JPS6062007A - 電界緩和用シ−ト - Google Patents
電界緩和用シ−トInfo
- Publication number
- JPS6062007A JPS6062007A JP17041983A JP17041983A JPS6062007A JP S6062007 A JPS6062007 A JP S6062007A JP 17041983 A JP17041983 A JP 17041983A JP 17041983 A JP17041983 A JP 17041983A JP S6062007 A JPS6062007 A JP S6062007A
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- JP
- Japan
- Prior art keywords
- cation
- electric field
- sheet
- salt
- cations
- Prior art date
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- Pending
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- Non-Insulated Conductors (AREA)
Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
(イ〕 産業上の利用分野
この発明は、電界緩和用シートに関する。さらに詳しく
は、半?ふ電性電荷移動錯体をi、Q維状吻に吸着又は
付着して誘電率の大きい半合11性の?lj界緩和用シ
ートを得ることに関する。
は、半?ふ電性電荷移動錯体をi、Q維状吻に吸着又は
付着して誘電率の大きい半合11性の?lj界緩和用シ
ートを得ることに関する。
tot 従来技術
従来、電線、ケーブル、トランス、モーター、発電機な
どにおいて高電圧がかかる場合、急激な電界傾斜fこ起
因する絶縁破壊などが生じやすく、その急激な電界傾斜
を緩和するために、金属、カーボンなどの電導体とプラ
スチックス、マイカ、ガラス、繊維、セラミックスなど
の絶縁体との間に電界緩和用プラスチックスをシート状
又はフィルム状として介在させている。jIT+常、1
u専体と絶縁体の中間の半桿体領域で誘電率の大きいも
のが望ましい。
どにおいて高電圧がかかる場合、急激な電界傾斜fこ起
因する絶縁破壊などが生じやすく、その急激な電界傾斜
を緩和するために、金属、カーボンなどの電導体とプラ
スチックス、マイカ、ガラス、繊維、セラミックスなど
の絶縁体との間に電界緩和用プラスチックスをシート状
又はフィルム状として介在させている。jIT+常、1
u専体と絶縁体の中間の半桿体領域で誘電率の大きいも
のが望ましい。
従来から用いられている電界緩和材はいずれもカーボン
ブラックを用いたもので、例えばタフ1.維にカーボン
ブラックを含浸させた布や、プラスチックス中にカーボ
ンブラックを均一に分散させたシート、フィルムがある
。しかし前者の場合、力一ボンブラックの含浸不良がお
こりやすく水分を吸収しやすい等の欠点が有り、後者に
おいては、有機高分子中へ電気抵抗を下げるため多量(
通常10〜40重量%)の無機物であるカーボンブラッ
クが混合されているため機械的強度が不足するという欠
点が有った。
ブラックを用いたもので、例えばタフ1.維にカーボン
ブラックを含浸させた布や、プラスチックス中にカーボ
ンブラックを均一に分散させたシート、フィルムがある
。しかし前者の場合、力一ボンブラックの含浸不良がお
こりやすく水分を吸収しやすい等の欠点が有り、後者に
おいては、有機高分子中へ電気抵抗を下げるため多量(
通常10〜40重量%)の無機物であるカーボンブラッ
クが混合されているため機械的強度が不足するという欠
点が有った。
?9 発明の目的
この発明は、電界緩和用に好適な誘電率の大きい半導性
のシートを得ることを目的とする。
のシートを得ることを目的とする。
に)発明の摺電
この発明は、7,7.8.8−テトラシアノキノジメタ
ンと、ピリジニウムカチオン、キノリニウムカチオン、
ツェナジニウムカチオン、アクリジニウムカチオン、フ
エナントロリウムカチオン、ベンゾチアゾリウムカチオ
ン、ベンゾイミダゾリウムカチオン、テトラチアフルバ
レン、ピペラジニウムカチオン、ホスホニウムカチオン
、アルソニウムカチオン、アンモニウムカチオン及びシ
アニン色素のカチオン類から選ばれるカチオンとの半導
電性電荷移動錯体を繊維状物に吸着又は付着してなる電
界緩和用シートを提供するものである。
ンと、ピリジニウムカチオン、キノリニウムカチオン、
ツェナジニウムカチオン、アクリジニウムカチオン、フ
エナントロリウムカチオン、ベンゾチアゾリウムカチオ
ン、ベンゾイミダゾリウムカチオン、テトラチアフルバ
レン、ピペラジニウムカチオン、ホスホニウムカチオン
、アルソニウムカチオン、アンモニウムカチオン及びシ
アニン色素のカチオン類から選ばれるカチオンとの半導
電性電荷移動錯体を繊維状物に吸着又は付着してなる電
界緩和用シートを提供するものである。
この発明における経、維状物としては、セルロース、ア
セテート、麻、綿、ポリエチレンテレフタレート、ナイ
