JPS6077194A - 液相エピタキシヤル結晶成長装置 - Google Patents
液相エピタキシヤル結晶成長装置Info
- Publication number
- JPS6077194A JPS6077194A JP18642683A JP18642683A JPS6077194A JP S6077194 A JPS6077194 A JP S6077194A JP 18642683 A JP18642683 A JP 18642683A JP 18642683 A JP18642683 A JP 18642683A JP S6077194 A JPS6077194 A JP S6077194A
- Authority
- JP
- Japan
- Prior art keywords
- melt
- substrate
- growth
- crystal
- liquid phase
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Pending
Links
Classifications
-
- C—CHEMISTRY; METALLURGY
- C30—CRYSTAL GROWTH
- C30B—SINGLE-CRYSTAL GROWTH; UNIDIRECTIONAL SOLIDIFICATION OF EUTECTIC MATERIAL OR UNIDIRECTIONAL DEMIXING OF EUTECTOID MATERIAL; REFINING BY ZONE-MELTING OF MATERIAL; PRODUCTION OF A HOMOGENEOUS POLYCRYSTALLINE MATERIAL WITH DEFINED STRUCTURE; SINGLE CRYSTALS OR HOMOGENEOUS POLYCRYSTALLINE MATERIAL WITH DEFINED STRUCTURE; AFTER-TREATMENT OF SINGLE CRYSTALS OR A HOMOGENEOUS POLYCRYSTALLINE MATERIAL WITH DEFINED STRUCTURE; APPARATUS THEREFOR
- C30B19/00—Liquid-phase epitaxial-layer growth
- C30B19/06—Reaction chambers; Boats for supporting the melt; Substrate holders
- C30B19/063—Sliding boat system
Landscapes
- Chemical & Material Sciences (AREA)
- Engineering & Computer Science (AREA)
- Crystallography & Structural Chemistry (AREA)
- Materials Engineering (AREA)
- Metallurgy (AREA)
- Organic Chemistry (AREA)
- Crystals, And After-Treatments Of Crystals (AREA)
- Liquid Deposition Of Substances Of Which Semiconductor Devices Are Composed (AREA)
Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
〔発明の技術分野〕
こノ発１１ ｔｊ液相エピタキシャル結晶成長装置の改
良に関するものである。以下、ブツシュアウト方式の液
相エピタキシャル結晶成長装置を例にとって説明する。
良に関するものである。以下、ブツシュアウト方式の液
相エピタキシャル結晶成長装置を例にとって説明する。
、〔従来技術〕
フ゛ツシュアウト方式の液相エピタキシャル結晶成長装
置は特公昭５４−４８９４９号公報などで工〈知られて
おり、第１図（ａ）はその従来装置の一例ケ示す平面図
、第１図（ｂｉ ｔｄ第１図（ａ）の１Ｂ（Ｂ線での断
