JPS606064B2 - セルフシフト形ガス放電パネル - Google Patents
セルフシフト形ガス放電パネルInfo
- Publication number
- JPS606064B2 JPS606064B2 JP55187201A JP18720180A JPS606064B2 JP S606064 B2 JPS606064 B2 JP S606064B2 JP 55187201 A JP55187201 A JP 55187201A JP 18720180 A JP18720180 A JP 18720180A JP S606064 B2 JPS606064 B2 JP S606064B2
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- JP
- Japan
- Prior art keywords
- shift
- electrode
- discharge
- gas discharge
- write
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Expired
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Classifications
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01J—ELECTRIC DISCHARGE TUBES OR DISCHARGE LAMPS
- H01J11/00—Gas-filled discharge tubes with alternating current induction of the discharge, e.g. alternating current plasma display panels [AC-PDP]; Gas-filled discharge tubes without any main electrode inside the vessel; Gas-filled discharge tubes with at least one main electrode outside the vessel
Description
【発明の詳細な説明】
この発明は、放電スポットのシフト機能をそなえたいわ
ゆるセルフシフト形ガス放電パネルの改良に係り、特に
異常電荷の偏在によって引き起こされる偶発的な謀放電
を防止するよまうにした新しい電極構造に関するもので
ある。
ゆるセルフシフト形ガス放電パネルの改良に係り、特に
異常電荷の偏在によって引き起こされる偶発的な謀放電
を防止するよまうにした新しい電極構造に関するもので
ある。
一般にセルフシフト形のガス放電パネルは、ＡＣメモリ
駆動形のプラズマディスプレイに分類され、放電スポッ
トの形で書込まれた情報をそのままのパターンでシフト
して所定の位置に静止表示する機能をそなえている。
駆動形のプラズマディスプレイに分類され、放電スポッ
トの形で書込まれた情報をそのままのパターンでシフト
して所定の位置に静止表示する機能をそなえている。
しかして当該パネルの電極はメモリ機能達成のために当
然に譲雷体層で被覆された構成を有するのであるが、従
来かかる構成のパネルにおいては動作中に偶発的な異常
放電が発生してパネル内の表示情報が乱されるという問
題を生じていた。このような偶発的異常放電は、隣接し
た放電セル間でのシフト動作に壁電荷の結合を積極的に
利用するようにしたしいわゆる壁電荷転送方式の駆動法
を探る場合に特に著しく、従ってその原因は、シフト動
作の繰返いこ伴ってシフトチャンネルの両端の電極対応
誘電体層表面に異常電荷が分極した状態で蓄積されて行
く点にあり、これが一定値を越えた時に情報が基づかな
い異常放電が生じるものと考えられている。而して上記
のような異常放電を避けるためには、シフトチャンネル
両端部の電極に異常蓄積電荷の排出機能を持たせれば良
