JPS6081704A - 透明導電性膜形成用組成物 - Google Patents
透明導電性膜形成用組成物Info
- Publication number
- JPS6081704A JPS6081704A JP18909983A JP18909983A JPS6081704A JP S6081704 A JPS6081704 A JP S6081704A JP 18909983 A JP18909983 A JP 18909983A JP 18909983 A JP18909983 A JP 18909983A JP S6081704 A JPS6081704 A JP S6081704A
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- Japan
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- film
- transparent conductive
- conductive film
- composition
- forming
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- Liquid Crystal (AREA)
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- Conductive Materials (AREA)
- Non-Insulated Conductors (AREA)
Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
産業上の第１」用分野
本発明は、力゛ラスやセラミックその他の基材表面上に
透明導電性膜を形成するだめの透明導電性膜形成用組成
物に関するものである。
透明導電性膜を形成するだめの透明導電性膜形成用組成
物に関するものである。
従来例の構成とその問題点
透明導電性膜は、液晶表示素子、エレクトロルミネッセ
ンスなどの透明電極、車両、航空機等の防曇窓ガラスに
用いる発熱硝子や電極、抵抗体素子としての用途に賞月
されて来ている。
ンスなどの透明電極、車両、航空機等の防曇窓ガラスに
用いる発熱硝子や電極、抵抗体素子としての用途に賞月
されて来ている。
従来、透明導電性膜を形成する材料は、酸化錫薄膜が大
半を占めるが、必要に応じてアンチモンをドーピングし
て、透明導電性膜の抵抗値の低ゴ・とコントロールが行
なわれている。さらには酸化インジウムに錫をドーピン
グする系も上記と同様の用途に供されている。これらの
透明導電性膜の中で酸化錫系は耐酸性、耐アルカリ性に
優れており、かつ拐料は安価であるという特長をイ」し
ている。
半を占めるが、必要に応じてアンチモンをドーピングし
て、透明導電性膜の抵抗値の低ゴ・とコントロールが行
なわれている。さらには酸化インジウムに錫をドーピン
グする系も上記と同様の用途に供されている。これらの
透明導電性膜の中で酸化錫系は耐酸性、耐アルカリ性に
優れており、かつ拐料は安価であるという特長をイ」し
ている。
従来よシ透明導電性膜の形成方法としてにＪｌ、蒸着法
、スパッタリング法、気相分）Ｗ法、室？Ｌ’ｔで基材
表面に薬液を塗布し乾燥後加熱分解する方θτ（以下コ
ールド塗布焼成法と称する）や、あらかじめ４６０ ’
Ｃ以上に加熱した暴利表面に薬液を噴霧し接触熱分解さ
せる方法（以下ホラｌ−基（４への噴霧法と称する。）
が良く知られている。これらの方法の中で、透明導電性
膜としての性能と価格的利点の大きいものは、気相分勉
法、コールド塗布焼成法及びホット基材への噴霧法であ
る。
、スパッタリング法、気相分）Ｗ法、室？Ｌ’ｔで基材
表面に薬液を塗布し乾燥後加熱分解する方θτ（以下コ
ールド塗布焼成法と称する）や、あらかじめ４６０ ’
Ｃ以上に加熱した暴利表面に薬液を噴霧し接触熱分解さ
せる方法（以下ホラｌ−基（４への噴霧法と称する。）
が良く知られている。これらの方法の中で、透明導電性
膜としての性能と価格的利点の大きいものは、気相分勉
法、コールド塗布焼成法及びホット基材への噴霧法であ
る。
これらの方法に適用される透明導電性膜形成用薬剤は、
