JPS6084577A - エレクトロクロミツク表示素子およびその製造方法 - Google Patents
エレクトロクロミツク表示素子およびその製造方法Info
- Publication number
- JPS6084577A JPS6084577A JP58193729A JP19372983A JPS6084577A JP S6084577 A JPS6084577 A JP S6084577A JP 58193729 A JP58193729 A JP 58193729A JP 19372983 A JP19372983 A JP 19372983A JP S6084577 A JPS6084577 A JP S6084577A
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- JP
- Japan
- Prior art keywords
- etching
- transparent conductive
- electrochromic
- display element
- conductive film
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Pending
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- Electrochromic Elements, Electrophoresis, Or Variable Reflection Or Absorption Elements (AREA)
- Devices For Indicating Variable Information By Combining Individual Elements (AREA)
Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
ック表示素子およびその製造方法に関する。
従来、エレクトロクロミック表示素子の着消色特性の改
良は、エレクトロクロミック物質の蒸着膜の形成方法に
主体がおかれ、たとえば斜方蒸着、低真空蒸着といった
方法により蒸着膜を形成して、その単位時間当りの注入
電気量の増大につとめてきたが、そのような方法のみで
は、充分に目的を達成することができなかった。
良は、エレクトロクロミック物質の蒸着膜の形成方法に
主体がおかれ、たとえば斜方蒸着、低真空蒸着といった
方法により蒸着膜を形成して、その単位時間当りの注入
電気量の増大につとめてきたが、そのような方法のみで
は、充分に目的を達成することができなかった。
本発明は上述した従来技術とは発想を異にし、表示極側
における透明導電膜の表面を粗化することによって透明
導電膜とエレクトロクロミック物質との接触面積を増大
して、表示極への単位時間当りの注入電気量を増加させ
、着消色特性の良好なエレクトロクロミック表示素子が
得られるようにしたものである。
における透明導電膜の表面を粗化することによって透明
導電膜とエレクトロクロミック物質との接触面積を増大
して、表示極への単位時間当りの注入電気量を増加させ
、着消色特性の良好なエレクトロクロミック表示素子が
得られるようにしたものである。
透明導電膜としては通常ＩＴＯｌｌｉやＮＥＳＡ膜が使
用され、表面が粗化された透明導電膜は、ＩＴＯ膜やＮ
ＥＳＡ膜を得る際に、真空度を低くしく２） て高速で蒸着することにより得ることもできるが、その
ような方法によるよりも、蒸着は通常に行ない、形成さ
れた透明導電膜をエツチングして表面を粗化する方法に
よる方が特性のよいものを得ることができるので好まし
い。
用され、表面が粗化された透明導電膜は、ＩＴＯ膜やＮ
ＥＳＡ膜を得る際に、真空度を低くしく２） て高速で蒸着することにより得ることもできるが、その
ような方法によるよりも、蒸着は通常に行ない、形成さ
れた透明導電膜をエツチングして表面を粗化する方法に
よる方が特性のよいものを得ることができるので好まし
い。
エツチングの方法としては、かとえばプラズマエツチン
グ、スパッタエツチング、化学エツチングなどが採用さ
れる。エツチングの深さは透明導電膜の厚さによるが、
１００人〜５００人、特に３００人前後が好ましい。
