JPS6072678A - 高速度ア−ク溶接法 - Google Patents
高速度ア−ク溶接法Info
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- JPS6072678A JPS6072678A JP17820283A JP17820283A JPS6072678A JP S6072678 A JPS6072678 A JP S6072678A JP 17820283 A JP17820283 A JP 17820283A JP 17820283 A JP17820283 A JP 17820283A JP S6072678 A JPS6072678 A JP S6072678A
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- welding
- arc
- wire
- diameter
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- B—PERFORMING OPERATIONS; TRANSPORTING
- B23—MACHINE TOOLS; METAL-WORKING NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
- B23K—SOLDERING OR UNSOLDERING; WELDING; CLADDING OR PLATING BY SOLDERING OR WELDING; CUTTING BY APPLYING HEAT LOCALLY, e.g. FLAME CUTTING; WORKING BY LASER BEAM
- B23K9/00—Arc welding or cutting
- B23K9/16—Arc welding or cutting making use of shielding gas
Landscapes
- Engineering & Computer Science (AREA)
- Physics & Mathematics (AREA)
- Plasma & Fusion (AREA)
- Mechanical Engineering (AREA)
- Arc Welding In General (AREA)
Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
(産業上の利用分野)
本発明は、従来よシも高電流なMIG溶接において、高
速度で、しかも深溶込みが得られ、融合不良、オーパラ
ツノ等欠陥発生のないビード形状を得るための高速度ア
ーク溶接法に助するものであ−る。
速度で、しかも深溶込みが得られ、融合不良、オーパラ
ツノ等欠陥発生のないビード形状を得るための高速度ア
ーク溶接法に助するものであ−る。
(従来技術および問題点)
従来、溶接能率および溶接部の靭性値の向上を主たる目
的として、多電極MIG溶接法が用いられているが、溶
接速度を増すと単位溶接長あたシの溶着量と溶込深さが
減少する。一方丈用上からは常に一定量の溶着iと溶込
み深さが要求されるので、高速溶接になるほど、溶接ワ
イヤの送給量を増して、溶接電流を増加させた高電流溶
接が必要となる。
的として、多電極MIG溶接法が用いられているが、溶
接速度を増すと単位溶接長あたシの溶着量と溶込深さが
減少する。一方丈用上からは常に一定量の溶着iと溶込
み深さが要求されるので、高速溶接になるほど、溶接ワ
イヤの送給量を増して、溶接電流を増加させた高電流溶
接が必要となる。
第1図は従来用いられている多′電極MIG溶接状況金
示す。図において、3は第1電極、4は第2電極であっ
て、給電チップ11,12、溶接ワイヤ1,2の外周か
らシールドガス10を流出し溶接ワイヤ1,2と母材5
