JPS6074485A - 半導体発光装置 - Google Patents
半導体発光装置Info
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- JPS6074485A JPS6074485A JP58181280A JP18128083A JPS6074485A JP S6074485 A JPS6074485 A JP S6074485A JP 58181280 A JP58181280 A JP 58181280A JP 18128083 A JP18128083 A JP 18128083A JP S6074485 A JPS6074485 A JP S6074485A
- Authority
- JP
- Japan
- Prior art keywords
- mounting face
- semiconductor light
- stem
- outflow
- emitting device
- Prior art date
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- Pending
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- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L33/00—Semiconductor devices with at least one potential-jump barrier or surface barrier specially adapted for light emission; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof
- H01L33/48—Semiconductor devices with at least one potential-jump barrier or surface barrier specially adapted for light emission; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof characterised by the semiconductor body packages
- H01L33/62—Arrangements for conducting electric current to or from the semiconductor body, e.g. lead-frames, wire-bonds or solder balls
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- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
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- H01L33/48—Semiconductor devices with at least one potential-jump barrier or surface barrier specially adapted for light emission; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof characterised by the semiconductor body packages
- H01L33/58—Optical field-shaping elements
- H01L33/60—Reflective elements
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L2224/00—Indexing scheme for arrangements for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies and methods related thereto as covered by H01L24/00
- H01L2224/01—Means for bonding being attached to, or being formed on, the surface to be connected, e.g. chip-to-package, die-attach, "first-level" interconnects; Manufacturing methods related thereto
- H01L2224/42—Wire connectors; Manufacturing methods related thereto
- H01L2224/47—Structure, shape, material or disposition of the wire connectors after the connecting process
- H01L2224/48—Structure, shape, material or disposition of the wire connectors after the connecting process of an individual wire connector
- H01L2224/4805—Shape
- H01L2224/4809—Loop shape
- H01L2224/48091—Arched