塩化第一錫、有機第一錫のアルコキシドまたはアシルオ
キシ化合物やジメチル錫オキシドなどである。これら薬
剤の中で、塩化第一錫については、気相分解法、ホット
基材への噴霧法に利用され、有機錫系化合物は主にコー
ルド塗布焼成法に使用されていた。
塩化第一錫、有機第一錫のアルコキシドまたはアシルオ
キシ化合物やジメチル錫オキシドなどである。これら薬
剤の中で、塩化第一錫については、気相分解法、ホット
基材への噴霧法に利用され、有機錫系化合物は主にコー
ルド塗布焼成法に使用されていた。
塩化第一錫を薬剤として用いる透明導電性膜形成方法に
おいては、−回の膜形成処理工程で容易に５０００人０
程度の膜厚まで比較的均一な膜が形成できるが、加熱雰
囲気内で多量の塩酸ガスの発生があり、このため設備関
係の腐食性が大きく排出ガスの公害処理は容易なもので
はない。有機錫系化合物を薬剤とする透明導電性膜形成
方法では、室温で基材の表面に塗布し、乾燥後基板と共
に焼成して長時間を要して熱分解させることにより形成
させるもので、有機成分の熱分解が不均一化し。
おいては、−回の膜形成処理工程で容易に５０００人０
程度の膜厚まで比較的均一な膜が形成できるが、加熱雰
囲気内で多量の塩酸ガスの発生があり、このため設備関
係の腐食性が大きく排出ガスの公害処理は容易なもので
はない。有機錫系化合物を薬剤とする透明導電性膜形成
方法では、室温で基材の表面に塗布し、乾燥後基板と共
に焼成して長時間を要して熱分解させることにより形成
させるもので、有機成分の熱分解が不均一化し。
やすく、部分的に薬液を厚く塗布した箇所は白濁した不
連続の膜になシやすい。したがってこれらの欠点を避け
よつとすれば、−回の膜形成処理で形成させる透明導電
性膜の厚みは薄くせざるをえず、実用に供するに十分な
導電性が確保できず、２回以上の膜形成繰返しによる膜
厚増大化による導電性の向上を必要とするものであった
。さらに塩化第一錫を薬剤とする場合、良好な導電性を
確保する常套手段として、三塩化アンチモンや弗化水素
酸が使用されるが、有機第一錫系化合物を薬剤として使
用する場合は、三塩化アンチモンや弗化水素酸をドーピ
ング剤として選定すると、膜形成のだめの熱分解処理時
に極めて飛散しやすく、酸化錫膜中に固定化しにくく、
導電性の向」二に全く寄与しない。有機第一錫系化合物
に三塩化アンチモンや弗化水素酸を併用する」場合、ホ
ット暴利への噴霧法によれば、得られた酸化錫膜は導電
性は改善できるものの、基材表面での有機第一錫系化合
物の酸化錫への熱分解による移行が完全でなく、導電性
膜は着色し、透明性を大きくそこなうものと々る欠点が
あった。
連続の膜になシやすい。したがってこれらの欠点を避け
よつとすれば、−回の膜形成処理で形成させる透明導電
性膜の厚みは薄くせざるをえず、実用に供するに十分な
導電性が確保できず、２回以上の膜形成繰返しによる膜
厚増大化による導電性の向上を必要とするものであった
。さらに塩化第一錫を薬剤とする場合、良好な導電性を
確保する常套手段として、三塩化アンチモンや弗化水素
酸が使用されるが、有機第一錫系化合物を薬剤として使
用する場合は、三塩化アンチモンや弗化水素酸をドーピ
ング剤として選定すると、膜形成のだめの熱分解処理時
に極めて飛散しやすく、酸化錫膜中に固定化しにくく、
導電性の向」二に全く寄与しない。有機第一錫系化合物
に三塩化アンチモンや弗化水素酸を併用する」場合、ホ
ット暴利への噴霧法によれば、得られた酸化錫膜は導電
性は改善できるものの、基材表面での有機第一錫系化合
物の酸化錫への熱分解による移行が完全でなく、導電性
膜は着色し、透明性を大きくそこなうものと々る欠点が
あった。
発明の目的
本発明は、前記の事情Ｋ ！みてなされたもので、−回
の膜形成処理にょシ着色がなく、透明であシ、良好な導
電性が確保できる酸化錫を主成分とする透明導電性ｊ膜
形成用組成物を提供することを目的とする。
の膜形成処理にょシ着色がなく、透明であシ、良好な導
電性が確保できる酸化錫を主成分とする透明導電性ｊ膜
形成用組成物を提供することを目的とする。
発明の構成
本発明の透明導電性膜形成用組成物は、゛一般式５ｎ（
ＯＲ，）２で表わされるアルコキシド化合物及び一般式
Ｓ ｎ （ＯＯＣＲ）２で表わされるアシルオキシ化合
