JPS6063720A - 磁気記録媒体 - Google Patents

Abstract

(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。

Description

【発明の詳細な説明】 〔発明の技術分野〕 本発明は、磁気記録媒体、特に磁性層を真空薄膜形成法
によシ形成してなる薄膜型磁気記録媒体上に関するもの
である。

〔従来技術〕

従来、磁気記録媒体には、γ−Ｆｅ’、Ｏ，で代表され
る酸化物系磁性粉や、鉄、コバルト、ニッケルなどの金
属系強磁性粉末を適当な肴機高分子のバインダー中に均
一に分散し、ポリエチレンテレフタレートで代表される
高分子成形物基板上に塗布した。いわゆる塗布形の磁気
記録媒体が使用されてきた。この塗布形に対して、真空
蒸着、スパッタリング、イオンブレーティングなどの真
空薄膜形成法により、バインダーを用いることなく基板
にコバルトなどの強磁性層を形成させた。いわゆる薄膜
型磁気記録媒体が記録の高密度化に有利な形態として開
発されておシ、一部商品化されている。かかる薄膜型の
磁気記録媒体は高密度記録を目的としたものであり、基
板となる高分子成形物に対する要求特性も従来にない厳
しいものとなって来ている。特に記録密度が高密度化す
るのに伴って基板への温湿度に対する寸法安定性が要求
される。中でも磁気記録媒体の湿度に対する寸法変化に
対しては磁気記録再生装置側での材質特性による吸収が
困難でアシ、湿度変化に対しての自動位置制御などの導
入が必要となるため装置が高価になるなどの不利益があ
る。ポリ−ｐ−フェニレンスルフィドフィルムはかかる
要求に適した磁気記録媒体用の基板であシ、湿度膨張係
数が１５×１０−’〜２．Ｏｘ′ＩＯ−’　（ｍ＋ｎ　
／　ｍｍ　／　％　／ＲＨ）　ト従来磁Ｓｔ記録媒体用
の基板として最も多く使われているポリエチレンテレフ
タレートフィルムの約１０ｘ１０（ｍ／−／％／ＲＨ）
と比較して極めて小さいことが特長である。

しかり、ポリ−ｐ−フェニレンスルフィドフィルムの磁
気記録媒体への使用に際し以下に述べる欠点がある。ポ
リ−ｐ−フェニレンスルフィドラを主たる構成単位とす
るものであり、該化学構造からも推測がつくように、他
の物質との密着性に乏しい。特に真空薄膜形成法により
金属膜を形成せしめても密着性が不足し、容易に剥離す
るという重大な欠点を有している。該欠点を防止すべく
例えば特開昭５７−１８７３２７号に示される如く、ア
ルゴンや酸素、窒素、二酸化炭素およびそれらの混合物
を主成分とした放電ガス中でのコロナ放電処理、あるい
はグロー放電処理を施す方法もあるが、かかる方法で処
理されたものは、電着力はある程度向上し、コンデンザ
用途、あるいは接着剤を使用し接着する用途、または印
刷性を向上させる目的など比較的静的な状態での使用に
は有効であるが、磁気記録媒体用途の場合、ヘッドが媒
体面を押圧しながら走行するような動的な用途には密着
力が不足し、繰シ返し使用に耐えず実用的とは言い難い
。またかかる無機ガス雰囲気中でのコロナ放電処理、グ
ロー放電処理の場合、処理後ポリ−ｐ−フェニレンスル
フィドフィルム表面上に微細な傷が生じる。薄膜形磁気
記録媒体では、磁性層厚さが薄いため基板面上の微細な
傷が媒体面上の凹凸となって出現する。従って高密度記
録では該基板面上の微細な傷は記録・再生のエラーとな
るため重大な欠点となる。

〔発明の目的〕

本発明の目的は該ポリ−ｐ−フェニレンスルフィドフィ
ルムの欠点を解消せしめ真空薄膜形成法による薄膜磁性
層などとの密着性を改善し、かっ媒体表面に傷のない磁
気記録媒体を提供せんと１−るものである。

〔発明の構成〕

すなわち本発明は、ポリ−ｐ−フェニレンスルフィドフ
ィルムからなる基板Ａと、少なくとも一層の薄膜型強磁
性層Ｂとからなる磁気記録媒体ｅこおいて、Ａ層のＢ層
側表面に化学組成が次式】％式％） （ただし、　（１１式において、ｐは１≦ｐ≦１０ので
示される化合物を主成分とする化合物層Ｃを積層してな
る磁気記録媒体を特徴とするものである。