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L2224/00—Indexing scheme for arrangements for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies and methods related thereto as covered by H01L24/00
- H01L2224/73—Means for bonding being of different types provided for in two or more of groups H01L2224/10, H01L2224/18, H01L2224/26, H01L2224/34, H01L2224/42, H01L2224/50, H01L2224/63, H01L2224/71
- H01L2224/732—Location after the connecting process
- H01L2224/73251—Location after the connecting process on different surfaces
- H01L2224/73265—Layer and wire connectors
Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
〔発明の技術分野〕
本発明は半導体発光装置に関する。
第１図は従来の半導体発光装置の構造を示すものである
。同図において、１は例えば鉄で形成されアノード電極
となるステムである。このステム１のマウント面２には
導電性接着層例えば半田層３によりＬＥＤ波レッし４の
アノード側が接着されている。ステム１には反射部５ａ
を有する反射部５が設けらノ１、この反射面５ａにより
上記Ｌ Ｅ Ｄ−ｐレット４が取り囲ｔ ｈでいる。反
射部５ａには光沢金めつきが施されでいる。ＬＥＤイレ
ット４のカソード側はｄ？ンｊ゛イングワイヤ６を介し
てスデｊ、 ｌを日前（〜て設りられだカソード１（１
、極７の一如、；音ｔ（ＩＩこ初経；さ］上でいる。こ
のカソード電極７とステム１とＶｌ、絶縁物例えばガラ
ス８により絶縁さノｌでいる１゜上言己半導体発光装置
においては、ｒ、 ｒ＞ １）−＜レット４にマウント
面２に接着する際、？Ｆ、 ｔ−＋１を３、５０ ℃以
上の高温に溶かして密着さ一勤る」、うになっている。
。同図において、１は例えば鉄で形成されアノード電極
となるステムである。このステム１のマウント面２には
導電性接着層例えば半田層３によりＬＥＤ波レッし４の
アノード側が接着されている。ステム１には反射部５ａ
を有する反射部５が設けらノ１、この反射面５ａにより
上記Ｌ Ｅ Ｄ−ｐレット４が取り囲ｔ ｈでいる。反
射部５ａには光沢金めつきが施されでいる。ＬＥＤイレ
ット４のカソード側はｄ？ンｊ゛イングワイヤ６を介し
てスデｊ、 ｌを日前（〜て設りられだカソード１（１
、極７の一如、；音ｔ（ＩＩこ初経；さ］上でいる。こ
のカソード電極７とステム１とＶｌ、絶縁物例えばガラ
ス８により絶縁さノｌでいる１゜上言己半導体発光装置
においては、ｒ、 ｒ＞ １）−＜レット４にマウント
面２に接着する際、？Ｆ、 ｔ−＋１を３、５０ ℃以
上の高温に溶かして密着さ一勤る」、うになっている。
しかしながら、従来、マウント面２ｖ、１平坦になって
おり、このマウント面２から直接反射面５ａが立上がっ
ているたり）、反射部５ａに高温の半田波−ストが這い
上がり、反射面５ａを汚してし才うことがあった。この
ため、反射部５ａの反射効率が低下、すなわち発光効率
が低ドするという欠点があった。
おり、このマウント面２から直接反射面５ａが立上がっ
ているたり）、反射部５ａに高温の半田波−ストが這い
上がり、反射面５ａを汚してし才うことがあった。この
ため、反射部５ａの反射効率が低下、すなわち発光効率
が低ドするという欠点があった。
本発明は上記実情に鑑みてなされたもので、その目的は
、半導体発光素子のマウント時に導電性接着層の材料の
反射面への流出を防止し、発光効率の向上した半導体発
光装置を提供することにある。
、半導体発光素子のマウント時に導電性接着層の材料の
反射面への流出を防止し、発光効率の向上した半導体発
光装置を提供することにある。
本発明は、ステムと、このステム上に設けられた導電性
接着層と、この導電性接着層上に設けられた半導体発光
素子と、この半導体発光素子の周辺を取シ囲む反射面を
有する反射体と、前記導電性接着層の材”杢が前記反射
面へ流出するのを防止する手段とを具備した半導体発光
装置であり、前記半導体発光素子のマウント時に高温で
液状になった導電性接着層の材料の反射面への流出を防
止するものである。
接着層と、この導電性接着層上に設けられた半導体発光
素子と、この半導体発光素子の周辺を取シ囲む反射面を
有する反射体と、前記導電性接着層の材”杢が前記反射
面へ流出するのを防止する手段とを具備した半導体発光
装置であり、前記半導体発光素子のマウント時に高温で
液状になった導電性接着層の材料の反射面への流出を防
止するものである。
以下、図面を参照して本発明の一実施例を説明する。第
２図において、１１ｉｌ−１′、例えば鉄で形成されア
ノード電極となるステムである。このステム１ノのマウ
ント面１２には導電性接着層例えば半田層１３によりＬ
ＥＤペレツ）・１４のアノード側が接着されている。ス
テム１１には反射面１５ａを有する反射部１５が設けら
れ、この反射面１５ａにより上記Ｌ Ｅ Ｉ）−４！レ
ツト１４が取り囲１れている。反射部１．５ ａには光
沢めっきが施されている。この反射部１５ａの［：端部
、すなわち反射部１５ａとマウント面１２との境界部に
は溝１６が設けられている。１ブて、ＬＥＤ−４’レツ
ト１４のカソード側はボンディングワイヤ１７を介して
ステム１）を貫通して設けられたカソード電極１８の一
