JPS607936A - 光化学的表面処理装置 - Google Patents
光化学的表面処理装置Info
- Publication number
- JPS607936A JPS607936A JP11410083A JP11410083A JPS607936A JP S607936 A JPS607936 A JP S607936A JP 11410083 A JP11410083 A JP 11410083A JP 11410083 A JP11410083 A JP 11410083A JP S607936 A JPS607936 A JP S607936A
- Authority
- JP
- Japan
- Prior art keywords
- gas
- radiation
- reaction chamber
- source
- wavelength
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Granted
Links
Classifications
-
- B—PERFORMING OPERATIONS; TRANSPORTING
- B29—WORKING OF PLASTICS; WORKING OF SUBSTANCES IN A PLASTIC STATE IN GENERAL
- B29C—SHAPING OR JOINING OF PLASTICS; SHAPING OF MATERIAL IN A PLASTIC STATE, NOT OTHERWISE PROVIDED FOR; AFTER-TREATMENT OF THE SHAPED PRODUCTS, e.g. REPAIRING
- B29C59/00—Surface shaping of articles, e.g. embossing; Apparatus therefor
- B29C59/14—Surface shaping of articles, e.g. embossing; Apparatus therefor by plasma treatment
Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
本発明は所定の気体を光化学反応により活性化し薄膜の
作成２食刻、清浄化あるいは表面の改質などの固体表面
処理をするだめの光化学的表面処理装置の改良に関する
ものである。
作成２食刻、清浄化あるいは表面の改質などの固体表面
処理をするだめの光化学的表面処理装置の改良に関する
ものである。
気体を光化学的反応により活性化し固体に前記したよう
な種々の表面処理をする方法は処理過程が低汎１．で可
能であること、荷電粒子の衝撃による損傷がないこと、
光化学的選択性により従来に無い処理が可能となること
２反応過程の選択および制御が容易であることなどから
近年急速な進展をみぜている。そして利用される光源と
して２００〜４ＱＱｎｍの近紫外光のみならず５０〜２
００ｎｍの遠紫外光も重要視されてきている。そして、
従来は第１図に示すような装置が使用されている。
な種々の表面処理をする方法は処理過程が低汎１．で可
能であること、荷電粒子の衝撃による損傷がないこと、
光化学的選択性により従来に無い処理が可能となること
２反応過程の選択および制御が容易であることなどから
近年急速な進展をみぜている。そして利用される光源と
して２００〜４ＱＱｎｍの近紫外光のみならず５０〜２
００ｎｍの遠紫外光も重要視されてきている。そして、
従来は第１図に示すような装置が使用されている。
第１図にて、２は光源、１２１ま光源支持台、３は光学
窓、６は反応気体導入系、７は反応室排気系、８は支持
台、９はその上に置かれた被処理物、１０は反応室であ
る。
窓、６は反応気体導入系、７は反応室排気系、８は支持
台、９はその上に置かれた被処理物、１０は反応室であ
る。
しかしながら、光源と反応室の光学窓との間に空気２０
が存在するこの第１図の従来め装置では光源より発せら
れた遠紫外光を利用する事ができない。これは空気２０
中の気体の中で特に酸素のシューマンールンゲ吸収帯は
１９５ｎｍ伺近から始まり１７５ｎｒｎより短波長側で
は強い連続吸収帯となっていて、しかも、この吸収帯に
イ↑ｌ当する波長領域は前記反応イ、内にて所望の光化
学的反応を生せしめる場合において極めて、ｉｆｊ ９
な領域であるためである。空気２０の存在は光源の利用
効率を著しく低下ぜしめ大きな障害となる。また従来の
装置では空気２０中の酸素が紫外線を吸収してオゾンを
発生ずるなどがあり異臭の発生２人体への悲影響が生じ
ている。
が存在するこの第１図の従来め装置では光源より発せら
れた遠紫外光を利用する事ができない。これは空気２０
中の気体の中で特に酸素のシューマンールンゲ吸収帯は