く、例えば椿関昭４９−４３５３５号（Ｕ．Ｓ．Ｐ・Ｎ
ｏ．３７８１６００）に示された形式のガス放電パネル
においては、シフトチャンネル両端部の電極をガス放電
空間に直接露出させて電荷の蓄積を不能とした構成が採
用されている。ところが、上述のごとき露出電極を用い
ると、放電時のイオン衝撃によって電極材料がスパツタ
し、当該電極近傍の放電特性が変化して動作寿命が短い
という不利がある。他方シフトチャンネル両端部の電極
対応誘電体層に電荷排出のためのピンホールや亀裂を与
える考え方も先に特顔昭５４一１６４３１７号等によっ
て提案察されているが、かかる構成では特性の均一なパ
ネルを再現性良く作るのが困難な状況にある。この発明
は、以上のような従来の状況から、シフトチャンネル両
端部における異常電荷の蓄積に起因した偶発的謀放電を
防止するための最も現実的な解決策の提供を目的とする
ものである。
然に譲雷体層で被覆された構成を有するのであるが、従
来かかる構成のパネルにおいては動作中に偶発的な異常
放電が発生してパネル内の表示情報が乱されるという問
題を生じていた。このような偶発的異常放電は、隣接し
た放電セル間でのシフト動作に壁電荷の結合を積極的に
利用するようにしたしいわゆる壁電荷転送方式の駆動法
を探る場合に特に著しく、従ってその原因は、シフト動
作の繰返いこ伴ってシフトチャンネルの両端の電極対応
誘電体層表面に異常電荷が分極した状態で蓄積されて行
く点にあり、これが一定値を越えた時に情報が基づかな
い異常放電が生じるものと考えられている。而して上記
のような異常放電を避けるためには、シフトチャンネル
両端部の電極に異常蓄積電荷の排出機能を持たせれば良
く、例えば椿関昭４９−４３５３５号（Ｕ．Ｓ．Ｐ・Ｎ
ｏ．３７８１６００）に示された形式のガス放電パネル
においては、シフトチャンネル両端部の電極をガス放電
空間に直接露出させて電荷の蓄積を不能とした構成が採
用されている。ところが、上述のごとき露出電極を用い
ると、放電時のイオン衝撃によって電極材料がスパツタ
し、当該電極近傍の放電特性が変化して動作寿命が短い
という不利がある。他方シフトチャンネル両端部の電極
対応誘電体層に電荷排出のためのピンホールや亀裂を与
える考え方も先に特顔昭５４一１６４３１７号等によっ
て提案察されているが、かかる構成では特性の均一なパ
ネルを再現性良く作るのが困難な状況にある。この発明
は、以上のような従来の状況から、シフトチャンネル両
端部における異常電荷の蓄積に起因した偶発的謀放電を
防止するための最も現実的な解決策の提供を目的とする
ものである。
簡単に述べるとこの発明は、シフトチャンネルの少なく
とも端部の放電セルを定める電極部位に対応して誘電体
層表面に蓄積した電荷を当該電極にリ−ク可能な高抵抗
部を設けたことを特徴とするものであり、以下図面を参
照してさらに詳細に説明する。第１図は、この発明をミ
アンダ電極構造のセルフシフト形ガス放電パネルに適用
した場合の１例構成を示す要部断面図で、パネルの電極
配列自体は、例えば特開昭５３一８０５３号等にて周知
のような２×２相の構成となっている。
とも端部の放電セルを定める電極部位に対応して誘電体
層表面に蓄積した電荷を当該電極にリ−ク可能な高抵抗
部を設けたことを特徴とするものであり、以下図面を参
照してさらに詳細に説明する。第１図は、この発明をミ
アンダ電極構造のセルフシフト形ガス放電パネルに適用
した場合の１例構成を示す要部断面図で、パネルの電極
配列自体は、例えば特開昭５３一８０５３号等にて周知
のような２×２相の構成となっている。
すなわち、ガス放電空間１をはさんで対向配置した１方
のガラス基板２の上には２相の母線Ｙ１，Ｙ２に交互に
接続された２群のＹ側シフト電極ｙｌｉとｙ２ｉがあり
表面を二酸化アルミニウムの誘電体層３と酸化マグネシ
ウムの表面層４で覆われている。また他方のガラス基板
５の内面には８Ｕの２相の母線×１，Ｘ２に交互に接続