ロン、ビニロン等の天然又は合成のモノフィラメントあ
るいはこれを紡糸したもの、網状物、ガーゼ、織物等が
ある。
セテート、麻、綿、ポリエチレンテレフタレート、ナイ
ロン、ビニロン等の天然又は合成のモノフィラメントあ
るいはこれを紡糸したもの、網状物、ガーゼ、織物等が
ある。
この発明に用いる繊維状物に吸着又は付着させる半導電
性電荷移動錯体は、7.7.8.8−テトラシアノキノ
ジメタン(以下TONQと略記)とピリジニウムカチオ
ン、キノリニウムカチオン、ツェナジニウムカチオン、
アクリジニウムカチオン、フエナントロリウムカチオン
、ベンゾチアゾリウムカチオン、ベンゾイミダゾリウム
カチオン、テトラチアフルバレン、ピペラジニウムカチ
オン、ホスホニウムカチオン、アルソニウムカチオン、
アンモニウムカチオン又はシアニン色素のカチオン類か
らなる錯体である。
性電荷移動錯体は、7.7.8.8−テトラシアノキノ
ジメタン(以下TONQと略記)とピリジニウムカチオ
ン、キノリニウムカチオン、ツェナジニウムカチオン、
アクリジニウムカチオン、フエナントロリウムカチオン
、ベンゾチアゾリウムカチオン、ベンゾイミダゾリウム
カチオン、テトラチアフルバレン、ピペラジニウムカチ
オン、ホスホニウムカチオン、アルソニウムカチオン、
アンモニウムカチオン又はシアニン色素のカチオン類か
らなる錯体である。
上記TONQはJ、A、O,S、、 Vol−84、3
370〜3374頁(1962年)に記載のように1,
4−シクロヘキサンジオンとマロンニトリルの縮合生成
物から製造でき、またTONQ塩はJ、A、O,S、、
Vol。
370〜3374頁(1962年)に記載のように1,
4−シクロヘキサンジオンとマロンニトリルの縮合生成
物から製造でき、またTONQ塩はJ、A、O,S、、
Vol。
84、3374〜3387頁(1962年)および、T
、 O,P、。
、 O,P、。
Vol、51.377〜382頁(1969年)に記載
の方法で製造できる。
の方法で製造できる。
この発明のピリクニウムカチオンTONQ、塩は一般式
(式中nは1又は2、Rは水素原子又は低級アルキル基
、好ましくは水素原子、メチル基又はエチル基である。
、好ましくは水素原子、メチル基又はエチル基である。
以下同じである。)
で示され、キノリニウムカチオンT(1!NQ塩は一般
式 て示され、フエナジニウムカチオンTONQ塩Gi 一
般式 で示され、アクリジニウムカチオンTONQ塩Gi 一
般式 で示され、フエナントロリウム力チA−ンT(!NQ塩
は一般式 で示され、ベンゾチアゾリウムカチオンTC〜Q塩は一
般式 で示され、ベンゾイミダゾリウムカチオン’I’ONQ
塩は一般式 it で示され、テトラチアフルバレンTONQ mは一般式 で示され、ピペラジニウムカチオン’[’ONQ塩は一
般式 式 [PR4]”・TaaQ; で示され、アルソニウムカチオンTONQ 塩は一般式 %式% で示され、アンモニウムカチオンT O11Q塩は一般
式 %式% で示され、シアニン色素のカチオン類、例えば含窒素複
素環がキノリンであるTONQ塩は一般式%式% (式中R’、R“はアルキルまたはアル、コキシル基、
mは0〜3までの整数を示す;シアニン(rn=Q入カ
ルボシアニン(IIl=IJ、ジカルボシアニン(m−
2ノが挙げられる。ノ 上記半導電性電路移動錯体を各種溶媒に所定の%濃度(
通常0.1〜・30%濃度ノで分散させたり溶解させた
後、これらの分散又は溶f」γ漱に前記繊維状物を十分
に浸漬させたり、あるいは前記分散又は溶解液を繊維状
物に噴1δ器で均一に吹き付け、次いで十分に乾燥する
ことにより、この発明の電界緩和用シートが得られる。
式 て示され、フエナジニウムカチオンTONQ塩Gi 一
般式 で示され、アクリジニウムカチオンTONQ塩Gi 一
般式 で示され、フエナントロリウム力チA−ンT(!NQ塩
は一般式 で示され、ベンゾチアゾリウムカチオンTC〜Q塩は一
般式 で示され、ベンゾイミダゾリウムカチオン’I’ONQ
塩は一般式 it で示され、テトラチアフルバレンTONQ mは一般式 で示され、ピペラジニウムカチオン’[’ONQ塩は一
般式 式 [PR4]”・TaaQ; で示され、アルソニウムカチオンTONQ 塩は一般式 %式% で示され、アンモニウムカチオンT O11Q塩は一般
式 %式% で示され、シアニン色素のカチオン類、例えば含窒素複
素環がキノリンであるTONQ塩は一般式%式% (式中R’、R“はアルキルまたはアル、コキシル基、
mは0〜3までの整数を示す;シアニン(rn=Q入カ
ルボシアニン(IIl=IJ、ジカルボシアニン(m−
2ノが挙げられる。ノ 上記半導電性電路移動錯体を各種溶媒に所定の%濃度(
通常0.1〜・30%濃度ノで分散させたり溶解させた
後、これらの分散又は溶f」γ漱に前記繊維状物を十分
に浸漬させたり、あるいは前記分散又は溶解液を繊維状
物に噴1δ器で均一に吹き付け、次いで十分に乾燥する
ことにより、この発明の電界緩和用シートが得られる。
このようにして得られた繊維状物は、その繊維を構成す
る各車υ11tの内部及び/又は表面に前記TCjNQ
錯体分子が吸着もしくは付着してなるものであり繊維全
体としてTONQ錯体を均一に吸着もしくは付着してな
るものである。
