JPS6079711A - 半導体装置の製造方法 - Google Patents
半導体装置の製造方法Info
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- JPS6079711A JPS6079711A JP18755483A JP18755483A JPS6079711A JP S6079711 A JPS6079711 A JP S6079711A JP 18755483 A JP18755483 A JP 18755483A JP 18755483 A JP18755483 A JP 18755483A JP S6079711 A JPS6079711 A JP S6079711A
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- JP
- Japan
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- epitaxial layer
- layer
- annealing
- substrate
- insulating film
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- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L21/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
- H01L21/02—Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof
- H01L21/02104—Forming layers
- H01L21/02365—Forming inorganic semiconducting materials on a substrate
- H01L21/02612—Formation types
- H01L21/02617—Deposition types
- H01L21/02636—Selective deposition, e.g. simultaneous growth of mono- and non-monocrystalline semiconductor materials
- H01L21/02639—Preparation of substrate for selective deposition
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- H—ELECTRICITY
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Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
(発明の技術分野〕
この発明は半導体装置の製造方法に関し、特に選択的に
形成されるエピタキシャル成長層の形成方法に関する本
のであ石、 〔従来技術〕 一般に1選択エピタキシャル法は素子間の分離領域をサ
プミクpンにできるため、LSIなどの高集積化、高密
度化を図る上で有望であるが1選択的に形成されたエピ
タキシャル層はパターン依存性が強く、パターンエツジ
で突起が発生し易い。
形成されるエピタキシャル成長層の形成方法に関する本
のであ石、 〔従来技術〕 一般に1選択エピタキシャル法は素子間の分離領域をサ
プミクpンにできるため、LSIなどの高集積化、高密
度化を図る上で有望であるが1選択的に形成されたエピ
タキシャル層はパターン依存性が強く、パターンエツジ
で突起が発生し易い。
すなわち、第1図(a)および第1図(b)は従来の半
導体装置の製造方法を示す概略断面図であル、−例とし
て選択的に形成されるエピタキシャル成長層の形成工程
を示す。同図において、1は例えばsi基板、2はこの
81基板1上にバターニングによ多形成した絶縁膜、3
は露出され【いる81基板1上に形成したエピタキシャ
ル層である。
導体装置の製造方法を示す概略断面図であル、−例とし
て選択的に形成されるエピタキシャル成長層の形成工程
を示す。同図において、1は例えばsi基板、2はこの
81基板1上にバターニングによ多形成した絶縁膜、3
は露出され【いる81基板1上に形成したエピタキシャ
ル層である。
次に、上記借成による半導体装置の製造工程について説
明する。まず、81基板1上に絶縁膜を形成したのち、
バターニングして、第1図(a)に示すように絶縁膜2
を形成する。次に1例えば950υ程度の条件下で選択
エピタキシャル成長を行なうと、第1図(b)に示すよ
うに、露出されているSi基板1上にのみ、エピタキシ
ャル層3を形成するζとができる。
明する。まず、81基板1上に絶縁膜を形成したのち、
バターニングして、第1図(a)に示すように絶縁膜2
を形成する。次に1例えば950υ程度の条件下で選択
エピタキシャル成長を行なうと、第1図(b)に示すよ
うに、露出されているSi基板1上にのみ、エピタキシ
ャル層3を形成するζとができる。
