JPS60791B2 - 反射防止性透明体およびその製造方法 - Google Patents
反射防止性透明体およびその製造方法Info
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- JPS60791B2 JPS60791B2 JP51127609A JP12760976A JPS60791B2 JP S60791 B2 JPS60791 B2 JP S60791B2 JP 51127609 A JP51127609 A JP 51127609A JP 12760976 A JP12760976 A JP 12760976A JP S60791 B2 JPS60791 B2 JP S60791B2
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-
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- Y02—TECHNOLOGIES OR APPLICATIONS FOR MITIGATION OR ADAPTATION AGAINST CLIMATE CHANGE
- Y02E—REDUCTION OF GREENHOUSE GAS [GHG] EMISSIONS, RELATED TO ENERGY GENERATION, TRANSMISSION OR DISTRIBUTION
- Y02E10/00—Energy generation through renewable energy sources
- Y02E10/50—Photovoltaic [PV] energy
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- Light Receiving Elements (AREA)
- Photovoltaic Devices (AREA)
Description
【発明の詳細な説明】
本発明は、例えば太陽電池の保護膜等に用いられる反射
防止性透明体およびその製造方法に関するものである。
防止性透明体およびその製造方法に関するものである。
光学用部品を初めとして、太陽光の透過を増大させる必
要から反射防止膜の要求は多く、蒸着膜による反射防止
ガラスなど種々のものが見られるが、これらのほとんど
は、透過率など光学的性質では優れているが、大面積の
ものを蒸着法で行なうには大規模な真空装置を必要とし
、製造装置が大がかりなものとなって設備費が多大なも
のとなる。したがって、太陽エネルギー利用分野の応用
におけるコレクター用ガラスなど、大面積に対する適用
性に関しては特に問題であった。また、Ｍａｘｗｅｌｌ
−Ｇａｍｅｔｔの理論によれば気泡を有する薄膜におい
て、単位面積あたりの気泡の数が増加するとその膜の屈
折率が減少することが示されている。
要から反射防止膜の要求は多く、蒸着膜による反射防止
ガラスなど種々のものが見られるが、これらのほとんど
は、透過率など光学的性質では優れているが、大面積の
ものを蒸着法で行なうには大規模な真空装置を必要とし
、製造装置が大がかりなものとなって設備費が多大なも
のとなる。したがって、太陽エネルギー利用分野の応用
におけるコレクター用ガラスなど、大面積に対する適用
性に関しては特に問題であった。また、Ｍａｘｗｅｌｌ
−Ｇａｍｅｔｔの理論によれば気泡を有する薄膜におい
て、単位面積あたりの気泡の数が増加するとその膜の屈
折率が減少することが示されている。
そして、膜の光学的厚さが４分の１波長であれば反射率
は最４・となり、さらに膜の屈折率が基板の屈折率の膜
外煤質の相乗平均に等しいとき反射率は○となる。しか
し、一般の透明体として知られるガラス、高分子材料等
の透光性基板の屈折率は１．４〜１．６と比較的低く、
反射防止性を有するとともに透明性、耐庚陸があり基板
との接着能力のある適当な薄膜材料はきわめて少ない。
本発明は上記の問題点に鑑みてなされたもので、透光性
基板上に、内部に微細な気泡を有し前記透光性基板より
も低い屈折率を有する高分子薄膜を形成することにより
、従来よりも高い透過率を呈し、大規模な製造装置を要
しない、反射防止透明体およびその製造方法を提供する
ものである。
は最４・となり、さらに膜の屈折率が基板の屈折率の膜
外煤質の相乗平均に等しいとき反射率は○となる。しか
し、一般の透明体として知られるガラス、高分子材料等
の透光性基板の屈折率は１．４〜１．６と比較的低く、
反射防止性を有するとともに透明性、耐庚陸があり基板
との接着能力のある適当な薄膜材料はきわめて少ない。
本発明は上記の問題点に鑑みてなされたもので、透光性
基板上に、内部に微細な気泡を有し前記透光性基板より
も低い屈折率を有する高分子薄膜を形成することにより
、従来よりも高い透過率を呈し、大規模な製造装置を要
