向に積み重ねて構成される
キヤパシタンスが直列接続される。各コンデンサ
型絶縁ユニツト６，７，８は上段になる程円筒半
径は小さくなつている。
管１内に挿通した高電圧中心導体２は、がい管１
下部にて絶縁支持物４により保持されている。
尚、高電圧中心導体２の上部は頭部支持金物５で
支持されている。がい管１内の絶縁媒体３は絶縁
気体（一般にSF6ガス）である。尚、ガスブツシ
ングに限定しなければ絶縁液体でも良い。がい管
１の内部であつて高電圧中心導体２の周囲に配置
される電位制御部材としてコンデンサ型絶縁ユニ
ツト６，７，８を軸方向に積み重ねて構成される
キヤパシタンスが直列接続される。各コンデンサ
型絶縁ユニツト６，７，８は上段になる程円筒半
径は小さくなつている。
第２図にコンデンサ型絶縁ユニツト６，７，８
の取付けの詳細を示す。多層に巻回されるコンデ
ンサ箔はモールドされてコンデンサ型絶縁ユニツ
ト６，７，８を形成する。各コンデンサ型絶縁物
は、上部に上部フランジ９および下部に下部フラ
ンジ１０が固着されており最内層および最外層の
コンデンサ箔６ａ，７ａ，８ａは、この上部フラ
ンジ９および下部フランジ１０と同電位である。
最上段のコンデンサ型絶縁ユニツト８は高電圧中
心導体２と同電位の金物１１に、シールド１３と
ともにボルト１２により上部フランジ９に固定さ
れる。各コンデンサ絶縁ユニツト６，７，８同志
は、同じようにボルト１２により固定されてい
る。このようにしてコンデンサ型絶縁ユニツト
６，７，８は、軸方向に積み重ねられていると同
時にこの積み重ねにより直列に接続される。
の取付けの詳細を示す。多層に巻回されるコンデ
ンサ箔はモールドされてコンデンサ型絶縁ユニツ
ト６，７，８を形成する。各コンデンサ型絶縁物
は、上部に上部フランジ９および下部に下部フラ
ンジ１０が固着されており最内層および最外層の
コンデンサ箔６ａ，７ａ，８ａは、この上部フラ
ンジ９および下部フランジ１０と同電位である。
最上段のコンデンサ型絶縁ユニツト８は高電圧中
心導体２と同電位の金物１１に、シールド１３と
ともにボルト１２により上部フランジ９に固定さ
れる。各コンデンサ絶縁ユニツト６，７，８同志
は、同じようにボルト１２により固定されてい
る。このようにしてコンデンサ型絶縁ユニツト
６，７，８は、軸方向に積み重ねられていると同
時にこの積み重ねにより直列に接続される。
この様なタイプのブツシングは、がい管沿面の
電位分布を均一にするため先に述べたように
500KV以上の絶縁階級の高いものに適した構造
と言える。しかし、この様なタイプのブツシング
では、各コンデンサ型絶縁ユニツトを接続する
上、下部フランジ９，１０に対抗する高電圧中心
導体２の表面の電界強度が高くなつたり、フラン
ジ９，１０の値段が高いなどの欠点があつた。
電位分布を均一にするため先に述べたように
500KV以上の絶縁階級の高いものに適した構造
と言える。しかし、この様なタイプのブツシング
では、各コンデンサ型絶縁ユニツトを接続する
上、下部フランジ９，１０に対抗する高電圧中心
導体２の表面の電界強度が高くなつたり、フラン
ジ９，１０の値段が高いなどの欠点があつた。
従つて本案の目的は、耐電圧を向上するととも
に経済的に製作しうるブツシングを得ることにあ
る。
に経済的に製作しうるブツシングを得ることにあ
る。
上記目的を達成するため本考案によれば、隣接
するコンデンサ型絶縁ユニツトの各々最外層およ
び最内層のコンデンサ箔径およびユニツトの内、
外径を等しくし隣接するコンデンサ型絶縁ユニツ
トの外周端面部に局部的に設けた段差部にエポキ
シレジン含浸クロスなどを巻回してユニツト間を
固定し、ユニツト間の接続部の金物をなくすよう
にしている。
するコンデンサ型絶縁ユニツトの各々最外層およ
び最内層のコンデンサ箔径およびユニツトの内、
外径を等しくし隣接するコンデンサ型絶縁ユニツ
トの外周端面部に局部的に設けた段差部にエポキ
シレジン含浸クロスなどを巻回してユニツト間を
固定し、ユニツト間の接続部の金物をなくすよう
にしている。
〔実施例の構成〕
第３図に本案ブツシングの一実施例を示す。第
１図および第２図と同一部品に同符号を記した。
