JPS6069076A - ベンゾチアゼピン誘導体およびその製造法 - Google Patents

ベンゾチアゼピン誘導体およびその製造法

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JPS6069076A
JPS6069076A JP58177001A JP17700183A JPS6069076A JP S6069076 A JPS6069076 A JP S6069076A JP 58177001 A JP58177001 A JP 58177001A JP 17700183 A JP17700183 A JP 17700183A JP S6069076 A JPS6069076 A JP S6069076A
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片上 功
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深沢 信幸
Hajime Iizuka
肇 飯塚
Takashi Nishina
仁科 孝士
Isao Shirakawa
白川 勲
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Abstract

(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。

Description

【発明の詳細な説明】 本発明は一般式(1) %式% (式中、R1及びR2は水素又は低級アルキル基を几、
は水素、低級アルキル基又は炭素数が5から10までの
アルキル基もしくはアリール低級アルキル基をそれぞれ
示す)で表わされるベンゾチアゼピン誘導体およびその
製造法に関し、さらにその製造に有用な中間体について
の知見を提供するものである。なお、一般式(1)の化
合物は新規化合物であり、アンジオテンシン変換酵素阻
害作用、降圧作用、冠血管拡張作用を有し、高血圧症治
療薬として又、他の循S=疾患治療剤として有用である
本発明の一般式(1)の化合物をさらに詳しく説明する
。ここに言う低級アルキル基とはメチル基、エチル基、
プロピル基、インプロピル基、ブチル基、−640−ブ
チル基、l −7;’チル基を言い、炭素数が5から1
0までのアルキル基とはペンチル、ヘキシル、オクチル
、ノニル、デシルを、アリール低級アルキルとはベンジ
ル、フェニルエチル、フェニルプロピルなどである。
この化合物は以下の方法で製造することができる。
A段階 01(2000R2 (6) (1) すなわち、まずA段階として3−アミノ−2−フェニル
−2,3−ジヒドロ−1,5−ベンゾチアゼピン−4(
5H)−オンに一般式(2) %式%(2) (式中、Xは塩素、臭素、ヨウ素を、恥は水素又は低級
アルキル基を示す)で表わされる化合物を適当な脱塩剤
、例えばナトリウム、水素化ナトリウム、水素化カリウ
ム、ナトリウムメトキサイド、ナトリウムエトキサイド
、カリウム−1−ブトキサイドなどの存在下、ベンゼン
、トルエン、キシレン、ジメチルホルムアミド、ジメチ
ルスルホキシドなどの溶媒中で一5℃から反応混合物の
沸点までの温度範囲で、05時間から5時間程度0H2
000凡。
(式中、恥は水素又は低級アルキル基を示す)で表わさ
れる化合物を得ることができる。一般式(3)の化合物
群のうち、R2が低級アルキル基のLjj、合は適当な
方法は、たとえばアルカリけん化などの方法により加水
分解して相当するカルボン酸に導くことかできる。また
、几2がl−ブチルは塩化水素−ジオキサン、臭化水素
−i’ii酸などの通常のペプチド合成に用いられる脱
保護剤によっても相当するカルボン酸に導くことができ
る。
次に一般式(3)で表わした化合物と 一般式(4) %式%(4) (式中、恥は水素又は低級アルキル基を、恥は水素、低
級アルキル基、炭素数が5から10までのアルキル基も
しくはアリール低級アルキル基を示す)で表わされる化
合物を適当な還元剤の存在下で反応させるB段階の反応
により 一般式(1) %式% (式中、R1,R2及び几3はいづれも上記に同じ)で
表わされる化合物を得ることができる。
このB段階の反応についてさらに詳しく述べると一般式
(3)の化合物と一般式(4)の化合物を脂肪族または
環状のエーテル類(たとえばジエチルエーテル、ジオキ