しかしガから、従来の半導体装置の製造方法は形成され
たエピタキシャル層が形状効果などにより、第1図(b
)に示すように、膜厚が不均一になり。
たエピタキシャル層が形状効果などにより、第1図(b
)に示すように、膜厚が不均一になり。
絶縁膜との界面付近における結晶性が悪く、あるいはエ
ピタキシャル層表面における平坦性が悪くなる。特に、
パターン依存性が強く、例えば第1図(b)に示すよう
に、右方向の7(ターンエツジに突起が生じやすい。し
かも、エピタキシャル層表面の平坦性が悪いと、例えば
デノくイスの形成された活性領域から取シ出す配線がス
テップカッ(レッジが悪く、断線し易くなる。また、特
性の不整によJ)、LSIとなし得ないなどの欠点があ
った。
ピタキシャル層表面における平坦性が悪くなる。特に、
パターン依存性が強く、例えば第1図(b)に示すよう
に、右方向の7(ターンエツジに突起が生じやすい。し
かも、エピタキシャル層表面の平坦性が悪いと、例えば
デノくイスの形成された活性領域から取シ出す配線がス
テップカッ(レッジが悪く、断線し易くなる。また、特
性の不整によJ)、LSIとなし得ないなどの欠点があ
った。
したがって、仁の発明の目的は形成されるエピタキシャ
ル層が平坦で、膜厚も均一になシ、しかも結晶性も良好
忙なる半導体装置の製造方法を提供するものである。
ル層が平坦で、膜厚も均一になシ、しかも結晶性も良好
忙なる半導体装置の製造方法を提供するものである。
このような目的を達成するため、この発明は基板上に絶
縁膜を形成したのち、ノくターニングし。
縁膜を形成したのち、ノくターニングし。
開口部を形成する工程と、全面にエピタキシャル層を形
成する工程と、この絶縁膜上帆形成されたポリシリコン
層の一部また轢全面を除去する工程と、残存したエピタ
キシャル層またはポリシリコンと連続するエピタキシャ
ル層をレーザアニール。
成する工程と、この絶縁膜上帆形成されたポリシリコン
層の一部また轢全面を除去する工程と、残存したエピタ
キシャル層またはポリシリコンと連続するエピタキシャ
ル層をレーザアニール。
EBアニール、ランプフラッシュアニールなトラ用いて
溶融し、凸状または平坦な断面形状を有する単結晶また
は多結晶シリコンを形成する工程とを備えるものであシ
、以下実施例を用い【詳細に説明する。
溶融し、凸状または平坦な断面形状を有する単結晶また
は多結晶シリコンを形成する工程とを備えるものであシ
、以下実施例を用い【詳細に説明する。
第2図(!L)〜第2図(d)はこの発明に係る半導体
装置の製造方法の一実施例を工程順に示す概略断面図で
ある。同図において、4はエピタキシャル成長により形
成されたポリシリコン層である。
装置の製造方法の一実施例を工程順に示す概略断面図で
ある。同図において、4はエピタキシャル成長により形
成されたポリシリコン層である。
次に、上記構成による半導体装置の製造工程について説
明する。まず、第2図(&)に示すようK。
明する。まず、第2図(&)に示すようK。
8i基板1上に絶縁膜を形成したのち、パターニングし
1選択的に絶縁膜2を形成する。次に、第2図(b)に
示すように1選択的で社なく1通常のエピタキシャル成
長方法を用いて全面にエピタキシャル層を形成する。こ
のとき、直接81基板1が露出している所ではエピタキ
シャル層3が成長し、絶縁膜2上にはポリシリコン層4
が成長する。次に。
1選択的に絶縁膜2を形成する。次に、第2図(b)に
示すように1選択的で社なく1通常のエピタキシャル成
長方法を用いて全面にエピタキシャル層を形成する。こ
のとき、直接81基板1が露出している所ではエピタキ
シャル層3が成長し、絶縁膜2上にはポリシリコン層4
が成長する。次に。
第2図(C)に示すよ゛うに、絶縁膜2上に形成された
ポリシリコン層4のみを選択的にエツチングして除去す
る。次に、第2図(d)に示すように、残存したエピタ
キシャル層3□をレーザアニール、EBアニール、ラン
プフラッシュアニールなどによりてこのエピタキシャル
層3を局所的に溶融することによって平坦化し、所望の
エピタキシャル層3の形成を完了する。この上述した製
造工程によυ、同−開口面積上帆ある61量が均一にな
るため。
ポリシリコン層4のみを選択的にエツチングして除去す
る。次に、第2図(d)に示すように、残存したエピタ
キシャル層3□をレーザアニール、EBアニール、ラン
プフラッシュアニールなどによりてこのエピタキシャル
層3を局所的に溶融することによって平坦化し、所望の
エピタキシャル層3の形成を完了する。この上述した製
造工程によυ、同−開口面積上帆ある61量が均一にな
るため。
溶融温度が一定であれば均一の厚さの再エピタキシャル
層が形成される。したがって、突起が生じないばかシで
なく、膜厚も均一になるので、LSIへの適用を図るこ
とができる。また再結晶化によシ、絶縁膜との境界の結
晶性も改善することができる。
層が形成される。したがって、突起が生じないばかシで
なく、膜厚も均一になるので、LSIへの適用を図るこ
とができる。また再結晶化によシ、絶縁膜との境界の結
晶性も改善することができる。
たお−上述の実施例では卑にエピタキシャル成長形成技
