JPS6059585A - バブル素子バブル検出器 - Google Patents
バブル素子バブル検出器Info
- Publication number
- JPS6059585A JPS6059585A JP58165963A JP16596383A JPS6059585A JP S6059585 A JPS6059585 A JP S6059585A JP 58165963 A JP58165963 A JP 58165963A JP 16596383 A JP16596383 A JP 16596383A JP S6059585 A JPS6059585 A JP S6059585A
- Authority
- JP
- Japan
- Prior art keywords
- bubble
- pattern
- layer
- detector
- conductor
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Pending
Links
Classifications
-
- G—PHYSICS
- G11—INFORMATION STORAGE
- G11C—STATIC STORES
- G11C11/00—Digital stores characterised by the use of particular electric or magnetic storage elements; Storage elements therefor
- G11C11/02—Digital stores characterised by the use of particular electric or magnetic storage elements; Storage elements therefor using magnetic elements
- G11C11/14—Digital stores characterised by the use of particular electric or magnetic storage elements; Storage elements therefor using magnetic elements using thin-film elements
Landscapes
- Engineering & Computer Science (AREA)
- Computer Hardware Design (AREA)
Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
本発明はバブル素子のバフル検出器に関する。
従来、バブル素子にはパズル保持層の上に軟磁性体パタ
ーンを互いＫｒ１ａ隙を設けて、面内磁界の回転により
バブルを転送させる方法が採用されてきた。これに対し
、パターン微細加工に関し有利な無間隙のパターンを用
いてバブルを転送させる素子が、米国特許第３，８２８
，３２９ 号明細１）Ｋ提示され、最近急速に開発が進
められて来た。そこではパターンはイオン注入法で形成
されている。その素子は転送パターンが円を連らねた形
状であったことから、その後に開発された形状のものも
含めてコンティギ為アス・ディスク（以下ＣＤと略称す
る）素子と言われている。
ーンを互いＫｒ１ａ隙を設けて、面内磁界の回転により
バブルを転送させる方法が採用されてきた。これに対し
、パターン微細加工に関し有利な無間隙のパターンを用
いてバブルを転送させる素子が、米国特許第３，８２８
，３２９ 号明細１）Ｋ提示され、最近急速に開発が進
められて来た。そこではパターンはイオン注入法で形成
されている。その素子は転送パターンが円を連らねた形
状であったことから、その後に開発された形状のものも
含めてコンティギ為アス・ディスク（以下ＣＤと略称す
る）素子と言われている。
現在、バフル素子では大容量化が進められており大量の
バブルデータを読出す必要がある。従ってバブル検出器
はバブル素子の中でも最も重要な機能部の一つである。
バブルデータを読出す必要がある。従ってバブル検出器
はバブル素子の中でも最も重要な機能部の一つである。
パズル素子のバブル検出器は、従来素子の場合は波状の
軟磁性体パターン、またＣＤ素子の場合は導体パターン
