JPS6053435B2 - 高誘電率磁器誘電体組成物 - Google Patents
高誘電率磁器誘電体組成物Info
- Publication number
- JPS6053435B2 JPS6053435B2 JP57061942A JP6194282A JPS6053435B2 JP S6053435 B2 JPS6053435 B2 JP S6053435B2 JP 57061942 A JP57061942 A JP 57061942A JP 6194282 A JP6194282 A JP 6194282A JP S6053435 B2 JPS6053435 B2 JP S6053435B2
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- JP
- Japan
- Prior art keywords
- dielectric constant
- purity
- dielectric composition
- oxide
- composition
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- Expired
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- Compositions Of Oxide Ceramics (AREA)
- Ceramic Capacitors (AREA)
- Inorganic Insulating Materials (AREA)
Description
【発明の詳細な説明】
本発明は高誘電率磁器誘電体組成物に係り、特に高い
誘電率を確保しつつ、該誘電率の温度変化率を比較的小
さくした、積層コンデンサ用として好適な磁器誘電体組
成物に関するものである。
誘電率を確保しつつ、該誘電率の温度変化率を比較的小
さくした、積層コンデンサ用として好適な磁器誘電体組
成物に関するものである。
従来、平担な誘電率温度特性を有する磁器誘電体とし
ては、チタン酸バリウム(BaTiO。および酸化ビス
マス(B1。03)を主成分とし、これに酸化スズ(S
nO0)または酸化チタン(TIO0)あるいは酸化ジ
ルコニウム(ZrO2)を添加したものがあるが、何れ
も−30℃から+85℃の温度範囲において誘電率の温
度変化率を小さく、例えば±40%以内にしようとする
と、誘電率が低く、例えば4000以下となり、また誘
電率が4000以上のものではその誘電率の温度変化率
は上記温度範囲において大きくならざるを得なかつた。
ては、チタン酸バリウム(BaTiO。および酸化ビス
マス(B1。03)を主成分とし、これに酸化スズ(S
nO0)または酸化チタン(TIO0)あるいは酸化ジ
ルコニウム(ZrO2)を添加したものがあるが、何れ
も−30℃から+85℃の温度範囲において誘電率の温
度変化率を小さく、例えば±40%以内にしようとする
と、誘電率が低く、例えば4000以下となり、また誘
電率が4000以上のものではその誘電率の温度変化率
は上記温度範囲において大きくならざるを得なかつた。
一方、かかる問題を解消する磁器誘電体組成物として
、BaT1O。
、BaT1O。
及びBi。O。に、Nb。qと、CeO。またはレ。0
3とを加え、これによつて小さな誘電率温度変化率で、
しかも高い誘電率を達成しようとする試みが、特公昭5
5−2140四公報に明らかにされている。
3とを加え、これによつて小さな誘電率温度変化率で、
しかも高い誘電率を達成しようとする試みが、特公昭5
5−2140四公報に明らかにされている。
しカルながら、そのような組成物にあつては、該組成物
中に含まれるBi。qが、積層コンデンサを作る場合に
おいて、高い焼成温度が採用されると、蒸発せしめられ
、それによつて電極を傷める問題を生じ、それ故B1。
O。の如き成分を含む組成物は、積層コンデンサ用とし
ては不適当なものであつたのである。 本発明は、かか
る事情を背景にして為されたものであつて、その目的と
するところは、改善された誘電率温度変化特性を有し、
しかも高誘電率である。
中に含まれるBi。qが、積層コンデンサを作る場合に
おいて、高い焼成温度が採用されると、蒸発せしめられ
、それによつて電極を傷める問題を生じ、それ故B1。
O。の如き成分を含む組成物は、積層コンデンサ用とし
ては不適当なものであつたのである。 本発明は、かか
る事情を背景にして為されたものであつて、その目的と
するところは、改善された誘電率温度変化特性を有し、
しかも高誘電率である。
積層コンデンサ用として好適な磁器誘電体を提供するこ
とにある。 而して、本発明に係る高誘電率磁器誘電体
組成物は、純度99%以上の炭酸バリウム(BaCO3
)と純度が99%以上の酸化チタン(TIO0)から形
成される高純度のチタン酸バリウム(BaTiO3)が
95〜99%を占め、残部が0.05〜0.5%の酸化