本発明におけるポリ−ｐ−フェニレンスルフィドフィル
ムからなる基板人とは、Ｊソリマの構造がポリ−ｐ−７
二二レンスルフイドである。好ましくは本構成単位が９
０モルチ以上であることが本発明の効果を大きくするた
めに重要である。該ポ、１−　番、＋、　ｌ−’ｅ　＋
　＋　／！　Ｍ　幼ｋ　Ｍ　１ｎ　工ｌｌ−ｄ　−ｊ；
−’／Ｊｊｉ　Ｆ　ツいては２本発明の効果を阻害しな
い範囲において次の結合構造を有するものを含有させる
ことかでニトロ、フェニル、アルコキシ基を示ｔ）、三
官薄模型強磁性層Ｂとは、真空蒸着・スノくツタリング
・イオンブレーティングなどの周知の方法で形成したい
わゆる強磁性金属薄膜を指し、金属膜たは金属化合物か
ら成り、具体的には。

■　Ｆｅ、　Ｃｏ、　Ｎｉ　などの単体または合金。

■　Ｆｅ、　Ｇｏ、　Ｎｉの単体または合金とＣｒ、　
Ｍｏ、　Ｗ。

Ｖ、　Ｎｂ、　Ｔａ、　Ｔｉ、　Ｚｒ、　Ｒｅ、　Ｏｓ
、　Ｐｄ、　Ｐｔ、　Ｒｈ。

Ｒｕ　との合金。

■　γＦｅ、Ｏ，ｌ　Ｆｅ、Ｏ，＋　”０−ｒ−Ｆｅｘ
Ｏｒｒ　Ｃｒｙ、　。

ｃｏ−ｐ、Ｃ〇−Ｎｉ　−ｐなどの金属化合物。

の上記３群のいずれか１群から選ばれた金属または金属
化合物である。また耐食性、耐雄耗性、走行性あるいは
磁気特性などを改善するため前記金属層たは金属化合物
に他の単独あるいは複数の元素を微量含有せしめること
は差し支えない。該薄膜型磁性層の厚さは磁気記録再生
の方式や装置との関係があシ、−概に決められないが、
０．０５〜２０μの範囲が望ましい。

化合物層Ｃとは化学組成が次式； ％式％（１１ （ただし、（１層式において、ｐは１≦Ｐ≦１０の範囲
の整数、ｑは１≦ｑ≦１８の範囲の数、ｒは０　＜　ｒ
≦２の範囲の数、８は０≦８≦１の範囲の数である） で示される化合物を主成分とするものであり２分子量が
１６を越え１５０以下のものである。上記に示した範囲
を逸脱したもので該化、金物層Ｃの分子量が小さすぎる
場合は該化合物層の生成時の速度が遅く実用的でない。

逆に分子量が大きくなった場合、生成時の速度は速くな
るが、生成された該化合物層Ｃ中の粒状物が多くなり、
かつ粗大化してくるため該化合物層Ｃ表面の凹凸となシ
好ましくない。

該化合物層Ｃは、真空中で有機化合物の蒸気を導入した
雰囲気にてグロー放電によｐ高分子化合物の重合を生じ
せしめるグロー放電重合法によって形成されるものでア
シ、通常の重合法による高分子化合物とは化学構造が異
なっている。化学構造は高度に架橋した網目構造になっ
ておシ、また多くのフリーラジカルを有している。この
ような化学構造を有した高分子化合物はグロー放電型合
法以外の方法では得られない。

該化合物層Ｃの厚さは１０″Ａ〜ｓ＋ｏｏｏＸの範囲が
望ましく、５０００Ｘを越えて膜厚が厚くなルトポリー
ｐ−フェニレンスルフィドフィルムあるいは薄膜型強磁
性層Ｂとの熱膨張係数との差異などから該化合物層Ｃに
クラックが生じたり、基板からの剥離が生じる場合があ
シ望ましくない。

本発明の磁気記録媒体の層構成は、ボ！ｊ−ｐ−フェニ
レンスルフィドフィルムをＡ層、　薄膜型強磁性層をＢ
層、化学組成がＣＰＨｑＯｒｌＪｓ　で示される化合物
層を０層としたとき、磁気記録媒体が片面の場合はＡ　
／　Ｃ／　Ｂの配列であシ２両面の場合はＢ／Ｃ／Ａ／
Ｃ／Ｂの配列であるのが好ましい。

