JPS607322B2 - 高誘電率磁器の製造方法 - Google Patents
高誘電率磁器の製造方法Info
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- JPS607322B2 JPS607322B2 JP51111395A JP11139576A JPS607322B2 JP S607322 B2 JPS607322 B2 JP S607322B2 JP 51111395 A JP51111395 A JP 51111395A JP 11139576 A JP11139576 A JP 11139576A JP S607322 B2 JPS607322 B2 JP S607322B2
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- Japan
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- dielectric constant
- weight
- manufacturing
- sample
- high dielectric
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- Ceramic Capacitors (AREA)
- Inorganic Insulating Materials (AREA)
- Compositions Of Oxide Ceramics (AREA)
Description
本発明は、高圧高容量コンデンサ、４・型高圧コンデン
サ等の誘電体材料に適用して好適な高誘電率磁器の製造
方法に係わる。 高圧コンデンサに使用する誘電体組成物としては誘電率
が高く、しかも直流バイアス下での誘電率の減少（以下
電圧特性と称する）が少し、ものが望ましい。 従来の高誘電率磁器組成物としては例えばＢａＴｉ０３
、ＢａＺｒ０３の組合せ等各種のものがあるが、之等は
電圧特性が悪く、また電圧特性を良好にすると誘電率の
低い組成分となり高圧コンデンサとしては不適格であっ
た。又、高圧コンデンサ用の誘電体組成物としてＳｒＴ
ｉ０３、ＦｂＴｉ０３、ＣａＴｉ０３、Ｂｊ２０３、Ｔ
ｉ０２等の合成原料を出発材料として製造した組成物が
提案され実用化されているが、之等の中には３．巡Ｖ／
肋直流バイアス時の誘電率（以下有効誘電率と称する）
が２０００を越える組成物は見当らない。本発明は、上
述の欠点を改善し直流バイアス下での譲亀率の減少が少
く、且つ有効誘電率が２０００を越えるような高誘電率
磁器の製造方法を提供するものである。 以下、本発明による高誘電率の製造方法を詳述する。 本発明者は、ＳｒＣ０３、Ｐｂｏ、ＣａＣ０３、Ｂｉ２
０３及びＴｉ０２等の生原料を出発材料として用い、之
等を適当な配合比をもって配合し、仮焼成「成形、焼結
等のセラミック製造工程を経ることによって電圧特性及
び誘電率が著しく向上し、有効譲露率２０００を越える
組成物が得られることを見出した。 別表に、出発材料としての生原料であるＳに０３「Ｐか
、ＣａＣ０３、Ｂｉ２０３及びＴｉ０２の各配合比（重
量％）を変えたときの各磁器組成物における譲霞率どｓ
、譲露体損失（ねｎ６）、電圧特性Ｋ８（％）及び有効
譲雷率を示す。 ここで、誘電率ごｓはＩＫＨＺにおける譲露率である。
誘電体損失はｉＫＨＺにおける誘電体損失をパーセント
で示す。電圧特性Ｋ８は雰バイアス下での誘電率を基準
とし直流バイアス３．歌Ｖ／柳下での誘電率の増減をパ
ーセントで示す。有効誘電率はどｓ（ｌｏｏ＋ＫＥ）の
計算値で示す。 またｔ別表では１〇〇ａＳｒＣ０３十ｂＰｂｏ十ｃＣａ
Ｃ０３十ｄＢｉ２０３十ｅＴテ０２→ａＳｒＴｉ０３
十 ｂＰｂＴｉ０３ 十 ｃＣａＴｉ０３ 十 ｑ（Ｂ
ｉ２０３１ｎＴｉ０２）但し ｎ＝ｅｌ（ａ守心 の反応を想定したときのＢｉ２０３１ｎＴｉ０２に相当
