JPS6065769A - 磁器薄板製造方法 - Google Patents
磁器薄板製造方法Info
- Publication number
- JPS6065769A JPS6065769A JP58173182A JP17318283A JPS6065769A JP S6065769 A JPS6065769 A JP S6065769A JP 58173182 A JP58173182 A JP 58173182A JP 17318283 A JP17318283 A JP 17318283A JP S6065769 A JPS6065769 A JP S6065769A
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- JP
- Japan
- Prior art keywords
- thin
- porcelain
- thin plate
- mold
- powder
- Prior art date
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- Pending
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- Compositions Of Oxide Ceramics (AREA)
- Ceramic Capacitors (AREA)
- Laminated Bodies (AREA)
Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
（産業上の利用分野）
本発明は、例えばスパッタリングのターゲットに用いら
れる磁器薄板の製造方法、特に磁器薄板の製造方法の生
産性、経済性の両面からの改善に関する。そのようなタ
ーゲットは、半導体装置、薄膜固体表示装置あるいは圧
電素子、焦電素子等薄膜で構成きれる電子デバイスの製
造に有用なものである。
れる磁器薄板の製造方法、特に磁器薄板の製造方法の生
産性、経済性の両面からの改善に関する。そのようなタ
ーゲットは、半導体装置、薄膜固体表示装置あるいは圧
電素子、焦電素子等薄膜で構成きれる電子デバイスの製
造に有用なものである。
（従来例の構成とその問題点）
普通焼成法を用いて大形磁器薄板を作製しようとする場
合、通常、成形する際に生原料にバインダを適量入れ、
成形性を良くする。しかし、この方法では、厚さ数量で
面積が２００ノ以上にもなると加圧成形が極ｄ）て困難
になる。さらに、焼成時の炉内の温度分布は厳密に制御
しなければ焼成後の磁器薄板にそりが現われ、ターゲッ
ト利として使用できなくなる。
合、通常、成形する際に生原料にバインダを適量入れ、
成形性を良くする。しかし、この方法では、厚さ数量で
面積が２００ノ以上にもなると加圧成形が極ｄ）て困難
になる。さらに、焼成時の炉内の温度分布は厳密に制御
しなければ焼成後の磁器薄板にそりが現われ、ターゲッ
ト利として使用できなくなる。
一方、ホットプレス法は、粉末原料を直接成形型に押し
込み、適当な圧力を加えながら焼成温度で焼結させれば
、成形型と同一寸法の面積を持ち、そりのない磁器薄板
が得られる。しかしながら、被焼成物と成形型は、互い
に化学反応あるいは同相反応しない組み合わせが必要で
あり、壕だ一回の焼結過程でひとつの成形型より一枚の
磁器薄板しか得られないため、生産性の面で欠、１′ま
かあった。
込み、適当な圧力を加えながら焼成温度で焼結させれば
、成形型と同一寸法の面積を持ち、そりのない磁器薄板
が得られる。しかしながら、被焼成物と成形型は、互い
に化学反応あるいは同相反応しない組み合わせが必要で
あり、壕だ一回の焼結過程でひとつの成形型より一枚の
磁器薄板しか得られないため、生産性の面で欠、１′ま
かあった。
まだ、従来の離型剤では被焼結体と固相反応あるいは化
学反応しない組み合わせが必要であり場合によっては、
離型剤中の成分が被焼結体に混入しｔ５染してしまう欠
点があった。
学反応しない組み合わせが必要であり場合によっては、
離型剤中の成分が被焼結体に混入しｔ５染してしまう欠
点があった。
（発ゝ明の目的）
本発明は、ホットプレス法によシ、同時に同一条件で焼
成てれた複数個の磁器薄板を簡便に得ることを目的とす
る。
成てれた複数個の磁器薄板を簡便に得ることを目的とす
る。
（発明の構成）
同一生成分を持ち、特定の温度及び圧力のもとで焼結す
る粉末と焼結しない粉末とを交互に複数層積奉して成形
型に充填し、同時にホットプレスすることによシ、複数
個の大形磁器薄板を作製する。
る粉末と焼結しない粉末とを交互に複数層積奉して成形