面図である。図において、ｆｉｌ Ｈ本体、（２）は本
体ｔｌ＋の上を図示Ｘ、Ｙ方向にスライドするように設
けられたスライダ、（３）はスライダ＋２１ Ｋ設けら
れ開放底面が本体ｆｉｌの上面でおおわれている融液（
メルト）槽、ｆ４１ｔ’！メルト槽（３）内に収容され
たメルト、（５）ケメルト槽（３）内のメルト（４）の
上に設けられ必要なときにメルト［４１に圧力を加える
ピストン、ｆｉｌ ｆ′１本体ｆｌｌと一体化して構成
され、スライダ＋２］ 全Ｘ方向に移行させたときピス
トン（６）に接しピストン（５）？押し下げるピストン
押え〔第１図（ａ）では省略しである〕、（７）上本体
（１）に設けられたメルト（４）の通路、（８）は通ｗ
！ｒ（７）へのメルト（４）の導入口、＋９１ 、 ｔ
ｌｏｌ Ｈ通路（７１Ｋ置かれ、その上に結晶をエピタ
キシャル成長させるべき基板、（夏Ｉ ｎ通路（７）に
メルｌ−ｉ４＋ ｋ保留するための突起部、（１２１は
突起部＋Ｉｌｌ ｋ越えて余分のメルト（４）または使
用後のメルト（４）を排出する排出口、Ｑ３１ｆｌこの
排出されたメルトを溜めるメルト溜め、（１４）ｔｆｉ
スライダ（２）の端部に設けられ、スライダ（２１１Ｘ
−Ｙ方向にスライドさせる操作棒θωを挿入する孔であ
る。
置は特公昭５４−４８９４９号公報などで工〈知られて
おり、第１図（ａ）はその従来装置の一例ケ示す平面図
、第１図（ｂｉ ｔｄ第１図（ａ）の１Ｂ（Ｂ線での断
面図である。図において、ｆｉｌ Ｈ本体、（２）は本
体ｔｌ＋の上を図示Ｘ、Ｙ方向にスライドするように設
けられたスライダ、（３）はスライダ＋２１ Ｋ設けら
れ開放底面が本体ｆｉｌの上面でおおわれている融液（
メルト）槽、ｆ４１ｔ’！メルト槽（３）内に収容され
たメルト、（５）ケメルト槽（３）内のメルト（４）の
上に設けられ必要なときにメルト［４１に圧力を加える
ピストン、ｆｉｌ ｆ′１本体ｆｌｌと一体化して構成
され、スライダ＋２］ 全Ｘ方向に移行させたときピス
トン（６）に接しピストン（５）？押し下げるピストン
押え〔第１図（ａ）では省略しである〕、（７）上本体
（１）に設けられたメルト（４）の通路、（８）は通ｗ
！ｒ（７）へのメルト（４）の導入口、＋９１ 、 ｔ
ｌｏｌ Ｈ通路（７１Ｋ置かれ、その上に結晶をエピタ
キシャル成長させるべき基板、（夏Ｉ ｎ通路（７）に
メルｌ−ｉ４＋ ｋ保留するための突起部、（１２１は
突起部＋Ｉｌｌ ｋ越えて余分のメルト（４）または使
用後のメルト（４）を排出する排出口、Ｑ３１ｆｌこの
排出されたメルトを溜めるメルト溜め、（１４）ｔｆｉ
スライダ（２）の端部に設けられ、スライダ（２１１Ｘ
−Ｙ方向にスライドさせる操作棒θωを挿入する孔であ
る。
以下、ガリウム・ヒ素（ＧａＡｅ）基板上にガリウム・
アルミニウム・ヒ素（ＧａＡム８）結晶層ケエピタキシ
ャル成長させる場合を例に挙げて説明する。
アルミニウム・ヒ素（ＧａＡム８）結晶層ケエピタキシ
ャル成長させる場合を例に挙げて説明する。
まず、ＧａＡｓ基板＋９１ 、 ［１０１ｋ本体ｆ１＋
のメルト通路（７）に装着する。スライダ（２）を第１
図に示したような位置におき、’ Ｇａ、 Ａｔ、およ
びＧａＡｓからなるメルト（４１メルト槽（３１Ｋ仕込
む。その組成比は成長させるべきＧａＡｔＡａ層の組成
に応じて決められ、メルト（４）Ｋは必要に応じて、ｐ
形またはｎ形の不純物を所要量添加される。
のメルト通路（７）に装着する。スライダ（２）を第１
図に示したような位置におき、’ Ｇａ、 Ａｔ、およ
びＧａＡｓからなるメルト（４１メルト槽（３１Ｋ仕込
む。その組成比は成長させるべきＧａＡｔＡａ層の組成
に応じて決められ、メルト（４）Ｋは必要に応じて、ｐ
形またはｎ形の不純物を所要量添加される。
このように準備された装置はあらかじめ昇温された炉（
図示せず）内に挿入され、温度が安定するまで待った後
、操作棒Ｑ０ｔ″操作してスライダ（２）を図示Ｘ方向
にスライドさせ、メルト檜（３）全本体（１）のメルト
導入口（８）の上を通過させる。このときピストン押、
ｔ（ｓ＋ｖｃＬってピストン＋５１押し下ケラれメルロ
４）ハ導入口（８）ヲ通って通路（７）へ導かれ、突起