端部に接続されている。このカソード電極１８とステム
１１とは絶縁物例えばガラス１９により絶縁されている
。
２図において、１１ｉｌ−１′、例えば鉄で形成されア
ノード電極となるステムである。このステム１ノのマウ
ント面１２には導電性接着層例えば半田層１３によりＬ
ＥＤペレツ）・１４のアノード側が接着されている。ス
テム１１には反射面１５ａを有する反射部１５が設けら
れ、この反射面１５ａにより上記Ｌ Ｅ Ｉ）−４！レ
ツト１４が取り囲１れている。反射部１．５ ａには光
沢めっきが施されている。この反射部１５ａの［：端部
、すなわち反射部１５ａとマウント面１２との境界部に
は溝１６が設けられている。１ブて、ＬＥＤ−４’レツ
ト１４のカソード側はボンディングワイヤ１７を介して
ステム１）を貫通して設けられたカソード電極１８の一
端部に接続されている。このカソード電極１８とステム
１１とは絶縁物例えばガラス１９により絶縁されている
。
上記構造の半導体発光装置においては、マウント面１２
の周部に溝１６が設けられているため、ＬＥＤペレット
１４の接着時、半日」を高温にして液状にしても、マウ
ント面１２から流出しようとする半田ペーストは溝１６
内に落下してしまい、反射面１５ａへの這い上ｐが阻止
される。このため、反射面１．５ ａは汚れることがな
く、反射効李の低下を防止できる。
の周部に溝１６が設けられているため、ＬＥＤペレット
１４の接着時、半日」を高温にして液状にしても、マウ
ント面１２から流出しようとする半田ペーストは溝１６
内に落下してしまい、反射面１５ａへの這い上ｐが阻止
される。このため、反射面１．５ ａは汚れることがな
く、反射効李の低下を防止できる。
上記実施例においては、半田ぜ−ストのマウント面１２
からの流出を阻止する手段として、マウント面１２と反
射部１５ａとの境界部に溝１６を設けるようにしたが、
これは例えば第３図又は第４図に示すような構成として
も同様の効果が得られるものである。第３図においては
、マウント面１２を持ち上げて、半田ペーストがマウン
ト面１２から流出しでも、反射面１５ａの有効な面に伺
着しないようにしたものである。
からの流出を阻止する手段として、マウント面１２と反
射部１５ａとの境界部に溝１６を設けるようにしたが、
これは例えば第３図又は第４図に示すような構成として
も同様の効果が得られるものである。第３図においては
、マウント面１２を持ち上げて、半田ペーストがマウン
ト面１２から流出しでも、反射面１５ａの有効な面に伺
着しないようにしたものである。
この場合、反射面１５ａの下端部Ａは、マウント面１２
が持ち上げられているため、ＬＥＤ−（レット１４から
直接光が当たることがなく、この部分に半田波−ストが
付着しても反射効率の低下を招くことはない。丑だ、第
４図においては、ＬＥＤ被レフレット１４シ囲むように
マウント面１２に側壁部２θを設けたもので、この側壁
部２０により半田ペーストの反射面１５ａへの流出を阻
止するものである。
が持ち上げられているため、ＬＥＤ−（レット１４から
直接光が当たることがなく、この部分に半田波−ストが
付着しても反射効率の低下を招くことはない。丑だ、第
４図においては、ＬＥＤ被レフレット１４シ囲むように
マウント面１２に側壁部２θを設けたもので、この側壁
部２０により半田ペーストの反射面１５ａへの流出を阻
止するものである。
尚、上記実施例においては、反射’ｆｔ１１１５がステ
ム１１内に設けられた構造について説明したが、これに
限定するものではなく、ステム７．１と反射体が別体で
ある構造でもよい。
ム１１内に設けられた構造について説明したが、これに
限定するものではなく、ステム７．１と反射体が別体で
ある構造でもよい。
以上のように本発明によれば、半２．−７体発元素子の
マウント時に導電性接着月利の反射部への流出を効果的
に防止することがでべろので、如光効率が著しく向上す
る。
マウント時に導電性接着月利の反射部への流出を効果的
に防止することがでべろので、如光効率が著しく向上す
る。
第１図は従来の半導体発光装置ｒ）゛の構成を示す断面
図、第２図は本発明の一実Ｍ１１例に係る半導体発光装
置の構成を示す断１１１目ンｊ、第３図及び第４図はそ
れぞれ本発明の他の実施例を示す要部断面図である。 １１・・ステム、１２・・マウント面、Ｉ３・）１′田
層、１４・・・Ｌ Ｅ Ｄ 波Ｌ／ノット１５・反射部
、１５ａ・・・反射面、１６・・溝、１７−ボンディン
グワイヤ、１８・・・カソード電極。
図、第２図は本発明の一実Ｍ１１例に係る半導体発光装
置の構成を示す断１１１目ンｊ、第３図及び第４図はそ
れぞれ本発明の他の実施例を示す要部断面図である。 １１・・ステム、１２・・マウント面、Ｉ３・）１′田
層、１４・・・Ｌ Ｅ Ｄ 波Ｌ／ノット１５・反射部
、１５ａ・・・反射面、１６・・溝、１７−ボンディン
グワイヤ、１８・・・カソード電極。
Claims (1)
- ステムと、とのステム上に設けられた導電性接着層と、
この導電性接着層上に設けられた半導体発光素子と、こ
の半導体発光素子の周辺を取シ囲む反射面を有する反射
体と、前記導電性接着層の材料が前記反射面へ流出する
のを防止する手段とを具備しプこことを特徴とする半導
体発光装置。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP58181280A JPS6074485A (ja) | 1983-09-29 | 1983-09-29 | 半導体発光装置 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP58181280A JPS6074485A (ja) | 1983-09-29 | 1983-09-29 | 半導体発光装置 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPS6074485A true JPS6074485A (ja) | 1985-04-26 |