Ａ層の表面に０層を設けたことでＡ層の表面特性を改質
しＢ層との密着力を改善せしめんとしたものであるが、
０層とＢ層の間に磁気記録再生特性を向上させる目的の
ために中間層を一層あるいは複数層積層させたものであ
っても良い。ここでいう中間層とは、たとえばＧｏ　−
Ｃｒ垂直磁気記録媒体におけるパーマロイ（Ｆｅ　−Ｎ
ｉ合金）層や蒸着磁気テープなどにおける強磁性層と強
磁性層あるいは強磁性層と高分子基板との間に積層され
る非磁性金属層あるいは酸化物層などである。

なおＡ層と０層とは必ず接している必要がある。

次に２本発明の磁気記録媒体の製法について説明する。

内部に放電電極を有した真空槽内にボＩＪ−ｐ−フェニ
レンスルフィドフィルムＡを配設した後、真空ポンプに
て槽内を１０　Ｔｏｒｒ　以下に排気した後、有機化合
物の蒸気を真空槽内の圧力が１０　から１０　Ｔｏｒｒ
形成する化合物層Ｃの表面凹凸を少なくするためには　
１０　から５　Ｔｏｒｒになるまで真空槽内に導入し、
電極間に直流寸たは交流の電圧を印加し、いわゆるグロ
ー放電を生じせしめることによってＡ層表面に化学組成
がＣＩ’ＨｑｏｒＮｓで示される化合物層Ｃを、いわゆ
るグロー放電重合法によシ形成せしめるのである。電極
間に印４加する電圧については重合の進行につれて電極
上に絶縁層が形成され放電電流が変化するため直流電圧
よシも５０　）（２以上の交流電圧が良く、更に実用的
には５０　ＫＨ２〜６０　ＭＨ２の交流電圧が良い。

またポリ−ｐ−フェニレンスルフィドフィルムを配設す
る側の電極については該フィルムＡあるいは重合によっ
て生成される化合物層Ｃが熱によって劣化することを防
ぐため冷却されている方が望ましい。また放電電極につ
いては前記した内部電極のほか真空槽外部から誘導式あ
るいは容量式に放電を生じせしめる無電極方式でも可能
であるが工業的規模では大型化の容易な内部電極方式が
好ましい。有機化合物の蒸気としては２０℃以上の周囲
温度、　１０　Ｔｏｒｒ以下の圧力下で気体状の物質で
あればいずれもグロー放電重合は可能であるが密着性の
観点から考えると有機化合物の蒸気としては各種の脂肪
族化合物、芳香族化合物を用いることができる。

この脂肪族化合物としては、脂肪族飽和炭化水素、脂肪
族不飽和炭化水素、およびエーテル・エステル・アルデ
ヒド・ケトン・アミンなどの特性基を有した脂肪族化合
物などである。　。

具体的にはブタン、２，２−ジメチルブタン。

２．３−ジメチルブタン、プロパン、ヘキサン。

ペンタンなどの非環式飽和炭化水素、シクロブタン、シ
クログロバン、Ｓ／クロオクタテトラエン。

シクロブテン、シクロペンタジェンなどの環式飽和炭化
水素あるいは環式不飽和炭化水素、プロピン、１−フェ
ニル−１，６ブタジエン、１−ブチン、２−ブチン、１
−５−へキサジエン、°１−ヘキシン、１−ヘキセン、
１，６−ペンタジェン。

２−ペンチン、１−ペンテン、ｃｉｓ−２−ペンテン、
　ｔｒａｎｓ　−２−ペンテン、２−メチル−１−ブテ
ン、２−メチル−２−ブテン、５−メチル−１−ブテン
などの非環式不飽和炭化水素、アリルニエチルーエーテ
ル、エチル＝イソプロピル＝エーテル、エチル＝ビニル
；エーテル、エチル−メチル−エーテル、３−エトキシ
プロピン、オキセタンなどのエーテル、アクリル酸エチ
ル、ギ酸エチル、ギ酸メチル、グリシン＝メチルエステ
ル、プロピオン酸メチル、メタクリル酸メチル、メタク
リル酸アリルなどのエステル、アセトアルデヒド。

