JPS6070689A - 電波シ−ル装置 - Google Patents
電波シ−ル装置Info
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- JPS6070689A JPS6070689A JP17730983A JP17730983A JPS6070689A JP S6070689 A JPS6070689 A JP S6070689A JP 17730983 A JP17730983 A JP 17730983A JP 17730983 A JP17730983 A JP 17730983A JP S6070689 A JPS6070689 A JP S6070689A
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- JP
- Japan
- Prior art keywords
- groove
- characteristic impedance
- radio wave
- opening
- depth
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Granted
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- Constitution Of High-Frequency Heating (AREA)
- Shielding Devices Or Components To Electric Or Magnetic Fields (AREA)
Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
産業上の利用分野
この発明は、高周波電波を遮蔽する電波シール装置に関
するものである。
するものである。
従来例の構成とその問題点
従来、この種の電波シール装置として、たとえば高周波
九より調理物を誘電加熱して調理する電子レンジを例に
挙げて説明する。電子レンジは調理物を収納して高周波
加熱する加熱庫と、この加熱庫の調理物出入用の開口部
を開閉自在に覆う扉とを備えだものであるが、調理物の
出入時に扉を開ける際、加熱庫内の高周波電磁波が庫外
へ漏洩して人体に弊寿を及はさないように電波シール対
策が施されている。
九より調理物を誘電加熱して調理する電子レンジを例に
挙げて説明する。電子レンジは調理物を収納して高周波
加熱する加熱庫と、この加熱庫の調理物出入用の開口部
を開閉自在に覆う扉とを備えだものであるが、調理物の
出入時に扉を開ける際、加熱庫内の高周波電磁波が庫外
へ漏洩して人体に弊寿を及はさないように電波シール対
策が施されている。
従来の一例として米国特許第3・182,164号を第
1図に示す。第1図において、1は電子レンジの加熱庫
であり、この加熱庫1の開口部2を開閉自在に覆う取手
3を有する扉4が設けられている。この扉4の周縁部に
は加熱庫1側に向いて開口した隙間部6を有する空胴の
チョーク部6が形成されている。このチョーク部6の奥
行7は、使用される高周波の波長の実質的に4分の1に
設計されている。この場島扉4の厚みも4分の1波長で
ある。すなわち従来電子レンジで使用されている電磁波
の周波数は245L)MHzであるので、4分の1波長
は約30fiとなる。この長さのチョーク部6と・対向
させるために、加熱庫1の開口部2に形成した周縁部8
の厚さ9は4分の1波長より大きい値となる。したかっ
て加熱庫1の開口部2の有効大きさは周縁部80分だけ
ひとまわり小さい。
1図に示す。第1図において、1は電子レンジの加熱庫
であり、この加熱庫1の開口部2を開閉自在に覆う取手
3を有する扉4が設けられている。この扉4の周縁部に
は加熱庫1側に向いて開口した隙間部6を有する空胴の
チョーク部6が形成されている。このチョーク部6の奥
行7は、使用される高周波の波長の実質的に4分の1に
設計されている。この場島扉4の厚みも4分の1波長で
ある。すなわち従来電子レンジで使用されている電磁波
の周波数は245L)MHzであるので、4分の1波長
は約30fiとなる。この長さのチョーク部6と・対向
させるために、加熱庫1の開口部2に形成した周縁部8
の厚さ9は4分の1波長より大きい値となる。したかっ
て加熱庫1の開口部2の有効大きさは周縁部80分だけ
ひとまわり小さい。
次に従来の曲の一例として、米国特許第2・600・6
76 号を第2図a、bに示す。この例も電子レンジの
溝成を示したものであり、マグネトロン10の発振によ
って得だ高周波を加熱庫11に供給し、調理物12を電
磁誘導により加熱調理するものである。この加熱庫11
の開口部13にはこの開口部13を開閉自在に覆う扉1