されたＸ側シフト電極×ｌｊとＸ２ｉがあり同じく表面
を誘電体層６と酸化マグネシウムの表面層７で覆われて
いる。そしてこれらＸ側シフト電極とＹ側シフト電極と
は、相互に半ピッチ分オフセットした関係で対向し、そ
れらの間に順次一方の電極を隣接セルに共用した形のシ
フト放電セル配列ａｌ，ｂｌ，ｃｌ，ｄｌ，ａ２・・・
・・・を画定している。このようなシフト放電セルの規
則的配列によってシフトチャンネル８が構成され、さら
に該シフトチャンネルの右端に端子Ｗに蓮なら書込み電
極９が設けられて、最初のシフト電極ｙｌｌとの間に書
込み放電セルＷを構成している。さてここまでの構成は
上に参照した特開昭５３一８０５３号公報記載のパネル
構成とさして変らない。
のガラス基板２の上には２相の母線Ｙ１，Ｙ２に交互に
接続された２群のＹ側シフト電極ｙｌｉとｙ２ｉがあり
表面を二酸化アルミニウムの誘電体層３と酸化マグネシ
ウムの表面層４で覆われている。また他方のガラス基板
５の内面には８Ｕの２相の母線×１，Ｘ２に交互に接続
されたＸ側シフト電極×ｌｊとＸ２ｉがあり同じく表面
を誘電体層６と酸化マグネシウムの表面層７で覆われて
いる。そしてこれらＸ側シフト電極とＹ側シフト電極と
は、相互に半ピッチ分オフセットした関係で対向し、そ
れらの間に順次一方の電極を隣接セルに共用した形のシ
フト放電セル配列ａｌ，ｂｌ，ｃｌ，ｄｌ，ａ２・・・
・・・を画定している。このようなシフト放電セルの規
則的配列によってシフトチャンネル８が構成され、さら
に該シフトチャンネルの右端に端子Ｗに蓮なら書込み電
極９が設けられて、最初のシフト電極ｙｌｌとの間に書
込み放電セルＷを構成している。さてここまでの構成は
上に参照した特開昭５３一８０５３号公報記載のパネル
構成とさして変らない。
しかしながら、この発明においては、上記書込み放電セ
ルＷを含めたシフトチャンネルの両端部の放電セル、す
なわち書込み放電セルＷと終端シフト放電セルｂｎを固
定する最外端麗極９およびｙ２ｎ‘こ対応して誘電体層
中に部分的な高低抗部１ ４０および１１が設けられて
いる。この高低抗部１０および１１は、例えば二酸化ア
ルミニウム等の誘電体層中に金のような導体を分散渡入
せしめることによって構成することができる。かくして
、上記のごとくシフトチャンネルの両端部電極に対応し
て高抵抗部１０および１１を設ければ、シフトチャンネ
ル端部の誘電体層表面に蓄積する異常電荷を該抵抗部を
、通して対応電極にリークさせることができ、偶発的謀
放電の発生を回避することが可能となる。
ルＷを含めたシフトチャンネルの両端部の放電セル、す
なわち書込み放電セルＷと終端シフト放電セルｂｎを固
定する最外端麗極９およびｙ２ｎ‘こ対応して誘電体層
中に部分的な高低抗部１ ４０および１１が設けられて
いる。この高低抗部１０および１１は、例えば二酸化ア
ルミニウム等の誘電体層中に金のような導体を分散渡入
せしめることによって構成することができる。かくして
、上記のごとくシフトチャンネルの両端部電極に対応し
て高抵抗部１０および１１を設ければ、シフトチャンネ
ル端部の誘電体層表面に蓄積する異常電荷を該抵抗部を
、通して対応電極にリークさせることができ、偶発的謀
放電の発生を回避することが可能となる。
このような誤放電防止のメカニズムを駆動法の面から今
少し具体的に説明すると、第２図は書込み電極端子Ｗと
各シフト用母線に印加する駆動電圧波形をそれぞれ符号
を対応させて示す図で、ＳＰは書込みおよびシフト期間
、ＤＰは表示期間である。
少し具体的に説明すると、第２図は書込み電極端子Ｗと
各シフト用母線に印加する駆動電圧波形をそれぞれ符号
を対応させて示す図で、ＳＰは書込みおよびシフト期間
、ＤＰは表示期間である。
この第２図の駆動電圧波形から明らかなように、期眉ｍ
ｏの書込み時には、書込み電極９に正極性の書込み電圧
ｙｗが印加されて書込み放電が生じるから、当該書込み
電極対応の誘電体表面層７の上にはマイナスの壁電荷が
