JPS6316874B2 - - Google Patents
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- JPS6316874B2 JPS6316874B2 JP17730983A JP17730983A JPS6316874B2 JP S6316874 B2 JPS6316874 B2 JP S6316874B2 JP 17730983 A JP17730983 A JP 17730983A JP 17730983 A JP17730983 A JP 17730983A JP S6316874 B2 JPS6316874 B2 JP S6316874B2
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Landscapes
- Constitution Of High-Frequency Heating (AREA)
- Shielding Devices Or Components To Electric Or Magnetic Fields (AREA)
Description
【発明の詳細な説明】
産業上の利用分野
この発明は、高周波電波を遮蔽する電波シール
装置に関するものである。
装置に関するものである。
従来例の構成とその問題点
従来、この種の電波シール装置として、たとえ
ば高周波により調理物を誘電加熱して調理する電
子レンジを例に挙げて説明する。電子レンジは調
理物を収納して高周波加熱する加熱庫と、この加
熱庫の調理物出入用の開口部を開閉自在に覆う扉
とを備えたものであるが、調理物の出入時に扉を
開ける際、加熱庫内の高周波電磁波が庫外へ漏洩
して人体に弊害を及ぼさないように電波シール対
策が施されている。
ば高周波により調理物を誘電加熱して調理する電
子レンジを例に挙げて説明する。電子レンジは調
理物を収納して高周波加熱する加熱庫と、この加
熱庫の調理物出入用の開口部を開閉自在に覆う扉
とを備えたものであるが、調理物の出入時に扉を
開ける際、加熱庫内の高周波電磁波が庫外へ漏洩
して人体に弊害を及ぼさないように電波シール対
策が施されている。
従来の一例として米国特許第3182164号を第１
図に示す。第１図において、１は電子レンジの加
熱庫であり、この加熱庫１の開口部２を開閉自在
に覆う取手３を有する扉４が設けられている。こ
の扉４の周縁部には加熱庫１側に向いて開口した
隙間部５を有する空胴のチヨーク部６が形成され
ている。このチヨーク部６の奥行７は、使用され
る高周波の波長の実質的に４分の１に設計されて
いる。この場合扉４の厚みも４分の１波長であ
る。すなわち従来電子レンジで使用されている電
磁波の周縁部は2450MHzであるので、４分の１
波長は約30mmとなる。この長さのチヨーク部６と
対向させるために、加熱庫１の開口部２に形成し
た周縁部８の厚さ９は４分の１波長より大きい値
となる。したがつて加熱庫１の開口部２の有効大
きさは周縁部８の分だけひとまわり小さい。
図に示す。第１図において、１は電子レンジの加
熱庫であり、この加熱庫１の開口部２を開閉自在
に覆う取手３を有する扉４が設けられている。こ
の扉４の周縁部には加熱庫１側に向いて開口した
隙間部５を有する空胴のチヨーク部６が形成され
ている。このチヨーク部６の奥行７は、使用され
る高周波の波長の実質的に４分の１に設計されて
いる。この場合扉４の厚みも４分の１波長であ
る。すなわち従来電子レンジで使用されている電
磁波の周縁部は2450MHzであるので、４分の１
波長は約30mmとなる。この長さのチヨーク部６と
対向させるために、加熱庫１の開口部２に形成し
た周縁部８の厚さ９は４分の１波長より大きい値
となる。したがつて加熱庫１の開口部２の有効大
きさは周縁部８の分だけひとまわり小さい。
次に従来の他の一例として、米国特許第
2500676号を第２図ａ，ｂに示す。この例も電子