等のバブル伸長パターンを設け、バブルを伸長してバブ
ルからの磁界を磁気抵抗効果により磁性体パターンで検
知する方式のものが用いられている。例えば、第１図（
ｍｌ、（ｂ）は従来のＣＤ素子で用いられて（・るバブ
ル検出器の概略図である。第１図のパターンは原形がペ
ルーシステム・テクニカル・ジャーナル（Ｂｅ１ｌ Ｓ
ｙ＠、 Ｔｅａｈ、 Ｊ、）第５９巻（１９８０年）第
２２９頁に記載されているものである。第１図において
、このパズル検出器はイオン注入により形成された転送
路１１に沿ってバブルを導体パターン１２内側に転送し
た後、導体パターン１２に電流磁界を生じさせバブルを
伸長してパーマロイ厚膜からなる磁性体パターン１３の
磁抵抗効果を利用してそのバフルを検出するように構成
されている。
軟磁性体パターン、またＣＤ素子の場合は導体パターン
等のバブル伸長パターンを設け、バブルを伸長してバブ
ルからの磁界を磁気抵抗効果により磁性体パターンで検
知する方式のものが用いられている。例えば、第１図（
ｍｌ、（ｂ）は従来のＣＤ素子で用いられて（・るバブ
ル検出器の概略図である。第１図のパターンは原形がペ
ルーシステム・テクニカル・ジャーナル（Ｂｅ１ｌ Ｓ
ｙ＠、 Ｔｅａｈ、 Ｊ、）第５９巻（１９８０年）第
２２９頁に記載されているものである。第１図において
、このパズル検出器はイオン注入により形成された転送
路１１に沿ってバブルを導体パターン１２内側に転送し
た後、導体パターン１２に電流磁界を生じさせバブルを
伸長してパーマロイ厚膜からなる磁性体パターン１３の
磁抵抗効果を利用してそのバフルを検出するように構成
されている。
第１図（ａｌは平面図、（ｂ）は（ａ）図のＡ−Ａ’に
おける断面図である。第１図ｒｂ＞において、バフル保
持層１０の上に磁性体パターン１３と導体端子１・１と
が第１の絶縁層１５を介して設けられ、更に第２の絶縁
Ｊ＃１６とバブル伸長用導体パターン１２が設けられて
いる。第１図の例では、導体層１４形成後第１図（ａ）
の破線領域１７内を窓明けし、磁性体層１３をリフトオ
フして、互いに導通したパターン１３と１４を形成して
いる。第１図において絶縁層１６にフンタクトホールな
８Ａけ、導体端子１４を導体パターン１２と同一の層で
形成する方法も行なわれて（・る。また、導体パターン
１２のかわりに、従来素子では波状のＪＩ膜パーマロイ
パターンを形成してバブルを伸長させることも一般的に
行なわれている。以上の様に導体端子形成法やバブル伸
長パターン形成法に多少違いがあるものの従来のバフル
検出器では磁気抵抗効！、ｆ’： （ｆｆよるバゾル信
月の検出出力が弱い欠点があった。すなわち、バフル信
号の検出出力を増すため伸長パターンを長くしすぎると
、バブルが十分伸びない等検出器特性が悪化することが
欠点でｊすっだ。
おける断面図である。第１図ｒｂ＞において、バフル保
持層１０の上に磁性体パターン１３と導体端子１・１と
が第１の絶縁層１５を介して設けられ、更に第２の絶縁
Ｊ＃１６とバブル伸長用導体パターン１２が設けられて
いる。第１図の例では、導体層１４形成後第１図（ａ）
の破線領域１７内を窓明けし、磁性体層１３をリフトオ
フして、互いに導通したパターン１３と１４を形成して
いる。第１図において絶縁層１６にフンタクトホールな
８Ａけ、導体端子１４を導体パターン１２と同一の層で
形成する方法も行なわれて（・る。また、導体パターン
１２のかわりに、従来素子では波状のＪＩ膜パーマロイ
パターンを形成してバブルを伸長させることも一般的に
行なわれている。以上の様に導体端子形成法やバブル伸
長パターン形成法に多少違いがあるものの従来のバフル
検出器では磁気抵抗効！、ｆ’： （ｆｆよるバゾル信
月の検出出力が弱い欠点があった。すなわち、バフル信
号の検出出力を増すため伸長パターンを長くしすぎると
、バブルが十分伸びない等検出器特性が悪化することが
欠点でｊすっだ。
本発明の目的は、これらの従来バフル素子バブル検出器
の欠点を改善したバブル検出器を提供することである。
の欠点を改善したバブル検出器を提供することである。
本発明によれば、バフル保持層上にバフルの伸長用パタ
ーンと伸長したバフルな検出するための磁気抵抗効果を
有する磁性体パターンとを備えたバブル素子バフル検出
器において、前記磁、外体パターンを２層以上設け、各