形成され、対向するシフト電極ｙｌｌ対応の誘電体表面
層４の上にはプラスの壁電荷が形成された状態となる。
そして以後のシフト動作は、引続くシフト電極の電圧を
Ｖｓｈのシフト電位から順次接地電位に落してプラスの
壁電荷を転送して行く形となるから、シフト後のセル表
面にはマイナス電荷が取り残されることになる。そして
このような書込み動作とシフト動作を繰り返して行く内
に、従釆の構成であると中間のシフト放電セルでは毎回
樋性反転による壁電荷の中和消滅がなされので残留電荷
の累積作用はわずかであるが書込み電極対応部ではマイ
ナス電荷が滞留累積して負に帯電し、シフト終端部では
転送されたプラス電荷が累積して正に帯電して行くわけ
である。第３図はそのような電荷の蓄積態様を模式的に
示し図で、機軸がシフトチャンネル方向の距離に対応し
、縦軸が蓄積電荷の量に対応している。
ｏの書込み時には、書込み電極９に正極性の書込み電圧
ｙｗが印加されて書込み放電が生じるから、当該書込み
電極対応の誘電体表面層７の上にはマイナスの壁電荷が
形成され、対向するシフト電極ｙｌｌ対応の誘電体表面
層４の上にはプラスの壁電荷が形成された状態となる。
そして以後のシフト動作は、引続くシフト電極の電圧を
Ｖｓｈのシフト電位から順次接地電位に落してプラスの
壁電荷を転送して行く形となるから、シフト後のセル表
面にはマイナス電荷が取り残されることになる。そして
このような書込み動作とシフト動作を繰り返して行く内
に、従釆の構成であると中間のシフト放電セルでは毎回
樋性反転による壁電荷の中和消滅がなされので残留電荷
の累積作用はわずかであるが書込み電極対応部ではマイ
ナス電荷が滞留累積して負に帯電し、シフト終端部では
転送されたプラス電荷が累積して正に帯電して行くわけ
である。第３図はそのような電荷の蓄積態様を模式的に
示し図で、機軸がシフトチャンネル方向の距離に対応し
、縦軸が蓄積電荷の量に対応している。
しかるにこの発明に従って誘電体層の書込み電極９と終
端シフト電極ｙ２ｎに対応する部分に高抵抗部１０と１
１を設けておけば、取り残された負の電荷ならびに転送
された正の電荷がそれぞれ当該高抵抗部を通して端部電
極にリークするようになり、誤放電を生じるような異常
な電荷の蓄積は起こらない。端部電極対応部位の誘電体
層中に形成する高抵抗部１０および１１は、電荷のリー
クを許す範囲でできるだけ高抵抗にするのが望ましい。
端シフト電極ｙ２ｎに対応する部分に高抵抗部１０と１
１を設けておけば、取り残された負の電荷ならびに転送
された正の電荷がそれぞれ当該高抵抗部を通して端部電
極にリークするようになり、誤放電を生じるような異常
な電荷の蓄積は起こらない。端部電極対応部位の誘電体
層中に形成する高抵抗部１０および１１は、電荷のリー
クを許す範囲でできるだけ高抵抗にするのが望ましい。
このような高抵抗部の機成としては、前述したような導
体金属を部的に分散せしめる方法以外に例えば次のよう
な形が可能である。すなわち第４図ａは、端部電極１２
上を高抵抗体１３で覆った例である。
体金属を部的に分散せしめる方法以外に例えば次のよう
な形が可能である。すなわち第４図ａは、端部電極１２
上を高抵抗体１３で覆った例である。
また同図ｂは端部電極１２上の誘電体層３にレーザ加工
によって微細な孔１４を明け、表面から電極に至る等価
抵抗を実質的に減少させた例である。この微細孔１４の
中に導電物質もしくは抵抗物質を埋め込むようにしても
良い。さらに同図ｃのように端都電極１２に対応する誘
電体層上からイオン注入法によって金属イオンを注入し
て表面部１５の抵抗を引下げ、電荷リークを可能にする
こともできる。また第４図ｄは、端部電極１２上に例え
ば厚さ５０００Ａ程度の薄い酸化マグネシウム等の絶縁
膜１６を介してシリコンのような半導体膜１７を形成し
た例である。そのほか端部電極と誘電体のガス接触表面
との間の抵抗を実効的に低減して異常電荷のリークを可
能とするような種々の構成が可能である。なお以上の実