レンジの構成を示したものであり、マグネトロン
１０の発振によつて得た高周波を加熱庫１１に供
給、調理物１２を電磁誘電により加熱調理するも
のである。この加熱庫１１の開口部１３にはこの
開口部１３を開閉自在に覆う扉１４が設けられて
いる。この扉１４の周縁部にも溝状のチヨーク部
１５が形成され、高周波が外部へ漏洩するのをそ
のチヨーク部１５で防いでいる。このチヨーク部
１５の深さ１６もやはり使用周波数の４分の１波
長で設計されている。このため開口部１３の有効
大きさは第１図同様、加熱庫１１よりひとまわり
小さい。
2500676号を第２図ａ，ｂに示す。この例も電子
レンジの構成を示したものであり、マグネトロン
１０の発振によつて得た高周波を加熱庫１１に供
給、調理物１２を電磁誘電により加熱調理するも
のである。この加熱庫１１の開口部１３にはこの
開口部１３を開閉自在に覆う扉１４が設けられて
いる。この扉１４の周縁部にも溝状のチヨーク部
１５が形成され、高周波が外部へ漏洩するのをそ
のチヨーク部１５で防いでいる。このチヨーク部
１５の深さ１６もやはり使用周波数の４分の１波
長で設計されている。このため開口部１３の有効
大きさは第１図同様、加熱庫１１よりひとまわり
小さい。
上述のとおり従来のチヨーク部は４分の１波長
の深さとして高周波を減衰させるという技術思想
に基づいている。
の深さとして高周波を減衰させるという技術思想
に基づいている。
すなわち、チヨーク部の特性インピーダンスを
Zo、深さをＬとし、終端部を短絡したときチヨ
ーク部開口部でのインピーダンスZINは、 ZIN＝jZotan（2πL／λo） （λoは自由空間波長） となる。
Zo、深さをＬとし、終端部を短絡したときチヨ
ーク部開口部でのインピーダンスZINは、 ZIN＝jZotan（2πL／λo） （λoは自由空間波長） となる。
チヨーク方式の電波減衰手段は、チヨーク部の
深さＬを４分の１波長に選定することにより、 ｜ZIN｜＝Zotan（π／２）＝∞ を達成するという原理に基づいている。
深さＬを４分の１波長に選定することにより、 ｜ZIN｜＝Zotan（π／２）＝∞ を達成するという原理に基づいている。
もし、チヨーク部内に誘電体（比誘電率εr）を
充填すると、電波の波長λ′は、 λ′≒λo／√r に圧縮される。この場合チヨーク部の深さL′は、 L′≒Ｌ／√r と短くなる。しかしながらL′＝λ′／４とすること
に変りはなく、チヨーク方式においては、深さを
実質的に４分の１波長の奇数倍に限定され、その
チヨーク部によりシール効果のある周波数は基本
周波の奇数倍に限られていた。従つて、例えば基
本周波と２倍周波の誘電体を行う場合、別々にチ
ヨーク部を設けなければならず、製造上、手間と
コストがかかるものであつた。
充填すると、電波の波長λ′は、 λ′≒λo／√r に圧縮される。この場合チヨーク部の深さL′は、 L′≒Ｌ／√r と短くなる。しかしながらL′＝λ′／４とすること
に変りはなく、チヨーク方式においては、深さを
実質的に４分の１波長の奇数倍に限定され、その
チヨーク部によりシール効果のある周波数は基本
周波の奇数倍に限られていた。従つて、例えば基
本周波と２倍周波の誘電体を行う場合、別々にチ
ヨーク部を設けなければならず、製造上、手間と
コストがかかるものであつた。
以下、従来例の原理を理論的に説明する。
チヨーク方式は周知の４分の１波長インピーダ
ンス変換原理にもとづくものである。即ち、チヨ
ーク溝の特性インピーダンスをZoc、溝の深さを
lcとし、加熱室からチヨーク溝に至る漏波路１の
特性インピーダンスをZop、漏波路１７の長さを
lp使用波長をλとしたときに、第３図の如くチヨ
ーク溝１８の底Ｃの短絡インピーダンス（Zc＝
０）はチヨーク溝１８の開孔部Ｂで ZB＝jZoctan2π／λlcとなる。１９は電子レンジの加 熱室、２０はドアである。ここでlc＝λ／４と選ぶ ことにより｜ZB｜＝∞と交換できる。この開孔部