ホルムアルデヒド、メタクリルアルデヒド、などのアル
デヒド、アセトン、４−アミノ−４−メチル−２ペンタ
ノ−、エチルにメチルミケトン、ケテン、ジメチルケテ
ンなどのケトン、インブチルアミン、グロビルアミン、
ｔ−ペンチルアミン。

Ｎ−メチルヒドロキシルアミンなどのアミン、その他ア
クリロニトリル、プロピオンニトリルなどのニトリルな
どが挙げられる。

芳香族化合物としては芳香族炭化水素、および芳香族炭
化水素のハロゲンその他の置換体などである。具体的に
はトルエン、ｐ−キシレン、ナフタレン、クロロベンゼ
ン、１，２．４トリクロロベンゼン、Ｓ〒ブチルベンゼ
ン、ヘキサメチルベンゼン、２−ビニルピリジン、４−
ビニルピリジンなどが挙げられる。

グロー放電重合に際しては以上述べた有機化合物の蒸気
の内一種または二種以上を選択して用いれば良いが、こ
れら有機化合物の蒸気に無機ガスを微量混合して用いて
も良く、無機ガスとしては具体的にはアルゴン、酸素、
窒素、二酸化炭素。

水蒸気およびこれらの混合物などである。

前記したような方法にて化学組成がＣｐＨｑＯｒＮθで
示される化合物層Ｃを形成した後薄膜型強磁性層Ｂを形
成する。薄膜型強磁性層を形成する方法としては真空蒸
着法、スパッタリング法、イオンブレーティング法など
周知の方法で形成できる。

真空蒸着法の一例である電子ビーム蒸着法では真空槽内
を５　ｘ　１０　Ｔｏｒｒ以下、望ましくは残存ガスに
よる薄膜型強磁性層Ｂへの磁気特性への悪影響をできる
だけ少°なくするためには１　ｘ　１０　Ｔｏｒｒ以下
にした後、電子ビームにより強磁性層材料金属を加熱溶
解し蒸発せしめる。

かかる薄膜型強磁性層Ｂの形成方法においては蒸着ビデ
オテープなど水平磁気記録媒体を形成する場合９強磁性
層材料としてコバルト、するいはこれに耐食性を改善す
るために少量のニッケルを加えたものを用い、蒸発蒸気
流の内基板に対し垂直に入射する蒸気流を遮蔽板で遮蔽
し、斜めに入射する蒸気のみを選択的に基板に付着させ
るところのいわゆる斜方蒸着法などによって形成するこ
とができる。また垂直磁気記録媒体を形成する場合は例
えば強磁性層材料として７〜１５重量％クロムを含有し
たコバルト−クロム合金を用い、蒸発蒸気流の内基板に
対し斜めに入射する蒸気流を遮蔽板で遮蔽し、基板に対
し垂直に入射する蒸気のみを選択的に付着させることで
垂直磁気記録媒体を形成することができる。まだスパッ
タリング法により垂直磁気記録媒体を形成する場合は９
強磁性層材料ターゲットとして１６〜２２重量係りロム
を含有したコバルト−クロム合金を用い、真空槽内を１
０−　Ｔｏｒｒ　以下、好ましくは残存ガスの該薄膜型
強磁性層Ｂへの磁気特性への悪影響をできるだけ少なく
するため　１０　Ｔｏｒｒ以下の圧力にした後、アルゴ
ンガスまたはその他の不活性ガスで導入し、ターゲット
と基板ホルダー間に直流または高周波交流電圧を印加せ
しめ低圧異常グロー放電を生じせしめ活性化されたアル
ゴンまたはその他の不活性ガスイオンによって該ターゲ
ットであるコバルト−クロム合金をたたき出して基板上
に所定厚さのコバルト−クロム垂直磁気記録媒体を形成
する。かかるスパックリングの製法時に。

方式としては直流または交流高周波二極スパッタリング
のいずれでも良く、更にスパッタリング時の膜の生成速
度を速くするためには、ターゲット裏面にマグネットを
配し、投入電力密度を高くならしめたマグネトロンスパ
ッタリング方式が好ましい。