しない、反射防止透明体およびその製造方法を提供する
ものである。
本発明は内径５００オングストローム以下の気泡の存在
する膜厚０．１〜０．６仏の透明高分子薄膜を屈折率の
より大きな透明基板に塗布して反射防止性透明体とした
ものである。
する膜厚０．１〜０．６仏の透明高分子薄膜を屈折率の
より大きな透明基板に塗布して反射防止性透明体とした
ものである。
以下実施例によって本発明を図面とともに説明する。
熱可塑性樹脂ェマルジョン中にジアゾニウム海などの光
分解化合物を溶解分散させたものを、ポリエステルなど
の透光性基板表面上に塗布し、紫外線で露光後、基板の
耐熱温度ならびに適正気泡生成条件を考慮して、６０〜
１００００で５〜６０秒間加熱すると、光分解により生
じた窒素ガスが微細な気泡となって熱塑性膜内に発生す
る。
分解化合物を溶解分散させたものを、ポリエステルなど
の透光性基板表面上に塗布し、紫外線で露光後、基板の
耐熱温度ならびに適正気泡生成条件を考慮して、６０〜
１００００で５〜６０秒間加熱すると、光分解により生
じた窒素ガスが微細な気泡となって熱塑性膜内に発生す
る。
これを冷却すれば内径が５００オングストローム以下の
微細な気泡から成る塗膜が得られる。「熱可塑性樹脂は
透明，耐水，耐侵性を有し、水系ェマルジョンとなりう
るものを選ぶ。
微細な気泡から成る塗膜が得られる。「熱可塑性樹脂は
透明，耐水，耐侵性を有し、水系ェマルジョンとなりう
るものを選ぶ。
例えば、塩化ビニリデンと塩化ビニル，酢酸ビニル，ビ
ニルアルコールならびにエチルアクリートなどとの共重
合体、あるいはポリ塩化ビニル，ポリ塩化ビニリテン，
ポリスチレン，アクリルニトリルのいずれかと塩化ピニ
ル，スチレンとの共重合体等である。光分解化合物は紫
外線照射により窒素を発生するものが選ばれる。
ニルアルコールならびにエチルアクリートなどとの共重
合体、あるいはポリ塩化ビニル，ポリ塩化ビニリテン，
ポリスチレン，アクリルニトリルのいずれかと塩化ピニ
ル，スチレンとの共重合体等である。光分解化合物は紫
外線照射により窒素を発生するものが選ばれる。
たとえば１−ジアゾ−２−オキシナフタレン−４−スル
ホン酸，Ｐージアゾジフェニル硫酸塩、４−ペンゾィル
アミノー２．５ージェトオキシベンゼンジアゾニウム化
合物，Ｐ−ジアゾジメチル（またはジエチル）アニリン
，４ージアゾー２−メトオキシ−１ーシクロヘキシルア
ミノベンゼンのＰ−クロロベンゼンスルホン酸ジアゾニ
ゥム化合物等である。これらのジアゾニゥム化合物はＺ
ｎＣ夕２ によって榎塩の形で安定化させて水溶液とし
て用いる。また３−アジド無水フタル酸，２−カルバジ
ド−１ーナフトール，２−アミノ−１−カルバジドベン
ゼン，１ーカルバジド−２．５−ジヒドロオキシベンゼ
ンなどのアジド塩類およびカルボン酸アジド塩もジアゾ
塩と同じ目的に用いられる。実施例 １ ・塩化ビニリデンェマルジョン （市販品，他の樹脂との共重合体で４５〜５５％の固形
分を含む） 重量比；３・エチレングリコー
ル 重量比：７・ポリビニルアルコール
重量比：３・Ｐージアゾジェチルアニリンの塩化亜鉛
複塩１０％水溶液 重量比：１・クエン
酸 重量比：１ジアゾニウム塩とク
エン酸をポリビニルアルコール溶液に溶解させ、４００
０に暖め、よく健梓しながらエチレングリコールを加え
た塩化ビニリデン溶液の中にゆっくり注ぎ込む。
ホン酸，Ｐージアゾジフェニル硫酸塩、４−ペンゾィル
アミノー２．５ージェトオキシベンゼンジアゾニウム化
合物，Ｐ−ジアゾジメチル（またはジエチル）アニリン
，４ージアゾー２−メトオキシ−１ーシクロヘキシルア
ミノベンゼンのＰ−クロロベンゼンスルホン酸ジアゾニ
ゥム化合物等である。これらのジアゾニゥム化合物はＺ
ｎＣ夕２ によって榎塩の形で安定化させて水溶液とし
て用いる。また３−アジド無水フタル酸，２−カルバジ
ド−１ーナフトール，２−アミノ−１−カルバジドベン
ゼン，１ーカルバジド−２．５−ジヒドロオキシベンゼ
ンなどのアジド塩類およびカルボン酸アジド塩もジアゾ
塩と同じ目的に用いられる。実施例 １ ・塩化ビニリデンェマルジョン （市販品，他の樹脂との共重合体で４５〜５５％の固形
分を含む） 重量比；３・エチレングリコー
ル 重量比：７・ポリビニルアルコール
重量比：３・Ｐージアゾジェチルアニリンの塩化亜鉛
複塩１０％水溶液 重量比：１・クエン
酸 重量比：１ジアゾニウム塩とク
エン酸をポリビニルアルコール溶液に溶解させ、４００
０に暖め、よく健梓しながらエチレングリコールを加え
た塩化ビニリデン溶液の中にゆっくり注ぎ込む。
混合物水溶液をスプレーにより基板となるポリエステル
基板に約０．４仏の厚さに塗布する。ポリエステル基板
の屈折率は１．５５透過率は８９％である。塗布後、塗
膜に温風を送って乾燥させる。露光は２００Ｗの石英水
銀灯で室温にて８秒行なう。露光後、温度制御できる加
熱板を使用して約８５午０で３硯砂、加熱する。本実施