間にアークを発生させ、その熱で溶4dを行なうもので
ある。このさい、高電流溶接では、強力なプラズマ気流
全件ない、これによってアーク直下の溶融金属6は、矢
印7の方向へ吹かれ、アーク熱の及ばない既に凝固した
ビード8の方へ急速に押しやられるため、母材5とのな
じみ性が悪化して、アンダーカットや、ハンピングビー
ドが発生する〇 またアーク直下の溶融金属の一部は90部分で急速に凝
固し、該急速凝固部9はアーク直下の溶融金属が極度に
減少するため、アーク直下には母材の固体面が露出する
。この固体面は冷却速度が速く溶融金属とのぬれ性が悪
いためビード底部に融合不良欠陥を発生させる。又溶込
みもビード底部が極めて幅狭く細長で、ビード上部も幅
が狭く凸状の形状となるために、熱間割れ、ビードの幅
不足、アンダーカットおよび不整ビード等の問題が生じ
る。 − このような問題を溶接手段の面から対処する目的で、例
えば特開昭54−71744号公報で、直流ガスシール
ドアーク溶接の高品質化および高能率化の一手段として
、第1電極に細径ワイヤ、第2電極に大径ワイヤを用い
た直流ガスシールドアーク溶接方法が提案されている。
示す。図において、3は第1電極、4は第2電極であっ
て、給電チップ11,12、溶接ワイヤ1,2の外周か
らシールドガス10を流出し溶接ワイヤ1,2と母材5
間にアークを発生させ、その熱で溶4dを行なうもので
ある。このさい、高電流溶接では、強力なプラズマ気流
全件ない、これによってアーク直下の溶融金属6は、矢
印7の方向へ吹かれ、アーク熱の及ばない既に凝固した
ビード8の方へ急速に押しやられるため、母材5とのな
じみ性が悪化して、アンダーカットや、ハンピングビー
ドが発生する〇 またアーク直下の溶融金属の一部は90部分で急速に凝
固し、該急速凝固部9はアーク直下の溶融金属が極度に
減少するため、アーク直下には母材の固体面が露出する
。この固体面は冷却速度が速く溶融金属とのぬれ性が悪
いためビード底部に融合不良欠陥を発生させる。又溶込
みもビード底部が極めて幅狭く細長で、ビード上部も幅
が狭く凸状の形状となるために、熱間割れ、ビードの幅
不足、アンダーカットおよび不整ビード等の問題が生じ
る。 − このような問題を溶接手段の面から対処する目的で、例
えば特開昭54−71744号公報で、直流ガスシール
ドアーク溶接の高品質化および高能率化の一手段として
、第1電極に細径ワイヤ、第2電極に大径ワイヤを用い
た直流ガスシールドアーク溶接方法が提案されている。
この方法は第1電極の細径MIG溶接で小電流の浅い溶
接部を形成し、第1電極の予熱を利用して、第2電極以
降の大電流MIG溶接法で大電流によシ十分な溶込み深
さを確保するものである。しかしなからこの方法では新
たな次の欠点が生じる。即ち第2電極以降に大電流MI
G溶接法を用いる関係上、大電流MIGでは磁気吹きに
よシアークが不安定にな)、それに伴なって溶接部に融
合不良等の各種の欠陥が生じる。
接部を形成し、第1電極の予熱を利用して、第2電極以
降の大電流MIG溶接法で大電流によシ十分な溶込み深
さを確保するものである。しかしなからこの方法では新
たな次の欠点が生じる。即ち第2電極以降に大電流MI
G溶接法を用いる関係上、大電流MIGでは磁気吹きに
よシアークが不安定にな)、それに伴なって溶接部に融
合不良等の各種の欠陥が生じる。
ナオ、この雛接法は太径ワイヤを用いてアークのピンチ
力の減少を図ったものであるか、アークの硬直性がなく
、このため極めて磁気吹きが起シやすくアークが偏回し
やすいという欠点を有する。
力の減少を図ったものであるか、アークの硬直性がなく
、このため極めて磁気吹きが起シやすくアークが偏回し
やすいという欠点を有する。
さらにまた、第1電極の予熱を利用するとともに大電流
で溶込を得ているために母材にあたえる溶接入熱が増大
する。このため溶接金属のSR脆化等の問題が生ずる。