型に充填し、同時にホットプレスすることによシ、複数
個の大形磁器薄板を作製する。
（実施例の説明）
図は、本発明の一書施例の製造方法を示したもので、ｌ
ａ、ｌｂ、ｌｃは、従来と同じホットプレスの型゛のそ
れぞれ上押しビン、横わく、下押しビンであり、その中
に、同一主成分を持つ粉末で、特定の温度、圧力で焼結
する粉末２と焼結しない粉末３とが交互に積層され、こ
の状態でホットプレスを行う。このような構成にょｋ）
２０９ｃｍ２以上の大きさを持つ磁器薄板がホンドグ
レスの型を構成する素材に汚染されにくくなシ、シかも
、同時に同一条件で複数個の磁器薄板が得られる。
ａ、ｌｂ、ｌｃは、従来と同じホットプレスの型゛のそ
れぞれ上押しビン、横わく、下押しビンであり、その中
に、同一主成分を持つ粉末で、特定の温度、圧力で焼結
する粉末２と焼結しない粉末３とが交互に積層され、こ
の状態でホットプレスを行う。このような構成にょｋ）
２０９ｃｍ２以上の大きさを持つ磁器薄板がホンドグ
レスの型を構成する素材に汚染されにくくなシ、シかも
、同時に同一条件で複数個の磁器薄板が得られる。
本発明にかかる磁器薄板製造方法を、酸化亜鉛を用いた
具体例について示す。８５０℃の温度で、２５ ｋｇ、
Ａ、Ｊの圧力を加えた時に焼結する酸化亜鉛粉末（平均
粒径０１μ（Ｏ，ＯＳ〜１μ））と、前記温度、圧力で
は焼結しない酸化亜鉛粉末（平均粒径５μ（１〜８１ｚ
））を準備した。次に、図の横わ＜ １ｂと下押しビン
ＩＣを組み合わせ、その中に焼結する粉末２を３００ｇ
平らに入れ、上押しビン１ａを組み込み、１０ ｈｐ／
ｌ、ｍ２程度の圧力で軽く押し成形した。」二押しビン
１ａを取り除き、その上に薬方紙を乗せ、さらに焼結し
ない粉末３を１００ｇ平らにふるいを用いて入れ、上押
しビン１ａを使って再び押し込みｌ Ｑ ｋｇ／ｌ、ｍ
２で加圧成形した。更に上押しビン１ａを取り除き、再
び薬方紙を乗せ、その上に焼結する粉末を３００ｇ平ら
にふるいを用いて入れ、上押しビン１ａを組み込み、炉
の中に設置した。次に加熱速度を２７０℃／ｈＴ、 ６
００℃に到達した時点で加″圧を開始し、８５０℃で２
５ ｋｙ／ｃｍ’の圧力になるように連続的に加圧し、
８５０℃で３０分間２５ｋｖ／ｃｍ２で保持した後、減
圧降温した。降温速度は、５０〜ｂ なった。その除用いたホントプレス型は、炭素を主成分
とする材質のものであったため、作製された酸化亜鉛磁
器薄板は若干還元された。そのため、被焼結物を空気中
で、７００℃、１時間熱処理した。
具体例について示す。８５０℃の温度で、２５ ｋｇ、
Ａ、Ｊの圧力を加えた時に焼結する酸化亜鉛粉末（平均
粒径０１μ（Ｏ，ＯＳ〜１μ））と、前記温度、圧力で
は焼結しない酸化亜鉛粉末（平均粒径５μ（１〜８１ｚ
））を準備した。次に、図の横わ＜ １ｂと下押しビン
ＩＣを組み合わせ、その中に焼結する粉末２を３００ｇ
平らに入れ、上押しビン１ａを組み込み、１０ ｈｐ／
ｌ、ｍ２程度の圧力で軽く押し成形した。」二押しビン
１ａを取り除き、その上に薬方紙を乗せ、さらに焼結し
ない粉末３を１００ｇ平らにふるいを用いて入れ、上押
しビン１ａを使って再び押し込みｌ Ｑ ｋｇ／ｌ、ｍ
２で加圧成形した。更に上押しビン１ａを取り除き、再
び薬方紙を乗せ、その上に焼結する粉末を３００ｇ平ら
にふるいを用いて入れ、上押しビン１ａを組み込み、炉
の中に設置した。次に加熱速度を２７０℃／ｈＴ、 ６
００℃に到達した時点で加″圧を開始し、８５０℃で２
５ ｋｙ／ｃｍ’の圧力になるように連続的に加圧し、
８５０℃で３０分間２５ｋｖ／ｃｍ２で保持した後、減
圧降温した。降温速度は、５０〜ｂ なった。その除用いたホントプレス型は、炭素を主成分
とする材質のものであったため、作製された酸化亜鉛磁
器薄板は若干還元された。そのため、被焼結物を空気中
で、７００℃、１時間熱処理した。
その結果、板面に沿ってそりがなく、厚み変動のない均
一な組成の、空孔率２０％以下を持つ酸化亜鉛大形磁器
薄板（１２，５Ｃ＋ｎＸ １９ｃｍＸ Ｏ，２の）が２
枚得られた。この薄板をターゲットに用いて高周波スパ
ッタリングによシガラス基板上に薄膜を形成したところ
基板面に対してＣ軸配向性の良好な酸化亜鉛薄膜が得ら
れた。この薄膜は、例えば表面弾性波素子として十分実
用に供し得るものであった。また、５ｒＴｉ ０３でも
同様の結果を得だ。
一な組成の、空孔率２０％以下を持つ酸化亜鉛大形磁器
薄板（１２，５Ｃ＋ｎＸ １９ｃｍＸ Ｏ，２の）が２
枚得られた。この薄板をターゲットに用いて高周波スパ
ッタリングによシガラス基板上に薄膜を形成したところ
基板面に対してＣ軸配向性の良好な酸化亜鉛薄膜が得ら