第３図に示したように、がい管１内で高電圧中心
導体２の周囲に配置されるコンデンサ型絶縁ユニ
ツト６，７，８を軸方向に積み重ねて構成される
キヤパシタンスが直列接続されることは同じであ
るが、各コンデンサ型絶縁ユニツト６，７，８は
円錐台をしており且つ上段になる程絶縁ユニツト
の円筒半径は小さくなつている。
１図および第２図と同一部品に同符号を記した。
第３図に示したように、がい管１内で高電圧中心
導体２の周囲に配置されるコンデンサ型絶縁ユニ
ツト６，７，８を軸方向に積み重ねて構成される
キヤパシタンスが直列接続されることは同じであ
るが、各コンデンサ型絶縁ユニツト６，７，８は
円錐台をしており且つ上段になる程絶縁ユニツト
の円筒半径は小さくなつている。
また隣接するコンデンサ型絶縁ユニツトの
各々、最外層および最内層のコンデンサ箔の径方
向寸法を等しくするとともにユニツトの内外径と
も等しくする。
各々、最外層および最内層のコンデンサ箔の径方
向寸法を等しくするとともにユニツトの内外径と
も等しくする。
隣接するコンデンサ型絶縁ユニツトの積み重ね
は、隣接するユニツトの外周端面を局部的に段差
１４を有するように機械加工した後、エポキシレ
ジンを含浸したガラスクロスまたは不縮布などの
含浸物１５で巻回し、常温または加熱硬化するこ
とにより接着し、固定する。なお、その際隣接す
るコンデンサ型絶縁ユニツトの各々、最外層およ
び最内層のコンデンサ箔６ａ，７ａ，８ａは寸法
誤差を吸収することができるリード接続部１６を
介して接続されて同電位とする。
は、隣接するユニツトの外周端面を局部的に段差
１４を有するように機械加工した後、エポキシレ
ジンを含浸したガラスクロスまたは不縮布などの
含浸物１５で巻回し、常温または加熱硬化するこ
とにより接着し、固定する。なお、その際隣接す
るコンデンサ型絶縁ユニツトの各々、最外層およ
び最内層のコンデンサ箔６ａ，７ａ，８ａは寸法
誤差を吸収することができるリード接続部１６を
介して接続されて同電位とする。
以上、述べたように本考案によれば、隣接する
コンデンサ型絶縁ユニツトの各々最外層および最
内層のコンデンサ箔径およびユニツトの内外径を
等しくし、外周端面を局部的に機械加工し２段差
をつけた部分をエポキシレジン含浸クロスなどで
巻回して固定することにより、フランジを省略し
て経済的に安価とするとともに、コンデンサ型絶
縁ユニツトの接続部に金物がないため、高電圧中
心導体とコンデンサ型絶縁ユニツト間の距離を大
きくとることが可能となり、それだけブツシング
の絶縁性能を向上せることにより高耐圧ブツシン
グを提供することができる。
コンデンサ型絶縁ユニツトの各々最外層および最
内層のコンデンサ箔径およびユニツトの内外径を
等しくし、外周端面を局部的に機械加工し２段差
をつけた部分をエポキシレジン含浸クロスなどで
巻回して固定することにより、フランジを省略し
て経済的に安価とするとともに、コンデンサ型絶
縁ユニツトの接続部に金物がないため、高電圧中
心導体とコンデンサ型絶縁ユニツト間の距離を大
きくとることが可能となり、それだけブツシング
の絶縁性能を向上せることにより高耐圧ブツシン
グを提供することができる。
第１図は、従来のガスブツシングの縦断面図、
第２図は従来ガスブツシングのコンデンサ型絶縁
ユニツトの接続を示す詳細図、第３図は本案によ
るガスブツシングのコンデンサ型絶縁ユニツトの
接続を示す詳細図である。 １……がい管、２……高電圧中心導体、３……
絶縁媒体、４……絶縁支持物、５……頭部支持金
物、６，７，８……コンデンサ型絶縁ユニツト、
６ａ，７ａ，８ａ……最外層および最内層のコン
デンサ箔、９……上部フランジ、１０……下部フ
ランジ、１１……支持金物、１２……ボルト、１
３……シールド、１４……段差、１５……エポキ
シレジン含浸物、１６……リード接続部。
第２図は従来ガスブツシングのコンデンサ型絶縁
ユニツトの接続を示す詳細図、第３図は本案によ
るガスブツシングのコンデンサ型絶縁ユニツトの
接続を示す詳細図である。 １……がい管、２……高電圧中心導体、３……
絶縁媒体、４……絶縁支持物、５……頭部支持金
物、６，７，８……コンデンサ型絶縁ユニツト、