コバルト(Coh0)と、0.5〜2%の酸化ニオブ(
Nb、O0)と、0.5%を越え、2%以下の酸化セリ
ウム(CeO、)と、1.5%までの酸化チタン(TI
O0)からなるものである(いずれも百分率は重量基準
である)。
とにある。 而して、本発明に係る高誘電率磁器誘電体
組成物は、純度99%以上の炭酸バリウム(BaCO3
)と純度が99%以上の酸化チタン(TIO0)から形
成される高純度のチタン酸バリウム(BaTiO3)が
95〜99%を占め、残部が0.05〜0.5%の酸化
コバルト(Coh0)と、0.5〜2%の酸化ニオブ(
Nb、O0)と、0.5%を越え、2%以下の酸化セリ
ウム(CeO、)と、1.5%までの酸化チタン(TI
O0)からなるものである(いずれも百分率は重量基準
である)。
かくの如き本発明に従う組成の磁器誘電体組成物によ
れば、高誘電率にして、その温度変化率の小さなものが
得られ、特に−30℃から+80℃の温度範囲内におい
て+25℃の誘電率を基準としたとき、その誘電率の温
度変化率が±40%以内で誘電率を4000以上に容易
に為し得、さらには6000以上の誘電率を有するもの
をも容易に得ることができるのである。また、かかる本
発明に従う、焼成して得られる磁器誘電体組成物にあつ
ては、Bi2O3,PbO等の蒸発成分を含有していな
いために、高温の焼成温度が採用されても電極を傷める
ようなことは全くなく、それ故積層コンデンサ用として
好適に用いられ得るものである。
れば、高誘電率にして、その温度変化率の小さなものが
得られ、特に−30℃から+80℃の温度範囲内におい
て+25℃の誘電率を基準としたとき、その誘電率の温
度変化率が±40%以内で誘電率を4000以上に容易
に為し得、さらには6000以上の誘電率を有するもの
をも容易に得ることができるのである。また、かかる本
発明に従う、焼成して得られる磁器誘電体組成物にあつ
ては、Bi2O3,PbO等の蒸発成分を含有していな
いために、高温の焼成温度が採用されても電極を傷める
ようなことは全くなく、それ故積層コンデンサ用として
好適に用いられ得るものである。
なお、本発明においては、先ず、高純度のBaTlO3
を95〜9踵量%、好ましくは96〜9踵量%の割合で
組成物中に配合せしめる必要があり、その配合割合が多
過ぎたり、少な過ぎたりすると、誘電率が著しく低下し
たり、誘電率の温度変化が著しくなる等の問題を生じる
。
を95〜9踵量%、好ましくは96〜9踵量%の割合で
組成物中に配合せしめる必要があり、その配合割合が多
過ぎたり、少な過ぎたりすると、誘電率が著しく低下し
たり、誘電率の温度変化が著しくなる等の問題を生じる
。
そして、この高純度のBaTlO3は、従来のBaTi
O3が97〜98%程度のBacO3と98〜99%程
度のTiO2を用いて形成されているのに対して、それ
ぞれ純度が99%以上、好ましくは99.5%以上の、
高度に精製されたBacO3とTiO2を用いて形成さ
れるものであつて、このような高純度の出発原料を用い
て初めて高純度のBaTiO3が得られるのである。ま
た、本発明に係る組成物を構成するCO2O3とNY:
)205は、何れも誘電率の温度変化率を平担化せしめ
る成分であり、CO2O3は0.05〜0.5%、好ま
しくは0.09〜0.4%;Nb2O5は0.5〜2%
、好ましくは0.9〜1.5%(いずれも重量基準)の
割合にて、配合せしめられる必要がある。なお、CO2
O3が、0.05%より少なくなると、誘電率の温度変
化率が大となり、0.5%より多くなると、誘電率が低
くなる。また、Nb2へが、0.5%より少ないときに
は焼結不良の問題が惹起され、他方2%より多いときに
は誘電率の温度変化率が大きくなる問題を生じる。更に
、本発明の組成物中のCeO2は焼成温度を低下せしめ
る効果があるが、その割合があまりにも少な過ぎたり、
またあまりにも多過ぎたりすると、誘電率の改善効果が
充分に達成され得なくなつたり、誘電率の温度変化率が
大となつたりする問題がある。
O3が97〜98%程度のBacO3と98〜99%程
度のTiO2を用いて形成されているのに対して、それ
ぞれ純度が99%以上、好ましくは99.5%以上の、
高度に精製されたBacO3とTiO2を用いて形成さ
れるものであつて、このような高純度の出発原料を用い
て初めて高純度のBaTiO3が得られるのである。ま
た、本発明に係る組成物を構成するCO2O3とNY:
)205は、何れも誘電率の温度変化率を平担化せしめ
る成分であり、CO2O3は0.05〜0.5%、好ま
しくは0.09〜0.4%;Nb2O5は0.5〜2%
、好ましくは0.9〜1.5%(いずれも重量基準)の
割合にて、配合せしめられる必要がある。なお、CO2
O3が、0.05%より少なくなると、誘電率の温度変
化率が大となり、0.5%より多くなると、誘電率が低
くなる。また、Nb2へが、0.5%より少ないときに
は焼結不良の問題が惹起され、他方2%より多いときに