4が設けられている。
76 号を第2図a、bに示す。この例も電子レンジの
溝成を示したものであり、マグネトロン10の発振によ
って得だ高周波を加熱庫11に供給し、調理物12を電
磁誘導により加熱調理するものである。この加熱庫11
の開口部13にはこの開口部13を開閉自在に覆う扉1
4が設けられている。
この扉14の周縁部にも溝状のチョーク部15が形成さ
れ、高周波が外部へ漏洩するのをこのチョーク部15で
防いでいる。このチョーク部15の深さ16もやはり使
用周波数の4分の1波長で設計されている。このため開
口部13の有効大きさは第1図同様、加熱庫11よりも
ひとまわり小さい。
れ、高周波が外部へ漏洩するのをこのチョーク部15で
防いでいる。このチョーク部15の深さ16もやはり使
用周波数の4分の1波長で設計されている。このため開
口部13の有効大きさは第1図同様、加熱庫11よりも
ひとまわり小さい。
上述のとおり従来のチョーク部は4分の1波長の深さと
して高周波を減衰させるという技術思想に基づいている
。
して高周波を減衰させるという技術思想に基づいている
。
すなわち、チョーク部の特性インピーダンスをZo、深
さをLとし、終端部を短絡したときにチョーク部開口部
でのインピーダンスZINは、2πL ZIN=iZotan(、、) (λ0は自由空間波長) となる。
さをLとし、終端部を短絡したときにチョーク部開口部
でのインピーダンスZINは、2πL ZIN=iZotan(、、) (λ0は自由空間波長) となる。
チョーク部内の電波減衰手段は、チョーク部の深さLを
4分の1波長に選定することにより、1ZINl=Zo
tan(2)=” を達成するという原理に基づいている。
4分の1波長に選定することにより、1ZINl=Zo
tan(2)=” を達成するという原理に基づいている。
もし、チョーク部内に誘電体(比誘電率εr)を充填す
ると、電波の波長λ′は、 λl−λ0/φコ に圧縮される。この場合チョーク部の深さL′は、L′
ミI、/V’□ と短くなる。しかしながらL/ =λ′/4とすること
に変りはなく、チョーク方式においては、深さを実質的
に4分の1波長の奇数倍に限定され、そのチョーク部に
よりシール効果のある周波数は基本周波の奇数倍に限ら
れていた。従って、例えば基本周波と2倍周波の電波シ
ールを行う場合、別々にチョーク部を設けなければなら
ず、製造上、手間とコストがかかるものであった・ 以下、従来例の原理を理論的に説明する・チョーク方式
は周知の4分の1波長インピーダンス変換原理にもとづ
くものである。即ち、チョーク溝の特性インピーダンス
をZoc・溝の深さをloとし、加熱室からチョーク溝
に至る漏波路1の特性インピーダンスをZop +漏波
路17の長さをE 使用波長をλとしたときに、第3図
の如くチヨーク溝18の底Cの短絡インピーダンス(Z
c=0)はチョーク溝1日の開孔部Bで ZB=jZoctan譬1゜となる。19は電子レンジ
の加熱室、20はドアである。ここで10=4と選ぶこ
とによりHzBl=(1)と交換できる。この開孔部B
のインピーダンスZBを巌路始点A部でみたときのイン
ピーダンスZAは と選ぶことによりl ZAl =L)と変換できる・チ
ョーク溝18の底部Cでの短絡状態が4分の1波長イン
ピーダンス変換原理をたくみに利用することで、−終始
点に現出することにより電波シール装置として実用化し
ているものである。
ると、電波の波長λ′は、 λl−λ0/φコ に圧縮される。この場合チョーク部の深さL′は、L′
ミI、/V’□ と短くなる。しかしながらL/ =λ′/4とすること
に変りはなく、チョーク方式においては、深さを実質的
に4分の1波長の奇数倍に限定され、そのチョーク部に
よりシール効果のある周波数は基本周波の奇数倍に限ら
れていた。従って、例えば基本周波と2倍周波の電波シ
ールを行う場合、別々にチョーク部を設けなければなら
ず、製造上、手間とコストがかかるものであった・ 以下、従来例の原理を理論的に説明する・チョーク方式
は周知の4分の1波長インピーダンス変換原理にもとづ
くものである。即ち、チョーク溝の特性インピーダンス
をZoc・溝の深さをloとし、加熱室からチョーク溝
に至る漏波路1の特性インピーダンスをZop +漏波
路17の長さをE 使用波長をλとしたときに、第3図
の如くチヨーク溝18の底Cの短絡インピーダンス(Z
c=0)はチョーク溝1日の開孔部Bで ZB=jZoctan譬1゜となる。19は電子レンジ
の加熱室、20はドアである。ここで10=4と選ぶこ
とによりHzBl=(1)と交換できる。この開孔部B
のインピーダンスZBを巌路始点A部でみたときのイン