で溶込を得ているために母材にあたえる溶接入熱が増大
する。このため溶接金属のSR脆化等の問題が生ずる。
一方このような太径ワイヤを用いない一般のMIG溶接
法では、比板的#I径ワイヤ(0,8〜2.OUφ)を
使用して小電流で溶接さiるため、単位時間あたシの溶
着金属量が少なくなるとともに、溶込み深さも浅く、さ
らにビード形状が不良で各種欠陥が生じやすい。
法では、比板的#I径ワイヤ(0,8〜2.OUφ)を
使用して小電流で溶接さiるため、単位時間あたシの溶
着金属量が少なくなるとともに、溶込み深さも浅く、さ
らにビード形状が不良で各種欠陥が生じやすい。
また、磁気吹きに対処するための溶接法として、交流ア
ークを用いた溶接が特開昭56−168968号公報お
よび特開昭56−168969号公報にょシ提柴されて
いるが、この方法では、磁気吹きは軽減されるが、ワイ
ヤの大径化によってソフトなアークにしているとともに
、コアードワイヤを使用しているためアークが広が勺、
溶込不足が生じゃすい。又太径ワイヤを用いているため
に、ワイヤの溶融量が少なく、大電流を用いているにも
がかわらす細径ワイヤを使用する通乾のMIG 躊接法
の場合と大差なく、高能率化は得られない。
ークを用いた溶接が特開昭56−168968号公報お
よび特開昭56−168969号公報にょシ提柴されて
いるが、この方法では、磁気吹きは軽減されるが、ワイ
ヤの大径化によってソフトなアークにしているとともに
、コアードワイヤを使用しているためアークが広が勺、
溶込不足が生じゃすい。又太径ワイヤを用いているため
に、ワイヤの溶融量が少なく、大電流を用いているにも
がかわらす細径ワイヤを使用する通乾のMIG 躊接法
の場合と大差なく、高能率化は得られない。
(発明の目的)
本発明は、上記したような従来法の不利、欠点をすべて
解消した為速度アーク溶接法を提供するものである。
解消した為速度アーク溶接法を提供するものである。
(発明の構成)
木兄F!Aは、Ar 、 He等の不活性ガスを主体と
するガスシールドアーク溶接法において、1個の送給モ
ーターで2本以上の溶接ワイキヲ送給可能な給電チップ
を具備した電極群を1組以上用いて、直径dが1.0〜
3.2間の溶接ワイヤに溶接電流I(4)が1000〜
2500 Aの範囲の高電流で溶接することを特徴とす
る高速度アーク溶接法を要旨とするものである。
するガスシールドアーク溶接法において、1個の送給モ
ーターで2本以上の溶接ワイキヲ送給可能な給電チップ
を具備した電極群を1組以上用いて、直径dが1.0〜
3.2間の溶接ワイヤに溶接電流I(4)が1000〜
2500 Aの範囲の高電流で溶接することを特徴とす
る高速度アーク溶接法を要旨とするものである。
次に本発明を図面に基づいて詳細に説明する。
記2図および第3図は、本発明の高速度アーク溶接法の
態様例を夫々示す説明図で、いずれも溶接部中央の溶接
線方向縦断面図を示す。まず第2図において3は電極、
1−1は第1溶接ワイヤ、1−2は第2溶接ワイヤ、1
0はシールドガス、11は給電チップであシ、溶接ワイ
ヤ1−1.1−2とも図示しない1個の送給モーターで
送給可能に構成されている。
態様例を夫々示す説明図で、いずれも溶接部中央の溶接
線方向縦断面図を示す。まず第2図において3は電極、
1−1は第1溶接ワイヤ、1−2は第2溶接ワイヤ、1
0はシールドガス、11は給電チップであシ、溶接ワイ
ヤ1−1.1−2とも図示しない1個の送給モーターで
送給可能に構成されている。
第1溶接ワイヤ1−1は、母材5の、ib下げを行ない
つつ、母材5の板厚方向への予熱効果が与られるが、第
1溶接ワイヤ1−1のアークによって生じた溶融金属6
′は矢印7の方向へ吹かれる。
つつ、母材5の板厚方向への予熱効果が与られるが、第
1溶接ワイヤ1−1のアークによって生じた溶融金属6
′は矢印7の方向へ吹かれる。
第2溶接ワイヤ1−2は、第1溶接ワイヤ1−1のアー
