JPS6084827A - 電子部品の樹脂モ−ルド方法 - Google Patents
電子部品の樹脂モ−ルド方法Info
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- JPS6084827A JPS6084827A JP15596583A JP15596583A JPS6084827A JP S6084827 A JPS6084827 A JP S6084827A JP 15596583 A JP15596583 A JP 15596583A JP 15596583 A JP15596583 A JP 15596583A JP S6084827 A JPS6084827 A JP S6084827A
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Classifications
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- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L21/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
- H01L21/02—Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof
- H01L21/04—Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof the devices having potential barriers, e.g. a PN junction, depletion layer or carrier concentration layer
- H01L21/50—Assembly of semiconductor devices using processes or apparatus not provided for in a single one of the subgroups H01L21/06 - H01L21/326, e.g. sealing of a cap to a base of a container
- H01L21/56—Encapsulations, e.g. encapsulation layers, coatings
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L2224/00—Indexing scheme for arrangements for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies and methods related thereto as covered by H01L24/00
- H01L2224/01—Means for bonding being attached to, or being formed on, the surface to be connected, e.g. chip-to-package, die-attach, "first-level" interconnects; Manufacturing methods related thereto
- H01L2224/42—Wire connectors; Manufacturing methods related thereto
- H01L2224/47—Structure, shape, material or disposition of the wire connectors after the connecting process
- H01L2224/48—Structure, shape, material or disposition of the wire connectors after the connecting process of an individual wire connector
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- H01L2224/48151—Connecting between a semiconductor or solid-state body and an item not being a semiconductor or solid-state body, e.g. chip-to-substrate, chip-to-passive
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- H01L2224/48245—Connecting between a semiconductor or solid-state body and an item not being a semiconductor or solid-state body, e.g. chip-to-substrate, chip-to-passive the body and the item being stacked the item being metallic
- H01L2224/48247—Connecting between a semiconductor or solid-state body and an item not being a semiconductor or solid-state body, e.g. chip-to-substrate, chip-to-passive the body and the item being stacked the item being metallic connecting the wire to a bond pad of the item
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Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
〔技術分野〕