グ、スパッタエツチング、化学エツチングなどが採用さ
れる。エツチングの深さは透明導電膜の厚さによるが、
１００人〜５００人、特に３００人前後が好ましい。
つぎに実施例をあげて本発明を説明する。
実施例１
面抵抗５Ω／口のＩＴＯガラス（透明ガラス板上に透明
導電膜としてＩＴＯ膜を形成した透明導電性ガラス、本
実施例で用いるＩＴＯガラスのＩＴＯ膜の厚さは３００
０人である）のＩＴＯ膜表面をＢＣｌ３を用いてプラズ
マエツチング（条件：０゜６Ｔｏｒｒ 、 ２５０ Ｗ
） シて表面を粗化した。エツチングの深さは表面から
３００人であった。エツチング後の面抵抗を測定したと
ころ５Ω／口でエラチン（３） グ前と変わりがなかった。
導電膜としてＩＴＯ膜を形成した透明導電性ガラス、本
実施例で用いるＩＴＯガラスのＩＴＯ膜の厚さは３００
０人である）のＩＴＯ膜表面をＢＣｌ３を用いてプラズ
マエツチング（条件：０゜６Ｔｏｒｒ 、 ２５０ Ｗ
） シて表面を粗化した。エツチングの深さは表面から
３００人であった。エツチング後の面抵抗を測定したと
ころ５Ω／口でエラチン（３） グ前と変わりがなかった。
上記のようにして表面が粗化されたＩＴＯ膜上にＷＯ３
を真空度Ｉ Ｘ １０−’Ｔｏｒｒで厚さ３２００人に
蒸着した。
を真空度Ｉ Ｘ １０−’Ｔｏｒｒで厚さ３２００人に
蒸着した。
上記のようにして形成された表示極を用いて第１１！ｌ
に示すようなエレクトロクロミック表示素子を組立てた
。
に示すようなエレクトロクロミック表示素子を組立てた
。
第１図において、１は透明基板で、この透明基板１はガ
ラス板よりなり、この上に透明導電膜としてＩＴＯＩｉ
ｊｉ２が形成されている。ＩＴＯ膜２の表面は前記のよ
うにプラズマエツチングにより粗化され、該粗化面にＷ
Ｏ３よりなる表示極３が形成されている。４は対向極基
板で、この対向極基板４はガラス基板４ａ上にＩＴＯの
透明導電膜４ｂを形成した導電性ガラスよりなるもので
ある。本実施例では、この対向極基板４も上記表示極側
の基板と同様に透明に形成されているが、対向極基板４
は透明でなくてもよい。５はＦ１３２ （ＷＯ４）３を
対向極材料としこれに導電助剤と結着剤とを配合してな
る対向電極で、上記対向極基板４の透（４） 明導電膜４ｂ上に形成され、前記表示極３と対向するよ
うに素子内部側に配置されている。
ラス板よりなり、この上に透明導電膜としてＩＴＯＩｉ
ｊｉ２が形成されている。ＩＴＯ膜２の表面は前記のよ
うにプラズマエツチングにより粗化され、該粗化面にＷ
Ｏ３よりなる表示極３が形成されている。４は対向極基
板で、この対向極基板４はガラス基板４ａ上にＩＴＯの
透明導電膜４ｂを形成した導電性ガラスよりなるもので
ある。本実施例では、この対向極基板４も上記表示極側
の基板と同様に透明に形成されているが、対向極基板４
は透明でなくてもよい。５はＦ１３２ （ＷＯ４）３を
対向極材料としこれに導電助剤と結着剤とを配合してな
る対向電極で、上記対向極基板４の透（４） 明導電膜４ｂ上に形成され、前記表示極３と対向するよ
うに素子内部側に配置されている。
６は上記表示極３と対向電極５との間に配置された背景
材で、この背景材６は二酸化チタンを分散含有させたイ
オン透過性のポリテトラフルオルエチレン膜よりなるも
のである。７はプロピレンカーボネートにＬｉＣｌＯ４
を１．０モル／Ｉｌ溶解させ、水をプロピレンカーボネ
ート１００容量部に対して２容量部の割合で添加した液
状の電解質であり、８はポリエステル製のスペーサで、
このスペーサ８は透明基板１上にＴＴＯ膜２を形成して
なる表示極側の基板と対向極基板４との間の周辺部に介
在し、表示極側の基板と対向極基板４との間に配置され
た表示極３、対向電極５、背景材６、電解質７などの素
子内容物を密閉状態に保っている。
材で、この背景材６は二酸化チタンを分散含有させたイ
オン透過性のポリテトラフルオルエチレン膜よりなるも
のである。７はプロピレンカーボネートにＬｉＣｌＯ４
を１．０モル／Ｉｌ溶解させ、水をプロピレンカーボネ
ート１００容量部に対して２容量部の割合で添加した液
状の電解質であり、８はポリエステル製のスペーサで、
このスペーサ８は透明基板１上にＴＴＯ膜２を形成して
なる表示極側の基板と対向極基板４との間の周辺部に介