物（ただし、前記のＲは炭素数４〜８のアルキル基を表
わす。）よＩ）なる町から選んだ少なくとも一種と、塩
化パラジウム及び塩化白金酸よりなるＪ１１′から選ん
だ少々くとも一種とを混合してなるものである。
ＯＲ，）２で表わされるアルコキシド化合物及び一般式
Ｓ ｎ （ＯＯＣＲ）２で表わされるアシルオキシ化合
物（ただし、前記のＲは炭素数４〜８のアルキル基を表
わす。）よＩ）なる町から選んだ少なくとも一種と、塩
化パラジウム及び塩化白金酸よりなるＪ１１′から選ん
だ少々くとも一種とを混合してなるものである。
本発明で使用する塩化パラジウムあるいは塩化白金酸が
、有機第一錫系化合物による導電性膜の形成にあたり、
膜の着色や白濁などの欠陥を除去する極めて顕著な効果
を示す。この結果として、室温で基材表面に薬液を塗布
し、乾燥後加熱分解するコールド塗布焼成法や、あらが
じめ４５０″Ｃ以上に加熱した基材表面に薬液を噴霧し
接触熱分解させるホット基材への噴霧法によって形成さ
れる透明導電性膜の膜厚みが増大でき、これに」＝つて
膜の導電性を犬きく向上することができる。
、有機第一錫系化合物による導電性膜の形成にあたり、
膜の着色や白濁などの欠陥を除去する極めて顕著な効果
を示す。この結果として、室温で基材表面に薬液を塗布
し、乾燥後加熱分解するコールド塗布焼成法や、あらが
じめ４５０″Ｃ以上に加熱した基材表面に薬液を噴霧し
接触熱分解させるホット基材への噴霧法によって形成さ
れる透明導電性膜の膜厚みが増大でき、これに」＝つて
膜の導電性を犬きく向上することができる。
塩化パラジウムまたは塩化白金酸の作用は、有機第一錫
系化合物に混在させ、アルコールを生成分とした溶剤に
よシ適度に稀釈した状態の溶液となし、これをコールド
塗布焼成法やホット基材への噴霧法によって４６０℃以
上で熱分解した場合、示 塩化パラジウムまたは塩化白金酸が有機第一錫化△ 金物成分と分離あるいは蒸発飛散や偏析するようなこと
がなく、形成された酸化錫膜中に均一に分布存在して、
有機第一錫化合物が熱分解して酸化錫膜成分と有機飛散
成分になる熱分５ＱＦ＋反応を、酸化促進触媒的効果を
発揮することにより、短時間に完全分解に導くものと考
えられる。ざらに、塩化パラジウムまだは塩化白金酸の
他の効果ｉｄ、イ：Ｉられる透明導電性膜の抵抗値が、
これらを使用しないで得た膜に比較して低下でき゛るも
のとなる３、したがって、本発明の透明導電性膜形成用
組成物による導電性膜は、薬剤として熱分解時の飛散成
分が多い有機鎖 錫系化合物を使用するものであるが、
塩化パラジウムまたは塩化白金酸の使用により、薬剤と
して塩化第一錫を使用する場合と遜色のない透明性、膜
厚、導電性を確保でき、導電性のＭ＋、１整は薬液の濃
度により容易に所望の膜が形成できる。
系化合物に混在させ、アルコールを生成分とした溶剤に
よシ適度に稀釈した状態の溶液となし、これをコールド
塗布焼成法やホット基材への噴霧法によって４６０℃以
上で熱分解した場合、示 塩化パラジウムまたは塩化白金酸が有機第一錫化△ 金物成分と分離あるいは蒸発飛散や偏析するようなこと
がなく、形成された酸化錫膜中に均一に分布存在して、
有機第一錫化合物が熱分解して酸化錫膜成分と有機飛散
成分になる熱分５ＱＦ＋反応を、酸化促進触媒的効果を
発揮することにより、短時間に完全分解に導くものと考
えられる。ざらに、塩化パラジウムまだは塩化白金酸の
他の効果ｉｄ、イ：Ｉられる透明導電性膜の抵抗値が、
これらを使用しないで得た膜に比較して低下でき゛るも
のとなる３、したがって、本発明の透明導電性膜形成用
組成物による導電性膜は、薬剤として熱分解時の飛散成
分が多い有機鎖 錫系化合物を使用するものであるが、
塩化パラジウムまたは塩化白金酸の使用により、薬剤と
して塩化第一錫を使用する場合と遜色のない透明性、膜
厚、導電性を確保でき、導電性のＭ＋、１整は薬液の濃
度により容易に所望の膜が形成できる。
透明導電性膜形成用薬剤として、前記のように−Ｎの膜
形成処理により着色がなく、透明であり、良好な導電性
をもたらすためには一般式Ｓｎ （ＯＲ）２まだは５ｎ
（００（Ｒ）２であられされる有機第一錫系化合物にお
いて、Ｒで示されるアルギル基の炭素数が多くなれば、
