JPH0687624B2 - ガス絶縁電気機器用絶縁スペ−サ - Google Patents
ガス絶縁電気機器用絶縁スペ−サInfo
- Publication number
- JPH0687624B2 JPH0687624B2 JP61266670A JP26667086A JPH0687624B2 JP H0687624 B2 JPH0687624 B2 JP H0687624B2 JP 61266670 A JP61266670 A JP 61266670A JP 26667086 A JP26667086 A JP 26667086A JP H0687624 B2 JPH0687624 B2 JP H0687624B2
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- Japan
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- component electric
- creeping
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-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01B—CABLES; CONDUCTORS; INSULATORS; SELECTION OF MATERIALS FOR THEIR CONDUCTIVE, INSULATING OR DIELECTRIC PROPERTIES
- H01B5/00—Non-insulated conductors or conductive bodies characterised by their form
-
- H—ELECTRICITY
- H02—GENERATION; CONVERSION OR DISTRIBUTION OF ELECTRIC POWER
- H02G—INSTALLATION OF ELECTRIC CABLES OR LINES, OR OF COMBINED OPTICAL AND ELECTRIC CABLES OR LINES
- H02G5/00—Installations of bus-bars
- H02G5/06—Totally-enclosed installations, e.g. in metal casings
- H02G5/066—Devices for maintaining distance between conductor and enclosure
- H02G5/068—Devices for maintaining distance between conductor and enclosure being part of the junction between two enclosures
Description
【発明の詳細な説明】 〔産業上の利用分野〕 本発明はガス絶縁電気機器に用いられる絶縁スペーサに
係り、特に導電性異物の混入による絶縁耐力の低下を防
止するためにひだを備えたガス絶縁電気機器用絶縁スペ
ーサに関する。
係り、特に導電性異物の混入による絶縁耐力の低下を防
止するためにひだを備えたガス絶縁電気機器用絶縁スペ
ーサに関する。
一般に、絶縁性ガスを封入した金属性管体1内に挿通し
た高圧導体2を支持するために、種々の形状の絶縁スペ
ーサ3が用いられている。例えば第8図(a)に示すよ
うに両端に取付金具を有する棒状のものや、(b)の如
く一端部で高圧導体2をモールドした棒状のものや、
(c1)および(c2)の如く金属性管体1へ高圧導体2を
支持するために2脚としたものや、更には(d)の如く
円錐形状のものなどが絶縁スペーサ3として用いられて
いる。
た高圧導体2を支持するために、種々の形状の絶縁スペ
ーサ3が用いられている。例えば第8図(a)に示すよ
うに両端に取付金具を有する棒状のものや、(b)の如
く一端部で高圧導体2をモールドした棒状のものや、
(c1)および(c2)の如く金属性管体1へ高圧導体2を
支持するために2脚としたものや、更には(d)の如く
円錐形状のものなどが絶縁スペーサ3として用いられて
いる。
この種構成のガス絶縁電気機器において、金属性管体1
内に万一、導電性異物が混入して絶縁スペーサ3に付着