層のパターンを直列に導体で接続したことを特徴とする
バフル素子バブル検出器が得られる。
ーンと伸長したバフルな検出するための磁気抵抗効果を
有する磁性体パターンとを備えたバブル素子バフル検出
器において、前記磁、外体パターンを２層以上設け、各
層のパターンを直列に導体で接続したことを特徴とする
バフル素子バブル検出器が得られる。
本発明によるバフル検出器では、従来と同じ長さのバブ
ル伸長パターンを用いた場合、２層の磁性体パターンを
形成したとすると第１層目と第２層目との出力への寄与
は多少異なるが、近似的に従来の検出器に比べ約２倍近
〜１検出出力が得られる。
ル伸長パターンを用いた場合、２層の磁性体パターンを
形成したとすると第１層目と第２層目との出力への寄与
は多少異なるが、近似的に従来の検出器に比べ約２倍近
〜１検出出力が得られる。
次に本発明の実施例について図面を参照して詳細に説明
する。
する。
実施例 １
第２図（ａ）、（ｂｌは本発明の一実施例を示す概略図
である。記２図（ａ）は平面図、（ｂ）は（ａ）図のＡ
−Ａ’における断面図を示す。第１図に示す従来例と
の違いは、バブル検出用の磁性体パターンが２層のパタ
ーン１３．２３からなり各層パターン間を直列に結ぶ導
体パターン２４を設げである点である１゜すなわち、第
２図では磁性体パターンが折畳まれて往復する形になっ
ている。第２図のパターンの形成には例えば次の様な方
法をとる。先ず、導体層１４の形成、（ｌＬ）図に示し
た破線領域１７内の窓明けと磁性体層１３のリフトオフ
は第１図の例と同様であるが、本実施例では絶縁層２５
と第２層目の磁性体パターン２３を更にリフトオフで形
成する。その後、絶縁層１６と導体パターン１２を設け
ることは従来例と同じであるが、絶縁層１６形成後コン
タクトホール２０，２１．２２を設けるプロセスの追加
と導体パターン１２と同層に端子導体パターン２４を設
けるようなマスクの一部修正で、第２Ｎ６）に示す断面
構造の検出器が容易に形成される。
である。記２図（ａ）は平面図、（ｂ）は（ａ）図のＡ
−Ａ’における断面図を示す。第１図に示す従来例と
の違いは、バブル検出用の磁性体パターンが２層のパタ
ーン１３．２３からなり各層パターン間を直列に結ぶ導
体パターン２４を設げである点である１゜すなわち、第
２図では磁性体パターンが折畳まれて往復する形になっ
ている。第２図のパターンの形成には例えば次の様な方
法をとる。先ず、導体層１４の形成、（ｌＬ）図に示し
た破線領域１７内の窓明けと磁性体層１３のリフトオフ
は第１図の例と同様であるが、本実施例では絶縁層２５
と第２層目の磁性体パターン２３を更にリフトオフで形
成する。その後、絶縁層１６と導体パターン１２を設け
ることは従来例と同じであるが、絶縁層１６形成後コン
タクトホール２０，２１．２２を設けるプロセスの追加
と導体パターン１２と同層に端子導体パターン２４を設
けるようなマスクの一部修正で、第２Ｎ６）に示す断面
構造の検出器が容易に形成される。
約１＃寓径のバブル素子の場合、検出器の磁性体パター
ン１３．２３は膜厚約３００ ＪＬ、幅１，５μ簿、長
さ約１００μ寓のパーマロイパターンが通常用いられる
。磁性体パターンに流す検出電流が１１ｍＡの場合、従
来ＣＤ累子のバブル検出出力は約７〜ｓ ｍｖであるが
、本実施例の場合、２倍近い１３〜１．５１ｍＶの値が
得られた。
ン１３．２３は膜厚約３００ ＪＬ、幅１，５μ簿、長
さ約１００μ寓のパーマロイパターンが通常用いられる
。磁性体パターンに流す検出電流が１１ｍＡの場合、従
来ＣＤ累子のバブル検出出力は約７〜ｓ ｍｖであるが
、本実施例の場合、２倍近い１３〜１．５１ｍＶの値が
得られた。
実施例 ２゜
実施例２は実施例１のバブル伸長導体パターン１２のか
わりにパーマロイ厚膜からなるシェブロンストレッチャ
ーパターンを設けたバブル検出器である。例えば、第２
図（ｂｌの断面図でパターン１２と２４は同一の導体層
からなっていたが、これを下側に導体薄膜、上側にパー
マロイ厚膜からなる２層構成にすることで、素子作成工
程のマスク枚数や目金同数を増すことなく、検出出力が
従来に比べて２倍近いバブル検出器が形成される。
わりにパーマロイ厚膜からなるシェブロンストレッチャ
ーパターンを設けたバブル検出器である。例えば、第２
図（ｂｌの断面図でパターン１２と２４は同一の導体層