膜形成片の熱分解飛散量が多くなると共に、分解しにく
くなるために、形成される膜中に未分解物を包含するよ
うになり着色し、不透明化する。
形成処理により着色がなく、透明であり、良好な導電性
をもたらすためには一般式Ｓｎ （ＯＲ）２まだは５ｎ
（００（Ｒ）２であられされる有機第一錫系化合物にお
いて、Ｒで示されるアルギル基の炭素数が多くなれば、
膜形成片の熱分解飛散量が多くなると共に、分解しにく
くなるために、形成される膜中に未分解物を包含するよ
うになり着色し、不透明化する。
縦軸に０．４μ〜２．６μの可視光線平均透過率（％）
斧 横軸に有機第−硯ヒ合物のアルキル基の炭素数をあられ
した添付の図に赴いて、板厚３肩肩のソーダ硝子をｓ
ｏ ｏ ’ｃに加熱してその片面に薬液をＩ１１！霧し
、膜厚１５００Ａ’±１００となるように導電性膜を形
成した場合、有機第一錫系化合物の一般式５ｎ（ＯＲ）
２または５ｎ（００（Ｒ）２のみの場合の曲線３に示す
透過率に比較して、本発明の塩化ノくラジウムを添加し
た一般式Ｒ（ＯＲ）２を用いた場合の曲線１、塩化パラ
ジウムを添加したＦｔ（ＯＯＣＲ）２を用いた場合の曲
線２は、大幅に可視光線透過率が向上する。しかし、実
用上Ｗ「容できる可視光線透過率は少なくとも５０％以
上必要であると考えられることから、これを満足する有
機第一錫系化合物のアルキル基の炭素数は、８以下刃Ｊ
満足できるものとなる。ただし、３以下のものは可溶性
の溶剤がほとんどなく、本発明の目的に合致しない。
斧 横軸に有機第−硯ヒ合物のアルキル基の炭素数をあられ
した添付の図に赴いて、板厚３肩肩のソーダ硝子をｓ
ｏ ｏ ’ｃに加熱してその片面に薬液をＩ１１！霧し
、膜厚１５００Ａ’±１００となるように導電性膜を形
成した場合、有機第一錫系化合物の一般式５ｎ（ＯＲ）
２または５ｎ（００（Ｒ）２のみの場合の曲線３に示す
透過率に比較して、本発明の塩化ノくラジウムを添加し
た一般式Ｒ（ＯＲ）２を用いた場合の曲線１、塩化パラ
ジウムを添加したＦｔ（ＯＯＣＲ）２を用いた場合の曲
線２は、大幅に可視光線透過率が向上する。しかし、実
用上Ｗ「容できる可視光線透過率は少なくとも５０％以
上必要であると考えられることから、これを満足する有
機第一錫系化合物のアルキル基の炭素数は、８以下刃Ｊ
満足できるものとなる。ただし、３以下のものは可溶性
の溶剤がほとんどなく、本発明の目的に合致しない。
塩化パラジウムは、−画、二価、三価のものが知られて
いるが、この中で最も安定である２価、Ｃラジウム（ｐ
ｄｃｌ□）を使用する。塩化白金酸は、塩化第一白金酸
（Ｈ２（ＰｔＣβ４〕）あるいは環化第二白金酸（Ｈ２
〔ＰｔＣβ４〕））のいずれでも本発明の１−１的に合
致するものであり、結晶水を有していても特に支障はな
い。本発明で使用する有機第一錫系化合物に対する塩化
パラジウムまたは塩化白金酸の使用すべき量の範囲は、
特に限定するものではないが、有機第一錫系化合物の熱
分解に寄与するに必要にして最適量を、得られる透明導
電性膜の価格面を考慮して決めれば良い。
いるが、この中で最も安定である２価、Ｃラジウム（ｐ
ｄｃｌ□）を使用する。塩化白金酸は、塩化第一白金酸
（Ｈ２（ＰｔＣβ４〕）あるいは環化第二白金酸（Ｈ２
〔ＰｔＣβ４〕））のいずれでも本発明の１−１的に合
致するものであり、結晶水を有していても特に支障はな
い。本発明で使用する有機第一錫系化合物に対する塩化
パラジウムまたは塩化白金酸の使用すべき量の範囲は、
特に限定するものではないが、有機第一錫系化合物の熱
分解に寄与するに必要にして最適量を、得られる透明導
電性膜の価格面を考慮して決めれば良い。
透明導電性膜を形成するにあたって、導電性、ずなわぢ
膜の抵抗値を所望の値に調整する方法は、有機第一錫系
化合物と塩化パラジウムまたは塩化白金酸のいずれかの
組み合わせによる薬剤混合体を、適度の製度に柿釈し薬
液とするに好ましい溶剤として、アルコール系化合物が
有効である。アルコールの種類は特に限定するものでは
なく、−価アルコール、二価アルコール、 多価ｙルコ
−／ｌ／、きらには第一アルコールのみならず第二、第
三アルコールも有効で適宜選定する。さらには混合した
状態で使用し７ても本発明の目的に支障を与えるもので
はない。