サン、テトラヒドロフラン)またはアルコール類(たと
えばメタノール、エタノール、インプロピルアルコール
、ジエチレングリコール)または水およびこれらの混合
溶媒中、水冷下から80℃の温度で混合し、還元剤によ
り還元して一般式(1)の化合物が得られる。還元剤と
してはジボラン、水素化ホウ累ナトリウム、シアン化水
素化ホウ素ナトリウムなどの錯体金属水素化物が適して
いる。水素添加、触媒として通常用いられるパラジウム
−炭素、白金−炭素、ラネーニッケル、ラネー銅などの
存在下水素化することによっても目的を達することがで
きる。水素添加における水素圧は大気圧から500気圧
、温度は室温から150℃の範囲である。溶媒としては
水、メタノール、エタノールなどのアルコール類、酢酸
、酢酸エチルなど通常の水素添加反応に用いられる溶媒
が使用できる。
一般式(1)の化合物において、石又はR2がアルキル
基である場合、通常の加水分11捏、たとえばアルカリ
と処理することによりそれぞれ相当するカルボン酸に誘
導することができる。またl−ブチル基である場合は単
に塩化水素−ジオキサン、臭化水素−酢酸などの通常ズ
ープチルエステル基切断条件によりこの基を脱離させて
相当するカルボン酸に導くことができる。
本発明の一般式(1)の化合物は分子内に3個の不斉炭
素を有し立体異性体が存在するが、本発明はそのいづれ
の化合物も含むものである。
かくして得られた一般式(1)の化合物は、分子内に1
〜2ケのカルボキシル基を持つことができ、この場合に
は種々の無機塩基または有機塩基との塩にすることがで
きる。たとえばナトリウム塩、カリウム塩、カルシウム
塩、マグネシウム塩等の金属塩があげられ、リジン塩、
ジシクロヘキシルアミン塩等の有機塩基との塩がある。
また一般式(1)の化合物には種々の酸と塩を形成しう
るアミノ基も含まれている。たとえば、塩酸、臭化水素
酸、酒石酸、マレイン酸等の無機酸および肩機酸との塩
を形成させることができる。
かくして形成させた塩を含めて本発明(1)の化合物は
、強いアンジオテンシン変換酵素阻害作用を有し自然発
症高血圧ラットなどの高血圧病態モデルにおいて著明な
降圧作用を示し、高血圧症治療薬として有用である。
以下に実施例を示して本発明をさらに具体的に説明する
実施例−1 3−アミノ−5−、t−ブトキシカルボニルメチル−2
−フェニルー2,5−ジヒドロ−1,5−ベンゾチアゼ
ピン−4(5H)−オンの製造。
6−アミノ−2−フェニル−2,3−ジヒドロ−1,5
−ベンゾチアゼピン−4(5H)−オン、臭化水素酸塩
4.8gをN、N−ジメチルホルムアミド80m1に溶
解し、水素化ナトリウム(60%油性) 1.21を加
え、50℃で1時間攪拌後、ブロム酢酸差−ブチルエス
テル2.7Iを含むN、N−ジメチルホルムアミド10
m1の溶液を加え、更に50℃で1時間攪拌した。減圧
下に溶媒を留去し、ヘキサンを加えて結晶化させ、生成
物を戸数しこれをエーテル、水、エーテルの順で洗浄し
て目的とした頭書の化合物を4..0.9’得た。この
ものはm、P、178〜180℃を示した。
実施例−2 5−、t−ブトキシカルボニルメチル−3−(1−エト
キシカルボニル−3−フェニルプロピルアミノ)−2−
フェニル−2,3−ジヒドロ−1,5−ベンゾチアゼピ
ン−4(5H)−オンの製造。
実施例−1で得た化合物1.2gにベンジルピルビン酸
エチルエステル2.0.9とエタノール20m1と酢酸
1 mlを加え、40℃に加温して溶解させ6時間攪拌
した。この後この反応物にシアン化水素化ホウ素ナトリ
ウム400thgを含むエタノール10m1の溶液をゆ
っくりと滴下して一夜放置した。
減圧下にm媒を留去した後、残留物を酢酸エチルにとか
し水洗し、無水硫酸ナトリウムで乾燥して後、減圧下濃
縮した。濃縮物はベンゼン:酢酸エチル=9:1の混合
溶媒を用いてシリカゲルカラムクロマト法で分別精製し
て目的とした頭書の化合物を166g得た。
薄層クロマトグラフ法には、mLロ藷社A+f5715
プレートを使用、なお、以下の実験においても全てこの
プレートを用いた。
頭書の化合物は下記の条件におけるクロマトグラフにお
いてRf値o7(ベンゼン:酢酸エチル=7:1)を示
した。
5−カルボキシメチル−3−(1−エトキシカルボニル
−3−フェニルプロピルアミノ)−2−フェニル−2,
3−ジヒドロ−1,5−ベンゾチアゼピン−4(5H)
−オン塩酸塩の製造。