ＢのインピーダンスZBを線路始点Ａ部でみたとき
のインピーダンスZAは ZA＝−jZop１／tan2π2π／λlpとなる。ここでlp＝λ
／４と 選ぶことにより｜ZA｜＝０と変換できる。チヨ
ーク溝１８の底部Ｃでの短絡状態が４分の１波長
インピーダンス変換原理をたくみに利用すること
で線路始点に現出することにより電波シール装置
として実用化しているものである。
ンス変換原理にもとづくものである。即ち、チヨ
ーク溝の特性インピーダンスをZoc、溝の深さを
lcとし、加熱室からチヨーク溝に至る漏波路１の
特性インピーダンスをZop、漏波路１７の長さを
lp使用波長をλとしたときに、第３図の如くチヨ
ーク溝１８の底Ｃの短絡インピーダンス（Zc＝
０）はチヨーク溝１８の開孔部Ｂで ZB＝jZoctan2π／λlcとなる。１９は電子レンジの加 熱室、２０はドアである。ここでlc＝λ／４と選ぶ ことにより｜ZB｜＝∞と交換できる。この開孔部
ＢのインピーダンスZBを線路始点Ａ部でみたとき
のインピーダンスZAは ZA＝−jZop１／tan2π2π／λlpとなる。ここでlp＝λ
／４と 選ぶことにより｜ZA｜＝０と変換できる。チヨ
ーク溝１８の底部Ｃでの短絡状態が４分の１波長
インピーダンス変換原理をたくみに利用すること
で線路始点に現出することにより電波シール装置
として実用化しているものである。
漏波路１７やチヨーク溝１８に誘電率εrの誘電
体を装荷することにより波長λ′は自由空間波長λ
のλ／√rになるが、４分の１波長（λ′／４）イ
ンピーダンス原理を用いることにより同様の効果
を得られる。
体を装荷することにより波長λ′は自由空間波長λ
のλ／√rになるが、４分の１波長（λ′／４）イ
ンピーダンス原理を用いることにより同様の効果
を得られる。
発明の目的
この発明は、任意の２種類の電波を一つの構造
でシールでき、かつ簡単な構成の電波シール装置
を提供するものである。
でシールでき、かつ簡単な構成の電波シール装置
を提供するものである。
発明の構成
この発明は、新しいインピーダンス変換原理を
用いた電波シールであり、漏波路と溝のそれぞれ
が特性インピーダンス不連続構成をとることによ
り、任意の２種類の周波数を電波シールを可能に
したものである。
用いた電波シールであり、漏波路と溝のそれぞれ
が特性インピーダンス不連続構成をとることによ
り、任意の２種類の周波数を電波シールを可能に
したものである。
実施例の説明
本発明はたとえば電子レンジの本体又は扉の少
くとも一方に溝を少くとも１つ設け、この溝の形
状は短絡部側の特性インピーダンスを開孔部側の
それと異なるように構成してある点に特徴を有す
る。
くとも一方に溝を少くとも１つ設け、この溝の形
状は短絡部側の特性インピーダンスを開孔部側の
それと異なるように構成してある点に特徴を有す
る。
任意の２種類の周波数電波の漏洩防止の基本的
考え方としては、以下のとおりである。
考え方としては、以下のとおりである。
溝開孔部の特性インピーダンス、長さ、位相定
数をZo1、l1、β1とする。溝短絡部の特性インピ
ーダンス、長さ、位相定数をZo1、l2、β2とする
溝の開孔端から短絡端までの距離（溝の深さ）を
ｌ（total）とするとｌ（total）＝l1＋l2となる。
数をZo1、l1、β1とする。溝短絡部の特性インピ
ーダンス、長さ、位相定数をZo1、l2、β2とする
溝の開孔端から短絡端までの距離（溝の深さ）を
ｌ（total）とするとｌ（total）＝l1＋l2となる。
上記条件で溝の開孔端のインピーダンスＺは、
Ｚ＝jZo1・tanβ1l1＋Ktanβ2l2／１−Ktanβ1l1・tan
β2l2…(1) （但しＫ＝Zo2／Zo1） となることは、簡単な計算で導出できる。
β2l2…(1) （但しＫ＝Zo2／Zo1） となることは、簡単な計算で導出できる。
従来例ではZo2＝Zo1、β1＝β2（即ちＫ＝１）に
相当するものである。従つてそのインピーダンス