ク熱で形成された溶融池6′にアークを発生させ、同極
性の第1溶接ワイヤ1−1の電流による相互作用をうけ
て進行方向へ偏向して矢印7に示す溶融金ハの後方流に
対する反力を発生して第1#接ワイヤによって生ずる溶
融池6′が後方向へ吹かれるのを防ぐ。その結果、融合
不良のような溶接欠陥を発生することもなく良好な溶接
金h8を形成し、第1溶接ワイヤ1−1による溶造みを
さらに上地る済込みが得られる。
ク熱で形成された溶融池6′にアークを発生させ、同極
性の第1溶接ワイヤ1−1の電流による相互作用をうけ
て進行方向へ偏向して矢印7に示す溶融金ハの後方流に
対する反力を発生して第1#接ワイヤによって生ずる溶
融池6′が後方向へ吹かれるのを防ぐ。その結果、融合
不良のような溶接欠陥を発生することもなく良好な溶接
金h8を形成し、第1溶接ワイヤ1−1による溶造みを
さらに上地る済込みが得られる。
又、第2図の態様例に示す如く、センターシールドガス
ノズル13と、第1溶接ワイヤと第2溶接ワイヤの突出
し長さを1えたに翫チッグ金用いることによってさらに
前記効果の向上が期待される。卸チ、センターシールド
ガスノズル13から出たシールドガスと、チップの傾斜
によシ生ずる第1′I&嫉ワイヤ1−1と第1#接ワイ
ヤ1−2の電圧降下差でアーク長を変え、第1溶接ワイ
ヤl−1のアークによシ生じた浴融会輌6′が矢印7の
方向へ吠かれるのかおぢ・えられるので、溶融金拠6な
い良好な形状の溶接金属8が得られる。
ノズル13と、第1溶接ワイヤと第2溶接ワイヤの突出
し長さを1えたに翫チッグ金用いることによってさらに
前記効果の向上が期待される。卸チ、センターシールド
ガスノズル13から出たシールドガスと、チップの傾斜
によシ生ずる第1′I&嫉ワイヤ1−1と第1#接ワイ
ヤ1−2の電圧降下差でアーク長を変え、第1溶接ワイ
ヤl−1のアークによシ生じた浴融会輌6′が矢印7の
方向へ吠かれるのかおぢ・えられるので、溶融金拠6な
い良好な形状の溶接金属8が得られる。
なお、同一の給電チップとしているために、ワイヤ間隔
が近ずけられ装置がコンパクトになるという利点もある
。
が近ずけられ装置がコンパクトになるという利点もある
。
本発明は、かかる態様において、2本以上の溶接ワイヤ
の直径dを1.0〜3.2朋φとし、これを溶接電流と
して1000〜2500 Aの大電流を用いてスプレィ
アークの条件の下でワイヤを高速送給するものであって
、これによって高電流密度のアークの下でピンチ力で細
く絞られた硬いアーク特性を利用し、深溶造みを得るも
のである。かかるピンチ力によって硬直したアークは太
1tLiであっても大径ワイヤを使用した場合のような
磁気吹きが発生せず、安定したアーク形成によって溶造
不足のような溶接欠陥が発生しにくい。又高電流でしか
も電流密度を高くしたことによシ、ワイヤの溶融量が極
めて多い。そのため同−入熱でサブマージ・アーク溶接
した場合や、従来のMIG溶接した場合よシも溶着量が
多く、したがって極めて高能率な溶接となる。
の直径dを1.0〜3.2朋φとし、これを溶接電流と
して1000〜2500 Aの大電流を用いてスプレィ
アークの条件の下でワイヤを高速送給するものであって
、これによって高電流密度のアークの下でピンチ力で細
く絞られた硬いアーク特性を利用し、深溶造みを得るも
のである。かかるピンチ力によって硬直したアークは太
1tLiであっても大径ワイヤを使用した場合のような
磁気吹きが発生せず、安定したアーク形成によって溶造
不足のような溶接欠陥が発生しにくい。又高電流でしか
も電流密度を高くしたことによシ、ワイヤの溶融量が極
めて多い。そのため同−入熱でサブマージ・アーク溶接
した場合や、従来のMIG溶接した場合よシも溶着量が
多く、したがって極めて高能率な溶接となる。
ここで溶接ワイヤの直径dを1.0〜3.2朋φとした