実施例−2で得た化合物166gを6N−塩化水素−ジ
オキサン1omlにとかし1時間攪拌した。
エーテルを加えて結晶を析出させ、これを沢取してエー
テルで洗浄し、目的とする頭書の化合物を11g得た。
この化合物の赤外線吸収特注を示すと、 IRCm 171,1670,1470,1450゜1
210.1020.700 であり、 核磁気共鳴特性は NM几(DMSO−D6)PPM O,9−1,2(3
1−1)、1、3−2.1 (4H)であった。
又、薄層クロマトグラフにおけるrcf値は08附近に
2スポツト(ベンゼン:酢酸=10:3)を示した。
上記化合物はジアステレオマーの混合物であるが必要に
よってこれらは分離する事も可能である。
実施例−4 3−(1−カルボキシ−3−フェニルプロピルアミン)
−5−カルボキシメチル−2−フェニル−2,3−ジヒ
ドロ−1,5−ベンゾチアゼピン−4(51−1)−オ
ンの製造。
実施例−3で得た化合物400mIIをエタノール5m
lとN−水酸化ナトリウム水溶液2.9−の混合液にと
かし4時間撹拌した。この反応物を減圧下で濃縮の後、
これを水40m1にとかし、少量の不溶物は除いた。水
浴液に濃塩酸を加えてPH2とし、析出した結晶なf取
し、これを水洗して目的とした頭書の化合物を280 
m−1得た。この化合物の赤外線吸収特性を示すと、 IRCm 1750,1710,1670,1470゜
1390.1200.700であり 又、薄層クロマトグラフにおける几f値は065と0.
8に(7L−ブタノール:水:酢酸−1:1:1)それ
ぞれのジアステレオマーのスポソトヲ与えた。必要によ
ってはこれらは分離する事が可能である。
実施例−5 s−i−フ)キシカルボニルメチル−3−エトキシカル
ボニルメチルアミノ−2−フェニル−2,5−ジヒドロ
−1,5−ベンゾチアゼピン−4(5I()−オンの製
造。
実施例−1で得た3−アミノ−5−、t−ブトキシカル
ボニルメチル−2−フェニル−2,3−ジヒドロ−1,
5−ベンゾチアゼピン−4(5H)−オン1.2gに対
して、グリオキシル酸エチルエステル3.0Iを使用し
た外は、実施例−2と全く同様に操作し実験を行なった
濃縮物中に得られた頭Vの化合物は、ベンゼン:酢酸エ
チル=4:1の混合溶媒を用いてシリカゲルカラムクロ
マト法で分別精製して油状の目的とする頭書の化合物1
.21を得た。
この化合物は、薄層シリカゲルクロマトグラフにおいて
Rf値0.5(ベンゼン:酢識エチル−4:1)を示し
た。
実施例−6 5−カルボキシメチル−3−エトキシカルボニルメチル
アミノ−2−フェニル−2,3−ジヒドロ−1,5−ベ
ンゾチアゼピン−4(’5H)−オン、塩酸塩の製造。
実施例−5で目的とした化合物1,2gを6N−項化水
紫−ジオキサン10m1にとかし室温で2時間撹拌した
。この処理物にエーテルを7.!l]えて結晶を析出さ
せ、その結晶を沢取しエーテルで洗浄して目的とした頭
書の化合物を1.OS得た。
この化合物ンま202〜205℃で分解し、融点を知る
ことはできなかった。
又、この化合物の赤外線吸収特性は、 IR1a3rC「11740,1670,1380,1
230゜1020.850,770であり、 薄層シリカゲルクロマトグラフィにおけるnf値は0.
25 (ベンゼン:酢酸=101)を示した。
5−カルボキシメチル−3−カルボキシメチルアミノ−
2−フェニル−2,3−ジヒドロ−1,5−ベンゾチア
ゼピン−4(51■)−オン、塩酸塩の製造。
実施例−6で得た化合物410 m!jをN−水酸化ナ
トリウム水溶液3.5 mlとエタノール5mlの混合
液にとかし60分間撹拌した。処理物に濃塩酸を加えて
PH1〜2とし減圧下で濃縮し乾固した。
残留物はエタノールに溶かしたが不溶物シまP別した。
r液を濃縮して後、エーテルを加えてJχ5せ、これを
Δ1取しエーテルで洗浄して目的とした頭書の化合物を
550フルを得た。
この化合物の融点測定を行なったところ、100℃附近
から徐々に分解した。
又、この化合物の赤外線吸収特性は、 I几KBr cm″ 17?+0.1(S70.147
0.1450゜1400、L520,1200.770
であり、 シリカゲル薄層クロマトグラフィではlLf値o4(n
−ブタノール:水:酢酸=3:1:1)を示した。
実施例−8 5−2−ブトキシカルボニルメチル−3−(1−エトキ
シカルボニルノニルアミノ)−2−フェニル−2,3−
ジヒドロ−1,5−ベンゾチアゼピン−4(5H)−オ