またイオンブレーティング法の場合、前述の電分ビーム
蒸着の蒸発蒸気流雰囲気中に高周波電極を配設し、基板
ホルダーを電気的に絶縁し、負の直流高電圧を印加でき
るようにした装置を用いるものである。かかる方法の場
合まず真空槽内を１０−’Ｔｏｒｒ　以下の圧力に排気
した後、アルゴンガスまたはその他の不活性ガスを真空
槽内の圧力が５×１０　から１０−　Ｔｏｒｒ　の圧力
になるまで導入し。

高周波電極に周波数が１３．５６　ＭＨ２で、０３から
３ｋＷの交流高周波電圧を印加し蒸発蒸気流雰囲気中に
プラズマを生じせしめた状態にし、かつ基板ホルダーに
一１００ｖから−２０００ｖの直流高電圧を印加せしめ
た状態にて９強磁性層相判を電子ビーム加熱によシ溶融
蒸発せしめる。蒸発蒸気流の一部は前記プラズマ中を通
過する間にイオン化され、負の電圧が印加された基板ホ
ルダーにょシ蒸発した金属原子は、加速されて基板上に
付着せしめられ９強磁性層を形成する方法である。イオ
ンブレーティング法の場合も電子ビーム蒸着法で述べた
と同様の方・法で水平磁気記録媒体および垂直磁気記録
媒体を形成することができる。

次に図面に基づいて本発明を説明する。第１図は従来の
磁気記録媒体の断面図で、ポリ−ｐ−フェニレンスルフ
ィドフィルム１の上にハ、　薄ＪＩｇ型強磁性層２が直
接積層されている。ポリ−ｐ−フェニレンスルフィドフ
ィルム１がアルゴンヤａＸ。

窒素、二酸化炭素およびこれらの混合物を主成分とした
放電ガス中でのグロー放電処理を施されてい′る場合も
第１図に示す構成と同じであり、新たな層の形成はない
。

第２図は本発明の磁気記録媒体の基本的構成を示す断面
図で、ポリ−ｐ−フェニレンスルフィドフィルム１の上
には、グロー放電重合法によって形成された化学組成が
ＣｐＨＱＯｒＮＧ　で示される化合物層６が積層され、
さらにその上に薄膜型強磁性層２が積層されている。

第６図、第４図は本発明の基本構成を利用した例である
。第３図は化学組成がＣｐ　Ｈｑ　ｏ　ｒ　Ｎ　ｅ　で
示される化合物層６と薄膜型強磁性層２の間に他の層４
が入った構成であシ９例えば強磁性層２はコバルト−ク
ロム垂直磁気記録層であシ、他の層４は軟磁気強磁性層
のパーマロイ（鉄−ニッケル合金）層である。

第４図は化学組成がＣｐＨｑｏｒＮ、で示される化合物
層３上に他の層４と薄膜型強磁性層２が交互に積層され
たものである。この構成例としては、たとえば薄膜型強
磁性層２はコバルト−ニッケル水平磁気記録層であシ、
他の層４は非磁性のアルミニウム層である。なお図面で
はポリ−ｐ−フェニレンスルフィドフィルム基板での片
面での構成例を示したが両面でも同様の構成は可能であ
り９図面に示した構成例に限定されるものではない。

〔発明の効果〕

本発明ハウポリ−ｐ−フェニレンスルフィドフィルムＡ
の少なくとも片面に化学組成がＣＰＨＱｏ　ｒＮ　。

で示される化合物層Ｃを積層し、その上に薄膜型強磁性
層Ｂを形成せしめたことにより２次のような優れた効果
を得ることができた。

（１）　密着力が向上し、粘着テープによる密着性試験
によっても薄膜型強磁性層Ｂの剥離は生じなかった。

（２）顕微鏡観察の結果１本発明の構成による磁気記録
媒体表面には傷の発生は認められず、ポリ−ｐ−フェニ
レンスルフィドフィルムが元来有する表面特性を維持し
た。

本発明による磁気記録媒体は、薄膜型磁気記録媒体とし
て高密度記録媒体に適し寸法安定性、耐久性に優れた磁
気記録媒体として実用することができ、特にフロッピー
ディスクあるいは磁気カードとして最適である。

〔特性の測定方法、評価基準〕

なお５本発明における特性の測定方法および評価基準は
次の通りである。

１、　密着性の試験方法； 粘着テープを薄膜型強磁性層面に貼付し、その」二から
柔らかい布などでこすシ、完全に密着させ直ちにテープ
一端を持ち、テープを磁性層面に対し平行に維持しつつ
１８０度方向に、瞬間的に引ｓ　ｍｔ干試験方法である
。かかる試験方法によシ強磁性層の剥離の有無を目視で
判定し、まったく剥離の生じないものを良とした。なお
粘着テープとしては以下のいずれかのものを使用する。