施例においては、書込み電極および終端シフト電極対応
部位の誘電体層に高抵抗部を設ける例について述べたの
であるが、これは駆動形態や他の対策との組合せによっ
てはいずれか一方の端部電極部位に適用するだけでも充
分な効果が得られる。また場合によってはそのような端
部電極対応部位を含んだ所定領域の誘電体層や、パネル
内全域の誘電体に対しそも同様の手法で電荷のリーク
機能を付与するようにしても良い。この場合該電荷のＩ
Ｊぜ‐ク抵抗によってこの種ＡＣ駆動形ガス放電パネル
本来のメモリ動作が阻害されないよう、その抵抗値は充
分高く保つ必要‐がある。かかる観点からは、例えば一
方の基板上の誘電体層の厚みを通常の７〜１０ムｍとし
た状態で他方の誘電体層の厚みを３仏ｍ以下にしてメモ
リ機能を保持したまま等価的な電荷リーク抵抗を減らす
ことが考えられる。さて以上の説明から明らかなように
、要するにこの発明は、シフトチャンネルの少なくとも
一端部の電極に対応する誘電体部位に電極とガス接触面
との間の抵抗を部分的に減少せしめた高抵抗部を設けて
電荷の異常な偏在を防止しものであり、端部電極が直接
放電にさらされないので、安定で長寿命の動作を達成す
ることができ、各種形式のセルフシフト形ガス放電パネ
ルの性能向上にきわめて有益である。
によって微細な孔１４を明け、表面から電極に至る等価
抵抗を実質的に減少させた例である。この微細孔１４の
中に導電物質もしくは抵抗物質を埋め込むようにしても
良い。さらに同図ｃのように端都電極１２に対応する誘
電体層上からイオン注入法によって金属イオンを注入し
て表面部１５の抵抗を引下げ、電荷リークを可能にする
こともできる。また第４図ｄは、端部電極１２上に例え
ば厚さ５０００Ａ程度の薄い酸化マグネシウム等の絶縁
膜１６を介してシリコンのような半導体膜１７を形成し
た例である。そのほか端部電極と誘電体のガス接触表面
との間の抵抗を実効的に低減して異常電荷のリークを可
能とするような種々の構成が可能である。なお以上の実
施例においては、書込み電極および終端シフト電極対応
部位の誘電体層に高抵抗部を設ける例について述べたの
であるが、これは駆動形態や他の対策との組合せによっ
てはいずれか一方の端部電極部位に適用するだけでも充
分な効果が得られる。また場合によってはそのような端
部電極対応部位を含んだ所定領域の誘電体層や、パネル
内全域の誘電体に対しそも同様の手法で電荷のリーク
機能を付与するようにしても良い。この場合該電荷のＩ
Ｊぜ‐ク抵抗によってこの種ＡＣ駆動形ガス放電パネル
本来のメモリ動作が阻害されないよう、その抵抗値は充
分高く保つ必要‐がある。かかる観点からは、例えば一
方の基板上の誘電体層の厚みを通常の７〜１０ムｍとし
た状態で他方の誘電体層の厚みを３仏ｍ以下にしてメモ
リ機能を保持したまま等価的な電荷リーク抵抗を減らす
ことが考えられる。さて以上の説明から明らかなように
、要するにこの発明は、シフトチャンネルの少なくとも
一端部の電極に対応する誘電体部位に電極とガス接触面
との間の抵抗を部分的に減少せしめた高抵抗部を設けて
電荷の異常な偏在を防止しものであり、端部電極が直接
放電にさらされないので、安定で長寿命の動作を達成す
ることができ、各種形式のセルフシフト形ガス放電パネ
ルの性能向上にきわめて有益である。
第１図はこの発明を適用したミアンダ電極構造のセルフ
シフト形ガス放電パネルを示す要部断面図、第２図は動
作を説明するための駆動波形を示す図、第３図は蓄積電
荷の分布を模式的に示す図、第４図ａ〜ｄはそれぞれこ
の発明の他の実施例を示す要部断面図である。 １：ガス放電空間、２および５：ガラス基板、３および
６：誘電体層、４および７：表面層、８：シフトチャン
ネル、９：書込み電極、１０および１１：高抵抗部、１
２：端部電極、１３：高抵抗部、１４：微細孔、１５：
イオン注入部、１６：絶縁膜、１７：半導体膜。 第１図 第２図 第３図 第４図
シフト形ガス放電パネルを示す要部断面図、第２図は動