するｎの値を示す。 尚、各試料〔１〕〜〔１９〕は夫々配合比に応じた生原
料を秤量し通常のセラミック製造法に基づいて湿式混合
し脱水した粉体材料を仮成形し「８００００〜１０００
ｑ０、２〜３時間で仮焼成を施し、次いで再粉砕しバィ
ンダ添加（スラリー化）し、スプレードラィャ（造粒）
して成型圧小ｎ／のにて所定形状に加圧成形し、１１０
０ｏｏ〜１１８０ｏｏの空気雰囲気の炉内で１斑時間本
焼成を製造する。 各特性の測定に際しては「 このようにして製造した直
径１６柳、厚さ１．２側の円板状の誘電体の上下面に焼
きつけ温度８００℃で銀電極を被着したコンデンサとし
て構成したものを用いた。別表によれば、試料
サ等の誘電体材料に適用して好適な高誘電率磁器の製造
方法に係わる。 高圧コンデンサに使用する誘電体組成物としては誘電率
が高く、しかも直流バイアス下での誘電率の減少（以下
電圧特性と称する）が少し、ものが望ましい。 従来の高誘電率磁器組成物としては例えばＢａＴｉ０３
、ＢａＺｒ０３の組合せ等各種のものがあるが、之等は
電圧特性が悪く、また電圧特性を良好にすると誘電率の
低い組成分となり高圧コンデンサとしては不適格であっ
た。又、高圧コンデンサ用の誘電体組成物としてＳｒＴ
ｉ０３、ＦｂＴｉ０３、ＣａＴｉ０３、Ｂｊ２０３、Ｔ
ｉ０２等の合成原料を出発材料として製造した組成物が
提案され実用化されているが、之等の中には３．巡Ｖ／
肋直流バイアス時の誘電率（以下有効誘電率と称する）
が２０００を越える組成物は見当らない。本発明は、上
述の欠点を改善し直流バイアス下での譲亀率の減少が少
く、且つ有効誘電率が２０００を越えるような高誘電率
磁器の製造方法を提供するものである。 以下、本発明による高誘電率の製造方法を詳述する。 本発明者は、ＳｒＣ０３、Ｐｂｏ、ＣａＣ０３、Ｂｉ２
０３及びＴｉ０２等の生原料を出発材料として用い、之
等を適当な配合比をもって配合し、仮焼成「成形、焼結
等のセラミック製造工程を経ることによって電圧特性及
び誘電率が著しく向上し、有効譲露率２０００を越える
組成物が得られることを見出した。 別表に、出発材料としての生原料であるＳに０３「Ｐか
、ＣａＣ０３、Ｂｉ２０３及びＴｉ０２の各配合比（重
量％）を変えたときの各磁器組成物における譲霞率どｓ
、譲露体損失（ねｎ６）、電圧特性Ｋ８（％）及び有効
譲雷率を示す。 ここで、誘電率ごｓはＩＫＨＺにおける譲露率である。
誘電体損失はｉＫＨＺにおける誘電体損失をパーセント
で示す。電圧特性Ｋ８は雰バイアス下での誘電率を基準
とし直流バイアス３．歌Ｖ／柳下での誘電率の増減をパ
ーセントで示す。有効誘電率はどｓ（ｌｏｏ＋ＫＥ）の
計算値で示す。 またｔ別表では１〇〇ａＳｒＣ０３十ｂＰｂｏ十ｃＣａ
Ｃ０３十ｄＢｉ２０３十ｅＴテ０２→ａＳｒＴｉ０３
十 ｂＰｂＴｉ０３ 十 ｃＣａＴｉ０３ 十 ｑ（Ｂ
ｉ２０３１ｎＴｉ０２）但し ｎ＝ｅｌ（ａ守心 の反応を想定したときのＢｉ２０３１ｎＴｉ０２に相当
するｎの値を示す。 尚、各試料〔１〕〜〔１９〕は夫々配合比に応じた生原
料を秤量し通常のセラミック製造法に基づいて湿式混合
し脱水した粉体材料を仮成形し「８００００〜１０００
ｑ０、２〜３時間で仮焼成を施し、次いで再粉砕しバィ
ンダ添加（スラリー化）し、スプレードラィャ（造粒）
して成型圧小ｎ／のにて所定形状に加圧成形し、１１０
０ｏｏ〜１１８０ｏｏの空気雰囲気の炉内で１斑時間本
焼成を製造する。 各特性の測定に際しては「 このようにして製造した直
径１６柳、厚さ１．２側の円板状の誘電体の上下面に焼
きつけ温度８００℃で銀電極を被着したコンデンサとし
て構成したものを用いた。別表によれば、試料
〔９〕及
び〔１７〕を除く他の試料は全て有効誘電率が２０００
を越えている。 そして各組成の配合量については夫々次のような傾向が
みられる。例えばＳｒＣ０３の場合には配合比を増すと
電圧特性が良くなるも誘電率・ｓが下り（試料〔５〕参