本発明は電子部品の樹脂モールド方法に関し、特に樹脂
モールド装置の上部金型及び下部金型に内蔵された複数
のヒータの選択的使用によルモールド作業の能率改善に
関するものである。
モールド装置の上部金型及び下部金型に内蔵された複数
のヒータの選択的使用によルモールド作業の能率改善に
関するものである。
一般に電子部品例えば半導体装置は例えば放熱板に半導
体素子全固定すると共に、半導体素子の電極と一端が半
導体素子の近傍に位置するように配置されたリードと全
金属細線にて接続し、かつ半導体素子全含む主要部分全
樹脂材にてモールド被覆して構成されている。
体素子全固定すると共に、半導体素子の電極と一端が半
導体素子の近傍に位置するように配置されたリードと全
金属細線にて接続し、かつ半導体素子全含む主要部分全
樹脂材にてモールド被覆して構成されている。
ところで、半導体素子の樹脂材による外装は内蔵ヒータ
によって例えば１６０℃に設定された上部金型及び下部
金型のキャビティ部に半導体素子全マウントした放熱板
全セットした上で、溶融状態の樹脂材全キャビティ部に
注入し熱硬化させることによって行われている。
によって例えば１６０℃に設定された上部金型及び下部
金型のキャビティ部に半導体素子全マウントした放熱板
全セットした上で、溶融状態の樹脂材全キャビティ部に
注入し熱硬化させることによって行われている。
この外装工程において、樹脂材にはエポキシ樹脂のよう
に熱硬化性のものが使用される関係で、樹脂材のキャビ
ティ部への注入後、必ず２〜４分程度の熱硬化時間（キ
ュア時間）全必要とする。
に熱硬化性のものが使用される関係で、樹脂材のキャビ
ティ部への注入後、必ず２〜４分程度の熱硬化時間（キ
ュア時間）全必要とする。
この熱硬化時間は単に樹脂材の硬化全行つ付加価値のな
い時間であって、近時、半導体装置の製造ラインの扁速
化が進められている折から、樹脂モールド工程における
作業能率全向上させる上で大きなネック暉なっている。
い時間であって、近時、半導体装置の製造ラインの扁速
化が進められている折から、樹脂モールド工程における
作業能率全向上させる上で大きなネック暉なっている。
従って、例えば上部金型及び下品金型の温匿全１６０°
Ｃより高い１８０℃、或いは２００℃に設定すれば、熱
硬化時間は著しく短縮できるのであるが、溶融状態の樹
脂材がポット部よりランナ一部、ゲート部全介してキャ
ビティ部に注入されるまでに硬化反応が促進されるため
に、樹脂材の流動性が損なわれるのみならず、キャビテ
ィ部への注入も確実に行うことができなくなる。
Ｃより高い１８０℃、或いは２００℃に設定すれば、熱
硬化時間は著しく短縮できるのであるが、溶融状態の樹
脂材がポット部よりランナ一部、ゲート部全介してキャ
ビティ部に注入されるまでに硬化反応が促進されるため
に、樹脂材の流動性が損なわれるのみならず、キャビテ
ィ部への注入も確実に行うことができなくなる。
それ故に、本発明の目的は簡単な構成によって樹脂材の
流動性全損なうことなくキャピテイ部への注入性全高め
ることができる上、熱硬化時間全有効に短縮できる電子
部品の樹脂モールド方法全提供することにある。
流動性全損なうことなくキャピテイ部への注入性全高め
ることができる上、熱硬化時間全有効に短縮できる電子
部品の樹脂モールド方法全提供することにある。
そして、本発明の特徴は上部金型及び下部金型にて構成
されるキャビティ部に電子部品全セットした上で、キャ
ビティ部に溶融状態の樹脂材全注入し熱硬化させるに当
って、樹脂材の熱硬化過程における上部金型及び下部金
型の温度全注入過程より高く設定することにある。
されるキャビティ部に電子部品全セットした上で、キャ
ビティ部に溶融状態の樹脂材全注入し熱硬化させるに当
って、樹脂材の熱硬化過程における上部金型及び下部金
型の温度全注入過程より高く設定することにある。
この発明によれば、樹脂材のキャビティ部への注入時に
は上部金型及び下部金型の湿度が低く設定される関係で
、溶融状態にある樹脂材の硬化反、。
は上部金型及び下部金型の湿度が低く設定される関係で
、溶融状態にある樹脂材の硬化反、。
応全抑えることができる。このために、樹脂材の粘性は
低く保たれ、プランジャによる押圧によってランナ部、
ゲート部全介してキャビティ部にイ准実に注入すること
ができる。
低く保たれ、プランジャによる押圧によってランナ部、
ゲート部全介してキャビティ部にイ准実に注入すること
ができる。
又、樹脂材がほぼすべてのキャビティ部に注入されると
、上部金型及び下部金型の温度が急激に關められるので
、キャビティ部の樹脂材は短時間で熱硬化される。この
ために、樹脂モーケド工程での作業能率全改善でき、ラ
イン金棒の品速化？図ることができる。
、上部金型及び下部金型の温度が急激に關められるので
、キャビティ部の樹脂材は短時間で熱硬化される。この
ために、樹脂モーケド工程での作業能率全改善でき、ラ
イン金棒の品速化？図ることができる。
次に本発明の半導体装置への適用例について第１図〜第
２図全参照して説明する。
２図全参照して説明する。
まず、第１図に示すように、リードフレーム１の放熱板
２に半導体素子３７牛田部材？用いて固定すると共に、
半導体素子３の電極とリード４と全金属細線５にて接続
する。次に、第２図に示すように、リードフレームｌｋ
樹脂モールド装置に、それの上部金型６及び下品金型
７にて構成されるキャピテイ部８に放熱板２が位置する
ようにセリトン、型締めする。この状態において、上部
金型６及び下部金型７は内蔵されている複数のヒータＨ
７〜Ｈ４ノウチ、ヒータＨ１，Ｈ１（ＣＪ：”：）で１
５０’Ｃ程度に加熱されている。そして、ポット部に投
入された樹脂タブレットはやがて溶融状態となり、プラ
ンジャに押圧されてランナ一部、ゲート部全介してキャ
ビティ部８に注入される。樹脂材のすべてのキャピテイ
部への注入が完了すると、ヒータＨｓ 、 Ｈ４が加わ
って上部金型６及び下部金型７は例えば２００°Ｃ程度
に急激に上昇する。このために、キャビティ部８の樹脂
材は速やかに熱硬化される。
２に半導体素子３７牛田部材？用いて固定すると共に、
半導体素子３の電極とリード４と全金属細線５にて接続