は誘電率の温度変化率が大きくなる問題を生じる。更に
、本発明の組成物中のCeO2は焼成温度を低下せしめ
る効果があるが、その割合があまりにも少な過ぎたり、
またあまりにも多過ぎたりすると、誘電率の改善効果が
充分に達成され得なくなつたり、誘電率の温度変化率が
大となつたりする問題がある。
それ故、CeO2の割合は0.5%を越え、2重量%以
下、好ましくは0.50〜1.2踵量%とする必要があ
る。更にまた、TiO2は、CeO2と同様に焼成温度
の低下に寄与するものであるが、その割合が多過ぎると
誘電率を低下せしめたり、誘電損失(Tanδ)を大き
くするので、1.5重量%までの含有割合とする必要が
あり、なかでも0.2〜1.鍾量%の割合で含有せしめ
ることにより、その有効な効果が発揮される。
下、好ましくは0.50〜1.2踵量%とする必要があ
る。更にまた、TiO2は、CeO2と同様に焼成温度
の低下に寄与するものであるが、その割合が多過ぎると
誘電率を低下せしめたり、誘電損失(Tanδ)を大き
くするので、1.5重量%までの含有割合とする必要が
あり、なかでも0.2〜1.鍾量%の割合で含有せしめ
ることにより、その有効な効果が発揮される。
なお、このTiO2量は、前記高純度のBaTiO3の
形成に際して過剰のTiO2をBacO3と組み合わせ
ることによつて導入され得るものである他、必要な量の
TiO2を別途に組成物中に配合せしめることによつて
も導入せしめられ得るものである。このように、本発明
は、特定のBaTiO3と・CO2O2,Nb2O5,
CeO2,TiO2との所定割合で、磁器誘電体を構成
せしめることにより、前述した如き数々の優れた特徴を
発揮し得たのである。
形成に際して過剰のTiO2をBacO3と組み合わせ
ることによつて導入され得るものである他、必要な量の
TiO2を別途に組成物中に配合せしめることによつて
も導入せしめられ得るものである。このように、本発明
は、特定のBaTiO3と・CO2O2,Nb2O5,
CeO2,TiO2との所定割合で、磁器誘電体を構成
せしめることにより、前述した如き数々の優れた特徴を
発揮し得たのである。
以下に実施例を挙げ、本発明を更に具体的に明らかにす
るが、本発明がかかる実施例の記載によつて何等の制約
をも受けるものでないことは言うまでもないところであ
る。なお、実施例中の部及び百分率はすべて重量基準で
示されている。実施例第1表に示される配合割合となる
ように各成分・原料をボールミルにて均一に湿式混合せ
しめ、ついで900〜1000℃で3時間の間仮焼して
化学反応を行なわしめた後、再びボールミルにて平均粒
径が1ミクロン程度になるまで粉枠した。
るが、本発明がかかる実施例の記載によつて何等の制約
をも受けるものでないことは言うまでもないところであ
る。なお、実施例中の部及び百分率はすべて重量基準で
示されている。実施例第1表に示される配合割合となる
ように各成分・原料をボールミルにて均一に湿式混合せ
しめ、ついで900〜1000℃で3時間の間仮焼して
化学反応を行なわしめた後、再びボールミルにて平均粒
径が1ミクロン程度になるまで粉枠した。
なお、高純度BaTiO3成分を形成するために、純度
が99.5%のBacO3と純度が99.9%のTiO
2が用いられ、他の成分と共に、前記ボールミルにて湿
式混合せしめられた。ついで、この混合物を乾燥せしめ
た後、粘結剤としてポリビニルアルコールを適当量加え
、約1トン/Cltの圧力にて形成し、直径16rrL
/m1厚さ0.5m,/7nの円板状成形物を作製した
。
が99.5%のBacO3と純度が99.9%のTiO
2が用いられ、他の成分と共に、前記ボールミルにて湿
式混合せしめられた。ついで、この混合物を乾燥せしめ
た後、粘結剤としてポリビニルアルコールを適当量加え
、約1トン/Cltの圧力にて形成し、直径16rrL
/m1厚さ0.5m,/7nの円板状成形物を作製した
。
さらに、かくして得られた成形物に対して、約1350
〜1400℃の温度で、3時間の本焼成操作を施した後
、得られた焼成物についてその両面に銀電極を焼き付け
ることにより試料と為し、ついで30(1)時間、試料
厚さ1w!n当り10KV印加の寿命試験を行なつた後
、それぞれの電気的諸特性を測定してその結果を第2表
に示した。第1表及び第2表の結果より明らかなように
、本発明に従う組成の組成物は、いずれも高い、即ち4
000以上、さらには6000以上の誘電率(ε)を有
し、且つ小誘電損失(Tanδ)のものであると共に、
従来の原料組成物よりも温度に対する変化率の小さな特
性をも具備しているのである。
〜1400℃の温度で、3時間の本焼成操作を施した後
、得られた焼成物についてその両面に銀電極を焼き付け
ることにより試料と為し、ついで30(1)時間、試料
厚さ1w!n当り10KV印加の寿命試験を行なつた後
、それぞれの電気的諸特性を測定してその結果を第2表
に示した。第1表及び第2表の結果より明らかなように