部（川の高さまで溜り、基板［９１、＋１０１の上にか
ぶさる。そして余分なメルト（４）は突起部（ｌｎ ｆ
越えて排出口（１２）からメルト溜め（＋３１へ排出さ
れる。つづいて炉の温度全適当な速度で低下させると、
基板（９）。
図示せず）内に挿入され、温度が安定するまで待った後
、操作棒Ｑ０ｔ″操作してスライダ（２）を図示Ｘ方向
にスライドさせ、メルト檜（３）全本体（１）のメルト
導入口（８）の上を通過させる。このときピストン押、
ｔ（ｓ＋ｖｃＬってピストン＋５１押し下ケラれメルロ
４）ハ導入口（８）ヲ通って通路（７）へ導かれ、突起
部（川の高さまで溜り、基板［９１、＋１０１の上にか
ぶさる。そして余分なメルト（４）は突起部（ｌｎ ｆ
越えて排出口（１２）からメルト溜め（＋３１へ排出さ
れる。つづいて炉の温度全適当な速度で低下させると、
基板（９）。
（１０１の上にＧａＡｔＡ３結晶層がエピタキシャル成
長する。必要な厚さの結晶成長が完了すれば、装置を炉
から引き出して冷却後、基板ウェーッ・全敗り出せばよ
い。
長する。必要な厚さの結晶成長が完了すれば、装置を炉
から引き出して冷却後、基板ウェーッ・全敗り出せばよ
い。
ところが、従来装置では以上のように構成されているが
、炉に挿入後、温度が一定高温に安定するまでには小形
装置でも２０分以上、大形装置では時に１時間以上の時
間を要し、その間に成長用基板＋９１ 、 （１０１の
表面が分解して表面状態が悪くなり、良好な結晶成長が
得られないという欠点があつ友。
、炉に挿入後、温度が一定高温に安定するまでには小形
装置でも２０分以上、大形装置では時に１時間以上の時
間を要し、その間に成長用基板＋９１ 、 （１０１の
表面が分解して表面状態が悪くなり、良好な結晶成長が
得られないという欠点があつ友。
この発明は以上の工うな点＃ＩＣ＠みてなされたもので
、結晶成長開始前の昇温時ＶＣ１−を成長用基板の表面
をこれと同一材料からなる基板分解防止用ウェーハで覆
っておくことによって、成長用基板の分解を防止し、良
質な結晶成長層が得られる液相エピタキシャル結晶成長
装置會提供するものである。
、結晶成長開始前の昇温時ＶＣ１−を成長用基板の表面
をこれと同一材料からなる基板分解防止用ウェーハで覆
っておくことによって、成長用基板の分解を防止し、良
質な結晶成長層が得られる液相エピタキシャル結晶成長
装置會提供するものである。
第２図（ａ）はこの発明の一実施例の動作準備状態を示
す平面図、第２図（ｂ） ｎその口Ｂ−［ＩＢ線での断
面図、第３図（ａ）はその実施例の結晶成長段階の状態
を示す平面図、第３図（ｂ）は第３図（ａ）のＩＩＩＢ
−■Ｂ線での断面図である。図中、従来例と同−符Ｊｉ
ｆｊは同等部分を示し、その説明は重複を避ける。（１
６１およびａｌけメルト通路（７）の内面に四部状に形
成され成長用基板（９）および（１０１Ｔｈそれぞれダ
面がメルト通路（７）の内面と同一平面にあるように保
持する基板ホールグ、θ８１ハメルト通ＷＩ！＋７１内
を摺動可能に挿入され、成長用基板（９）および（１ω
に接する部分にこれと同一材料からなる基板分解防止用
ウェーハ四および（イ）？それぞれ保持する基板保護体
である。この一実施例でけメルト通路（７）の長さは基
板保護体０８１の長さの２倍以上の長さケ有し、基板ホ
ールダθ〜、ａηの配備部分のメルト下流側Ｋｉｊ左右
に拡張されており、基板保欣体０８１がその部分に摺＃
移行したときも、第２図（ａ）ＶＣ示したメルト側路Ｑ
υ、四が形成されるようになっている。
す平面図、第２図（ｂ） ｎその口Ｂ−［ＩＢ線での断
面図、第３図（ａ）はその実施例の結晶成長段階の状態
を示す平面図、第３図（ｂ）は第３図（ａ）のＩＩＩＢ
−■Ｂ線での断面図である。図中、従来例と同−符Ｊｉ
ｆｊは同等部分を示し、その説明は重複を避ける。（１
６１およびａｌけメルト通路（７）の内面に四部状に形
成され成長用基板（９）および（１０１Ｔｈそれぞれダ
面がメルト通路（７）の内面と同一平面にあるように保
持する基板ホールグ、θ８１ハメルト通ＷＩ！＋７１内
を摺動可能に挿入され、成長用基板（９）および（１ω
に接する部分にこれと同一材料からなる基板分解防止用