■セロハン粘着テープ；ニチバン■製１゛セロテープ１
幅２４コ、■ポリエステル粘着テープー日束電工■製”
ポリエステル粘着テープ″’Ｎ１１３１Ｂ。

厚さ２５μ１幅１９工。

２　表面の傷の判定方法； 金属顕微鏡（日本光学工業■製金属訓微鏡”ＯＰＴ工Ｐ
Ｈ０Ｔ″）によシ目視で強磁性層表面と何ら薄膜層の形
成のない未処理のボｌ）　ｐ−フェニレンスルフィドフ
ィルム表面とを比較した。なお拡大倍率は８０〜１００
０倍である。

６　薄膜型強磁性層の磁気特性の測定方法；試料振動型
磁力計（理研電子■製：ＢＨＶ−３０型）にて測定した
。

４、　薄膜型強磁性層の結晶配向性の測定方法；Ｘ線回
折装置（理学電機■製Ｄ５Ｃ型Ｘ線回折装置）にて測定
した。

Ｘ線はＣｕ−Ｋａ線を使用、電圧３５ＫＶ、？Ｉ！流１
５ｍＡにて測定。

５　化学組成がＣｐＨＱ　ＯｒＮ　ｇ　で示される化合
物層Ｃの化学組成の分析方法； Ｅ、　Ｓ　ＣＡ　（Ｅｌｅｃｔｒｏｎ　５ｐｅｃｔｒ０
８ｃＯｐ７　ｆｏｒ　ＣｈｅｍｉｃａｌΔｎａｌｙｓｉ
ｅの略）（国際電気社製ｇｓ−２００型Ｘ線光電子分光
装置）にて分析した。

使用したＸ線はＡｔ−Ｋａ、　、　ａ、線（１４８６，
６６Ｖ）。

電圧・電流は１０ＫＶ、２０ｍＡでおる。

〔実施例〕

以下、実施例に基づいて本発明の一実施態様を説明する
。

実施例１ 真空槽内にて、基板ホルダーに厚さ４８μのボＩＪ　−
ｐ−フエニレンスルフイドフイルムヲ配シ。

真空槽内を排気系によシ８　Ｘ　１０−　Ｔｏｒｒ　以
下になるまで排気した後、主バルブを閉止し、荒引きバ
ルブを開放した状態で、プロピオンニトリルの蒸気を槽
内の圧力が５　ｘ　１０−　Ｔｏｒｒ　になるまで導入
した。かかる条件にて商用周波数６０Ｈｚ、６０００Ｘ
１箇亦都〒ｆｆｌ’Ｔかグロー情奮用雷極に印加せ１−
めグロー放電重合処理を約２分間行ない、化学組成がＣ
，Ｈλ、、０．、５Ｎで表わされる化合物薄膜を膜厚約
１００ＯＮ形成した。次いで真空槽内を再度抽気しＩ　
Ｘ　１０　Ｔｏｒｒ　以下になるまで排気した後アルミ
ナコートタングステンルツボにＣｏ　−Ｎｉ　合金（ｃ
ｏ　−２５重量％　Ｎｉ　）を挿入したものに約１１Ｏ
Ａの電流を流し、Ｃｏ−Ｎｉ膜を約２００ＯＡ形成した
。

なおこの際蒸発蒸気流と基板法線とのなす角が７０度に
なるよう配設し、いわゆる斜方蒸着によシ形成した。得
られた磁気記録媒体は水平方向の保磁力が約７０００ｅ
　であった。この磁気記録媒体ニ°゛ポリエステル粘着
テープ″による密着性試験を施した結果、まったく剥離
は生じなかった。

また媒体表面は顕微鏡観察の結果、傷の発生は認められ
なかった。

実施例２ 厚さ１２μ１幅２５０−のロール状ポリ−ｐ−フェニレ
ンスルフィドフィルム、を巻き出ｕロールより巻き出し
、グロー放電電極部を経て巻取り口−ルまで該フィルム
を通した状態にて配設し、真空槽内を５　ｘ　１０”’
　Ｔｏｒｒ　以下まで排気した後、主排気バルブの開口
面積を約１７２０　まで絞った状態にて、グロビンの蒸
気を槽内圧力が１〜２　Ｔｏｒｒになるまで導入した。