のは、溶接ワイヤ径が3.2wφ超では、チップ尖端か
らワイヤの溶融尖端で発生する電気抵抗熱が、細径に比
べて格段に低く、溶着量の増大が期待できず、しかもア
ークの安定化に必要なピンチ力の増大を期待することが
できないと共にビード止端部凝固位置が溶接速度の高速
化に伴ない前進し、溶融池がビード後方に引張られるた
めアンダーカットや・・ンビングビード発生の原因とな
る。一方溶接ワイヤの直径dが1.0朋φ未満では、許
y最高電流値が低くなシワイヤの溶着量の増大がはかれ
なくなる。
のは、溶接ワイヤ径が3.2wφ超では、チップ尖端か
らワイヤの溶融尖端で発生する電気抵抗熱が、細径に比
べて格段に低く、溶着量の増大が期待できず、しかもア
ークの安定化に必要なピンチ力の増大を期待することが
できないと共にビード止端部凝固位置が溶接速度の高速
化に伴ない前進し、溶融池がビード後方に引張られるた
めアンダーカットや・・ンビングビード発生の原因とな
る。一方溶接ワイヤの直径dが1.0朋φ未満では、許
y最高電流値が低くなシワイヤの溶着量の増大がはかれ
なくなる。
溶接電流工(4)を1000〜2500 Aとしたのは
、■が250OA超では、過大なピンチ力によってアー
クの不安定現象がおき、パッカーリング現象を生じ、ビ
ード不歪、融合不良等の欠陥を生ずるからであシ、又I
が100OA未満では、十分な電流密度が得られず能率
低下をきたすと共に、十分なある。
、■が250OA超では、過大なピンチ力によってアー
クの不安定現象がおき、パッカーリング現象を生じ、ビ
ード不歪、融合不良等の欠陥を生ずるからであシ、又I
が100OA未満では、十分な電流密度が得られず能率
低下をきたすと共に、十分なある。
またこの場合特に第2図においてMl#接ワイヤ1−1
として細径ワイヤを第2溶接ワイヤ1−2として、太径
ワイヤと、夫々のワイヤ径を異なるようにすると第1溶
接ワイヤ1−1の高電流密度の細く絞られた硬いアーク
で深溶造みが得られると共に、溶融金属6′は矢印7の
方向へ吹かれるが、紀1溶接ワイヤ1−1に比べ大径の
ワイヤを第2溶接ワイヤに使用することによシ、電流密
度を低くシ、かつピンチ力を小さくしてアークの広がシ
で、矢印の方向へ吹かれる溶融金属がおさえられ、ビー
ド形状が良好なものとなる。
として細径ワイヤを第2溶接ワイヤ1−2として、太径
ワイヤと、夫々のワイヤ径を異なるようにすると第1溶
接ワイヤ1−1の高電流密度の細く絞られた硬いアーク
で深溶造みが得られると共に、溶融金属6′は矢印7の
方向へ吹かれるが、紀1溶接ワイヤ1−1に比べ大径の
ワイヤを第2溶接ワイヤに使用することによシ、電流密
度を低くシ、かつピンチ力を小さくしてアークの広がシ
で、矢印の方向へ吹かれる溶融金属がおさえられ、ビー
ド形状が良好なものとなる。
なお、ここでは、第1溶接ワイヤ1−1か細径である場
合について述べたか、第1溶接ワイヤ1−1に太径ワイ
ヤを使用すれば、溶造み渫さは、細径ワイヤを用いた場
合よシ少なくなるものの、溶造の先端がまるみをおひた
溶造で、広幅のビードが得られる。そのため、細径ワイ
ヤ、太径ワイヤをいずれの溶接ワイヤに用いるかは、十
分な深f:得るかの使用目的で選択すればよい。
合について述べたか、第1溶接ワイヤ1−1に太径ワイ
ヤを使用すれば、溶造み渫さは、細径ワイヤを用いた場
合よシ少なくなるものの、溶造の先端がまるみをおひた
溶造で、広幅のビードが得られる。そのため、細径ワイ
ヤ、太径ワイヤをいずれの溶接ワイヤに用いるかは、十
分な深f:得るかの使用目的で選択すればよい。
又ワイヤ径を変える代わ9にワイヤの送給速度の比率を
変更することも出来る。この場合、ワイヤ径が異なった
場合と同様の効果が得られることはもとよシ、溶接金属
の成分を調整することができる。望ましい送給比率は1
:0.5〜1.5である。
変更することも出来る。この場合、ワイヤ径が異なった