Z′は１式より Z′＝Zo1・tanβ1l1＋tanβ2l2／１−tanβ1l1・tanβ2
l2 ＝Zo1tan（β1l1＋β2l2） ＝Zo1tan（β1・ltotal） …(2) となり、ltotalをλ/4とすることでインピーダン
ス反転していた。
相当するものである。従つてそのインピーダンス
Z′は１式より Z′＝Zo1・tanβ1l1＋tanβ2l2／１−tanβ1l1・tanβ2
l2 ＝Zo1tan（β1l1＋β2l2） ＝Zo1tan（β1・ltotal） …(2) となり、ltotalをλ/4とすることでインピーダン
ス反転していた。
一方本発明の構成によれば構成要件により、特
性インピーダンスがZo2≠Zo1であり、１式にお
いて特性インピーダンスの比Ｋの値は１ではな
い。インピーダンスＺを無限大にするためには１
式の分母が零になればよいので１＝Ktanβ1l1・
tanβ2l2を満たせばよい。
性インピーダンスがZo2≠Zo1であり、１式にお
いて特性インピーダンスの比Ｋの値は１ではな
い。インピーダンスＺを無限大にするためには１
式の分母が零になればよいので１＝Ktanβ1l1・
tanβ2l2を満たせばよい。
本発明は電波シールの分野で歴史的に用いられ
ていたλ/4線路ではない線路でインピーダンス反
転を実施するものである。この原理を理解しやす
くするために解析結果の一部を第４図ａ，ｂ，ｃ
に示す。第４図はＡ端を励振源とし、Ｄ端を開放
した伝送路の１部に、先端Ｃか短絡された開孔Ｂ
を有する溝を設けている。溝は開孔側より短絡側
の溝幅を２倍にしている。Ａ点を同一条件に励振
し、溝の深さlTを変化させたとき伝送路内の電界
は第４図ａ，ｂ，ｃのように変化し、Ｄ端に電波
がとどかないのは第４図ｂの場合、すなわち溝の
深さlTが４分の１波長の約80％のとき（λ/4未満
線路）であり、それよりも長くても短くても（第
４図ａ，ｃの場合）、第４図ｂにくらべて電波が
よく洩れる。これはl1＝l2＝lT／２＝λ／10.2、Ｋ＝ b2／b1＝２を１≒Ktanβl1・tanβl2に代入するこ
とで確認できよう。
ていたλ/4線路ではない線路でインピーダンス反
転を実施するものである。この原理を理解しやす
くするために解析結果の一部を第４図ａ，ｂ，ｃ
に示す。第４図はＡ端を励振源とし、Ｄ端を開放
した伝送路の１部に、先端Ｃか短絡された開孔Ｂ
を有する溝を設けている。溝は開孔側より短絡側
の溝幅を２倍にしている。Ａ点を同一条件に励振
し、溝の深さlTを変化させたとき伝送路内の電界
は第４図ａ，ｂ，ｃのように変化し、Ｄ端に電波
がとどかないのは第４図ｂの場合、すなわち溝の
深さlTが４分の１波長の約80％のとき（λ/4未満
線路）であり、それよりも長くても短くても（第
４図ａ，ｃの場合）、第４図ｂにくらべて電波が
よく洩れる。これはl1＝l2＝lT／２＝λ／10.2、Ｋ＝ b2／b1＝２を１≒Ktanβl1・tanβl2に代入するこ
とで確認できよう。
今、周波数fpと周波数fpのｘ倍（ｘ＞０）の２
種類の電波シールを考える。周波数fpの電波の波
長をλpとするとそのｘ倍の周波数の電波の波長は
λo／ｘである。
種類の電波シールを考える。周波数fpの電波の波
長をλpとするとそのｘ倍の周波数の電波の波長は
λo／ｘである。
１＝Ktanβ1l1・tanβ2l2
を供に満たすためには
１＝Ktan2π／λol1・tan2π／λol2 …(3)
１＝Ktan2π／λo／ｘl1・tan2π／λo／ｘl2 …(4)
の両式を満たすl1、l2及びＫを求めればよい。l1
＝l2とすると(3)、(4)式は次のようになる。
＝l2とすると(3)、(4)式は次のようになる。
１＝tan2（2π／λol1） …(5)
１＝Ktan2（2π／λo／ｘl1） …(6)
この両式を満たすためのl1とＫの組み合わせの１
つが、 l1＝λo／２（ｘ＋１） …(7) Ｋ＝１／tan22π・l1／λo …(8) であることは比較的容易に導くことができる。こ
