JPS606136B2 - Ｇｔｏサイリスタのサ−ジ吸収回路 - Google Patents
Ｇｔｏサイリスタのサ−ジ吸収回路Info
- Publication number
- JPS606136B2 JPS606136B2 JP10087380A JP10087380A JPS606136B2 JP S606136 B2 JPS606136 B2 JP S606136B2 JP 10087380 A JP10087380 A JP 10087380A JP 10087380 A JP10087380 A JP 10087380A JP S606136 B2 JPS606136 B2 JP S606136B2
- Authority
- JP
- Japan
- Prior art keywords
- surge absorption
- gto thyristor
- diode
- absorption circuit
- capacitor
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Expired
Links
Classifications
-
- H—ELECTRICITY
- H03—ELECTRONIC CIRCUITRY
- H03K—PULSE TECHNIQUE
- H03K17/00—Electronic switching or gating, i.e. not by contact-making and –breaking
- H03K17/51—Electronic switching or gating, i.e. not by contact-making and –breaking characterised by the components used
- H03K17/56—Electronic switching or gating, i.e. not by contact-making and –breaking characterised by the components used by the use, as active elements, of semiconductor devices
- H03K17/72—Electronic switching or gating, i.e. not by contact-making and –breaking characterised by the components used by the use, as active elements, of semiconductor devices having more than two PN junctions; having more than three electrodes; having more than one electrode connected to the same conductivity region
- H03K17/73—Electronic switching or gating, i.e. not by contact-making and –breaking characterised by the components used by the use, as active elements, of semiconductor devices having more than two PN junctions; having more than three electrodes; having more than one electrode connected to the same conductivity region for DC voltages or currents
Landscapes
- Thyristor Switches And Gates (AREA)
- Electronic Switches (AREA)
- Protection Of Static Devices (AREA)
- Power Conversion In General (AREA)
Description
【発明の詳細な説明】
本発明はＧＴＯサィリスタのサージ吸収回路に係り、特
に損失の低減に関する。
に損失の低減に関する。
第１図は従釆のＧＴＯサィリスタのサージ吸収回路の一
例を示す図、第２図は同サージ吸収回路を用いたィンバ
ータの回路図である。
例を示す図、第２図は同サージ吸収回路を用いたィンバ
ータの回路図である。
すなわちＧＴＯサィリスタ１に並列にサージ吸収用ダイ
オード２、コンデンサ３の直列回路を接続するとともに
上記サージ吸収用ダイオード２に並列に抵抗器４を接続
するようにしている。そしてＧＴＯサイリスタ１のター
ンオフ時、コンデンサ３をダイオード２を介して充電し
、このコンデンサ３の電圧上昇によって、ＧＴＯサィリ
スタ１の急激な順方向電圧上昇を防止して保護するよう
にしている。またターンオフ時は、コンデンサ３に充電
された電荷を抵抗器４を介してＧＴＯサイリスタに流し
、この抵抗器４によって短絡電流を抑制するようにして
いる。なお第２図において、１０‘ま電源、１１はリア
クトル、１２はコンデンサでこのリアクトル１１とコン
デンサ１２により逆Ｌ形フィル夕を構成しィンバー夕動
作時の電源側への高調波を低減するようにしている。ま
た第２図において１３はィンバータの出力を電圧変換す
る変圧器、１４は負荷である。しかしながらこのような