れた。この薄膜は、例えば表面弾性波素子として十分実
用に供し得るものであった。また、５ｒＴｉ ０３でも
同様の結果を得だ。
（発明の効果）
本発明の磁器薄板製造方法は、大面積の磁器薄板を一度
の焼成過程で大量生産することができ、しかも成形型に
含まれる成分の被焼成物への混入も最小限に防ぐことが
できるため、生産性、経済性及び品質の面で極めて優れ
た大形磁器薄板の製造方法である。得られる大形磁器薄
板は将来、大面積のセラミックターゲットを用いてスパ
ッタリング法により大面積薄膜を形成する分野への活用
が期待され、特に、電子工業における半導体装置、薄膜
固体表示装置あるいは圧電素子、焦電素子等の電子デバ
イスの製造に好適である。
の焼成過程で大量生産することができ、しかも成形型に
含まれる成分の被焼成物への混入も最小限に防ぐことが
できるため、生産性、経済性及び品質の面で極めて優れ
た大形磁器薄板の製造方法である。得られる大形磁器薄
板は将来、大面積のセラミックターゲットを用いてスパ
ッタリング法により大面積薄膜を形成する分野への活用
が期待され、特に、電子工業における半導体装置、薄膜
固体表示装置あるいは圧電素子、焦電素子等の電子デバ
イスの製造に好適である。
図は、本発明の一実施例の成形型内部を示す断面図であ
る。 １ａ ・・・・・・・上押しビン、１ｂ ・・・・・・
・・横わく、１ｃ ・・・・・・・下押しビン、 ２・
・・・・・ 焼結する粉末、 ３・・・・・・・・・焼
結しない粉末。 特約出願人 松下電器産業株式会社 代 理 人 星 野 恒 鏑 １ ’−−：：、！ユ′
る。 １ａ ・・・・・・・上押しビン、１ｂ ・・・・・・
・・横わく、１ｃ ・・・・・・・下押しビン、 ２・
・・・・・ 焼結する粉末、 ３・・・・・・・・・焼
結しない粉末。 特約出願人 松下電器産業株式会社 代 理 人 星 野 恒 鏑 １ ’−−：：、！ユ′
Claims (1)
- 同一主成分を持ち、特定の温度、圧力のもとで焼結する
粉末と焼結しない粉末とを、少なくとも前者が２層以上
になるように、成形型内に交互に堆積せしめ、これを前
記特定の温度、圧力で同時にホットプレスして複数１個
の磁器薄板を得ることを特徴とする磁器薄板製造方法。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP58173182A JPS6065769A (ja) | 1983-09-21 | 1983-09-21 | 磁器薄板製造方法 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP58173182A JPS6065769A (ja) | 1983-09-21 | 1983-09-21 | 磁器薄板製造方法 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPS6065769A true JPS6065769A (ja) | 1985-04-15 |
Family
ID=15955608
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP58173182A Pending JPS6065769A (ja) | 1983-09-21 | 1983-09-21 | 磁器薄板製造方法 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPS6065769A (ja) |
Cited By (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS63156077A (ja) * | 1986-12-17 | 1988-06-29 | 東芝セラミックス株式会社 | 薄板セラミツクス焼結体の製造方法 |
-
1983
- 1983-09-21 JP JP58173182A patent/JPS6065769A/ja active Pending
Cited By (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS63156077A (ja) * | 1986-12-17 | 1988-06-29 | 東芝セラミックス株式会社 | 薄板セラミツクス焼結体の製造方法 |
| JPH07115942B2 (ja) * | 1986-12-17 | 1995-12-13 | 東芝セラミックス株式会社 | 薄板セラミツクス焼結体の製造方法 |
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