照）、配合比を減少させると誘電率そｓが上昇するも電
圧特性が悪くなる（試料
び〔１７〕を除く他の試料は全て有効誘電率が２０００
を越えている。 そして各組成の配合量については夫々次のような傾向が
みられる。例えばＳｒＣ０３の場合には配合比を増すと
電圧特性が良くなるも誘電率・ｓが下り（試料〔５〕参
照）、配合比を減少させると誘電率そｓが上昇するも電
圧特性が悪くなる（試料
〔９〕参照）。したがってＳｒ
Ｃ０３の配合比は２０．６重量％以上で２９．箱重量％
以下の範囲がよい。ＣａＣ０３の場合は配合比を増すと
電圧特性が良くなるも誘電率どｓが下り（試料〔１３〕
参照）、配合比を減少させると誘電率ごｓが上昇するも
電圧特性が悪くなる（試料〔１０〕参照）。したがって
ＣａＣ０３の配合比は５．９重量％以上で１０。８重量
％以下の範囲がよい。 Ｐのの場合は配合比を増すと誘電率ｓｓが上昇するも電
圧特性は悪くなり（試料
Ｃ０３の配合比は２０．６重量％以上で２９．箱重量％
以下の範囲がよい。ＣａＣ０３の場合は配合比を増すと
電圧特性が良くなるも誘電率どｓが下り（試料〔１３〕
参照）、配合比を減少させると誘電率ごｓが上昇するも
電圧特性が悪くなる（試料〔１０〕参照）。したがって
ＣａＣ０３の配合比は５．９重量％以上で１０。８重量
％以下の範囲がよい。 Ｐのの場合は配合比を増すと誘電率ｓｓが上昇するも電
圧特性は悪くなり（試料
〔９〕参照）、配合比を減少さ
せると電圧特性が良くなるも誘電率そｓが下る（試料〔
６〕参照）。したがってＰｂ○の配合比は１２．母重量
％以上で２１。笹重量％以下の範囲がよい。Ｂｉ２０３
の場合は配合比を増すと譲霞率ごｓが上昇するも電圧特
性が悪くなり（試料〔１６〕参照）「配合比を減少させ
ると電圧特性が良くなるも誘電率多ｓが下がる（試料〔
１４〕参照）。したがってＢｉ２０３の配合比は６．館
重量％以上で１５。刀重量％の範囲がよい。Ｔｉ０２の
配合比はＢｉ２０３１ｎＴｉ０２に相当するｎの値が５
．８を越えると電圧特性が悪くなり（試料〔１９〕参照
）、２。１よりも低くなると誘電率ごｓが低下する（試
料〔１７〕参照）。 したがってＴｉ０２の配合比は３２．６重量％以上で３
７．４重量％以下の範囲がよい。本発明は、上述の結果
に基づいてＳｒＣ０３、Ｐか、ＣａＣ０３、Ｂｉ２０３
及びＴｉ０２等の生原料を出発材料として用い、各成分
を２９．塁重量％≧ＳｒＣ０３≧２０．亀重量％２１．
亀重量％≧Ｐｂｏ≧１２．母重量％１０．頚重量％≧Ｃ
ａＣ０３≧５．＄重量％１５．り重量％≧Ｂｊ２０３≧
６．笹重量％３７．４重量％≧Ｔｉ０２≧３２．錠重量
％但し、Ｔｉ０２のおちＢｉ２０３・ｎＴｉ０２に相当
するｎの値が、５．８２ｎＺ２．１の配合比にて配合し
焼成して高誘電率磁器を製造する方法を提案するもので
ある。 かくして得られた磁器組成物によれば、例えば３．雛Ｖ
／側の直流バイアス下での誘電率の減少が少なく且つそ
の有効誘電率が２０００を越えるものであり、さらに誘
電体損失等も改善される。
せると電圧特性が良くなるも誘電率そｓが下る（試料〔
６〕参照）。したがってＰｂ○の配合比は１２．母重量
％以上で２１。笹重量％以下の範囲がよい。Ｂｉ２０３
の場合は配合比を増すと譲霞率ごｓが上昇するも電圧特
性が悪くなり（試料〔１６〕参照）「配合比を減少させ
ると電圧特性が良くなるも誘電率多ｓが下がる（試料〔
１４〕参照）。したがってＢｉ２０３の配合比は６．館
重量％以上で１５。刀重量％の範囲がよい。Ｔｉ０２の
配合比はＢｉ２０３１ｎＴｉ０２に相当するｎの値が５
．８を越えると電圧特性が悪くなり（試料〔１９〕参照
）、２。１よりも低くなると誘電率ごｓが低下する（試
料〔１７〕参照）。 したがってＴｉ０２の配合比は３２．６重量％以上で３
７．４重量％以下の範囲がよい。本発明は、上述の結果
に基づいてＳｒＣ０３、Ｐか、ＣａＣ０３、Ｂｉ２０３
及びＴｉ０２等の生原料を出発材料として用い、各成分