ものでは、コンデンサ３にたくわえられたェネルギは全
て、損失として抵抗器４で消費され装置の効率の低下が
問題となる。またＧＴＯサィリスタは従来の一般的な３
端子サィリスタに比して大容量のサージ吸収用コンデン
サ３を必要とするために熱損失も箸るしく増加する傾向
にある。本発明は上記の事情に鑑みてなされたものでサ
ージ吸収用抵抗器で発生する損失を極力低減しそれによ
って高効率で運転することができるＧＴＯサィリスタの
サージ吸収回路を提供することを目的とするものである
。
オード２、コンデンサ３の直列回路を接続するとともに
上記サージ吸収用ダイオード２に並列に抵抗器４を接続
するようにしている。そしてＧＴＯサイリスタ１のター
ンオフ時、コンデンサ３をダイオード２を介して充電し
、このコンデンサ３の電圧上昇によって、ＧＴＯサィリ
スタ１の急激な順方向電圧上昇を防止して保護するよう
にしている。またターンオフ時は、コンデンサ３に充電
された電荷を抵抗器４を介してＧＴＯサイリスタに流し
、この抵抗器４によって短絡電流を抑制するようにして
いる。なお第２図において、１０‘ま電源、１１はリア
クトル、１２はコンデンサでこのリアクトル１１とコン
デンサ１２により逆Ｌ形フィル夕を構成しィンバー夕動
作時の電源側への高調波を低減するようにしている。ま
た第２図において１３はィンバータの出力を電圧変換す
る変圧器、１４は負荷である。しかしながらこのような
ものでは、コンデンサ３にたくわえられたェネルギは全
て、損失として抵抗器４で消費され装置の効率の低下が
問題となる。またＧＴＯサィリスタは従来の一般的な３
端子サィリスタに比して大容量のサージ吸収用コンデン
サ３を必要とするために熱損失も箸るしく増加する傾向
にある。本発明は上記の事情に鑑みてなされたものでサ
ージ吸収用抵抗器で発生する損失を極力低減しそれによ
って高効率で運転することができるＧＴＯサィリスタの
サージ吸収回路を提供することを目的とするものである
。
以下本発明の一実施例を第３図、第４図に示す回路図を
参照して詳細に説明する。
参照して詳細に説明する。
なお第１図、第２図と同一部分には同一符号を付与して
その説明を省略する。図中５は帰還変圧器でその１次巻
線をサージ吸収用ダイオード２に並列に接続し、また２
次巻線に並列にリセット抵抗器６を接続し、この２次巻
線を帰還ダイオード７を介して電源に接続するようにし
ている。このような構成であればＧＴＯサィリスターの
ターンオフ時は第１図に示す従来のサージ吸収回路と同
様にダイオード２を介してコンデンサ３を充電してＧＴ
Ｏサィリスタ１に印加される急減な順方向電圧の上昇を
防止する。
その説明を省略する。図中５は帰還変圧器でその１次巻
線をサージ吸収用ダイオード２に並列に接続し、また２
次巻線に並列にリセット抵抗器６を接続し、この２次巻
線を帰還ダイオード７を介して電源に接続するようにし
ている。このような構成であればＧＴＯサィリスターの
ターンオフ時は第１図に示す従来のサージ吸収回路と同
様にダイオード２を介してコンデンサ３を充電してＧＴ
Ｏサィリスタ１に印加される急減な順方向電圧の上昇を
防止する。
またターンオフ時はコンデンサ３に充電された電荷は帰
還変圧器５の１次巻線およびＧＴＯサィリスタ１を介し
て放電し、同時に帰還変圧器５の１次側を流れる電流に
よって２次巻線に図示極性に誘起される電圧を帰還ダイ
オードＴを順方向に介して電源側へ帰還し、この後、帰
還変圧器５の鉄芯の残留磁束をリセット抵抗器６により
２次巻線を短絡して消滅させリセットする。すなわちＧ
ＴＯサイリスタ１のターンオフ時コンデンサ３に充電さ
れたェネルギを消費させることなく電源側へ帰還させる
ので損失は極めて少なくなる。特にＧＴＯサィリスタで
サージ吸収用コンデンサ３として大容量のものを用いた
場合、顕著な効果を得ることができる。したがって、本
発明によれば第１図に示す従来の回路に比して帰還変圧
器を必要とするために部品点数は増加するが損失を１／
ｔ乃至１′５に低減でき装置の発熱も減少することがで
きる。しかして装置全体の効率を向上でき、また発熱を
少なくするできることによって冷却装置として簡単なも
のを用いることができ全体の形状の小型化、必要な冷却
能力の減少によるコストの低減を図ることができる。な
お第４図は本発明のサージ吸収回路を用いたィンバータ
の一例を示す図である。以上詳述したように本発明はＧ
ＴＯサィリスタに並列に接続したサージ吸収用ダイオ−
ド‘こ並列に帰還変圧器の１次側を接続し、この２次側
に誘起される電圧を帰還ダイオードを介して電源へ帰還
するようにしたので高効率で運転できしかもサージ吸収
用コンデンサに大容量のものを用いることができるＧＴ
Ｏサイリスタのサージ吸収回路を提供することができる
。
還変圧器５の１次巻線およびＧＴＯサィリスタ１を介し
て放電し、同時に帰還変圧器５の１次側を流れる電流に
よって２次巻線に図示極性に誘起される電圧を帰還ダイ
オードＴを順方向に介して電源側へ帰還し、この後、帰
還変圧器５の鉄芯の残留磁束をリセット抵抗器６により
２次巻線を短絡して消滅させリセットする。すなわちＧ
ＴＯサイリスタ１のターンオフ時コンデンサ３に充電さ
れたェネルギを消費させることなく電源側へ帰還させる
ので損失は極めて少なくなる。特にＧＴＯサィリスタで
サージ吸収用コンデンサ３として大容量のものを用いた
場合、顕著な効果を得ることができる。したがって、本
発明によれば第１図に示す従来の回路に比して帰還変圧