すると、絶縁スペーサ3の沿面絶縁耐力は大幅に低下し
てしまい、機器の絶縁信頼性が著しく損なわれてしま
う。
内に万一、導電性異物が混入して絶縁スペーサ3に付着
すると、絶縁スペーサ3の沿面絶縁耐力は大幅に低下し
てしまい、機器の絶縁信頼性が著しく損なわれてしま
う。
このため、導電性異物の付着時の沿面絶縁耐力の低下を
軽減するひだを形成した絶縁スペーサが実公昭60−2274
3号公報等で提案されている。
軽減するひだを形成した絶縁スペーサが実公昭60−2274
3号公報等で提案されている。
しかしながら従来の絶縁スペーサは、その沿面に等間隔
でひだを形成していたため、導電性異物の付着位置によ
つて沿面絶縁耐力が大幅に異なつてしまう。また機器の
高電圧化によつて絶縁スペーサの軸長が増大すると、ひ
だ数も増大し、成型製作費等が高価なものになつてしま
う。
でひだを形成していたため、導電性異物の付着位置によ
つて沿面絶縁耐力が大幅に異なつてしまう。また機器の
高電圧化によつて絶縁スペーサの軸長が増大すると、ひ
だ数も増大し、成型製作費等が高価なものになつてしま
う。
本発明の目的は、どの位置に導電性異物が付着しても、
ほぼ同等の絶縁耐力が得られるガス絶縁電気機器用絶縁
スペーサを提供するにある。
ほぼ同等の絶縁耐力が得られるガス絶縁電気機器用絶縁
スペーサを提供するにある。
本発明は上記目的を達成するために、沿面に複数のひだ
を形成し、高圧導体、金属性管体およびひだとの間に形
成するひだ間隔は、沿面成分電界の高い所の方がそれよ
り低い所よりも狭くしたことを特徴とする。
を形成し、高圧導体、金属性管体およびひだとの間に形
成するひだ間隔は、沿面成分電界の高い所の方がそれよ
り低い所よりも狭くしたことを特徴とする。
本発明の絶縁スペーサは上述の如き構成であるから、耐
圧向上率は沿面成分電界の高い部分程大きくなり、絶縁
スペーサのどの位置に導電性異物が付着しても、ほぼ同
等の沿面絶縁耐力を得ることができる。
圧向上率は沿面成分電界の高い部分程大きくなり、絶縁
スペーサのどの位置に導電性異物が付着しても、ほぼ同
等の沿面絶縁耐力を得ることができる。
以下本発明の実施例を図面によつて説明する。
第1図は一脚型の棒状絶縁スペーサ3を示し、絶縁性ガ
スを封入した大地電位の金属性管体1内に挿入した高圧
導体2を、金属性管体1から電気的に絶縁して絶縁スペ
ーサ3で支持している。この絶縁スペーサ3には、その
外周に環状の複数のひだ7c,8c,9cが形成され、各ひだの
高さhは5〜30mmである。
スを封入した大地電位の金属性管体1内に挿入した高圧
導体2を、金属性管体1から電気的に絶縁して絶縁スペ
ーサ3で支持している。この絶縁スペーサ3には、その
外周に環状の複数のひだ7c,8c,9cが形成され、各ひだの
高さhは5〜30mmである。
高圧導体2とひだ7c間にはひだ間隔dc1が、ひだ7c,8c間
にはひだ間隔dc2が、またひだ8c,9c間にはひだ間隔dc3
が、更にひだ9cと金属性管体1間にはひだ間隔dc4が形
成されている。各ひだ間隔は10〜40mmであり、その関係
は、dc1<dc2<dc3<dc4であり、高圧導体2に近づく
程、間隔が狭くなるようひだ7c,8c,9cが配設されてい
る。
にはひだ間隔dc2が、またひだ8c,9c間にはひだ間隔dc3
が、更にひだ9cと金属性管体1間にはひだ間隔dc4が形
成されている。各ひだ間隔は10〜40mmであり、その関係
は、dc1<dc2<dc3<dc4であり、高圧導体2に近づく
程、間隔が狭くなるようひだ7c,8c,9cが配設されてい
る。
実験によれば、第2図(a)に示すようにひだ5,6間に
導電性異物4が付着した場合の絶縁耐力は、第2図
(b)に示すように間隔dによつて変化することが分か
つた。つまり、ひだ間隔dを10<d<40mmの範囲で変化
すると、ひだなしの絶縁スペーサのフラツシユオーバ電
圧に対する耐圧向上率ηは、1.0<η<1.7の範囲で調整
することができる。また第2図(a)からひだ間隔dが
40mm以上ならひだを形成しなくても相違がないことが分
かる。
導電性異物4が付着した場合の絶縁耐力は、第2図
(b)に示すように間隔dによつて変化することが分か
つた。つまり、ひだ間隔dを10<d<40mmの範囲で変化
すると、ひだなしの絶縁スペーサのフラツシユオーバ電
圧に対する耐圧向上率ηは、1.0<η<1.7の範囲で調整