の条件を満たすように溝の深さと特性インピーダ
ンスの比を決めてやれば、任意の２種類の周波数
で、インピーダンス反転が図れる溝の形状が構成
できる。
つが、 l1＝λo／２（ｘ＋１） …(7) Ｋ＝１／tan22π・l1／λo …(8) であることは比較的容易に導くことができる。こ
の条件を満たすように溝の深さと特性インピーダ
ンスの比を決めてやれば、任意の２種類の周波数
で、インピーダンス反転が図れる溝の形状が構成
できる。
特性インピーダンスを不連続にする考え方は以
下のとおりである。
下のとおりである。
本発明はシール装置の溝部を一方の接地導体と
し間隙寸法ｂ離して幅寸法ａの導体板を配置した
構成からなる。
し間隙寸法ｂ離して幅寸法ａの導体板を配置した
構成からなる。
詳細には溝開孔部側の幅をa1隙間をb1実効誘電
率をεeffとし、溝短絡部側の幅をa2間隙をb2とし
た構成で特性インピーダンスの比を次式で計算
し、 Ｋの値を求め、特性インピーダンスを不連続にす
る工夫をしている。
率をεeffとし、溝短絡部側の幅をa2間隙をb2とし
た構成で特性インピーダンスの比を次式で計算
し、 Ｋの値を求め、特性インピーダンスを不連続にす
る工夫をしている。
図面に基づき実施例の詳細を説明する。
第５図は電子レンジの斜視図でパツチング板２
１を有するドア２２が本体カバー２３で覆われた
本体に装着されている。本体には操作パネル２４
が設けられドア把手２５は上記ドアに装着されて
いる。第６図には第５図のＡ−Ａ線断面図、第７
図には溝２６を構成する導体壁面の斜視図を示し
ている。第６図、第７図において、溝２６の壁面
群を構成するドア板２９は、溝幅が溝の深さのほ
ぼ半分の所で変化するように折り曲げてあり、外
周縁側にはピツチＰで切り込みが設けてある構成
でａ，ｂ，ｃ，ｄ，ｅ，ｆ部からなる。溝の開孔
部を覆う溝カバー３０はＬ字状をしている。ドア
外面は、ドアカバー３１が覆い、シール構造を保
護している。溝２６の開孔端と短絡端はそれぞれ
２７，２８で示され、深さl1の開孔部側溝と深さ
l2の短絡端側溝はそれぞれ，で示される。
１を有するドア２２が本体カバー２３で覆われた
本体に装着されている。本体には操作パネル２４
が設けられドア把手２５は上記ドアに装着されて
いる。第６図には第５図のＡ−Ａ線断面図、第７
図には溝２６を構成する導体壁面の斜視図を示し
ている。第６図、第７図において、溝２６の壁面
群を構成するドア板２９は、溝幅が溝の深さのほ
ぼ半分の所で変化するように折り曲げてあり、外
周縁側にはピツチＰで切り込みが設けてある構成
でａ，ｂ，ｃ，ｄ，ｅ，ｆ部からなる。溝の開孔
部を覆う溝カバー３０はＬ字状をしている。ドア
外面は、ドアカバー３１が覆い、シール構造を保
護している。溝２６の開孔端と短絡端はそれぞれ
２７，２８で示され、深さl1の開孔部側溝と深さ
l2の短絡端側溝はそれぞれ，で示される。
ドア板２９は、外周縁側においてｌ部が幅a2f
部が幅a1であり、ａ部とｆ部の間隙とｃ部とｅ部
の間隙がそれぞれb1，b2としてある。従つて溝２
６における特性インピーダンスの比Ｋは となり、a1，a2，b1，b2の値を変えることで、Ｋ
の値に任意に構成できる。この時、前述の(7)、(8)
式に従い、l1，l2及びＫの値を決めてある。たと
えば915MHzと2450MHzの２つの周波数の電波
シール効果を得ようとする場合に915MHzを基本
波と考えると ｘ＝2450×106／915×106＝2.68 となり、 l1＝l2＝λp／7.36＝0.327／7.36＝0.0455（cm） Ｋ≒0.7となる。
部が幅a1であり、ａ部とｆ部の間隙とｃ部とｅ部
の間隙がそれぞれb1，b2としてある。従つて溝２
６における特性インピーダンスの比Ｋは となり、a1，a2，b1，b2の値を変えることで、Ｋ
の値に任意に構成できる。この時、前述の(7)、(8)