Family
ID=16097927
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP58181280A Pending JPS6074485A (ja) | 1983-09-29 | 1983-09-29 | 半導体発光装置 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPS6074485A (ja) |
Cited By (6)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| WO2004082034A1 (ja) * | 2003-03-14 | 2004-09-23 | Sumitomo Electric Industries Ltd. | 半導体装置 |
| JP2007142479A (ja) * | 2003-03-14 | 2007-06-07 | Sumitomo Electric Ind Ltd | 半導体装置 |
| WO2007138695A1 (ja) * | 2006-05-31 | 2007-12-06 | Fujikura Ltd. | 発光素子実装用基板とその製造方法、発光素子モジュールとその製造方法、表示装置、照明装置及び交通信号機 |
| JP2009105343A (ja) * | 2007-10-25 | 2009-05-14 | Panasonic Electric Works Co Ltd | 発光装置 |
| US7866853B2 (en) | 2004-11-19 | 2011-01-11 | Fujikura Ltd. | Light-emitting element mounting substrate and manufacturing method thereof, light-emitting element module and manufacturing method thereof, display device, lighting device, and traffic light |
| CN103915392A (zh) * | 2013-01-09 | 2014-07-09 | 联京光电股份有限公司 | 基板、半导体结构以及其相关制造方法 |
-
1983
- 1983-09-29 JP JP58181280A patent/JPS6074485A/ja active Pending
Cited By (11)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| WO2004082034A1 (ja) * | 2003-03-14 | 2004-09-23 | Sumitomo Electric Industries Ltd. | 半導体装置 |
| JPWO2004082034A1 (ja) * | 2003-03-14 | 2006-06-15 | 住友電気工業株式会社 | 半導体装置 |
| JP2007142479A (ja) * | 2003-03-14 | 2007-06-07 | Sumitomo Electric Ind Ltd | 半導体装置 |
| US7335925B2 (en) | 2003-03-14 | 2008-02-26 | Sumitomo Electric Industries, Ltd. | Semiconductor device |
| US7420223B2 (en) | 2003-03-14 | 2008-09-02 | Sumitomo Electric Industries, Ltd. | Semiconductor device |
| US7504671B2 (en) | 2003-03-14 | 2009-03-17 | Sumitomo Electric Industries, Ltd. | Semiconductor device |
| KR101007164B1 (ko) * | 2003-03-14 | 2011-01-12 | 스미토모 덴키 고교 가부시키가이샤 | 반도체 장치 |
| US7866853B2 (en) | 2004-11-19 | 2011-01-11 | Fujikura Ltd. | Light-emitting element mounting substrate and manufacturing method thereof, light-emitting element module and manufacturing method thereof, display device, lighting device, and traffic light |
| WO2007138695A1 (ja) * | 2006-05-31 | 2007-12-06 | Fujikura Ltd. | 発光素子実装用基板とその製造方法、発光素子モジュールとその製造方法、表示装置、照明装置及び交通信号機 |
| JP2009105343A (ja) * | 2007-10-25 | 2009-05-14 | Panasonic Electric Works Co Ltd | 発光装置 |
| CN103915392A (zh) * | 2013-01-09 | 2014-07-09 | 联京光电股份有限公司 | 基板、半导体结构以及其相关制造方法 |
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