することができる。また第2図(a)からひだ間隔dが
40mm以上ならひだを形成しなくても相違がないことが分
かる。
一般に、第8図に示した絶縁スペーサ3は高圧導体2側
に従つて電位分担が高くなる特性を有しており、第3図
(b)の実線の如く沿面成分電界Epは高圧導体2側程高
くなり、また同図(c)の実線の如く導電性異物付着時
の沿面破壊電圧は異物付着位置によつて大幅に変動し、
高圧導体2側程低くなる。しかも、同図(a)に点線で
示す如く、各ひだ7a,8a,9aによる間隔da1,da2,da3,d
a4が各々等しい場合、導電性異物付着時の沿面フラツシ
ユオーバ電圧の向上率ηは、同図(c)の点線の如く各
部においてη1,η2,η3,η4がそれぞれ向上する
が、導電性異物の付着位置によつて沿面破壊電圧に差が
生ずる点で変化はない。また、この場合の沿面成分電界
Epは同図(b)の点線の如くである。
に従つて電位分担が高くなる特性を有しており、第3図
(b)の実線の如く沿面成分電界Epは高圧導体2側程高
くなり、また同図(c)の実線の如く導電性異物付着時
の沿面破壊電圧は異物付着位置によつて大幅に変動し、
高圧導体2側程低くなる。しかも、同図(a)に点線で
示す如く、各ひだ7a,8a,9aによる間隔da1,da2,da3,d
a4が各々等しい場合、導電性異物付着時の沿面フラツシ
ユオーバ電圧の向上率ηは、同図(c)の点線の如く各
部においてη1,η2,η3,η4がそれぞれ向上する
が、導電性異物の付着位置によつて沿面破壊電圧に差が
生ずる点で変化はない。また、この場合の沿面成分電界
Epは同図(b)の点線の如くである。
しかしながら、本実施例では第1図の如く、ひだ間隔を
変化させているため、電圧向上率は、η1>η2>η3
>η4となり、高圧導体2側程沿面絶縁耐力が強化され
ている。この点を第4図および第5図で詳細に説明す
る。
変化させているため、電圧向上率は、η1>η2>η3
>η4となり、高圧導体2側程沿面絶縁耐力が強化され
ている。この点を第4図および第5図で詳細に説明す
る。
第4図の(a)はひだなしの従来の絶縁スペーサ3を示
し、(b)は3つのひだ7a,8a,9aを有し、またひだ間隔
da1=da2=da3=da4の従来の絶縁スペーサ3を示し、ま
た(c)は各ひだ間隔の等しい5つのひだ7b,8b,9b,10
b,11bを有する従来の絶縁スペーサ3を示している。一
方(d)は、沿面成分電界の高い高圧導体2側に近づく
程、ひだ間隔が順次小さくなるよう配置したひだ7c,8c,
9cを有する第1図の絶縁スペーサ3を示している。
し、(b)は3つのひだ7a,8a,9aを有し、またひだ間隔
da1=da2=da3=da4の従来の絶縁スペーサ3を示し、ま
た(c)は各ひだ間隔の等しい5つのひだ7b,8b,9b,10
b,11bを有する従来の絶縁スペーサ3を示している。一
方(d)は、沿面成分電界の高い高圧導体2側に近づく
程、ひだ間隔が順次小さくなるよう配置したひだ7c,8c,
9cを有する第1図の絶縁スペーサ3を示している。
これら各絶縁スペーサ3における導電性異物4の付着位
置Xと、フラツシユオーバ電圧VFOの関係を第5図に示
す。同図を見ると、ひだなしの絶縁スペーサを用いた場
合(a)に対し、等間隔のひだを有する場合(b),
(c)の方が高耐圧化されるが、導電性異物4が付着す
る位置によつてフラツシユオーバ電圧VFOに大差が生ず
る。しかし、ひだ間隔を変化させた場合(d)は、高圧
導体側の沿面成分電界の高い領域では(c)の場合と同
レベルまで高耐圧化され、全体として、どの沿面位置で
も略同等の沿面絶縁耐力が得られる。従つて、少ないひ
だ数で優れた性能の絶縁スペーサが得られる。
置Xと、フラツシユオーバ電圧VFOの関係を第5図に示
す。同図を見ると、ひだなしの絶縁スペーサを用いた場
合(a)に対し、等間隔のひだを有する場合(b),
(c)の方が高耐圧化されるが、導電性異物4が付着す
る位置によつてフラツシユオーバ電圧VFOに大差が生ず
る。しかし、ひだ間隔を変化させた場合(d)は、高圧
導体側の沿面成分電界の高い領域では(c)の場合と同
レベルまで高耐圧化され、全体として、どの沿面位置で
も略同等の沿面絶縁耐力が得られる。従つて、少ないひ
だ数で優れた性能の絶縁スペーサが得られる。
第6図は本発明の他の実施例による絶縁スペーサ3を示