ピーダンスZAは と選ぶことによりl ZAl =L)と変換できる・チ
ョーク溝18の底部Cでの短絡状態が4分の1波長イン
ピーダンス変換原理をたくみに利用することで、−終始
点に現出することにより電波シール装置として実用化し
ているものである。
漏波路17やチョーク溝18に誘電率ε、の誘電体を装
荷することにより波長λ′は自由空間波長λのλ/Jt
″になるが、4分の1波長(λ′/4)インピーダンス
原理を用いることにより同様の効果を得られる。
荷することにより波長λ′は自由空間波長λのλ/Jt
″になるが、4分の1波長(λ′/4)インピーダンス
原理を用いることにより同様の効果を得られる。
発明の目的
この発明は、任意の2種類の電波を一つの構造でシール
でき、かつ簡単な構成の電波シール装置をづ是供するも
のである。
でき、かつ簡単な構成の電波シール装置をづ是供するも
のである。
発明の構成
この発明は、新しいインピーダンス変換原理を用いた電
波シールであり、漏波路と溝のそれぞれが特性インピー
ダンス不連続構成をとることにより、任意の2種類の周
波数を電波シールを可能にしたものである。
波シールであり、漏波路と溝のそれぞれが特性インピー
ダンス不連続構成をとることにより、任意の2種類の周
波数を電波シールを可能にしたものである。
実施例の説明
本発明はたとえば電子レンジの本体又は扉の少くとも一
方に溝を少くとも1つ設け、この溝の形状は短絡部側の
特性インピーダンスを開孔部側のそれと異なるように構
成しである点に特徴を有する。
方に溝を少くとも1つ設け、この溝の形状は短絡部側の
特性インピーダンスを開孔部側のそれと異なるように構
成しである点に特徴を有する。
任意の2種類の周波数電波の漏洩防止の基本的考え方と
しては、以下のとおりである。
しては、以下のとおりである。
溝開孔部の特性インピーダンス、長さ1位相定数をZo
l、711.β1 とする。溝短絡部の特性インピーダ
ンス、長さ1位相定数をZO7+I!□、β2とする溝
の開化端から短絡端までの距離(溝の深さ)を#(to
tal)とするとA (total )=j11 +1
2となる。
l、711.β1 とする。溝短絡部の特性インピーダ
ンス、長さ1位相定数をZO7+I!□、β2とする溝
の開化端から短絡端までの距離(溝の深さ)を#(to
tal)とするとA (total )=j11 +1
2となる。
上記条件で溝の開孔端のインピーダンスZは、(但し1
(二Z O2/Z o 1 )となることは、簡単な計
算で導出できる。
(二Z O2/Z o 1 )となることは、簡単な計
算で導出できる。
従来例ではZo2−Zol、β1−β2(即ちに−1)
に相当するものである。従ってそのインピーダンスZ′
は1式より =Zo1tan(β1711+β212)=Zo1 t
an(β1・6 total)・・・・・・(9) となり、7Itotalを4とすることでインピーダン
ス反転していた。
に相当するものである。従ってそのインピーダンスZ′
は1式より =Zo1tan(β1711+β212)=Zo1 t
an(β1・6 total)・・・・・・(9) となり、7Itotalを4とすることでインピーダン
ス反転していた。
一方本発明の構成によれば構成要注より、特性インピー
ダンスがZo2 f Zolであり、1式において特性
インピーダンスの比にの直は1ではない。
ダンスがZo2 f Zolであり、1式において特性
インピーダンスの比にの直は1ではない。
インピーダンスZを無限大にするためには1式の分母が
零になればよいので1=Ktanβ1711・tanβ
7’2を満たせばよい。
零になればよいので1=Ktanβ1711・tanβ
7’2を満たせばよい。
本発明は電波シールの分野で歴史的に用いられていだλ
/4線路ではない線路でインピーダンス反転を実測する
ものである。この原理を理解しやすくするために解析結
果の一部を第4図a * b * Cに示す。第4図は
A端を励振源とし、D端を開放した伝送路の1部に、先
端Cか短絡された開孔Bを有する溝を設けている。溝は
開孔側より短絡側の溝幅を2倍にしている。A点を同一
条件で励振し、溝の深さ6T を変比させたとき伝送路
内の電界は第4図& r b r Cのように変比し、
D端に電波がとどかないのは第4図すの場合、すなわち
溝の深さlTが4分の1波長の約80%のとき(λ/4
未満緋路9であり、それよりも長くても短くても(第4
図a+Cの場合)、第4図すにくらべて電波がよく洩れ
る。これはり=p2□IT/2=爾、 K=h、/b、
=2を 1.Ktanβ11・tanβe2に代入する
ことで確認できよう。
/4線路ではない線路でインピーダンス反転を実測する
ものである。この原理を理解しやすくするために解析結