１９５ｎｍ伺近から始まり１７５ｎｒｎより短波長側で
は強い連続吸収帯となっていて、しかも、この吸収帯に
イ↑ｌ当する波長領域は前記反応イ、内にて所望の光化
学的反応を生せしめる場合において極めて、ｉｆｊ ９
な領域であるためである。空気２０の存在は光源の利用
効率を著しく低下ぜしめ大きな障害となる。また従来の
装置では空気２０中の酸素が紫外線を吸収してオゾンを
発生ずるなどがあり異臭の発生２人体への悲影響が生じ
ている。
このような従来装置を改良ぜんとして光源を反応基に直
接導入した場合には２反応気体に光源か直接接触するこ
とになり、そのため光源自身の劣化が急速に進行するな
どの欠点がある。
接導入した場合には２反応気体に光源か直接接触するこ
とになり、そのため光源自身の劣化が急速に進行するな
どの欠点がある。
本発明はこれらの欠点を除去することを目的とし、光源
２と反応室光学窓３との間の光路を真空とするかあるい
は放射線の吸収のない気体で構成することにより光源か
ら発せられた放射線を能率良く反応室に投入する新規の
装置を提供するものである。
２と反応室光学窓３との間の光路を真空とするかあるい
は放射線の吸収のない気体で構成することにより光源か
ら発せられた放射線を能率良く反応室に投入する新規の
装置を提供するものである。
第２図は本発明の一実施例を示すための模式ない気体を
充填する気密室であり気密室排気系４および気体導入系
５が接続さイｔている。
充填する気密室であり気密室排気系４および気体導入系
５が接続さイｔている。
光源２としては所望の波長領域を発光するランプあるい
はレーザーが用いられる。光学窓３としては紫外光を透
過する石英９合成石英あるいはフッ化リチウム等の光学
材が用いられる。
はレーザーが用いられる。光学窓３としては紫外光を透
過する石英９合成石英あるいはフッ化リチウム等の光学
材が用いられる。
１０は反応室であり気密室１とは相互に気密状態となっ
ている。反応室１０には気体導入系６と反応室排気系７
が接続されており所望の反応気体が所望の圧力および流
量、で反応室１０に導入される。反応室１０内には支持
台８上に被処理物９か設置され、必安な場合には加熱あ
るいＬｌ／＞却宿の１」的に応じて支持台８に温度ｔ１
．“４節槻ｒ！ｆ：をもたぜる。反応気体および放射線
の波長を選択することにより被処理物９の表面に薄膜の
刀や成２食刻、清浄化あるいは表向改質など所望の表面
処理を行なうことができる。
ている。反応室１０には気体導入系６と反応室排気系７
が接続されており所望の反応気体が所望の圧力および流
量、で反応室１０に導入される。反応室１０内には支持
台８上に被処理物９か設置され、必安な場合には加熱あ
るいＬｌ／＞却宿の１」的に応じて支持台８に温度ｔ１
．“４節槻ｒ！ｆ：をもたぜる。反応気体および放射線
の波長を選択することにより被処理物９の表面に薄膜の
刀や成２食刻、清浄化あるいは表向改質など所望の表面
処理を行なうことができる。
以上１、）１．明したように本発明による装置によれは
一３’（Ｓυ・ルからの放射線を途中の光路で損失する
ことなく反応３≦へ々導入することができるため放芽１
生１．Ｌども防止でき、その結果異臭の光学あるいは人
体への；Ｊ、’＋影智などの弊害も除去できるＡす点も
あく）。」二菓上極めてイｊ益な６明ということかでき
る。
一３’（Ｓυ・ルからの放射線を途中の光路で損失する
ことなく反応３≦へ々導入することができるため放芽１
生１．Ｌども防止でき、その結果異臭の光学あるいは人
体への；Ｊ、’＋影智などの弊害も除去できるＡす点も
あく）。」二菓上極めてイｊ益な６明ということかでき
る。
ｉ１：ｉ’、 １図は従来の装置６を示す栓弐図である
。 ｇ％２図は本発明による装置δの一実施例を示す模式図
である。 ｌ・・・気密室、２・・・光 源、３・・・光学窓。 ４・・・気密室排気系、５・・・気体導入系、６・・・
反応気体導入糸、７・・・反応室排気糸、８・・・支持
台。 ９・・・被処理物、１０・・・反応室 ！Ｆケ許１１日１ｊ人 日電アネルバ株式会社１□
。 ｇ％２図は本発明による装置δの一実施例を示す模式図
である。 ｌ・・・気密室、２・・・光 源、３・・・光学窓。 ４・・・気密室排気系、５・・・気体導入系、６・・・
反応気体導入糸、７・・・反応室排気糸、８・・・支持
台。 ９・・・被処理物、１０・・・反応室 ！Ｆケ許１１日１ｊ人 日電アネルバ株式会社１□
Claims (1)
- 【特許請求の範囲】 所定の気体を光化学的に活性化［７基板表面に所定の処
理をする装置であって ａ、＞ｉｌ定された波長及び／又は波長帯の放射線を透
過するための光学窓を有し気密に保つことができる反応
室。 ｂ、前記反応室に気体を導入する導入系及び気体の排気
系。 Ｃ０選定された波長及び／又は波長帯の放射線を放出す