す。この絶縁スペーサ3は大略円錐形であり、その中心
部で高圧導体2を支持し、その外周部を金属性管体1の
フランジ間で挟持している。
す。この絶縁スペーサ3は大略円錐形であり、その中心
部で高圧導体2を支持し、その外周部を金属性管体1の
フランジ間で挟持している。
この絶縁スペーサ3における沿面成分電界Epの最も高い
のは、内側面の高圧導体2から少し離れた所で、次いで
外側面の高圧導体2の近傍および外側面の金属性管体1
の近傍である。これに合せて絶縁スペーサ3の内側面の
沿面成分電界の高い部分に2対のひだ10,11,12が高圧導
体2を中心とする環状に形成され、対を成すひだ11,12
間は、対を成すひだ10,11間より沿面成分電界が高いの
で狭い間隔となつており、各間隔はd7>d8>d9となつて
いる。ひだ12と金属性管体1間の内側面は、その沿面成
分電界は低く、ひだを形成する場合、ひだ間隔は40mm程
度であり、これはひだが無くても同等の耐圧向上率ηで
あるから同部のひだを省略している。また絶縁スペーサ
3の外側面を見ると、高圧導体2に近い方が沿面成分電
界が高いので、高圧導体2とひだ18間のひだ間隔d13の
方が、ひだ17,18間のひだ間隔d14よりも小さくなつてい
る。また絶縁スペーサ3の外側面の金属性管体1側につ
いて見ると、金属性管体1に近い方が沿面成分電界が高
いので、ひだ15と金属性管体1間のひだ間隔d16の方
が、ひだ15,16間のひだ間隔d15より小さくなつている。
ひだ16とひだ17間の沿面成分電界は低いので、ひだの形
成は省略しているが、沿面成分電界に対応するひだ間隔
を持つてひだを形成することもできる。
のは、内側面の高圧導体2から少し離れた所で、次いで
外側面の高圧導体2の近傍および外側面の金属性管体1
の近傍である。これに合せて絶縁スペーサ3の内側面の
沿面成分電界の高い部分に2対のひだ10,11,12が高圧導
体2を中心とする環状に形成され、対を成すひだ11,12
間は、対を成すひだ10,11間より沿面成分電界が高いの
で狭い間隔となつており、各間隔はd7>d8>d9となつて
いる。ひだ12と金属性管体1間の内側面は、その沿面成
分電界は低く、ひだを形成する場合、ひだ間隔は40mm程
度であり、これはひだが無くても同等の耐圧向上率ηで
あるから同部のひだを省略している。また絶縁スペーサ
3の外側面を見ると、高圧導体2に近い方が沿面成分電
界が高いので、高圧導体2とひだ18間のひだ間隔d13の
方が、ひだ17,18間のひだ間隔d14よりも小さくなつてい
る。また絶縁スペーサ3の外側面の金属性管体1側につ
いて見ると、金属性管体1に近い方が沿面成分電界が高
いので、ひだ15と金属性管体1間のひだ間隔d16の方
が、ひだ15,16間のひだ間隔d15より小さくなつている。
ひだ16とひだ17間の沿面成分電界は低いので、ひだの形
成は省略しているが、沿面成分電界に対応するひだ間隔
を持つてひだを形成することもできる。
この実施例のように沿面成分電界の高い所のひだ間隔
を、それより低い所のひだ間隔より狭くすると共に、比
較的沿面成分電界の低い所のひだを省略することによつ
ても、先の実施例とほぼ同様の効果が得られる。また他
の実施例として、沿面成分電界を複数のグループに分
け、グループ毎にひだ間隔を変えることにより、段階的
なひだ間隔を持つた絶縁スペーサとすることができる。
を、それより低い所のひだ間隔より狭くすると共に、比
較的沿面成分電界の低い所のひだを省略することによつ
ても、先の実施例とほぼ同様の効果が得られる。また他
の実施例として、沿面成分電界を複数のグループに分
け、グループ毎にひだ間隔を変えることにより、段階的
なひだ間隔を持つた絶縁スペーサとすることができる。
第7図は本発明の更に異なる実施例による絶縁スペーサ
を示しており、第8図(c1)に対応する2脚型である。
この種の絶縁スペーサ3は、高圧導体2側へ順次高くな
る沿面成分電界分布となるので、図示の如く各ひだ間隔
はd19<d20<d21<d22となるよう各ひだが形成されてい
る。この例では、特に高圧導体2を直接包囲するひだ19
と、大地電位部側端のひだ23を有しているので更に高耐
圧のひだ付き絶縁スペーサが得られる。
を示しており、第8図(c1)に対応する2脚型である。
この種の絶縁スペーサ3は、高圧導体2側へ順次高くな
る沿面成分電界分布となるので、図示の如く各ひだ間隔