ウェーハ四および（イ）？それぞれ保持する基板保護体
である。この一実施例でけメルト通路（７）の長さは基
板保護体０８１の長さの２倍以上の長さケ有し、基板ホ
ールダθ〜、ａηの配備部分のメルト下流側Ｋｉｊ左右
に拡張されており、基板保欣体０８１がその部分に摺＃
移行したときも、第２図（ａ）ＶＣ示したメルト側路Ｑ
υ、四が形成されるようになっている。
さて、この実施例においては、ＧａＡｓ成長用基板＋９
１ 、 ＋１０１を基板ホールグ＋１６１ 、 ａ力に
セットし、基板保護体（１８）會第２図に示すようにメ
ルト通路（７）の基板ホールグ［１８１、０７１ｋ ＆
うように配置される。このとき、基板分解防止用ウェー
ハθ９１．翰ｉそれぞれ成長用基板＋９１ 、 ＋１０
１の表面に密着してこれを覆うように構成されている。
１ 、 ＋１０１を基板ホールグ＋１６１ 、 ａ力に
セットし、基板保護体（１８）會第２図に示すようにメ
ルト通路（７）の基板ホールグ［１８１、０７１ｋ ＆
うように配置される。このとき、基板分解防止用ウェー
ハθ９１．翰ｉそれぞれ成長用基板＋９１ 、 ＋１０
１の表面に密着してこれを覆うように構成されている。
スライダ（２）も第２図に示したような位置にセットし
、メルト槽（３）へ従来例の場合と同様のＧａ、Ａｔお
よびＧａＡｓからなるメルト（４）を仕込む。
、メルト槽（３）へ従来例の場合と同様のＧａ、Ａｔお
よびＧａＡｓからなるメルト（４）を仕込む。
この状態で、この実施例装置はあらかじめ昇温された炉
中に挿入され、従来例の場合と同様、温度の一定化する
まで保持されるが、この間、長時間高温に置かれても、
成長用７４板（９１、１１０１げ裁板分解防止用ウェー
ハｏｓ、ｍで捷われているので、表面が分解することに
ほとんどない。
中に挿入され、従来例の場合と同様、温度の一定化する
まで保持されるが、この間、長時間高温に置かれても、
成長用７４板（９１、１１０１げ裁板分解防止用ウェー
ハｏｓ、ｍで捷われているので、表面が分解することに
ほとんどない。
温度が一定になった後、従来例と同様、第３図に示すよ
うにステイグ１２１ｘ方向にスライドさせてメルｌ−４
！ｉ ［３１？本体＋１１のメルト導入口（８）の上全
通過させる。このときピストン（５）にピストン押工＋
６１ＶｃＬって押し下げられ、ヌルＮ４１Ｈ導入口（８
）全通って通路（７１Ｋ圧入されるが、これＫよって基
板保護体Ｈに第３図に示すように下流側へ押し下げられ
、メルト（４）は露出した成長用基板（９１、（Ｉｏｌ
の次面を覆って流れメルト側ｖＩ！ｒシＤ、＠を第３図
（ａ）に矢印で示したように通って、突起部（Ｉｌｌの
高さオで溜り、通路（７）お工び側＠Ｑυ、＠をみ比し
、余分なメルト（４）ニメルト排出口（１２１からメル
）・溜め＋＋３）へ排出される。以下、従来例と同様、
炉の温度を適当な速度で低下さ゛せると、メルト（４）
中で過飽和に１つたＧ３ＡｔＡｓが基板ｆｓｌ 、 ｆ
＋ｏ）上に析出し、その結晶層がエピタキシャル成長す
る。必要な厚さの結晶成長が完了すれは、装置を炉から
引出し冷却後、取り出せばよい。
うにステイグ１２１ｘ方向にスライドさせてメルｌ−４
！ｉ ［３１？本体＋１１のメルト導入口（８）の上全
通過させる。このときピストン（５）にピストン押工＋
６１ＶｃＬって押し下げられ、ヌルＮ４１Ｈ導入口（８
）全通って通路（７１Ｋ圧入されるが、これＫよって基
板保護体Ｈに第３図に示すように下流側へ押し下げられ
、メルト（４）は露出した成長用基板（９１、（Ｉｏｌ
の次面を覆って流れメルト側ｖＩ！ｒシＤ、＠を第３図
（ａ）に矢印で示したように通って、突起部（Ｉｌｌの
高さオで溜り、通路（７）お工び側＠Ｑυ、＠をみ比し
、余分なメルト（４）ニメルト排出口（１２１からメル
）・溜め＋＋３）へ排出される。以下、従来例と同様、
炉の温度を適当な速度で低下さ゛せると、メルト（４）
中で過飽和に１つたＧ３ＡｔＡｓが基板ｆｓｌ 、 ｆ
＋ｏ）上に析出し、その結晶層がエピタキシャル成長す
る。必要な厚さの結晶成長が完了すれは、装置を炉から
引出し冷却後、取り出せばよい。
なお、上記実施例では基板保護体Ｑｌｌメルト（４）の