膜の抵抗値を所望の値に調整する方法は、有機第一錫系
化合物と塩化パラジウムまたは塩化白金酸のいずれかの
組み合わせによる薬剤混合体を、適度の製度に柿釈し薬
液とするに好ましい溶剤として、アルコール系化合物が
有効である。アルコールの種類は特に限定するものでは
なく、−価アルコール、二価アルコール、 多価ｙルコ
−／ｌ／、きらには第一アルコールのみならず第二、第
三アルコールも有効で適宜選定する。さらには混合した
状態で使用し７ても本発明の目的に支障を与えるもので
はない。
透明の導電性膜を形成する方法としては、本発明の組成
物は、コールド塗布焼成法あるいはホット基バへの噴霧
法の適用が最適であり、塗布形式は従来知られているス
ピナ法、浸漬法、刷氾塗りなど任意のものを採用するこ
とができ、噴霧法はスプレー法が好オしい。
物は、コールド塗布焼成法あるいはホット基バへの噴霧
法の適用が最適であり、塗布形式は従来知られているス
ピナ法、浸漬法、刷氾塗りなど任意のものを採用するこ
とができ、噴霧法はスプレー法が好オしい。
基材としては、膜の透明性を生かすｒ］的からすれば、
透明硝子が多用されるが、抵抗体性を［１的とするなら
ばセラミック、磁器、ホーローなど無機質のものであれ
ば膜の形成はｉｊｊ能である。
透明硝子が多用されるが、抵抗体性を［１的とするなら
ばセラミック、磁器、ホーローなど無機質のものであれ
ば膜の形成はｉｊｊ能である。
実施例の説明
実施例１
ｂｎ （Ｏｈ ）２ ９９．５重耽部
塩化パラジウム（ｐａｃβ２） ０．６ ｉ）、置部ヘ
キシルアルコール ６０垂Ｊ、：：部ブチルアルコール
５０ ’１７． 、”ａ一部上記の材料を均一に混合
して透明導電性膜形成用組成物を作成した。ただし、有
機第一錫系化合物５ｎ（ＯＲ）２として、ジｎ−ブトキ
シ錫（Ｓｎ（ＯＣ４Ｈ８）ｚ） 、ジｎ−ヘキシルオキ
シ３易〔５ｎ（０（１６Ｈ＋：＋）３１ 、モロ−オク
タオキシ錫（Ｓ ｎ （ＯＣｌ１Ｈ１７）２）ジｎ−／
：ｆｉｖオキシ錫（Ｓｎ（ＯＣ９Ｈ＋９）２）の各４を
用いた。
キシルアルコール ６０垂Ｊ、：：部ブチルアルコール
５０ ’１７． 、”ａ一部上記の材料を均一に混合
して透明導電性膜形成用組成物を作成した。ただし、有
機第一錫系化合物５ｎ（ＯＲ）２として、ジｎ−ブトキ
シ錫（Ｓｎ（ＯＣ４Ｈ８）ｚ） 、ジｎ−ヘキシルオキ
シ３易〔５ｎ（０（１６Ｈ＋：＋）３１ 、モロ−オク
タオキシ錫（Ｓ ｎ （ＯＣｌ１Ｈ１７）２）ジｎ−／
：ｆｉｖオキシ錫（Ｓｎ（ＯＣ９Ｈ＋９）２）の各４を
用いた。
基材として板厚：ｌｌ＋＋ｘ、大きさ１０１００Ｘ１０
０の硝子板を使用し、あらかじめ５５０ ’（：に加熱
されたものの表面に空気圧２ ｋｔ）／ｃｙｊで薬液を
噴霧し、熱分’Ａ＝ｒ ｉせて得た各膜形成用組成物に
対応する試片の性能は表７ｆｉ、 １〜４に示す結果を
得た。なお膜厚は、ＲＡＮＫ ＰＲＥＣＩＳＩＯＮ Ｉ
Ｎ’ＤＵＳＴＲＩＥＳＬＴＤ製ＴＡＬＹＳ’ｒＲＰ−１
により硝子板上に形成した透明導電性膜の一部を、亜鉛
粉末と塩酸とで、発生期の水素ガスにより還元剥離させ
、その段差部分を測定しめた。可視光線透過率（％）は
、（掬島津製作所製分光々度計ＵＶ’−１２０装置によ
り波長域０．４〜２．６μの平均透過率としてめた。ま
た導電性は面抵抗としてめた。
０の硝子板を使用し、あらかじめ５５０ ’（：に加熱
されたものの表面に空気圧２ ｋｔ）／ｃｙｊで薬液を
噴霧し、熱分’Ａ＝ｒ ｉせて得た各膜形成用組成物に
対応する試片の性能は表７ｆｉ、 １〜４に示す結果を
得た。なお膜厚は、ＲＡＮＫ ＰＲＥＣＩＳＩＯＮ Ｉ
Ｎ’ＤＵＳＴＲＩＥＳＬＴＤ製ＴＡＬＹＳ’ｒＲＰ−１
により硝子板上に形成した透明導電性膜の一部を、亜鉛
粉末と塩酸とで、発生期の水素ガスにより還元剥離させ
、その段差部分を測定しめた。可視光線透過率（％）は
、（掬島津製作所製分光々度計ＵＶ’−１２０装置によ
り波長域０．４〜２．６μの平均透過率としてめた。ま
た導電性は面抵抗としてめた。
この結果から、イｊ機第−錫系化合物５ｎ（ＯＲ）２の
Ｈの炭素数は４〜８が本発明の１］的を満足するもので
ある。
Ｈの炭素数は４〜８が本発明の１］的を満足するもので
ある。
比較試料として、ジブトキシ錫のみをヘキシルアルコー