はd19<d20<d21<d22となるよう各ひだが形成されてい
る。この例では、特に高圧導体2を直接包囲するひだ19
と、大地電位部側端のひだ23を有しているので更に高耐
圧のひだ付き絶縁スペーサが得られる。
以上説明したように本発明は、高圧導体、金属性管体お
よびひだとの間に形成するひだ間隔のうち、沿面成分電
界の高い所を、沿面成分電界の低い所よりも狭くしたた
め、導電性異物がどこに付着しても略同等の絶縁耐力を
有する絶縁スペーサが得られる。しかも、少ないひだに
よつて効率的に絶縁耐力を向上できるので、小型軽量化
にも寄与する。
よびひだとの間に形成するひだ間隔のうち、沿面成分電
界の高い所を、沿面成分電界の低い所よりも狭くしたた
め、導電性異物がどこに付着しても略同等の絶縁耐力を
有する絶縁スペーサが得られる。しかも、少ないひだに
よつて効率的に絶縁耐力を向上できるので、小型軽量化
にも寄与する。
第1図は本発明の一実施例による絶縁スペーサの側面
図、第2図(a),(b)はひだ間隔と耐圧向上率の関
係を示す特性図、第3図(a)〜(c)は導電性異物の
付着位置と沿面電界および沿面破壊電圧の関係を示す特
性図、第4図(a)〜(d)および第5図は各種絶縁ス
ペーサとフラツシユオーバ電圧の関係を示す特性比較
図、第6図および第7図は本発明の他の実施例による絶
縁スペーサの断面側面図および側面図、第8図(a),
(b),(c1),(c2),(d)は従来の絶縁スペーサ
を示す側面図、正面図および断面図である。 1……金属性管体、2……高圧導体、3……絶縁スペー
サ、7c,8c,9c……ひだ、dc1,dc2,dc3,dc4……ひだ間
隔。
図、第2図(a),(b)はひだ間隔と耐圧向上率の関
係を示す特性図、第3図(a)〜(c)は導電性異物の
付着位置と沿面電界および沿面破壊電圧の関係を示す特
性図、第4図(a)〜(d)および第5図は各種絶縁ス
ペーサとフラツシユオーバ電圧の関係を示す特性比較
図、第6図および第7図は本発明の他の実施例による絶
縁スペーサの断面側面図および側面図、第8図(a),
(b),(c1),(c2),(d)は従来の絶縁スペーサ
を示す側面図、正面図および断面図である。 1……金属性管体、2……高圧導体、3……絶縁スペー
サ、7c,8c,9c……ひだ、dc1,dc2,dc3,dc4……ひだ間
隔。
Claims (4)
- 【請求項1】絶縁性ガスを封入した金属性管体内に挿通
された高圧導体を絶縁支持すると共に、複数のひだを有
して成るガス絶縁電気機器用絶縁スペーサにおいて、上
記金属性管体および上記高圧導体と上記ひだ間、また上
記ひだ間のひだ間隔は、沿面成分電界の高い部分の方
が、それよりも沿面成分電界の低い部分よりも狭くした
ことを特徴とするガス絶縁電気機器用絶縁スペーサ。 - 【請求項2】上記特許請求の範囲第1項記載のものにお
いて、上記ひだは、沿面成分電界の高い所にのみ形成
し、これらひだのうち、沿面成分電界の高い所のひだ間
隔を他より小さくしたことを特徴とするガス絶縁電気機
器用絶縁スペーサ。 - 【請求項3】上記特許請求の範囲第1項記載のものにお
いて、上記ひだ間隔は、沿面成分電界の高い所から低い
所へ順次広くなるように形成したことを特徴とするガス
絶縁電気機器用絶縁スペーサ。 - 【請求項4】上記特許請求の範囲第1項記載のものにお
いて、上記ひだ間隔は、沿面成分電界の高い所から低い
所へ段階的に広くなるように形成したことを特徴とする
ガス絶縁電気機器用絶縁スペーサ。
Priority Applications (5)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP61266670A JPH0687624B2 (ja) | 1986-11-11 | 1986-11-11 | ガス絶縁電気機器用絶縁スペ−サ |
KR1019870011910A KR960015431B1 (ko) | 1986-11-11 | 1987-10-26 | 가스절연 전기기기용 절연 스페이서 |
US07/118,252 US4818825A (en) | 1986-11-11 | 1987-11-09 | Insulating spacers for use in gas-insulated electric apparatus |