６ａ，７ａ，８ａ……最外層および最内層のコン
デンサ箔、９……上部フランジ、１０……下部フ
ランジ、１１……支持金物、１２……ボルト、１
３……シールド、１４……段差、１５……エポキ
シレジン含浸物、１６……リード接続部。
Claims (1)
- 【実用新案登録請求の範囲】 (1) 絶縁媒体を満たしたがい管にこれと同心的に
中心導体を配置し、前記がい管の内部に前記中
心導体と同心的にコンデンサ型絶縁部を配置
し、このコンデンサ型絶縁部を、コンデンサ型
絶縁ユニツトを軸方向に複数段積み重ね上段に
なる程コンデンサ型絶縁ユニツトの円筒半径を
小さくし、且つこのコンデンサ型絶縁ユニツト
の各キヤパシタンスを直列接続されるように積
み重ねて配置したものに於て、この各コンデン
サ型絶縁ユニツトは円錐台状で且つ隣接するコ
ンデンサ型絶縁ユニツトの各々最外層および最
内層のコンデンサ箔径およびコンデンサ型絶縁
ユニツトの内外径を等しくするとともに隣接す
るコンデンサ型絶縁ユニツトの外周端面部に局
部的に設けた段差部にエポキシレジン含浸クロ
スなどを巻回して、前記ユニツト間を固定した
ことを特徴とするブツシング。 (2) 隣接するコンデンサ型絶縁ユニツトの各々最
外層および最内層のコンデンサ箔はリード接続
部を介して接続している実用新案登録請求の範
囲第１項記載のプツシング。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP16029882U JPS5965426U (ja) | 1982-10-25 | 1982-10-25 | プツシング |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP16029882U JPS5965426U (ja) | 1982-10-25 | 1982-10-25 | プツシング |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPS5965426U JPS5965426U (ja) | 1984-05-01 |
| JPS645306Y2 true JPS645306Y2 (ja) | 1989-02-09 |
Family
ID=30352607
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP16029882U Granted JPS5965426U (ja) | 1982-10-25 | 1982-10-25 | プツシング |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPS5965426U (ja) |
Citations (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS5761729B2 (ja) * | 1980-10-06 | 1982-12-25 | Takeda Chemical Industries Ltd |
Family Cites Families (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS6119465Y2 (ja) * | 1980-09-30 | 1986-06-12 |
-
1982
- 1982-10-25 JP JP16029882U patent/JPS5965426U/ja active Granted
Patent Citations (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS5761729B2 (ja) * | 1980-10-06 | 1982-12-25 | Takeda Chemical Industries Ltd |
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| JPS5965426U (ja) | 1984-05-01 |
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