ルとブチルアルコールとの１：１の混合物により濃度５
Ｑ％とした薬液を前記と同様に処理して導電性膜を形成
した結果は同表ｊ６１２に示す。本発明の組成物による
導電性膜は、可視光線透過率５着色性がなく、抵抗値が
低い結果である。
ルとブチルアルコールとの１：１の混合物により濃度５
Ｑ％とした薬液を前記と同様に処理して導電性膜を形成
した結果は同表ｊ６１２に示す。本発明の組成物による
導電性膜は、可視光線透過率５着色性がなく、抵抗値が
低い結果である。
実施例２
実施例１に示す透明導電性膜形成用組成物において、塩
化パラジウムを塩化第二白金酸に置換したのみで他は同
一とした組成物により、ホット基朽への［す５″霧法に
よシ表中、筋５〜８の結果をイ；）た。
化パラジウムを塩化第二白金酸に置換したのみで他は同
一とした組成物により、ホット基朽への［す５″霧法に
よシ表中、筋５〜８の結果をイ；）た。
この結果は実施例１による結果（〃６１〜４）とほぼ同
等である。
等である。
実施例３
Ｓｎ（ＯＯＣＲ）、、 ９９・５ 重量部１３塩化パラ
ジウェ ０．６ 重量部 ヘキシルアルコール ５０ Ｍ、Ｑ９．ｌ（ブチルアル
コール ６０ 重ｊ’１３：、ｆτ（Ｓ上記の材料を均
一に混合して透明導電＋４″膜形成用組成物を作成した
。ただし、有機第一錫系化合物５ｎ（ＯＯＧＲ）２とし
て、ジｎ−吉草酸錫（Ｓｎ（ＯＯＣＣ４Ｈ７）２） 、
錫ジｎ−エナントレート〔Ｓｎ（００（Ｃ６Ｈ＋３）２
〕、ジベラルゴン酸錫〔Ｓｎ（００Ｃ０８）Ｑ１７）２
”Ｊの各々を用いた。この膜形成用組成物を用いて実
施例１と同様にして試片を作成し、表中、１６９〜１１
の結果を得た。この結果がら、５ｎ（ＯＯＣＲ）２のＲ
の炭素数は８までが本発明の目的を満足する。ただし、
Ｒが３以下は溶剤に溶解しにくいので本発明の目的には
適しない。
ジウェ ０．６ 重量部 ヘキシルアルコール ５０ Ｍ、Ｑ９．ｌ（ブチルアル
コール ６０ 重ｊ’１３：、ｆτ（Ｓ上記の材料を均
一に混合して透明導電＋４″膜形成用組成物を作成した
。ただし、有機第一錫系化合物５ｎ（ＯＯＧＲ）２とし
て、ジｎ−吉草酸錫（Ｓｎ（ＯＯＣＣ４Ｈ７）２） 、
錫ジｎ−エナントレート〔Ｓｎ（００（Ｃ６Ｈ＋３）２
〕、ジベラルゴン酸錫〔Ｓｎ（００Ｃ０８）Ｑ１７）２
”Ｊの各々を用いた。この膜形成用組成物を用いて実
施例１と同様にして試片を作成し、表中、１６９〜１１
の結果を得た。この結果がら、５ｎ（ＯＯＣＲ）２のＲ
の炭素数は８までが本発明の目的を満足する。ただし、
Ｒが３以下は溶剤に溶解しにくいので本発明の目的には
適しない。
比較試料として、ジ吉草酸錫のみをヘキシルアルコール
とブチルアルコールとの１＝１の混合物によりｇ度５０
％とした薬液を前記と同様に処理して導′ＪＬ性膜を形
成した結果を同表ｊ６１３に示す。
とブチルアルコールとの１＝１の混合物によりｇ度５０
％とした薬液を前記と同様に処理して導′ＪＬ性膜を形
成した結果を同表ｊ６１３に示す。
本発明の組成物による導電性ｊ１々は、可視光線透過率
１着色性がなく、抵抗値が低い結果である。
１着色性がなく、抵抗値が低い結果である。
実施例４
ジｎ−ブトギ’／’Ｊ！Ａ Ｉ：’５ｎ（ＯＣ４Ｈ９）
２ ）９．６重量部 Ｊフ１化パラジウム（ｐｄｃｌ□） ０．０５重重量部
ヘキシルアルコール ５０ ｉｉ 部ブチルアルコール
６０ｆｆｉ量部 上記の材料を均一に混合して透明導電性膜形成用組成物
を作成した。この膜形成用組成物を用いて導電性膜形成
後の膜厚を８０ＯＡ’、１５００Ａ０゜２５０ＯＡ’、
４０００Ａ’ 、５２００請０の５段階になるよう実施
例１と同様の操作により試片を作成し、表刑１４〜１８
の結果を得だ。この結果から膜厚みが４０００Ａ０まで
は着色性か斤く、かつ実用に供せられるに十分な可視光
線透過率を示しだ。また抵抗値の調整は形成する導電性
膜の膜厚の変化により可能である。
２ ）９．６重量部 Ｊフ１化パラジウム（ｐｄｃｌ□） ０．０５重重量部
ヘキシルアルコール ５０ ｉｉ 部ブチルアルコール
６０ｆｆｉ量部 上記の材料を均一に混合して透明導電性膜形成用組成物
を作成した。この膜形成用組成物を用いて導電性膜形成
後の膜厚を８０ＯＡ’、１５００Ａ０゜２５０ＯＡ’、
４０００Ａ’ 、５２００請０の５段階になるよう実施