場合と同様の効果が得られることはもとよシ、溶接金属
の成分を調整することができる。望ましい送給比率は1
:0.5〜1.5である。
なおワイヤの径と送給比率の両者を同時に変更しうるの
は云うまでもない。
は云うまでもない。
また、本発明は、第3図に示すごとく2電極以上の多電
極両速度アーク溶接としても適用できることは勿論であ
るが、高電流密度のアークの下でピンチ力で細く絞られ
た硬いアークを利用しているため、従来の多′i極で問
題となっていた磁気吹き、それによる融合不良を、特別
な磁気吹き処理を要せず使用できると共に、アークの相
互干渉が少ないので各々の電極間、つまシ、第1電慢3
と第2電慢4の間を601m以内に近ずけることができ
る。
極両速度アーク溶接としても適用できることは勿論であ
るが、高電流密度のアークの下でピンチ力で細く絞られ
た硬いアークを利用しているため、従来の多′i極で問
題となっていた磁気吹き、それによる融合不良を、特別
な磁気吹き処理を要せず使用できると共に、アークの相
互干渉が少ないので各々の電極間、つまシ、第1電慢3
と第2電慢4の間を601m以内に近ずけることができ
る。
さらに、前記の図においては、溶接ワイヤを同一給電チ
ップを介して溶接進行方向に配列した態様例についての
み示したが、必ずしもこれにこだわるものではなく、例
えば開先幅が広い場合、溶接金属の幅を広げるなどを目
的とする場合には、図示しないが、溶接進行方向とほぼ
直角方向に2個以上のワイヤ送給孔を配した給電チップ
を具備する電極を必要に応じて各電極の内1個以上のい
ずれか又はすべてに使用することによって所期の目的を
達成することが出来る。
ップを介して溶接進行方向に配列した態様例についての
み示したが、必ずしもこれにこだわるものではなく、例
えば開先幅が広い場合、溶接金属の幅を広げるなどを目
的とする場合には、図示しないが、溶接進行方向とほぼ
直角方向に2個以上のワイヤ送給孔を配した給電チップ
を具備する電極を必要に応じて各電極の内1個以上のい
ずれか又はすべてに使用することによって所期の目的を
達成することが出来る。
次に本発明の効果を実施例によシさらに具体的に説明す
る。
る。
実施例1
供試材として60キロ級高張力鋼のHT60餉i+1゜
板厚32關材を第1表に示すような開先形状に加工し本
発明法の高速度アーク溶接法と従来のガスシールドアー
ク溶接法(MIG溶接)の両者を夫々3電極法によシ第
1表に示す条件で実施した。
板厚32關材を第1表に示すような開先形状に加工し本
発明法の高速度アーク溶接法と従来のガスシールドアー
ク溶接法(MIG溶接)の両者を夫々3電極法によシ第
1表に示す条件で実施した。
同表からも明らかな如く本発明の方法によれば、MIG
溶接法と比較して溶接速度、パス数の面で飛躍的に改善
されている。さらに溶造葉を見ても、本発明法の場合は
溶込みが深いので第1表に示すルートフェイス7 mm
を用いることができるが、従来のMIG溶接法の場合は
、溶込みおよび割れとの関連よシ第1表に示すルートフ
ェイス3 amまでしか使用できないために開先断面積
が広くなシ、したがって溶接能率も低下する。このよう
に細径ワイヤを同一給電チップよシ高速送給し、高電流
密度化で溶接することによシ、融合不良および初層割れ
のない溶接金属が高能率で得られた。
溶接法と比較して溶接速度、パス数の面で飛躍的に改善
されている。さらに溶造葉を見ても、本発明法の場合は
溶込みが深いので第1表に示すルートフェイス7 mm
を用いることができるが、従来のMIG溶接法の場合は
、溶込みおよび割れとの関連よシ第1表に示すルートフ
ェイス3 amまでしか使用できないために開先断面積
が広くなシ、したがって溶接能率も低下する。このよう
に細径ワイヤを同一給電チップよシ高速送給し、高電流
密度化で溶接することによシ、融合不良および初層割れ
のない溶接金属が高能率で得られた。