果の一部を第4図a * b * Cに示す。第4図は
A端を励振源とし、D端を開放した伝送路の1部に、先
端Cか短絡された開孔Bを有する溝を設けている。溝は
開孔側より短絡側の溝幅を2倍にしている。A点を同一
条件で励振し、溝の深さ6T を変比させたとき伝送路
内の電界は第4図& r b r Cのように変比し、
D端に電波がとどかないのは第4図すの場合、すなわち
溝の深さlTが4分の1波長の約80%のとき(λ/4
未満緋路9であり、それよりも長くても短くても(第4
図a+Cの場合)、第4図すにくらべて電波がよく洩れ
る。これはり=p2□IT/2=爾、 K=h、/b、
=2を 1.Ktanβ11・tanβe2に代入する
ことで確認できよう。
今、周波数量 と周波数f のX倍(χ凶)の244類
の電波シールを考える。周波数f の電波の波長をλ0
とするとその1倍の周波数の電波の波長λ0 は−である。
の電波シールを考える。周波数f の電波の波長をλ0
とするとその1倍の周波数の電波の波長λ0 は−である。
1=Ktanβl 0tanβ2’2
′11
を供に満たすためには
2π 2π
1 =KtanT♂h4an 、、 j12 −”’(
3)2π 2π 1 =Ktan 蔦114an買12 −・・’(4)
X ’X の両式を満たすJ1=J2及びKをめればよい。
3)2π 2π 1 =Ktan 蔦114an買12 −・・’(4)
X ’X の両式を満たすJ1=J2及びKをめればよい。
l 1−62 とすると(3)、4)式は次のようにな
る。
る。
22π
1 =Ktan (、,41) −・=(5)22π
にKtan(Tンh) ・・則(6)
この両式を満たすための解の−っが、
λ0
7+1−2(t+1) ・・・・・・(7)K −−1
/ jan’ ” ”1 、、、 、、、(B)ス0 であることは比較的容易に導くことかできる・この条件
を満たすように溝の深さと特性インピーダンスの比を決
めてやれば、任意の2種類の周波数で、インピーダンス
反転が図れる溝の形状が構成できる。
/ jan’ ” ”1 、、、 、、、(B)ス0 であることは比較的容易に導くことかできる・この条件
を満たすように溝の深さと特性インピーダンスの比を決
めてやれば、任意の2種類の周波数で、インピーダンス
反転が図れる溝の形状が構成できる。
特性インピーダンスを不連続にする考え方は以下のとお
りである。
りである。
本発明はシール装置の溝部を一方を接地導体とし間隙寸
法す離して幅寸法aの導体板を配置したa或からなる。
法す離して幅寸法aの導体板を配置したa或からなる。
詳細には溝開孔部側の幅をa4間隙をb1実効誘電率を
εeHとし、溝短絡部側の幅をa2問間隙b2とした構
成で特性インピーダンスの比を仄式で計算し、 Kの瞳をめ、特注インピーダンスを不連続にする工夫を
している。
εeHとし、溝短絡部側の幅をa2問間隙b2とした構
成で特性インピーダンスの比を仄式で計算し、 Kの瞳をめ、特注インピーダンスを不連続にする工夫を
している。
図面に基づき実施例の詳細を説明する。
第5図は電子レンジの斜視図でパンチング板21を有す
るドア22が本体カバー23で覆われた本体に装着され
ている。本体には操作パネル24が設けられドア把手2
5は上記ドアに装着されている。!!、′6図には第5
図のA −p、 7断面図、第7図には溝26を構成す
る導体壁面の斜視図を示している。第6図、第7図にお
いて、溝26の壁面群を構成するドア板29は、溝幅が
溝の深さのほぼ十分の所で変化するように折り曲げてあ
り、外周縁側にはピッチPで切り込みが設けである構成
で& + b + C+ d e e r f部からな
る。溝の開化部を榎う溝カバー30はL字状をしている
。ドア外面は、ドアカバー31がat l/’−シール
構造を保護している。溝26の開孔端と短絡端はそれぞ
れ27・2dで示され、深さ11の開孔部側溝と深さ1
2の短絡端側溝はそれぞれI、n で示される・FT板
2sは、外周縁側において6 部カ1m a2・f部が
幅a であり、 8部とf部の間隙と0部とe都の間隙
がそれぞれbi、b2としである。従って溝26におけ
る特性インピーダンスの比にはに−a1・b2・V/罷 となり、al 、a2.bl 、b2の値を変えること
で、Kの値を任意に構成できる。この時、前述のC7)
、 (8)式に従い・ 11・62 及びKの値を決
めである。
るドア22が本体カバー23で覆われた本体に装着され
ている。本体には操作パネル24が設けられドア把手2
5は上記ドアに装着されている。!!、′6図には第5
図のA −p、 7断面図、第7図には溝26を構成す
る導体壁面の斜視図を示している。第6図、第7図にお
いて、溝26の壁面群を構成するドア板29は、溝幅が