例１と同様の操作により試片を作成し、表刑１４〜１８
の結果を得だ。この結果から膜厚みが４０００Ａ０まで
は着色性か斤く、かつ実用に供せられるに十分な可視光
線透過率を示しだ。また抵抗値の調整は形成する導電性
膜の膜厚の変化により可能である。
実施例５
ジｎ 〜ブトキシ錫〔Ｓｎ（０Ｃ４Ｈ９）２ ’） Ａ
重量部塩化白金酸〔Ｈ２（ＰｔＣβ６）〕Ｂ重敗部ブチ
ルアルコール ５０．０１触部 上記の利イ１を均一に混合して透明導電＋ｊ＋ １１４
：ｊ形成用組成物を作成した。ただし、Ａ：Ｂ ＝９９，１：０．１．９９．７：０．３，９９．６：０
．５ 。
重量部塩化白金酸〔Ｈ２（ＰｔＣβ６）〕Ｂ重敗部ブチ
ルアルコール ５０．０１触部 上記の利イ１を均一に混合して透明導電＋ｊ＋ １１４
：ｊ形成用組成物を作成した。ただし、Ａ：Ｂ ＝９９，１：０．１．９９．７：０．３，９９．６：０
．５ 。
９９．０：１．０．９７．０：３．○と変化し６１Φ力
′１を負放した。基材として板厚３ｍｍ、太き−Ｊ１０
０Ｘ１００＊Ｉの硝子板を使用し、これら５種類の薬液
中に浸漬し引き」二げて１００℃で３０分間乾燥後、片
面のみをアセトンを付けた布で拭きとり６６０℃で２０
分間焼成して５種類の透明導電性膜を形成した。この試
片ｄ２、実施例１に示したと同様の方法によシ表に示し
たｊ６１９〜２３の結果を得た。
′１を負放した。基材として板厚３ｍｍ、太き−Ｊ１０
０Ｘ１００＊Ｉの硝子板を使用し、これら５種類の薬液
中に浸漬し引き」二げて１００℃で３０分間乾燥後、片
面のみをアセトンを付けた布で拭きとり６６０℃で２０
分間焼成して５種類の透明導電性膜を形成した。この試
片ｄ２、実施例１に示したと同様の方法によシ表に示し
たｊ６１９〜２３の結果を得た。
（以下余白）
ム。
コ）
発明の効果
本発明の透明導電性膜形成用組成物は、従来の塩化第一
錫を薬剤として使用する組成物に比較して導電性膜形成
時の多量の塩酸ガスの発生がなく、設備の腐食性はほと
んどなく、排気の公害処理も」［１２度である。また、
本発明の組成物として有機第一錫系化合物を使用するに
もかかわらず、熱分）押促進的効果を示す塩化パラジウ
ム１だは塩化白金酸を併用する薬液組成とすることによ
り、導電（？１膜中に残留する有機性分を完全に分解に
導くことによりρ１視光線透過性９着色１１を軽減でき
ることから、−回の膜形成処理で比較的膜厚を厚く形成
することがｉｊＪ能となり、低抵抗値を・示す透明導電
性膜が提供できるものとなり、膜の抵抗値調整にｊ：形
成する導電性膜の膜厚管理で用北である。丑だ、導電性
膜の形成方法としては、従来より太耽生産が可能であり
比較的容易であることから賞月されて来ているホット基
材への噴霧法寸プｃ―：コールト塗布焼成法の双方に適
用できる組成物であることも実用上火きな利点である。
錫を薬剤として使用する組成物に比較して導電性膜形成
時の多量の塩酸ガスの発生がなく、設備の腐食性はほと
んどなく、排気の公害処理も」［１２度である。また、
本発明の組成物として有機第一錫系化合物を使用するに
もかかわらず、熱分）押促進的効果を示す塩化パラジウ
ム１だは塩化白金酸を併用する薬液組成とすることによ
り、導電（？１膜中に残留する有機性分を完全に分解に
導くことによりρ１視光線透過性９着色１１を軽減でき
ることから、−回の膜形成処理で比較的膜厚を厚く形成
することがｉｊＪ能となり、低抵抗値を・示す透明導電
性膜が提供できるものとなり、膜の抵抗値調整にｊ：形
成する導電性膜の膜厚管理で用北である。丑だ、導電性
膜の形成方法としては、従来より太耽生産が可能であり
比較的容易であることから賞月されて来ているホット基
材への噴霧法寸プｃ―：コールト塗布焼成法の双方に適
用できる組成物であることも実用上火きな利点である。
実施例においては、透明度１着色性の評価のため判定の
しやすさから基材として硝子板を選定しているが、特に
これに限定されるものではなく、セラミック、ホーロー
など無機質のものであり、４６０ ’Ｃ以上の膜形成処
理のだめの加熱に耐えるものであれば使用できるもので
あることは勿論である。
しやすさから基材として硝子板を選定しているが、特に
これに限定されるものではなく、セラミック、ホーロー