実施例2
供試材として、X−658、鋼管外径1020m102
Oインチ)、内厚32′1nm#を仮付溶接後、本発明
法とSAW溶接法の両者を夫々2電極法によシ第2表に
示す溶接条件で実施した。
Oインチ)、内厚32′1nm#を仮付溶接後、本発明
法とSAW溶接法の両者を夫々2電極法によシ第2表に
示す溶接条件で実施した。
本発明の方法によれば、同表からも明らかな如(SAW
溶接法に比較してi+ス斂が大幅に少なく、溶接速度も
大となる、など能率面で飛躍的に改善されている。ざら
に、本発明は深溶造み溶接であるためルートフェースが
大−きくでき、従って開先断面積が小さくできること、
またワイヤの溶融量が低入熱でも極めて多いこと、その
結果として)fス数が低減できること、など多くの利点
があるとともに、2本の溶接ワイヤで1つの溶融池を形
成するので、異種ワイヤを用いることによ多成分コント
ロールができ、良好な靭性がたやすく得られる。またル
ートフェースを7 mmと大すくシても初層割れは認め
られなかった。
溶接法に比較してi+ス斂が大幅に少なく、溶接速度も
大となる、など能率面で飛躍的に改善されている。ざら
に、本発明は深溶造み溶接であるためルートフェースが
大−きくでき、従って開先断面積が小さくできること、
またワイヤの溶融量が低入熱でも極めて多いこと、その
結果として)fス数が低減できること、など多くの利点
があるとともに、2本の溶接ワイヤで1つの溶融池を形
成するので、異種ワイヤを用いることによ多成分コント
ロールができ、良好な靭性がたやすく得られる。またル
ートフェースを7 mmと大すくシても初層割れは認め
られなかった。
実施例3
供試材として低温用鋼の2.5Ni銅、32mm材を用
いて本発明法と、SAW法の両者を夫々2電極法によシ
第3表に示す溶接条件で実施した。同表からも明らかな
如く本発明方法によれば、SAWに比べ溶接速度が速く
、パス数が大幅に少なく、能率面で飛躍的に改善されて
いる。さらに本発明は、ワイヤ径、および送給比率を変
更できるために、初層部でのナゲツト形状の改善と溶接
金属の成分調整ができること、さらに、ビード形状が極
めて良好なものが得られるので開先断面積を少さくでき
るとともに深溶造みが得られるためルートフェースが大
きくとれる。また溶接入熱が低入熱でもワイヤ溶融量が
極めて多く、その結果、溶接暦数が低減できる。
いて本発明法と、SAW法の両者を夫々2電極法によシ
第3表に示す溶接条件で実施した。同表からも明らかな
如く本発明方法によれば、SAWに比べ溶接速度が速く
、パス数が大幅に少なく、能率面で飛躍的に改善されて
いる。さらに本発明は、ワイヤ径、および送給比率を変
更できるために、初層部でのナゲツト形状の改善と溶接
金属の成分調整ができること、さらに、ビード形状が極
めて良好なものが得られるので開先断面積を少さくでき
るとともに深溶造みが得られるためルートフェースが大
きくとれる。また溶接入熱が低入熱でもワイヤ溶融量が
極めて多く、その結果、溶接暦数が低減できる。
このように、ワイヤ径、および送給比率を変更すること
によシ、初層割れがなく健全で且つ均一美麗な外観を有
する溶接金属が高能率で得られた。
によシ、初層割れがなく健全で且つ均一美麗な外観を有
する溶接金属が高能率で得られた。
4.117kJの簡単な脱力
第1囚は、従来のガスシールドアーク溶接法の溶接状態
の説明図、第2図および第3図は、本発明の高速度アー
ク溶接法の態様例を夫々示す説明図、第4図およびあ5
図は実施例に用いられた溶接胸先の寸法形状を示す模式
図である・1.2・・・溶接ワイヤ、1−1.2−1・
・・第1浴接ワイヤ、1−2.2〜2・・・第2溶接ワ
イヤ、3゜4・・・電極、5・・・母材、6・・・溶融
金属、6′・・・溶融池、7・・・アークによシ溶融金
属が受ける力の方向、8・・・溶接金属、9・・急速に