在し、表示極側の基板と対向極基板４との間に配置され
た表示極３、対向電極５、背景材６、電解質７などの素
子内容物を密閉状態に保っている。
実施例２
実施例１と同様のＩＴＯガラスのＩＴＯ膜表面をアルゴ
ンによってスパッタエツチングして表面を粗化した。エ
ツチング深さは３００人であった。
ンによってスパッタエツチングして表面を粗化した。エ
ツチング深さは３００人であった。
（５）
なお、エツチング前後でのＩＴＯ膜の面抵抗には変化が
なかった。
なかった。
上記のようにして表面が粗化されたＩＴＯ膜上に実施例
１と同様にしてＷＯ３を蒸着し、得られた表示極を用い
て実施例１と同様のエレクトロクロミック表示素子を組
立てた。
１と同様にしてＷＯ３を蒸着し、得られた表示極を用い
て実施例１と同様のエレクトロクロミック表示素子を組
立てた。
実施例３
実施例１と同様のＩＴＯガラスを塩酸−硝酸混液中で２
０秒間エツチングして、ＩＴＯ膜表面を粗化した。エツ
チング深さは３００人で、エツチング前後でのＩＴＯＩ
Ｉの面抵抗には変化がなかった。
０秒間エツチングして、ＩＴＯ膜表面を粗化した。エツ
チング深さは３００人で、エツチング前後でのＩＴＯＩ
Ｉの面抵抗には変化がなかった。
上記のようにして表面が粗化されたＩＴＯ膜上に実施例
１と同様にしてｗｏ３を蒸着し、得られた表示極を用い
て実施例１と同様のエレクトロクロミック表示素子を組
立てた。
１と同様にしてｗｏ３を蒸着し、得られた表示極を用い
て実施例１と同様のエレクトロクロミック表示素子を組
立てた。
実施例４
実施例１と同様のＩＴＯガラスを塩化第二鉄溶液中で１
分間エツチングしてＩＴＯ膜表面を粗化した。エツチン
グ深さは３００人で、エツチング前後でのＩＴＯ膜の面
抵抗には変化がなかった。
分間エツチングしてＩＴＯ膜表面を粗化した。エツチン
グ深さは３００人で、エツチング前後でのＩＴＯ膜の面
抵抗には変化がなかった。
（６）
上記のようにして表面が粗化されたＩＴＯ膜上に実施例
１と同様にしてＷＯ３を蒸着し、得られた表示極を用い
て実施例１と同様のエレクトロクロミック表示素子を組
立てた。
１と同様にしてＷＯ３を蒸着し、得られた表示極を用い
て実施例１と同様のエレクトロクロミック表示素子を組
立てた。
比較例１
実施例１と同様のＩＴＯガラスをエツチングすることな
くそのまま用い、そのＩＴＯ膜上に実施例１と同様にし
てＷＯ３を蒸着し、得られた表示極を用いて実施例１と
同様のエレクトロクロミック表示素子を製造した。
くそのまま用い、そのＩＴＯ膜上に実施例１と同様にし
てＷＯ３を蒸着し、得られた表示極を用いて実施例１と
同様のエレクトロクロミック表示素子を製造した。
上記のようにして製造された実施例１〜４および比較例
１のエレクトロクロミック表示素子に＋１．５Ｖ〜−１
，５Ｖ、ＩＨｚの方形波を印加して注入電気量（１，３
ｃＩａ当り）を測定した。その結果を第１表に示す。
１のエレクトロクロミック表示素子に＋１．５Ｖ〜−１
，５Ｖ、ＩＨｚの方形波を印加して注入電気量（１，３
ｃＩａ当り）を測定した。その結果を第１表に示す。
（７）
第１表
第１表に示すように、ＩＴＯ面に無処理の場合（比較例
１）は、注入電気量は５．９ｍＣであったが、エツチン
グによりＩＴＯ膜の表面を粗化することにより、注入電
気量が６．４〜６．８ｍＣに増加した。
１）は、注入電気量は５．９ｍＣであったが、エツチン
グによりＩＴＯ膜の表面を粗化することにより、注入電
気量が６．４〜６．８ｍＣに増加した。
実施例では、透明導電膜としてＩＴＯ膜を用いた場合を
例示したが、本発明はそれのみに限られることなく、透
明導電膜としてＮＥＳＡ膜を用いる場合にも適用するこ
とができる。
例示したが、本発明はそれのみに限られることなく、透
明導電膜としてＮＥＳＡ膜を用いる場合にも適用するこ
とができる。
（８）
また実施例では表示極を構成するエレクトロクロミック
物質としてＷＯ３を用いたが、それに代えてたとえばＩ
ｒ０２、ＭｏＯ３などの遷移金属酸化物、プルシャン
ブルー、テトラチアフルバレン誘導体、ビオロゲン誘導
体などを用いてもよい。
物質としてＷＯ３を用いたが、それに代えてたとえばＩ
ｒ０２、ＭｏＯ３などの遷移金属酸化物、プルシャン
ブルー、テトラチアフルバレン誘導体、ビオロゲン誘導