溝の深さのほぼ十分の所で変化するように折り曲げてあ
り、外周縁側にはピッチPで切り込みが設けである構成
で& + b + C+ d e e r f部からな
る。溝の開化部を榎う溝カバー30はL字状をしている
。ドア外面は、ドアカバー31がat l/’−シール
構造を保護している。溝26の開孔端と短絡端はそれぞ
れ27・2dで示され、深さ11の開孔部側溝と深さ1
2の短絡端側溝はそれぞれI、n で示される・FT板
2sは、外周縁側において6 部カ1m a2・f部が
幅a であり、 8部とf部の間隙と0部とe都の間隙
がそれぞれbi、b2としである。従って溝26におけ
る特性インピーダンスの比にはに−a1・b2・V/罷 となり、al 、a2.bl 、b2の値を変えること
で、Kの値を任意に構成できる。この時、前述のC7)
、 (8)式に従い・ 11・62 及びKの値を決
めである。
第8図、第9図には、ド°アの厚みを薄く構成の例を示
している。1118図は、溝の断面図で、封口板32と
ドア板J3で溝を構成し、溝の中には。
している。1118図は、溝の断面図で、封口板32と
ドア板J3で溝を構成し、溝の中には。
実質的な溝の深さく 71.j+J4)を縮少するため
誘電体36を挿入している。溝の開孔端と短絡端は34
・J5で示し、開孔部側溝の深さは63.短絡部側溝は
14である。第”9図には、第8図の溝部の斜尻図であ
る。封口板32にいれる切り込み幅を溝の深さ方向の途
中で変化させることで、開化部側・黄と短絡部1141
1溝のLr′i匹インピーダンスをかえている。
誘電体36を挿入している。溝の開孔端と短絡端は34
・J5で示し、開孔部側溝の深さは63.短絡部側溝は
14である。第”9図には、第8図の溝部の斜尻図であ
る。封口板32にいれる切り込み幅を溝の深さ方向の途
中で変化させることで、開化部側・黄と短絡部1141
1溝のLr′i匹インピーダンスをかえている。
第10図は第6図に示す実施例の応用構造を示している
。溝幅をテーパー状に変1ヒさせて、ドア板217を製
造の容易な構造としている・なお、溝の構成は板金を折
り曲げる以外に、プ)スチック樹脂に金属メッキをする
手段で・構成としても同等の効果があることは、いう1
でもない。
。溝幅をテーパー状に変1ヒさせて、ドア板217を製
造の容易な構造としている・なお、溝の構成は板金を折
り曲げる以外に、プ)スチック樹脂に金属メッキをする
手段で・構成としても同等の効果があることは、いう1
でもない。
発明の効果
以上のように本発明によると簡単な構造で、任意の2種
類以上の周波数をシールできる効果に加えて次の効果が
でる。
類以上の周波数をシールできる効果に加えて次の効果が
でる。
(1)溝の途中で特性インピーダンスを変1ヒさせると
いう簡単な構造で構成できるので、低コスト化に適する
。
いう簡単な構造で構成できるので、低コスト化に適する
。
?)従来、2種類の周波数の漏洩防止をするために、2
つの溝が必要であったのが1つになるので、シール構造
が小型化できる。
つの溝が必要であったのが1つになるので、シール構造
が小型化できる。
((2)たとえばlj 16mHzと24e5(JMf
(zの2つの周波数に対して電波漏洩防止効果のあるシ
ール構造とすることにより加熱室内で2つの発振源を有
する高周波加熱器が実現できる。
(zの2つの周波数に対して電波漏洩防止効果のあるシ
ール構造とすることにより加熱室内で2つの発振源を有
する高周波加熱器が実現できる。
よって電子レンジにおいて、冷凍物の解凍のように低パ
ワーでよい場合には9151Vnlzの周波数で調理し
、高速加熱調理のように高パワーが必要な場島には’1
45uMHzの周波数で調理することができ、しかもど
ちらの電波洩れをも十分防止できる電波シール体を提供
できるものである。
ワーでよい場合には9151Vnlzの周波数で調理し
、高速加熱調理のように高パワーが必要な場島には’1
45uMHzの周波数で調理することができ、しかもど
ちらの電波洩れをも十分防止できる電波シール体を提供
できるものである。
4〕 基本波と2倍周波を1つの構造体でシールできる
ようにすることで、漏洩防止効果を顕著にできる。
ようにすることで、漏洩防止効果を顕著にできる。
電波シール装置の断面図、第4図i本発明における溝部
の電界の解析図、第5図は一般的な電子レンジの斜睨図
、第6図は本発明の一実施例における電波シール装置の
断面図、第7図は第6図において溝部を形成する導体壁
面の斜視図、第8図。 第9図及び第10図は他の実施例における構成断面図を
示す。 22・・・・・・ドア、23・・・・・・本体、26・
・・・・・溝、P・・・・・ピンチ、at、a2・・・