同郡、10・・インナーシールドガス、11,12・・
・為電チップ、13・・・センターシールドガスノズル
。
の説明図、第2図および第3図は、本発明の高速度アー
ク溶接法の態様例を夫々示す説明図、第4図およびあ5
図は実施例に用いられた溶接胸先の寸法形状を示す模式
図である・1.2・・・溶接ワイヤ、1−1.2−1・
・・第1浴接ワイヤ、1−2.2〜2・・・第2溶接ワ
イヤ、3゜4・・・電極、5・・・母材、6・・・溶融
金属、6′・・・溶融池、7・・・アークによシ溶融金
属が受ける力の方向、8・・・溶接金属、9・・急速に
同郡、10・・インナーシールドガス、11,12・・
・為電チップ、13・・・センターシールドガスノズル
。
Claims (3)
- (1) Ar 、 He等の不活性ガスを主体とするガ
スシールドアーク溶接法において、1個の送給モーター
で2本以上の溶接ワイヤを送給可能な給電チッfを具備
した電極群を1組以上用いて、直径dが1.0〜3.2
vrmの溶接ワイヤに溶接電流工(蜀が1000〜2
500Aの範囲の高電流で溶接することを特徴とする高
速度アーク溶接法。 - (2) 溶接ワイヤ径が異なることを特徴とする特許請
求の範囲第1項記載の高速度アーク溶接法。 - (3) 溶接ワイヤの送給比率金町変とすることを特徴
とする特許請求の範囲第1項又は第2項記載の高速度ア
ーク溶接法。
Priority Applications (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP17820283A JPS6072678A (ja) | 1983-09-28 | 1983-09-28 | 高速度ア−ク溶接法 |
Applications Claiming Priority (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP17820283A JPS6072678A (ja) | 1983-09-28 | 1983-09-28 | 高速度ア−ク溶接法 |
Publications (2)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
JPS6072678A true JPS6072678A (ja) | 1985-04-24 |
JPH0221911B2 JPH0221911B2 (ja) | 1990-05-16 |
Family
ID=16044357
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
JP17820283A Granted JPS6072678A (ja) | 1983-09-28 | 1983-09-28 | 高速度ア−ク溶接法 |
Country Status (1)
Country | Link |
---|---|
JP (1) | JPS6072678A (ja) |
Cited By (10)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
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-
1983
- 1983-09-28 JP JP17820283A patent/JPS6072678A/ja active Granted
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Also Published As
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---|---|
JPH0221911B2 (ja) | 1990-05-16 |
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