、本発明に従う組成の組成物は、いずれも高い、即ち4
000以上、さらには6000以上の誘電率(ε)を有
し、且つ小誘電損失(Tanδ)のものであると共に、
従来の原料組成物よりも温度に対する変化率の小さな特
性をも具備しているのである。
Claims (1)
- 1 純度が99%以上の炭酸バリウム並びに純度が99
%以上の酸化チタンから形成される高純度のチタン酸バ
リウムが95〜99%を占め、残部が0.05〜0.5
%の酸化コバルトと、0.5〜2%の酸化ニオブと、0
.5%を越え、2%以下の酸化セリウムと、1.5%ま
での酸化チタンからなる高誘電率磁器誘電体組成物。
Priority Applications (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP57061942A JPS6053435B2 (ja) | 1982-04-14 | 1982-04-14 | 高誘電率磁器誘電体組成物 |
Applications Claiming Priority (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP57061942A JPS6053435B2 (ja) | 1982-04-14 | 1982-04-14 | 高誘電率磁器誘電体組成物 |
Publications (2)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
JPS58178904A JPS58178904A (ja) | 1983-10-20 |
JPS6053435B2 true JPS6053435B2 (ja) | 1985-11-26 |
Family
ID=13185741
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
JP57061942A Expired JPS6053435B2 (ja) | 1982-04-14 | 1982-04-14 | 高誘電率磁器誘電体組成物 |
Country Status (1)
Country | Link |
---|---|
JP (1) | JPS6053435B2 (ja) |
Families Citing this family (1)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JPS61275164A (ja) * | 1985-05-03 | 1986-12-05 | タム セラミツクス インコ−ポレイテツド | 誘電体セラミック組成物 |
Citations (3)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JPS5110814A (ja) * | 1974-07-11 | 1976-01-28 | Tdk Electronics Co Ltd | |
JPS5548406A (en) * | 1978-09-30 | 1980-04-07 | Nippon Steel Corp | Production of chrome plating steel sheet with excellent weldability |
JPS5548405A (en) * | 1978-10-04 | 1980-04-07 | Nippon Steel Corp | Rolling method of metallic plate |
-
1982
- 1982-04-14 JP JP57061942A patent/JPS6053435B2/ja not_active Expired
Patent Citations (3)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JPS5110814A (ja) * | 1974-07-11 | 1976-01-28 | Tdk Electronics Co Ltd | |
JPS5548406A (en) * | 1978-09-30 | 1980-04-07 | Nippon Steel Corp | Production of chrome plating steel sheet with excellent weldability |
JPS5548405A (en) * | 1978-10-04 | 1980-04-07 | Nippon Steel Corp | Rolling method of metallic plate |
Also Published As
Publication number | Publication date |
---|---|
JPS58178904A (ja) | 1983-10-20 |
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