する。次に、第２図に示すように、リードフレームｌｋ
樹脂モールド装置に、それの上部金型６及び下品金型
７にて構成されるキャピテイ部８に放熱板２が位置する
ようにセリトン、型締めする。この状態において、上部
金型６及び下部金型７は内蔵されている複数のヒータＨ
７〜Ｈ４ノウチ、ヒータＨ１，Ｈ１（ＣＪ：”：）で１
５０’Ｃ程度に加熱されている。そして、ポット部に投
入された樹脂タブレットはやがて溶融状態となり、プラ
ンジャに押圧されてランナ一部、ゲート部全介してキャ
ビティ部８に注入される。樹脂材のすべてのキャピテイ
部への注入が完了すると、ヒータＨｓ 、 Ｈ４が加わ
って上部金型６及び下部金型７は例えば２００°Ｃ程度
に急激に上昇する。このために、キャビティ部８の樹脂
材は速やかに熱硬化される。
次に１上部金型６及び下部金型７のヒータＨｚ 、 Ｈ
４１ＱＦＦ状態にすると共に、下部金型７全下降させる
。これと同時に、パーティング面などに圧縮空気全欧き
付けて１５０ ’Ｃ程度にまで降下させる。
４１ＱＦＦ状態にすると共に、下部金型７全下降させる
。これと同時に、パーティング面などに圧縮空気全欧き
付けて１５０ ’Ｃ程度にまで降下させる。
尚、」二部金型６及び下部金型７の冷ｔｄＩはそれらの
内部に冷却パイプ全配設し、このパイプに冷却媒体全流
通させることによって行うこともできる。
内部に冷却パイプ全配設し、このパイプに冷却媒体全流
通させることによって行うこともできる。
この実施例によれば、樹脂材のキャビティ部への注入時
には上部金型６及び下部金型７の温度が、内蔵ヒータＨ
＋ 、 Ｈ！の選択的使用によって１５Ｑ°Ｃ程度と低
く設定されているので、樹脂相の硬化反応を抑制でき１
充分に低い粘性に保つことができる。このために、ラン
ナ一部における流動性全良好にでき、キャビティ部への
注入全確実化できる。
には上部金型６及び下部金型７の温度が、内蔵ヒータＨ
＋ 、 Ｈ！の選択的使用によって１５Ｑ°Ｃ程度と低
く設定されているので、樹脂相の硬化反応を抑制でき１
充分に低い粘性に保つことができる。このために、ラン
ナ一部における流動性全良好にでき、キャビティ部への
注入全確実化できる。
又、樹脂材の熱硬化過程では内蔵ヒータＨ＋ 、 Ｈｚ
に７ＪＩＩえてヒータＨｓ 、 Ｈ４も動作状態になる
ために、上部金型６及び下部金型７は急激に温度上昇し
、例えば２００°Ｃと旨くなる。これによって、キャビ
ティ部８の樹脂材の熱硬化時間は１〜２分間短縮される
。
に７ＪＩＩえてヒータＨｓ 、 Ｈ４も動作状態になる
ために、上部金型６及び下部金型７は急激に温度上昇し
、例えば２００°Ｃと旨くなる。これによって、キャビ
ティ部８の樹脂材の熱硬化時間は１〜２分間短縮される
。
尚、本発明において１上部金型及び下部金型のキャビテ
ィ部数、形状は適宜に変更できる。又、それらに内部さ
れるヒータの配列１選択的使用方法も適宜に変更できる
し、設定温度も任意に変更できる。
ィ部数、形状は適宜に変更できる。又、それらに内部さ
れるヒータの配列１選択的使用方法も適宜に変更できる
し、設定温度も任意に変更できる。
第１図はリードフレームへの牛導体素子のマウント状態
全示す平面図、第２図は樹脂モールド装置の側断面図で
ある。
全示す平面図、第２図は樹脂モールド装置の側断面図で
ある。
Claims (1)
- 上部金型及び下部金型にて構成されるキャビティ部に電
子部品ｔセットした上で、キャビティ部に溶融状態の樹
脂材全注入し熱硬化させるに当って１樹脂材の熱硬化過
程における上部金型及び下部金型の温度全注入過程より
高く設定することに特徴とする電子部品の樹脂モールド
方法。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP15596583A JPS6084827A (ja) | 1983-08-25 | 1983-08-25 | 電子部品の樹脂モ−ルド方法 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP15596583A JPS6084827A (ja) | 1983-08-25 | 1983-08-25 | 電子部品の樹脂モ−ルド方法 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPS6084827A true JPS6084827A (ja) | 1985-05-14 |
Family
ID=15617407
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP15596583A Pending JPS6084827A (ja) | 1983-08-25 | 1983-08-25 | 電子部品の樹脂モ−ルド方法 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPS6084827A (ja) |
Cited By (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US11116156B2 (en) | 2016-04-21 | 2021-09-14 | Upward Enterprises Inc. | Stacked shallow water culture (SSWC) growing systems, apparatus and methods |
-
1983
- 1983-08-25 JP JP15596583A patent/JPS6084827A/ja active Pending
Cited By (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US11116156B2 (en) | 2016-04-21 | 2021-09-14 | Upward Enterprises Inc. | Stacked shallow water culture (SSWC) growing systems, apparatus and methods |
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