かかる状態でボ！Ｊ−ｐ−フェニレンスルフィドフィル
ムを約１ｍ／］］１１１ｎの速度で走行させ、グロー放
電電極に周波数１１０ＫＨ２の交流電圧を印加しグロー
放電を生じせしめた。

この時の投入電力は５　ｋＷ　であった。

以上のようにして該連続フィルム上にＣ３Ｈ２，７００
，！１なる化学組成の化合物薄膜を約８００Ａ形成した
。

処理後のロールフィルムをグロー放電処理装置よシ取シ
出し半連続式電子ビーム蒸着機のフィルム走行系にセッ
トし、蒸着槽内を８　ｘ　１０’Ｔｏｒｒ以下になる１
で排気し、電子ビーム蒸着によシｃｏ−Ｎｉ−Ｐｄ（重
量比７２：１８：５）を膜厚約１５００久を形成した。

なおこの際基板法線と蒸発蒸気流がなす角が６５度を超
える成分は遮蔽板にょシ遮蔽し、かつ蒸着部分での基板
支持ロールの温度を約８０°０に保って蒸着を実施した
。かかる方法にて得られた磁気記録媒体の磁気特性は面
内にて等注性を有し、その水平方向保磁力は約６ＤＤｏ
θ、また角形比０７８のものが得られた。

得られた磁気記録媒体を゛セロテープ″および“ポリエ
ステル粘着テープ”によって密着力試験を行なった結果
剥離は生じなかった。また該磁気記録媒体に高級アルコ
ール系潤滑層を約１５　［Ｉ　Ａ’塗布し、ミニフレキ
シブルディスク状に切断シ。

市販のフロッピーディスク用ジャケットに挿入しテ、ミ
ニフロッピーディスク駆動装置（アップル社製、″ディ
スク■″を改造し、ヘッドが同−ｌ・ランク上を走行す
るようにした装置で信号の記録・再生を行なった。さら
に４８時間の連続回転後も再生出力に変化は生じなかっ
た。

実施例３ 厚さ約４８μのポリ−ｐ−フェニレンスルフィドフィル
ムをホルダーに固定し、真空槽内を５×１０”’　Ｔｏ
ｒｒ　以下の真空度まで排気した後バイパスバルブを開
放し、メインバルブを閉止した状態でシクロペンタジェ
ンの蒸気を導入して、真空槽内１ を５　ｘ　１０　〜６　ｘ　１０　Ｔｏｒｒ、ガス流量
０．５１７ｍ１ｎの状態とした。この状態下でグロー放
電電極に周波数９０ＫＨｚ　、投入電力２．５　ｋ　Ｗ
の交流電圧を印加せしめたグロー放電重合によ！”　Ｓ
”ｇ、２００．４　なる化学組成の化合物薄膜を約２０
０ＯＡ形成した。

しかる後、真空槽内を再度排気し８　ｘ　１０”’　Ｔ
ｏｒｒ以下になるまで排気後、Ａｒガスを真空槽内圧力
が２　ｘ　１０−　Ｔｏｒｒ　になるまで導入後、投入
電力約１ｋＷＩ）Ｍ流マグネトロン・スパッタによ！ｌ
　ｃｏ−ｃｒ膜（１９，６ｗｔ％ｃｒ　）を約５［］Ｏ
ＤＡ形成した。

この時基板ホルダーの温度を１２０°Ｃ−１で昇温した
。以上のようにして得られた磁気記録媒体は垂直方向保
持力約ろ５００ｅであり、磁化曲線およびＸ線回折の結
果、該磁気記録媒体は垂直磁化膜であった。この媒体は
″セロテープ″および”ポリエステル粘着テープ″によ
る密着力試験にても剥聞（は生じなかった。また顕微鏡
観察にても媒体表、面に傷の発生は認められなかった。

比較例１ 厚さ１２μ９幅２５０−のロール状ポリ−ｐ−フエニレ
ンスルフィドフィルムヲ巻キｆｆｆＬ、ロールよシ巻き
出し、グロー放電電極部を経て巻き取シロールまで該フ
ィルムを通した状態にて真空槽内に配設し、真空槽内を
５　ｘ　１０’　Ｔｏｒｒ　以下まで排気した後、主排
気イ（ルプの開口面積を約１／１０　−ｚで絞った状態
にて、炭酸ガスを真空槽内の圧力が６　ｘ　１０”’　
〜７　ｘ　１０−　Ｔｏｒｒになる１で導入した。