る各車υ11tの内部及び/又は表面に前記TCjNQ
錯体分子が吸着もしくは付着してなるものであり繊維全
体としてTONQ錯体を均一に吸着もしくは付着してな
るものである。
以下、この発明の実施例を示して詳説するが、この発明
はこれに限定されることはない。
はこれに限定されることはない。
(ホ)実施例
実施例1
ジメチルホルムアミドにキノリニウムT(IQ、複り(
(塩を溶j屏し所定のΩ度として、これにナイロンP、
↓維を浸6Δ後、乾燥させ吸着させた。このようにして
得られたシートの尋111率およびtM IIL率を第
1図に示す。(図中の番号は、上記TONQ塩の濃度を
示すもので、(1)は0.1 、F2+は0.5、(3
)は1.0、(4)は10 、(5]は30%であり、
(6)はジメチルホルムアミドにテトラブチルアンモニ
ウムTONQ、複雑塩を浴解し10 %の濃度としたも
の、(7)はジメチルホルムアミドにジエチルキノシア
ニン’Il’ONQ複々:1.塩をン容jJ’i’L1
0 %のンt3度としたもので゛ある。ノ第1図から明
らかなように、比抵抗は?T? 、Hg体と絶縁体の中
間の半導体領域(10〜IOΩcm )であり誘電率ε
も20〜200と大きく、11尤界緩和用シートとして
非常に優れていることがわかる。
(塩を溶j屏し所定のΩ度として、これにナイロンP、
↓維を浸6Δ後、乾燥させ吸着させた。このようにして
得られたシートの尋111率およびtM IIL率を第
1図に示す。(図中の番号は、上記TONQ塩の濃度を
示すもので、(1)は0.1 、F2+は0.5、(3
)は1.0、(4)は10 、(5]は30%であり、
(6)はジメチルホルムアミドにテトラブチルアンモニ
ウムTONQ、複雑塩を浴解し10 %の濃度としたも
の、(7)はジメチルホルムアミドにジエチルキノシア
ニン’Il’ONQ複々:1.塩をン容jJ’i’L1
0 %のンt3度としたもので゛ある。ノ第1図から明
らかなように、比抵抗は?T? 、Hg体と絶縁体の中
間の半導体領域(10〜IOΩcm )であり誘電率ε
も20〜200と大きく、11尤界緩和用シートとして
非常に優れていることがわかる。
(四 発明の効果
以上のように、この発明瘍こおける電界籾和用シートは
、特に絆、維状物が溶剤で膨曲した場合に高い効果が得
られる。
、特に絆、維状物が溶剤で膨曲した場合に高い効果が得
られる。
このようにして得た繊維代物は、従来のカーボンブラッ
クを用いたものに比して、機械的強1丁の低下や含浸不
良等の問題点が解消されたものであり、そのままシート
状でも使用できるし、さらには高分子中に練り込んで使
用することができ、1111界緩和を必要とする各種成
形品等として好適である。
クを用いたものに比して、機械的強1丁の低下や含浸不
良等の問題点が解消されたものであり、そのままシート
状でも使用できるし、さらには高分子中に練り込んで使
用することができ、1111界緩和を必要とする各種成
形品等として好適である。
Claims (1)
- 1、 7,7,8.8−テトラシアノキノジメタンと、
ピリジニウムカチオン、キノリニウムカチオン、ツェナ
ジニウムカチオン、アクリジニウムカチオン、フエナン
トロリウムカチオン、ベンゾチアゾリウムカチオン、ベ
ンゾイミダゾリウムカチオン、テトラチアフルバレン、
ピペラジニウムカチオン、ホスホニウムカチオン、アン
モウムカチオン、アンモニウムカチオン及びシアニン色
素のカチオン類から選ばれるカチオンとの半尋電性電荷
移動錯体を繊維状物に吸着又は付着してなる電界緩和用
シート。
Priority Applications (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP17041983A JPS6062007A (ja) | 1983-09-14 | 1983-09-14 | 電界緩和用シ−ト |
Applications Claiming Priority (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP17041983A JPS6062007A (ja) | 1983-09-14 | 1983-09-14 | 電界緩和用シ−ト |
Publications (1)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
JPS6062007A true JPS6062007A (ja) | 1985-04-10 |
Family
ID=15904572
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
JP17041983A Pending JPS6062007A (ja) | 1983-09-14 | 1983-09-14 | 電界緩和用シ−ト |
Country Status (1)
Country | Link |
---|---|
JP (1) | JPS6062007A (ja) |
-
1983
- 1983-09-14 JP JP17041983A patent/JPS6062007A/ja active Pending
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