作を説明するための駆動波形を示す図、第３図は蓄積電
荷の分布を模式的に示す図、第４図ａ〜ｄはそれぞれこ
の発明の他の実施例を示す要部断面図である。 １：ガス放電空間、２および５：ガラス基板、３および
６：誘電体層、４および７：表面層、８：シフトチャン
ネル、９：書込み電極、１０および１１：高抵抗部、１
２：端部電極、１３：高抵抗部、１４：微細孔、１５：
イオン注入部、１６：絶縁膜、１７：半導体膜。 第１図 第２図 第３図 第４図
Claims (1)
- １ 複数の母線に順次規則的に接続されたシフト電極を
誘電体層で被覆した形でガス放電空間に対面させて複数
のシフト放電セルの規則的配列よりなるシフトチヤンネ
ルを構成するとともに、該シフトチヤンネルの一端に書
込み電極を設けて書込み放電セルを構成してなるセルフ
シフト形ガス放電パネルにおいて、前記書込み放電セル
を含んだシフトチヤンネルの少なくとも一端部の放電セ
ルを定める電極部位に対応して前記誘電体層表面に蓄積
した電荷を当該電極にリーク可能な高抵抗部を設けたこ
とを特徴とするセルフシフト形ガス放電パネル。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP55187201A JPS606064B2 (ja) | 1980-12-25 | 1980-12-25 | セルフシフト形ガス放電パネル |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP55187201A JPS606064B2 (ja) | 1980-12-25 | 1980-12-25 | セルフシフト形ガス放電パネル |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPS57107536A JPS57107536A (en) | 1982-07-05 |
| JPS606064B2 true JPS606064B2 (ja) | 1985-02-15 |
Family
ID=16201856
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP55187201A Expired JPS606064B2 (ja) | 1980-12-25 | 1980-12-25 | セルフシフト形ガス放電パネル |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPS606064B2 (ja) |
Families Citing this family (4)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS5810350A (ja) * | 1981-06-23 | 1983-01-20 | Fujitsu Ltd | セルフシフト形ガス放電パネル |
| JPS6059631A (ja) * | 1983-09-09 | 1985-04-06 | Nec Corp | 電荷遷移形ガス放電パネル |
| JPH07199826A (ja) * | 1993-12-28 | 1995-08-04 | Nec Corp | カラー・プラズマ・ディスプレイ・パネル |
| JP2986094B2 (ja) | 1996-06-11 | 1999-12-06 | 富士通株式会社 | プラズマディスプレイパネル及びその製造方法 |
-
1980
- 1980-12-25 JP JP55187201A patent/JPS606064B2/ja not_active Expired
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| JPS57107536A (en) | 1982-07-05 |
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