圧力でスライドさせるようにしたが、操作捧によってス
ライドさせるＬつＶＣしてもよい。従って、この発Ｆ３
ｆ４ニプッシュアウト方式に限らず、一般の液相エピタ
キシャル結晶成長装置に適用できる。
圧力でスライドさせるようにしたが、操作捧によってス
ライドさせるＬつＶＣしてもよい。従って、この発Ｆ３
ｆ４ニプッシュアウト方式に限らず、一般の液相エピタ
キシャル結晶成長装置に適用できる。
そして、基板保護体０８１に基板分解防止用ウェーハ（
１９＋ 、 ］ ｉ保持する構造としたが、基板保護体
（＋８１全体を成長用基板（９１、１ｌｏｌと同一材料
で構成するようにしてもよい。また、上側ではＧａＡｓ
基板上にＧａＡｔＡｓ結晶層を成長させる場合について
述べたが、他の材料に対してもこの装ｖｔｔａ適用でき
ることは勿論である。
１９＋ 、 ］ ｉ保持する構造としたが、基板保護体
（＋８１全体を成長用基板（９１、１ｌｏｌと同一材料
で構成するようにしてもよい。また、上側ではＧａＡｓ
基板上にＧａＡｔＡｓ結晶層を成長させる場合について
述べたが、他の材料に対してもこの装ｖｔｔａ適用でき
ることは勿論である。
以上説明したように、この発明になる液相エピタキシャ
ル結晶成長装置でげ、結晶成長のためにメルトを基板上
ＶＣ導＜Ｌ＞ＩＵｉＴの旧、潟、均温什中は一基板表面
を少なくともこれに接する部分が上記基板と同一材料か
らなる基板保護体で覆うようにしたので、その間に基板
表面に分解ケ生じるのを防止でき、その表面上に良質な
結晶Ｍｋエピタキシャル成長させることができる。
ル結晶成長装置でげ、結晶成長のためにメルトを基板上
ＶＣ導＜Ｌ＞ＩＵｉＴの旧、潟、均温什中は一基板表面
を少なくともこれに接する部分が上記基板と同一材料か
らなる基板保護体で覆うようにしたので、その間に基板
表面に分解ケ生じるのを防止でき、その表面上に良質な
結晶Ｍｋエピタキシャル成長させることができる。
第１図（ａ）は従来装置の一例を示す平面図、第１図（
ｂ） ｔｊ第１図（ａ）のＩＢ−ＩＢ 線での断面図、
第２図（ａｌ中 はこの発明の実施例の動作準備、状態ケ示す平面図、第
２図（ｂ）Ｖ′ｉ第２図（ａ）の口Ｂ−ＵＢ Ｍでの断
面図、第３図（ａ）はこの実施例の結晶成長段階の状態
ケ示す平面図、第３図（ｂ） Ｈ第３図（ａ）のＩＩＩ
Ｂ−ｎｌＢ線での断面図である。 図において、（１）は本体、（２）セスライブ、（３）
ケメルト檜、ｔ、４＋ｒｉメルト、＋５１ｉピストン、
（６）にピストン押え、（７）燻メルト通路、＋８１
Ｖｉメルト導入口、（９）。 （ｔｏ） ｔ′ｉ基板、（１８１に基板保護体、◇′υ
、＠はメルト側路である。 なお、図中同一符号は同一または相当部分ケ示す０ ゛
ｂ） ｔｊ第１図（ａ）のＩＢ−ＩＢ 線での断面図、
第２図（ａｌ中 はこの発明の実施例の動作準備、状態ケ示す平面図、第
２図（ｂ）Ｖ′ｉ第２図（ａ）の口Ｂ−ＵＢ Ｍでの断
面図、第３図（ａ）はこの実施例の結晶成長段階の状態
ケ示す平面図、第３図（ｂ） Ｈ第３図（ａ）のＩＩＩ
Ｂ−ｎｌＢ線での断面図である。 図において、（１）は本体、（２）セスライブ、（３）
ケメルト檜、ｔ、４＋ｒｉメルト、＋５１ｉピストン、
（６）にピストン押え、（７）燻メルト通路、＋８１
Ｖｉメルト導入口、（９）。 （ｔｏ） ｔ′ｉ基板、（１８１に基板保護体、◇′υ
、＠はメルト側路である。 なお、図中同一符号は同一または相当部分ケ示す０ ゛
Claims (1)
- 【特許請求の範囲】 ＋１１ 本体上面をスライドするスライダに設けられた
融液（メルト）檜に収容されたメルト’ｔ−上記内に装
着された基板上に上記メルトヲかぶせて所要の温度操作
を経て上記基板上に上記メルトの組成に対応する組成全
盲する結晶層全エピタキシャル成長させる装置において
、上記メルト通路内全スライド可能に設けられ少なくと
も上記基板の表面と接する部分全上記基板と同一材料で
構成された基板保護体全備え、上記メルトの上記メルト
通路への導入前の上記装置の昇温および均温化時には上
記基板保護体で上記基板の宍面全榎い、上記装置の上記
昇温および均温化後は上記基板保護体音スライドさせて
上記メルトを上記基板上にかぶせるようにしたことを特