例による反射防止性透明体は透光性にすぐれ、耐湿性も
良好であった。そして、理論上高分子薄膜の屈折率は１
．４３であり、分光透過スペクトル測定の結果、透過率
は９４％であった。すなわち、ポリエステル基板のみの
透過率より約５％向上する。この結果を第１図の曲線１
に示してある。尚、同図中の曲線３はポリエステル基板
のみ透過率である。実施例 ２ 塗布溶液組成 ・塩化ビニリデンーアクリルニトリル共重合体溶液（市
販品４５〜５５％固形分）重量比：３・ポリビニルアル
コール 重量比：２・エチレングリコール
重量比：７・ジアゾニウム海水溶液（実施例１
）重量比：１ ・クエン酸 重量比：１ジアゾニ
ゥム塩水溶液とクエン酸を溶解混合し、ポリビニルアル
コール，エチレングリコールとの混合溶液とし、熱可塑
性樹脂ヱマルジョンの中に縄拝しながらゆっくり注ぎ込
む。
基板に約０．４仏の厚さに塗布する。ポリエステル基板
の屈折率は１．５５透過率は８９％である。塗布後、塗
膜に温風を送って乾燥させる。露光は２００Ｗの石英水
銀灯で室温にて８秒行なう。露光後、温度制御できる加
熱板を使用して約８５午０で３硯砂、加熱する。本実施
例による反射防止性透明体は透光性にすぐれ、耐湿性も
良好であった。そして、理論上高分子薄膜の屈折率は１
．４３であり、分光透過スペクトル測定の結果、透過率
は９４％であった。すなわち、ポリエステル基板のみの
透過率より約５％向上する。この結果を第１図の曲線１
に示してある。尚、同図中の曲線３はポリエステル基板
のみ透過率である。実施例 ２ 塗布溶液組成 ・塩化ビニリデンーアクリルニトリル共重合体溶液（市
販品４５〜５５％固形分）重量比：３・ポリビニルアル
コール 重量比：２・エチレングリコール
重量比：７・ジアゾニウム海水溶液（実施例１
）重量比：１ ・クエン酸 重量比：１ジアゾニ
ゥム塩水溶液とクエン酸を溶解混合し、ポリビニルアル
コール，エチレングリコールとの混合溶液とし、熱可塑
性樹脂ヱマルジョンの中に縄拝しながらゆっくり注ぎ込
む。
以後の方法は実施例１と同じである。このようにして得
られた反射防止性透明体は耐水性が良好であり、高分子
薄膜の屈折率は１．４８で、透過率が９３％であり、ポ
リエステル基板のみより４％向上した。
られた反射防止性透明体は耐水性が良好であり、高分子
薄膜の屈折率は１．４８で、透過率が９３％であり、ポ
リエステル基板のみより４％向上した。
本実施例の結果を第１図の曲線２に示す。実施例 ３
塗布溶液組成
・塩化ビニリデン溶液（実施例１と同じ）重量比：３
・ポリビニルアルコール 重量比：６・エチレ
ングリコール 重量比：６・４−アジド無水
フタル酸 重量比：１・クエン酸
重量比：１アジド塩をクエン酸水溶液に溶解させ
、ポリビニルアルコール，塩化ビニリデンとの混合溶液
としたのを実施例１と同様の方法でメチルメタクリレー
ト基板に塗布し約０．６仏の厚さの塗膜を形成する。
ングリコール 重量比：６・４−アジド無水
フタル酸 重量比：１・クエン酸
重量比：１アジド塩をクエン酸水溶液に溶解させ
、ポリビニルアルコール，塩化ビニリデンとの混合溶液
としたのを実施例１と同様の方法でメチルメタクリレー
ト基板に塗布し約０．６仏の厚さの塗膜を形成する。
露光後は約７５ｑＣで３分間加熱する。メチルメタクリ
レート基板の屈折率は１．４９であり、その透過率は９
１％である。本実施例においては、高分子薄膜の屈折率
は１．３８であり、透過率は９５％であったｃ すなわ
ち、基板のみより４％の向上を示した。
レート基板の屈折率は１．４９であり、その透過率は９
１％である。本実施例においては、高分子薄膜の屈折率
は１．３８であり、透過率は９５％であったｃ すなわ
ち、基板のみより４％の向上を示した。
その結果を第２図の曲線４に示す。なお、曲線６は基板
のみの透過率を示す。実施例 ４ 塗布溶液組成 ・塩化ビニリデン，アクリルニトリル共重合体重量比：
３・ポリビニルアルコール 重量比：６・エ
チレングリコール 重量比：６・アジド塩
水溶液（実施例３と同じ）重量比：１・コハク酸
重量比：１製造方法は実施例３と同じ
である。
のみの透過率を示す。実施例 ４ 塗布溶液組成 ・塩化ビニリデン，アクリルニトリル共重合体重量比：
３・ポリビニルアルコール 重量比：６・エ
チレングリコール 重量比：６・アジド塩
水溶液（実施例３と同じ）重量比：１・コハク酸
重量比：１製造方法は実施例３と同じ
である。
本実施例の反射防止性透明体では、高分子薄膜の屈折率
が１．４３であり、透過率は９４％であった。
が１．４３であり、透過率は９４％であった。
その結果を、第２図の曲線５に示す。すなわち、３％の
透過率の向上があった。以上各実施例で説明したように
本発明の反射防止性透明体およびその製造方法は、従来
のように大規模な設備を必要とせず、簡単な塗布方法に
よって高分子薄膜が形成でき、また同薄膜内の気泡を容