器を必要とするために部品点数は増加するが損失を１／
ｔ乃至１′５に低減でき装置の発熱も減少することがで
きる。しかして装置全体の効率を向上でき、また発熱を
少なくするできることによって冷却装置として簡単なも
のを用いることができ全体の形状の小型化、必要な冷却
能力の減少によるコストの低減を図ることができる。な
お第４図は本発明のサージ吸収回路を用いたィンバータ
の一例を示す図である。以上詳述したように本発明はＧ
ＴＯサィリスタに並列に接続したサージ吸収用ダイオ−
ド‘こ並列に帰還変圧器の１次側を接続し、この２次側
に誘起される電圧を帰還ダイオードを介して電源へ帰還
するようにしたので高効率で運転できしかもサージ吸収
用コンデンサに大容量のものを用いることができるＧＴ
Ｏサイリスタのサージ吸収回路を提供することができる
。
第１図、第２図は従来のサージ吸収回路およびこのサー
ジ吸収回路を用いたィンバータの一例を示す図、第３図
は本発明のサージ吸収回路の−実施例を示す回路図、第
４図は本発明のサージ吸収回路を用いたインバータの一
例を示す回路図である。 １……ＧＴＯサィリスタ、２……サージ吸収用ダイオー
ド、３…・・・サージ吸収用コンデンサ「 ５・・…・
帰還変圧器、６・・…。 リセット抵抗器「 ７・・・・・・帰還ダイオード。第
１図 第２図 第３図 第４図
ジ吸収回路を用いたィンバータの一例を示す図、第３図
は本発明のサージ吸収回路の−実施例を示す回路図、第
４図は本発明のサージ吸収回路を用いたインバータの一
例を示す回路図である。 １……ＧＴＯサィリスタ、２……サージ吸収用ダイオー
ド、３…・・・サージ吸収用コンデンサ「 ５・・…・
帰還変圧器、６・・…。 リセット抵抗器「 ７・・・・・・帰還ダイオード。第
１図 第２図 第３図 第４図
Claims (1)
- １ ＧＴＯサイリスタに並列に接続したサージ吸収用ダ
イオードとサージ吸用コンデンサからなる直例回路と、
一次側を上記サージ吸収用ダイオードに並列に接続した
帰還変圧器と、この帰還変圧器の２次側に直列に介挿さ
れこの二次側巻線に誘起される電圧を電源側へ帰還させ
る帰還ダイオードとを具備することを特徴とするＧＴＯ
サイリスタのサージ吸収回路。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP10087380A JPS606136B2 (ja) | 1980-07-23 | 1980-07-23 | Ｇｔｏサイリスタのサ−ジ吸収回路 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP10087380A JPS606136B2 (ja) | 1980-07-23 | 1980-07-23 | Ｇｔｏサイリスタのサ−ジ吸収回路 |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPS5725723A JPS5725723A (en) | 1982-02-10 |
| JPS606136B2 true JPS606136B2 (ja) | 1985-02-15 |
Family
ID=14285429
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP10087380A Expired JPS606136B2 (ja) | 1980-07-23 | 1980-07-23 | Ｇｔｏサイリスタのサ−ジ吸収回路 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPS606136B2 (ja) |
Families Citing this family (6)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS57195241U (ja) * | 1981-06-02 | 1982-12-10 | ||
| JPS5863076A (ja) * | 1981-10-05 | 1983-04-14 | Meidensha Electric Mfg Co Ltd | 電力用半導体スイツチ素子の保護回路 |
| JPS58165658A (ja) * | 1982-03-26 | 1983-09-30 | Toshiba Corp | 電力変換装置 |
| JPS5927636U (ja) * | 1982-08-16 | 1984-02-21 | 株式会社安川電機 | ゲ−ト・タ−ン・オフ・サイリスタのスナバ回路 |
| JPS5961221A (ja) * | 1982-09-29 | 1984-04-07 | Toshiba Electric Equip Corp | スイッチング回路 |
| JPS59165957A (ja) * | 1983-03-08 | 1984-09-19 | Fuji Electric Co Ltd | 電力変換器のスナバ回路 |
-
1980
- 1980-07-23 JP JP10087380A patent/JPS606136B2/ja not_active Expired
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| JPS5725723A (en) | 1982-02-10 |
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