からなっていたが、これを下側に導体薄膜、上側にパー
マロイ厚膜からなる２層構成にすることで、素子作成工
程のマスク枚数や目金同数を増すことなく、検出出力が
従来に比べて２倍近いバブル検出器が形成される。
実施例 ３
第３図（ａｌ、（ｂ）は本発明のバブル検出器の他の実
施例を示す概略図で、（＋ｋ）は平面図、（ｂ）はｔａ
ｒのＡ−Ａ′ における断面図である。本実施例では、
第２図と同じく磁性体パターン１３と３３は２層構造に
なっている。第２図と異なる点は磁性体パターンが第２
図では直線状であったのに対し本実施例では磁性体パタ
ーンが途中で折返された形状である点である。すなわち
、本実施例では第１Ｍの磁性体パターン１３がコンタク
トホール３０，３１と導体端子３４を通じて第２層の磁
性体パターン３３と結ばれ終端はコンタクトホール３２
と導体端子３４（−）に通じた構造、すなわち２重巻の
コイル状の構造になっていることが性徴である。
施例を示す概略図で、（＋ｋ）は平面図、（ｂ）はｔａ
ｒのＡ−Ａ′ における断面図である。本実施例では、
第２図と同じく磁性体パターン１３と３３は２層構造に
なっている。第２図と異なる点は磁性体パターンが第２
図では直線状であったのに対し本実施例では磁性体パタ
ーンが途中で折返された形状である点である。すなわち
、本実施例では第１Ｍの磁性体パターン１３がコンタク
トホール３０，３１と導体端子３４を通じて第２層の磁
性体パターン３３と結ばれ終端はコンタクトホール３２
と導体端子３４（−）に通じた構造、すなわち２重巻の
コイル状の構造になっていることが性徴である。
本実施例の場合、一定のバブル伸長長さＫついて第１図
の従来型と比べるとバブル検出出力は約４倍近い出力が
得られる。才た、従来に比ベバブル伸長長さを−にして
も従来の２倍近い出力が得られ、かつバブル伸長長さを
減少することによるバブル伸長電流の減少等バブル検出
器特性が従来罠比べ格段に改善される。
の従来型と比べるとバブル検出出力は約４倍近い出力が
得られる。才た、従来に比ベバブル伸長長さを−にして
も従来の２倍近い出力が得られ、かつバブル伸長長さを
減少することによるバブル伸長電流の減少等バブル検出
器特性が従来罠比べ格段に改善される。
本実施例のバブル検出器構造はバフル伸長導体パターン
１２のかわりに厚膜パーマロイシェブロンパターンを設
は電流を用いないバブル伸長方式にも実施例２と同じく
応用できる。
１２のかわりに厚膜パーマロイシェブロンパターンを設
は電流を用いないバブル伸長方式にも実施例２と同じく
応用できる。
本発明は以上説明したように、従来のバブル素子に比べ
高出力のバブル検出が可能でＳ／Ｎ比増加により大量バ
フルデータを信頼性よく読出すのに適しバブル素子の大
容量化を達成できる効果がある。なお実施例ではバブル
を検出するための磁性体パターンが２層の例を示１−だ
が３層は上の場合も有効であることは自明である。
高出力のバブル検出が可能でＳ／Ｎ比増加により大量バ
フルデータを信頼性よく読出すのに適しバブル素子の大
容量化を達成できる効果がある。なお実施例ではバブル
を検出するための磁性体パターンが２層の例を示１−だ
が３層は上の場合も有効であることは自明である。
第１図ｆａｔ、（ｂｌはそれぞれ従来のＣＤ素子バフル
検出器の平面図と断面図、第２図（ａｌ、（ｂ）はそれ
ぞれ本発明の一実施例を示す平面図と断面図、第３図（
ａｔ、 （ｂ）はそれぞれ本発明の他の実施例を示す平
面図と断面図である。 １０・・・・・・バブル保持層、１１・・・・・・パズ
ル転送路、１２・・・・・・バブル伸長用導体、１３・
・・・・・バブル検出用磁性体パターン、１４・・・・
・・導体端子パターン、１５・・・・・・第１の絶縁層
、１６・・・・・・第２の絶縁層、１７・・・・・・リ
フトオフ用窓明は領域、２０．２１．２２゜３０、３１
．３２・・・・・・コンタクトホール、２３．３３・・
・・・・第２層目の磁性体パターン、２４．３４・・・
・・・第２層目の導体パターン、２５・・・・・・２層
構造磁性体パターンの絶縁層。 代理人弁理士内 原 晋 ｔｓ ｔ。
検出器の平面図と断面図、第２図（ａｌ、（ｂ）はそれ
ぞれ本発明の一実施例を示す平面図と断面図、第３図（
ａｔ、 （ｂ）はそれぞれ本発明の他の実施例を示す平