易に微少ならしめて屈折率を低くできるので、透明体コ
ストの低下を図ることができる。
透過率の向上があった。以上各実施例で説明したように
本発明の反射防止性透明体およびその製造方法は、従来
のように大規模な設備を必要とせず、簡単な塗布方法に
よって高分子薄膜が形成でき、また同薄膜内の気泡を容
易に微少ならしめて屈折率を低くできるので、透明体コ
ストの低下を図ることができる。
さらに本発明では、透光性基板と高分子薄膜との密着性
が良くなり、従来の透明体よりも良好な透過率を示す。
従って、本発明は、太陽光の透過を増大させる必要のあ
る反射防止膜としては非常に実用的価値の大なるもので
ある。
が良くなり、従来の透明体よりも良好な透過率を示す。
従って、本発明は、太陽光の透過を増大させる必要のあ
る反射防止膜としては非常に実用的価値の大なるもので
ある。
第１図および第２図は本発明の各実施例の透過率を示す
特性図である。 第１図 第２図
特性図である。 第１図 第２図
Claims (1)
- 【特許請求の範囲】 １ 透光性基板上に、内部に微細な気泡を有し前記透光
性基板よりも小さい屈析率を有する高分子薄膜が形成さ
れたことを特徴とする反射防止性透明体。 ２ 高分子薄膜が、水系エマルジヨンとなり得る熱可塑
樹脂と光分解化合物とからなることを特徴とする特許請
求の範囲第１項記載の反射防止性透明体。 ３ 水系エマルジヨンとなり得る熱可塑性樹脂および光
分解化合物からなる高分子薄膜を透光性基板上に形成し
、その後前記高分子薄膜に光を照射して前記高分子薄膜
内に気泡を発生させ、その後前記高分子薄膜を加熱して
前記気泡を微少化することにより、前記高分子薄膜の屈
折率を前記透光性基板よりも小さくすることを特徴とす
る反射防止性透明体の製造方法。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP51127609A JPS60791B2 (ja) | 1976-10-22 | 1976-10-22 | 反射防止性透明体およびその製造方法 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP51127609A JPS60791B2 (ja) | 1976-10-22 | 1976-10-22 | 反射防止性透明体およびその製造方法 |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPS5352390A JPS5352390A (en) | 1978-05-12 |
| JPS60791B2 true JPS60791B2 (ja) | 1985-01-10 |
Family
ID=14964308
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP51127609A Expired JPS60791B2 (ja) | 1976-10-22 | 1976-10-22 | 反射防止性透明体およびその製造方法 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPS60791B2 (ja) |
Cited By (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPH03257372A (ja) * | 1990-03-07 | 1991-11-15 | Yokogawa Electric Corp | 磁気バブル素子 |
Families Citing this family (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS6034080A (ja) * | 1983-08-05 | 1985-02-21 | Kanegafuchi Chem Ind Co Ltd | 光起電力素子 |
| JPH0652799B2 (ja) * | 1987-08-15 | 1994-07-06 | 株式会社半導体エネルギー研究所 | 半導体装置 |
-
1976
- 1976-10-22 JP JP51127609A patent/JPS60791B2/ja not_active Expired
Cited By (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPH03257372A (ja) * | 1990-03-07 | 1991-11-15 | Yokogawa Electric Corp | 磁気バブル素子 |
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| JPS5352390A (en) | 1978-05-12 |
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