EP87116669A EP0268936B1 (en) | 1986-11-11 | 1987-11-11 | Insulating spacers for use in gas-insulated electric apparatus |
DE8787116669T DE3782485T2 (de) | 1986-11-11 | 1987-11-11 | Isolierender abstandshalter fuer gasisoliertes elektrisches geraet. |
Applications Claiming Priority (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP61266670A JPH0687624B2 (ja) | 1986-11-11 | 1986-11-11 | ガス絶縁電気機器用絶縁スペ−サ |
Publications (2)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
JPS63121419A JPS63121419A (ja) | 1988-05-25 |
JPH0687624B2 true JPH0687624B2 (ja) | 1994-11-02 |
Family
ID=17434060
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
JP61266670A Expired - Lifetime JPH0687624B2 (ja) | 1986-11-11 | 1986-11-11 | ガス絶縁電気機器用絶縁スペ−サ |
Country Status (5)
Country | Link |
---|---|
US (1) | US4818825A (ja) |
EP (1) | EP0268936B1 (ja) |
JP (1) | JPH0687624B2 (ja) |
KR (1) | KR960015431B1 (ja) |
DE (1) | DE3782485T2 (ja) |
Families Citing this family (6)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
FR2653273B1 (fr) * | 1989-10-16 | 1991-12-06 | Alsthom Gec | Dispositif pour le maintien d'un conducteur electrique a l'interieur d'une enveloppe blindee. |
US6002085A (en) * | 1991-11-18 | 1999-12-14 | Hitachi, Ltd. | Gas insulated switchgear |
DE10142856A1 (de) * | 2001-08-28 | 2003-03-20 | Siemens Ag | Scheibenförmiger Stützisolator für eine dreiphasig gekapselte Hochspannungsanlage |
EP1306954B1 (de) * | 2001-10-29 | 2011-07-27 | ABB Research Ltd. | GIS-Stützisolator mit integrierter Barriere |
FR2876214B1 (fr) * | 2004-10-04 | 2007-01-26 | Areva T & D Ag | Disque isolant de support d'un conducteur et ensemble electrique comprenant ce disque. |
EP2456033B1 (en) * | 2009-07-17 | 2020-04-01 | Mitsubishi Electric Corporation | Gas insulated bus |
Family Cites Families (10)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
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