・・・導線幅、e、ト・・・・・導体片、1・・・・・
・開孔部側、且・・・・・・短絡部側。 代理人の氏名 弁理士 中 尾 敏 男 ほか1名第1
図 第5図 23 第6V:fU
の電界の解析図、第5図は一般的な電子レンジの斜睨図
、第6図は本発明の一実施例における電波シール装置の
断面図、第7図は第6図において溝部を形成する導体壁
面の斜視図、第8図。 第9図及び第10図は他の実施例における構成断面図を
示す。 22・・・・・・ドア、23・・・・・・本体、26・
・・・・・溝、P・・・・・ピンチ、at、a2・・・
・・・導線幅、e、ト・・・・・導体片、1・・・・・
・開孔部側、且・・・・・・短絡部側。 代理人の氏名 弁理士 中 尾 敏 男 ほか1名第1
図 第5図 23 第6V:fU
Claims (1)
- (1)開口部を有し電波が内部に供給される本体を設け
、この本体の前記開口部を開閉自在に覆うドアを設け、
前記本体と前記ドアとが対向する部分の少なくとも一方
に溝を設け、前記溝は少なくとも一つの壁面の一部分又
は全部が溝の長手方向に導祿幅がピッチよりも少なくな
るように連続配置された導体片群より構成され前記溝の
開化部側と短絡部側とで、溝幅、導体片幅及び、実効誘
電率のうち一つ以上が異なる構成をとることにより、開
孔部側の特性インピーダンスと短絡部側の特性インピー
ダンスを変化させ、前記短絡部側の特性インピーダンス
を前記開化部側の特性インピーダンスより小さくした電
波シール装置。 (財)短絡部側溝の特性インピーダンスを前記開孔部f
1111溝の特性インピーダンスの3分の1とし、前記
短絡部側溝と前記開化部側溝の深さをそれぞれ実質的に
使用波長の6分の1として溝全体の深さを実質的に3分
の1波長とした特許請求の範囲第1項記載の電波シール
装置。
Priority Applications (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP17730983A JPS6070689A (ja) | 1983-09-26 | 1983-09-26 | 電波シ−ル装置 |
Applications Claiming Priority (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP17730983A JPS6070689A (ja) | 1983-09-26 | 1983-09-26 | 電波シ−ル装置 |
Publications (2)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
JPS6070689A true JPS6070689A (ja) | 1985-04-22 |
JPS6316874B2 JPS6316874B2 (ja) | 1988-04-11 |
Family
ID=16028725
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
JP17730983A Granted JPS6070689A (ja) | 1983-09-26 | 1983-09-26 | 電波シ−ル装置 |
Country Status (1)
Country | Link |
---|---|
JP (1) | JPS6070689A (ja) |
Cited By (1)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JP2007317605A (ja) * | 2006-05-29 | 2007-12-06 | Mitsubishi Electric Corp | 高周波加熱装置 |
-
1983
- 1983-09-26 JP JP17730983A patent/JPS6070689A/ja active Granted
Cited By (2)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JP2007317605A (ja) * | 2006-05-29 | 2007-12-06 | Mitsubishi Electric Corp | 高周波加熱装置 |
JP4647549B2 (ja) * | 2006-05-29 | 2011-03-09 | 三菱電機株式会社 | 高周波加熱装置 |
Also Published As
Publication number | Publication date |
---|---|
JPS6316874B2 (ja) | 1988-04-11 |
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