術の応用に関し【説明したが、これに限定されず、他の
成膜方法(CVD法、スパッタ法など)にも同様に実施
できることはもちろんである。
術の応用に関し【説明したが、これに限定されず、他の
成膜方法(CVD法、スパッタ法など)にも同様に実施
できることはもちろんである。
まり、 si基板上のエピタキシャル成長について説明
したが、これに限定せず、他の基板にりいても同様に実
施できることはもちろんである。例えばSt基板へGe
をエピタキシャル成長するペテロ結合や、GaAlAs
、 In8bなどの化合物半導体装置においても同様に
実施することができることはもちろんである。
したが、これに限定せず、他の基板にりいても同様に実
施できることはもちろんである。例えばSt基板へGe
をエピタキシャル成長するペテロ結合や、GaAlAs
、 In8bなどの化合物半導体装置においても同様に
実施することができることはもちろんである。
以上詳細に説明したように、この発明に係る半導体装置
の製造方法によれば通常のエピタキシャル成長方法を用
いるので、平坦で、膜厚も均一になシ、しかも結晶性も
良好なものが得られるなどの効果がある。
の製造方法によれば通常のエピタキシャル成長方法を用
いるので、平坦で、膜厚も均一になシ、しかも結晶性も
良好なものが得られるなどの効果がある。
第1図(&)および第1図(b)は従来の半導体装置の
製造方法を工程順に示す概略断面図、第2図(al〜第
2図(d)はこの発明に係る半導体装置の製造方法の一
実施例を工程順に示す概略断面図である。 1・・・・81基板、2・・・・絶縁膜、3′・・・・
エピタキシャル層 4 e 番・・ポリシリコン層。 なお、図中、同一符号は同一または相当部分を示す。 代理人 大岩増雄 Llj 1 1’イ1 (0) (b)
製造方法を工程順に示す概略断面図、第2図(al〜第
2図(d)はこの発明に係る半導体装置の製造方法の一
実施例を工程順に示す概略断面図である。 1・・・・81基板、2・・・・絶縁膜、3′・・・・
エピタキシャル層 4 e 番・・ポリシリコン層。 なお、図中、同一符号は同一または相当部分を示す。 代理人 大岩増雄 Llj 1 1’イ1 (0) (b)
Claims (1)
- 基板1忙絶縁膜を形成したのち、バターニングし、開口
部を形成する工程と、全面にエピタキシャル層を形成す
る工程と、この絶縁膜上に形成されたポリシリコン層の
一部または全面を除去する工程と、残存したエピタキシ
ャル層またはゼリシリコンと連続するエピタキシャル層
をレーザアニール、EBアニール、ランプフラッシュア
ニールなどを用いて溶融し、凸状または平坦な断面形状
を有する単結晶または多結晶シリコンを形成する工程と
を備えたことを特徴とする半導体装置の製造方法。
Priority Applications (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP18755483A JPS6079711A (ja) | 1983-10-06 | 1983-10-06 | 半導体装置の製造方法 |
Applications Claiming Priority (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP18755483A JPS6079711A (ja) | 1983-10-06 | 1983-10-06 | 半導体装置の製造方法 |
Publications (1)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
JPS6079711A true JPS6079711A (ja) | 1985-05-07 |
Family
ID=16208107
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
JP18755483A Pending JPS6079711A (ja) | 1983-10-06 | 1983-10-06 | 半導体装置の製造方法 |
Country Status (1)
Country | Link |
---|---|
JP (1) | JPS6079711A (ja) |
Cited By (1)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JP2011023610A (ja) * | 2009-07-16 | 2011-02-03 | Toshiba Corp | 半導体装置の製造方法 |
-
1983
- 1983-10-06 JP JP18755483A patent/JPS6079711A/ja active Pending
Cited By (1)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JP2011023610A (ja) * | 2009-07-16 | 2011-02-03 | Toshiba Corp | 半導体装置の製造方法 |
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