式に従い、l1，l2及びＫの値を決めてある。たと
えば915MHzと2450MHzの２つの周波数の電波
シール効果を得ようとする場合に915MHzを基本
波と考えると ｘ＝2450×106／915×106＝2.68 となり、 l1＝l2＝λp／7.36＝0.327／7.36＝0.0455（cm） Ｋ≒0.7となる。
第８図、第９図には、ドアの厚みを薄く構成の
例を示している。第８図は、溝の断面図、封口板
３２とドア板３３で溝を構成し、溝の中には、実
質的な溝の深さ（l3＋l4）を縮少するため誘電体
３６を挿入している。溝の開孔端と短絡端は３
４，３５で示し、開孔部側溝の深さはl3、短絡部
側溝はl4である。第９図には、第８図の溝部の斜
視図である。封口板３２にいれる切り込み幅を溝
の深さ方向の途中で変化させることで、開孔部側
溝と短絡部側溝の特性インピーダンスをかえてい
る。
例を示している。第８図は、溝の断面図、封口板
３２とドア板３３で溝を構成し、溝の中には、実
質的な溝の深さ（l3＋l4）を縮少するため誘電体
３６を挿入している。溝の開孔端と短絡端は３
４，３５で示し、開孔部側溝の深さはl3、短絡部
側溝はl4である。第９図には、第８図の溝部の斜
視図である。封口板３２にいれる切り込み幅を溝
の深さ方向の途中で変化させることで、開孔部側
溝と短絡部側溝の特性インピーダンスをかえてい
る。
第１０図は第６図に示す実施例の応用構造を示
している。溝幅をテーパー状に変化させて、ドア
板２９′を製造の容易な構造としている。
している。溝幅をテーパー状に変化させて、ドア
板２９′を製造の容易な構造としている。
なお、溝の構成は板金を折り曲げる以外に、プ
ラスチツク樹脂に金属メツキをする手段で構成と
しても同等の効果があることは、いうまでもな
い。
ラスチツク樹脂に金属メツキをする手段で構成と
しても同等の効果があることは、いうまでもな
い。
発明の効果
以上のように本発明によると簡単な構造で、任
意の２種類以上の周波数をシールできる効果に加
えて次の効果がでる。
意の２種類以上の周波数をシールできる効果に加
えて次の効果がでる。
(1) 溝で途中で特性インピーダンスを変化させる
という簡単な構造で構成できるので、低コスト
化に適する。
という簡単な構造で構成できるので、低コスト
化に適する。
(2) 従来、２種類の周波数の漏洩防止をするため
に、２つの溝が必要であつたのが１つになるの
で、シール構造が小型化できる。
に、２つの溝が必要であつたのが１つになるの
で、シール構造が小型化できる。
(3) たとえば915MHzと2450MHzの２つの周波
数に対して電波漏洩防止効果のあるシール構造
とすることにより加熱室内で２つの発振源を有
する高周波加熱器が実現できる。
数に対して電波漏洩防止効果のあるシール構造
とすることにより加熱室内で２つの発振源を有
する高周波加熱器が実現できる。
よつて電子レンジにおいて、冷凍物の解凍の
ように低パワーでよい場合には915MHzの周波
数で調理し、高速加熱調理のように高パワーが
必要な場合には2450MHzの周波数で調理する
ことができ、しかもどちらの電波洩れをも十分
防止できる電波シール体を提供できるものであ
る。
ように低パワーでよい場合には915MHzの周波
数で調理し、高速加熱調理のように高パワーが
必要な場合には2450MHzの周波数で調理する
ことができ、しかもどちらの電波洩れをも十分
防止できる電波シール体を提供できるものであ
る。
(4) 基本波と２倍周波を１つの構造体でシールで
きるようにすることで、漏洩防止効果を顕著に
できる。
きるようにすることで、漏洩防止効果を顕著に
できる。
第１図、第２図ａ，ｂ、第３図はそれぞれ従来
の電波シール装置の断面図、第４図ａ，ｂ，ｃは
本発明における溝部の電界の解析図、第５図は一
般的な電子レンジの斜視図、第６図は本発明の一
実施例における電波シール装置の断面図、第７図