る光源と必要ならば波長を７９定するための手段。 ｃｌ、前記光源と前記反応室との間に設けられて、真壁
とするか又は選定した気体を充填する気密室。 ゛ からなることを特徴とする光化学的表面処理装置。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP11410083A JPS607936A (ja) | 1983-06-24 | 1983-06-24 | 光化学的表面処理装置 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP11410083A JPS607936A (ja) | 1983-06-24 | 1983-06-24 | 光化学的表面処理装置 |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPS607936A true JPS607936A (ja) | 1985-01-16 |
| JPH057064B2 JPH057064B2 (ja) | 1993-01-28 |
Family
ID=14629111
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP11410083A Granted JPS607936A (ja) | 1983-06-24 | 1983-06-24 | 光化学的表面処理装置 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPS607936A (ja) |
Cited By (4)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS60212226A (ja) * | 1984-04-06 | 1985-10-24 | Ushio Inc | 紫外線処理方法 |
| JPS61271819A (ja) * | 1985-05-27 | 1986-12-02 | Semiconductor Energy Lab Co Ltd | 薄膜形成方法 |
| JPH03259932A (ja) * | 1990-03-09 | 1991-11-20 | Agency Of Ind Science & Technol | 高分子成形品のエッチング加工方法 |
| JPH0431423U (ja) * | 1990-06-30 | 1992-03-13 |
Families Citing this family (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPH08270994A (ja) * | 1994-10-24 | 1996-10-18 | Akira Kono | 風の船 |
Citations (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS4737008U (ja) * | 1971-05-11 | 1972-12-23 |
-
1983
- 1983-06-24 JP JP11410083A patent/JPS607936A/ja active Granted
Patent Citations (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS4737008U (ja) * | 1971-05-11 | 1972-12-23 |
Cited By (5)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS60212226A (ja) * | 1984-04-06 | 1985-10-24 | Ushio Inc | 紫外線処理方法 |
| JPS61271819A (ja) * | 1985-05-27 | 1986-12-02 | Semiconductor Energy Lab Co Ltd | 薄膜形成方法 |
| JPH0548616B2 (ja) * | 1985-05-27 | 1993-07-22 | Handotai Energy Kenkyusho | |
| JPH03259932A (ja) * | 1990-03-09 | 1991-11-20 | Agency Of Ind Science & Technol | 高分子成形品のエッチング加工方法 |
| JPH0431423U (ja) * | 1990-06-30 | 1992-03-13 |
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| JPH057064B2 (ja) | 1993-01-28 |
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