を２９．塁重量％≧ＳｒＣ０３≧２０．亀重量％２１．
亀重量％≧Ｐｂｏ≧１２．母重量％１０．頚重量％≧Ｃ
ａＣ０３≧５．＄重量％１５．り重量％≧Ｂｊ２０３≧
６．笹重量％３７．４重量％≧Ｔｉ０２≧３２．錠重量
％但し、Ｔｉ０２のおちＢｉ２０３・ｎＴｉ０２に相当
するｎの値が、５．８２ｎＺ２．１の配合比にて配合し
焼成して高誘電率磁器を製造する方法を提案するもので
ある。 かくして得られた磁器組成物によれば、例えば３．雛Ｖ
／側の直流バイアス下での誘電率の減少が少なく且つそ
の有効誘電率が２０００を越えるものであり、さらに誘
電体損失等も改善される。
Claims (1)
- １ ＳｒＣＯ＿３、Ｐｂｏ、ＣａＣＯ＿３、Ｂｉ＿２Ｏ
＿３及びＴｉＯ＿２を出発材料として用い、各成分が２
９．８重量％≧ＳｒＣＯ＿３≧２０．６重量％２１．６
重量％≧Ｐｂｏ≧１２．６重量％１０．８重量％≧Ｃａ
ＣＯ＿３≧５．９重量％１５．７重量％≧Ｂｉ＿２Ｏ＿
３≧６．６重量％３７．４重量％≧ＴｉＯ＿２≧３２．
６重量％の配合比にて配合し、焼成する有効誘電率２０
００以上の高誘電率磁器の製造方法。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP51111395A JPS607322B2 (ja) | 1976-09-17 | 1976-09-17 | 高誘電率磁器の製造方法 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP51111395A JPS607322B2 (ja) | 1976-09-17 | 1976-09-17 | 高誘電率磁器の製造方法 |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPS5336698A JPS5336698A (en) | 1978-04-05 |
| JPS607322B2 true JPS607322B2 (ja) | 1985-02-23 |
Family
ID=14560058
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP51111395A Expired JPS607322B2 (ja) | 1976-09-17 | 1976-09-17 | 高誘電率磁器の製造方法 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPS607322B2 (ja) |
Families Citing this family (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS60189107A (ja) * | 1984-03-07 | 1985-09-26 | ティーディーケイ株式会社 | 磁器誘電体組成物 |
Citations (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS4952810A (ja) * | 1972-09-20 | 1974-05-22 |
-
1976
- 1976-09-17 JP JP51111395A patent/JPS607322B2/ja not_active Expired
Patent Citations (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS4952810A (ja) * | 1972-09-20 | 1974-05-22 |
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| JPS5336698A (en) | 1978-04-05 |
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