は第６図において溝部を形成する導体壁面の斜視
図、第８図、第９図及び第１０図は他の実施例に
おける構成断面図を示す。 ２２…ドア、２３…本体、２６…溝、Ｐ…ピツ
チ、a1，a2…導線幅、ｅ，ｆ…導体片、Ｉ…開孔
部側、…短絡部側。
の電波シール装置の断面図、第４図ａ，ｂ，ｃは
本発明における溝部の電界の解析図、第５図は一
般的な電子レンジの斜視図、第６図は本発明の一
実施例における電波シール装置の断面図、第７図
は第６図において溝部を形成する導体壁面の斜視
図、第８図、第９図及び第１０図は他の実施例に
おける構成断面図を示す。 ２２…ドア、２３…本体、２６…溝、Ｐ…ピツ
チ、a1，a2…導線幅、ｅ，ｆ…導体片、Ｉ…開孔
部側、…短絡部側。
Claims (1)
- 【特許請求の範囲】 １ 開口部を有し電波が内部に供給される本体を
設け、この本体の前記開口部を開閉自在に覆うド
アを設け、前記本体と前記ドアとが対向する部分
の少なくとも一方に溝を設け、前記溝は少なくと
も一つの壁面の一部分又は全部が溝の長手方向に
導線幅がピツチよりも少なくなるように連続配置
された導体片群より構成され前記溝の開孔部側と
短絡部側とで、溝幅、導体片幅及び、実効誘電率
のうち一つ以上が異なる構成をとることにより、
開孔部側の特性インピーダンスと短絡部側の特性
インピーダンスを変化させ、前記短絡部側の特性
インピーダンスを前記開孔部側の特性インピーダ
ンスより小さくした電波シール装置。 ２ 短絡部側溝の特性インピーダンスを前記開孔
部側溝の特性インピーダンスの３分の１とし、前
記短絡部側溝と前記開孔部側溝の深さをそれぞれ
実質的に使用波長の６分の１として溝全体の深さ
を実質的に３分の１波長とした特許請求の範囲第
１項記載の電波シール装置。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP17730983A JPS6070689A (ja) | 1983-09-26 | 1983-09-26 | 電波シ−ル装置 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP17730983A JPS6070689A (ja) | 1983-09-26 | 1983-09-26 | 電波シ−ル装置 |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPS6070689A JPS6070689A (ja) | 1985-04-22 |
| JPS6316874B2 true JPS6316874B2 (ja) | 1988-04-11 |
Family
ID=16028725
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP17730983A Granted JPS6070689A (ja) | 1983-09-26 | 1983-09-26 | 電波シ−ル装置 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPS6070689A (ja) |
Families Citing this family (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP4647549B2 (ja) * | 2006-05-29 | 2011-03-09 | 三菱電機株式会社 | 高周波加熱装置 |
-
1983
- 1983-09-26 JP JP17730983A patent/JPS6070689A/ja active Granted
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| JPS6070689A (ja) | 1985-04-22 |
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