徴とする液相エピタキシャル結晶成長装置。 （２） メルト槽内のメルト上に置かれたピストンに加
えられる力で上記メルト槽から本体のメルト導入口へ押
し出される上記メルトによって基板保護体をスライドさ
せるように構成されたことを特徴とする特許請求の範囲
第１項記載の液相エピタキシャル結晶成長装置。 （３）基板保護体は操作棒でスライドさせるように構成
されたことを特徴とする特許請求の範囲第１項記載の液
相エピタキシャル結晶成長装置。 （４） 基板保護体はすべて基板と同一材料で構成され
たことを特徴とする特許請求の範囲第１項。 第２項または第３項記載の液相エピタキシャル結晶成長
装置。 （５）基板保護体全スライドさせてメルｌ−’ｔメルト
通路に導入したとき、上記メルト通路の上記基板保護体
でふさがれる部分を避けて上記メルト’（ｒ流すメルト
側路を備えたこと全特徴とする特許請求の範囲第１項な
いし第４項のいずれかに記載の液相エピ５タキシヤル結
晶成長装置。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP18642683A JPS6077194A (ja) | 1983-10-03 | 1983-10-03 | 液相エピタキシヤル結晶成長装置 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP18642683A JPS6077194A (ja) | 1983-10-03 | 1983-10-03 | 液相エピタキシヤル結晶成長装置 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPS6077194A true JPS6077194A (ja) | 1985-05-01 |
Family
ID=16188215
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP18642683A Pending JPS6077194A (ja) | 1983-10-03 | 1983-10-03 | 液相エピタキシヤル結晶成長装置 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPS6077194A (ja) |
Cited By (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US7090279B2 (en) | 2002-01-22 | 2006-08-15 | Shirouma Saiensu Kabushiki Kaisha | Bicycle with cover |
| JP2010226764A (ja) * | 2007-02-13 | 2010-10-07 | Cotron Corp | マイクロスピーカ及びマイクロスピーカの組立方法 |
Citations (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS5248949A (en) * | 1975-10-17 | 1977-04-19 | Nippon Hoso Kyokai <Nhk> | Line impedance matching unit |
| JPS5710565A (en) * | 1980-06-23 | 1982-01-20 | Oki Electric Ind Co Ltd | Control signal system for optical transmission |
-
1983
- 1983-10-03 JP JP18642683A patent/JPS6077194A/ja active Pending
Patent Citations (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS5248949A (en) * | 1975-10-17 | 1977-04-19 | Nippon Hoso Kyokai <Nhk> | Line impedance matching unit |