かかる状態でフィルムを約ｉｎ／ｍｉｎの速度で走行さ
せ、グロー放電電極に周波数９０ＫＨ２の交流電圧を約
２．５ｋｗ投入し、該フィルムの炭酸ガスによるグロー
放電処理を施した。処理後のロールフィルムを装置よシ
取シ出し半連続式電子ビーム蒸着機のフィルム走行系に
配設した後、実施例２で示した方法とほぼ同様の蒸着条
件にてＧｏ　−Ｎｉ　−ｐｄ（重量比７２：１８：５）
膜を厚さ約１３１］ＣＩＸを形成した。得られた磁気記
録媒体は面内方向に磁気異方性を有し、かつ磁気特性が
面内で等方性であり、その水平方向保磁力は約２８００
ｅで、角形比は０．８０であった。このものを“モリエ
ステル粘着テープ″による密着性試験を行なった結果。

粘着面面積の約５０チが剥離した。また磁気記録媒体面
の顕微鏡観察の結果　ｄ；　ｌ）　ｐ−フェニレンスル
フィドフィルムが元来は有していない無数の傷の発生が
認められた。

比較例２ 真空槽内にて、基板ホルダーに厚さ約４８μのポリーｐ
−フエニレンスルフイドフイルムヲ配ジグロー放電重合
処理を施さずに、該フィルム表面に実施例１に示した蒸
着条件にてｃＱ−Ｎｉ膜を約２０００、Ｘ形成した。得
られた磁気記録媒体の水平方向の保磁力は約６８００ｅ
であった。

このものに”セロハンテープ“による密着力試験を施し
た結果、”セロハンテープ″貼付面の９０チ以上の面積
でＣｏ　−Ｎｉ膜の剥離が生じた。

【図面の簡単な説明】

第１図は従来法によって得られた磁気記録媒体の断面略
図。第２図〜＠４図は１本発り］の磁気記録媒体の断面
略図を示す。 １：ポリ−ｐ−フェニレンスルフィトフィルム２：薄膜
型強磁性層 ６：化学組成が　ＣゎＨｑＯｒＮθで示される化合物層
　１４：他の層 特許出願人　東し株式会社 第１図 第２図 第８図 手　続　補　正　書 １、事件の表示 昭和５８年特許願第１７１０９４号 ２、発明の名称 磁気記録媒体 ３、補正をする者 事件との関係　特許出願人 住所　東京都中央区日本橋至町２丁目２番地４、補正命
令の日付 自発 ５、補正により増加する発明の数 なし ６、補正の対象 明細書の「発明の詳細な説明」の欄 ７、補正の内容 （１）　明ＩＩＩ書　第１頁１８行目 「上に関する」を「関する」と補正する。 （２）　同　第４頁１２行目 「薄膜形」を「薄膜型」と補正する。 （３）　同　第５頁７行目 「Ａ層の」を［基板ＡのＪと補正づる。 （４）　同　第１６頁３行目 「分ビーム」を「子ビーム」と補正する。 （５）　同　第２３頁１６行目 ｒ７２：１８；５Ｊをｒ７６；１９；５Ｊと補正づる。 （６）　同　第２６頁１５行目 ｒ７２；１８；５Ｊをｒ７６　；　１９　；　５Ｊと補
正する。 （７）　同　第２６頁１９行目 ［モリエステｊを「ポリエステ」と補正する。

Claims (1)

【特許請求の範囲】
1. （１）　ホＩＪ　−ｐ　−フェニレンスルフィドフィル
   ムからなる基板Ａと、少なくとも一層の薄膜型強磁性層
   Ｂが積層されてなる磁気記録媒体において。 基板ＡのＢ層側表面に化学組成が次式；％式％（１） （ただし、（１）式において、ｐは１≦ｐ≦１０の範囲
   の整数、ｑは１≦ｑ≦１８の範囲の数、ｒはＯａｒ≦２
   の範囲の数、８は０≦８≦１の範囲の数である）で示さ
   れる化合物を主成分とする化合物層Ｃを積層してなる磁
   気記録媒体。