ンの製造。
実施例−1で得た化合物1.1gと2−ケトデカン酸エ
チルエステル3.DIを実施例−2と同様に処理し反応
させた。反応生成物は、ベンゼン:酢酸エチル=9:1
の混合溶媒を用いてシリカゲルカラムクロマト法で分別
精製して目的物を油状で13g得た。目的物として得た
頭書の化合物は、シリカゲル薄層クロマトグラフィにお
いてlcf値として092と088(ベンゼン:酢酸エ
チル−8:1)を示し、それぞれのジアステレオマーの
スポットを与えた。これらは必要によっては分離する事
が可能である。
実施例−9 5−カルボキシメチル−3−(1−エトキシカルボニル
ノニルアミノ)−2−フェニル−2,5−ジヒドロ−1
,5−ベンゾチアゼピン−4(5n’) −オン、塩酸
塩の製造。
実施例−8で得た油状物183yを6N−塩化水素−ジ
オキサン10m1にとかし室温で1時間撹拌した。この
液にエーテルを加えて結晶を析出させ・これを沢取しエ
ーテルで洗浄して目的とした頭書の塩をBOOmg得た
この化合物の赤外線吸収特性を調べたところ、IR:’
、Cm ” 2920.2B60,1750,1670
゜1470.1450,1200.1020を示し、シ
リカゲル薄層クロマトグラフィーではnf値として0.
45と055(ベンゼン二耐酸=10=1)にそれぞれ
のジアステレオマーのスポットを認めた。これらは必要
によっては分離する事が可能である。
実施例−10 5−カルボキシメチル−3−(1−カルボがフニルアミ
ノ)−2−フェニル−2,3−ジヒドロ−1,5−ベン
ゾチアゼピン−4(5H)−オンの製造。
実施例−9で得た化合物300m7をN−水酸化ナトリ
ウム水浴液16TLlとエタノール1 mlの混合物に
とかし室温で6時間及び更に60℃で1時間投打した。
処理液にはエタノールを加えて析出した結晶なP取し、
これをエタノールで洗浄した。この結晶を少量の水にと
かし濃塩酸を加えてPH2とし、析出した結晶を沢取し
水洗して目的とした頭書の化合物を170 mg得た。
この化合物の赤外吸収特性は 1470.145011390,1320゜210 であり、又シリカゲル薄層クロマトグラフィによっては
几fイ直として015と025(ベンゼン:酢、7=1
0:3)にそれぞれのジアステレオマーのスポットを示
した。必要によってはこれらは分離することが可能であ
る。
特許出願人 三井東圧化学株式会社 手 続 補 正 書 昭和59年2月を日 特許庁長官 殿 1、事件の表示 昭和58年特許願第177001 号 2、発明の名称 ベンゾチアゼピン誘導体およびその製造法3、補正をす
る者 明細書第6頁下かも第4行と同じく第3行の間に次の文
章を挿入する。
「なおこの段階、の出発物質とするベンゾチアゼピン誘
導体は、β位にフェニル基が及びα位には保護基のつい
たアミノ基がそれぞれ置換されたアクリル酸と2−アミ
ノベンゼンチオールを反応させて得られる化合物の閉環
後のと記保護基の脱離により得られるものでちる。
特許出願人 王井東圧化学株式会社

Claims (1)

  1. 【特許請求の範囲】 (式中、R1及び恥は水素又は低級アルキル基を几3は
    水素、低級アルキル基又は炭素数が5から10までのア
    ルキル基もしくはアリール低級アルキル基をそれぞれ示
    す)で表わされるべ/ゾチアゼピン誘導体。 2、一般式(2) %式%(2) (式中、恥は水素又は低級アルキル基を、Xはハロゲン
    妓%、 )で表わされる化合物と3−アミノ−2−フェ
    ニル−2,3−ジヒドロ−1,5−ベンゾチアゼピン−
    4(51−1)−オンを塩基の存在(式中、恥は上記に
    同じ)で表わされる化合物とし、ついでこの化合物と (式中、R1は水素又は低級アルキル基を、几3は水素
    又は低級アルキル基又は炭素数が5から10までのアル
    キル基もしくはアリール低級アルキル基を示す)で表わ
    される化合物とを予め混合しておき、ついでこの混合物
    ン還元剤により還元反応を行うか、または還元剤の存在
    下に両者を混合して反応させることを特徴とする一般式
    (1)%式% (式中、R1は水素又は低級アルキル基であり、R2、
    恥及び編はいづれも上記に同じ)で表わされる化合物の
    製造法。
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