| JPS5710565A (en) * | 1980-06-23 | 1982-01-20 | Oki Electric Ind Co Ltd | Control signal system for optical transmission |
Cited By (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US7090279B2 (en) | 2002-01-22 | 2006-08-15 | Shirouma Saiensu Kabushiki Kaisha | Bicycle with cover |
| JP2010226764A (ja) * | 2007-02-13 | 2010-10-07 | Cotron Corp | マイクロスピーカ及びマイクロスピーカの組立方法 |
Similar Documents
| Publication | Publication Date | Title |
|---|---|---|
| KR20010021496A (ko) | 에피택셜 필름의 결함 제거 방법 | |
| AU4369196A (en) | Epitaxial growth of silicon carbide and resulting silicon carbide structures | |
| EP0969499A3 (en) | Crystal growth process for a semiconductor device | |
| JPS6077194A (ja) | 液相エピタキシヤル結晶成長装置 | |
| CA1234036A (en) | Lpe growth on group iii-v compound semiconductor substrates containing phosphorus | |
| US4261770A (en) | Process for producing epitaxial semiconductor material layers on monocrystalline substrates via liquid phase shift epitaxy | |
| JP2841826B2 (ja) | 液相エピタキシヤル成長方法 | |
| JP2000124142A (ja) | 半導体層の製造方法 | |
| JPH06291068A (ja) | 液相エピタキシャル成長方法 | |
| JPH0222038B2 (ja) | ||
| JPS5918644A (ja) | 液相エピタキシヤル成長装置 | |
| JPS6020509A (ja) | 液相エピタキシヤル成長方法 | |
| DE2238205A1 (de) | Verfahren zur abscheidung von halbleitermaterial | |
| JP3151277B2 (ja) | 液相エピタキシャル成長法 | |
| JPS6129121A (ja) | ＧａＡｓ液相エピタシヤル成長法 | |
| JPS5930796A (ja) | 液相成長装置 | |
| HOROWITZ | The liquid phase epitaxial growth and characterization of NI-ZN ferrite films[Ph. D. Thesis] | |
| JPH0247435B2 (ja) | Gaasekisoepitakisharuseichoho | |
| JPS5812325A (ja) | 混晶半導体の成長方法 | |
| JPH01246193A (ja) | 液相エピタキシャル成長装置 | |
| JPS60137014A (ja) | 液相エピタキシヤル結晶成長用装置 | |
| JPH02107590A (ja) | 半導体結晶成長装置 | |
| JPS57200288A (en) | Liquid-phase growing method | |
| JPS6027127A (ja) | 液相エピタキシヤル成長法 | |
| JPH0330288B2 (ja) |