など無機質のものであり、４６０ ’Ｃ以上の膜形成処
理のだめの加熱に耐えるものであれば使用できるもので
あることは勿論である。
系
図は本発明で使用する有機第一錫化合物のアル△
キル基の炭素数とこれを薬剤としたときの透明導電性膜
の可視光線透過率の関停を示しだ特性図である。 代理士の氏名 弁理士 中 尾 敏 ｙ３ ほか１名ア
ルＮル基の友系款
の可視光線透過率の関停を示しだ特性図である。 代理士の氏名 弁理士 中 尾 敏 ｙ３ ほか１名ア
ルＮル基の友系款
Claims (1)
- 一般式５ｎ（ＯＲ）２で表わされるアルコキシド化合物
及び一般式５ｎ（００（ＩＲ）ｚで表わされるアシルオ
キシ化合物（ただし、前記のＲは炭素数４〜８のアルキ
ル基を表わす。）より彦る群から選んだ少なくとも一種
と、−塩化パラジウム及び塩化白金酸よりなる群から選
んだ少なくとも一種との混合物よりなることを偶゛徴と
する透明導電性膜形成用組成物。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP18909983A JPS6081704A (ja) | 1983-10-07 | 1983-10-07 | 透明導電性膜形成用組成物 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP18909983A JPS6081704A (ja) | 1983-10-07 | 1983-10-07 | 透明導電性膜形成用組成物 |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPS6081704A true JPS6081704A (ja) | 1985-05-09 |
| JPH0419651B2 JPH0419651B2 (ja) | 1992-03-31 |
Family
ID=16235330
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP18909983A Granted JPS6081704A (ja) | 1983-10-07 | 1983-10-07 | 透明導電性膜形成用組成物 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPS6081704A (ja) |
Cited By (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US7119218B2 (en) | 2003-03-31 | 2006-10-10 | Nof Corporation | Low melting point tin salt of carboxylic acid and method for producing the same |
| CN102596973A (zh) * | 2009-09-02 | 2012-07-18 | Lg化学株式会社 | 有机锡化合物、其制备方法及使用该有机锡化合物制备聚交酯的方法 |
-
1983
- 1983-10-07 JP JP18909983A patent/JPS6081704A/ja active Granted
Cited By (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US7119218B2 (en) | 2003-03-31 | 2006-10-10 | Nof Corporation | Low melting point tin salt of carboxylic acid and method for producing the same |
| CN102596973A (zh) * | 2009-09-02 | 2012-07-18 | Lg化学株式会社 | 有机锡化合物、其制备方法及使用该有机锡化合物制备聚交酯的方法 |
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| JPH0419651B2 (ja) | 1992-03-31 |
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