体などを用いてもよい。
また対向電極の対向極材料も実施例で用いたＦｅ２（Ｗ
Ｏ４）３に限られることなく、たとえばＭｎＯ２、ＷＯ
３、ＭｏＯ３などを用いることもできる。さらに電解質
も実施例に例示のものに限られることなく、着色、消色
反応に必要なイオン種が移動可能なものであれば液体、
固体を問わずどのような系であってもよい。
Ｏ４）３に限られることなく、たとえばＭｎＯ２、ＷＯ
３、ＭｏＯ３などを用いることもできる。さらに電解質
も実施例に例示のものに限られることなく、着色、消色
反応に必要なイオン種が移動可能なものであれば液体、
固体を問わずどのような系であってもよい。
第１図は本発明に係るエレクトロクロミック表示素子の
一例を示す断面図である。 １・・・透明基板、 ２・・・透明導電膜としてのＩＴ
ＯＩＩＩｉ、 ３・・・表示極、 ５・・・対向電極、
７・・・電解質 （９） Ｗ１図
一例を示す断面図である。 １・・・透明基板、 ２・・・透明導電膜としてのＩＴ
ＯＩＩＩｉ、 ３・・・表示極、 ５・・・対向電極、
７・・・電解質 （９） Ｗ１図
Claims (1)
- 【特許請求の範囲】 （１） エレクトロクロミック物質の蒸着膜よりなる表
示極、対向電極および電解質を有してなり、上記表示極
が透明基板上に形成された透明導電膜上に形成されてい
るエレクトロクロミック表示素子において、上記透明導
電膜の表面が粗化されていることを特徴とするエレクト
ロクロミック表示素子。 （２） エレクトロクロミック物質の蒸着膜よりなる表
示極、対向電極および電解質を有してなるエレクトロク
ロミック表示素子の表示極の形成にあたり、透明基板上
に形成された透明導電膜の表面をエツチングにより粗化
したのち、該透明導電膜上にエレクトロクロミック物質
を蒸着することを特徴とするエレクトロクロミック表示
素子の製造方法。 （１）
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP58193729A JPS6084577A (ja) | 1983-10-17 | 1983-10-17 | エレクトロクロミツク表示素子およびその製造方法 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP58193729A JPS6084577A (ja) | 1983-10-17 | 1983-10-17 | エレクトロクロミツク表示素子およびその製造方法 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPS6084577A true JPS6084577A (ja) | 1985-05-13 |
Family
ID=16312831
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP58193729A Pending JPS6084577A (ja) | 1983-10-17 | 1983-10-17 | エレクトロクロミツク表示素子およびその製造方法 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPS6084577A (ja) |
Citations (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS5489497A (en) * | 1977-12-27 | 1979-07-16 | Toshiba Corp | Production of display cell |
-
1983
- 1983-10-17 JP JP58193729A patent/JPS6084577A/ja active Pending
Patent Citations (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS5489497A (en) * | 1977-12-27 | 1979-07-16 | Toshiba Corp | Production of display cell |
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