面図と断面図である。 １０・・・・・・バブル保持層、１１・・・・・・パズ
ル転送路、１２・・・・・・バブル伸長用導体、１３・
・・・・・バブル検出用磁性体パターン、１４・・・・
・・導体端子パターン、１５・・・・・・第１の絶縁層
、１６・・・・・・第２の絶縁層、１７・・・・・・リ
フトオフ用窓明は領域、２０．２１．２２゜３０、３１
．３２・・・・・・コンタクトホール、２３．３３・・
・・・・第２層目の磁性体パターン、２４．３４・・・
・・・第２層目の導体パターン、２５・・・・・・２層
構造磁性体パターンの絶縁層。 代理人弁理士内 原 晋 ｔｓ ｔ。
Claims (1)
- バブル保持層上に、バブルの伸長用パターンと伸長した
バブルを検出するための磁気抵抗効果を有する磁性体パ
ターンとを備えたバブル検出器において、前記磁性体パ
ターンを２層以上設け、各層のパターンを直列に導体で
接続したことを特徴とするバブル素子バブル検出器。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP58165963A JPS6059585A (ja) | 1983-09-09 | 1983-09-09 | バブル素子バブル検出器 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP58165963A JPS6059585A (ja) | 1983-09-09 | 1983-09-09 | バブル素子バブル検出器 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPS6059585A true JPS6059585A (ja) | 1985-04-05 |
Family
ID=15822336
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP58165963A Pending JPS6059585A (ja) | 1983-09-09 | 1983-09-09 | バブル素子バブル検出器 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPS6059585A (ja) |
-
1983
- 1983-09-09 JP JP58165963A patent/JPS6059585A/ja active Pending
Similar Documents
| Publication | Publication Date | Title |
|---|---|---|
| US5532892A (en) | Soft adjacent layer biased magnetoresistive device incorporating a natural flux closure design utilizing coplanar permanent magnet thin film stabilization | |
| US6165803A (en) | Magnetic random access memory and fabricating method thereof | |
| US5721008A (en) | Method for controlling sensor-to-sensor alignment and material properties in a dual magnetoresistive sensor | |
| JPH0424796B2 (ja) | ||
| JPH11194161A (ja) | 磁気抵抗式センサ素子により外部磁界の方向を検出するためのセンサ装置 | |
| JPH03250414A (ja) | 薄膜磁気ヘッドのポールチップ構造の製造方法 | |
| US5784772A (en) | Method of simultaneously forming MR sensors in a dual element MR head | |
| JP2001283412A (ja) | 磁気抵抗効果素子及びその製造方法 | |
| KR970002892A (ko) | 자기 저항 소자 및 그 제조 방법 | |
| JPS6059585A (ja) | バブル素子バブル検出器 | |
| JPH07296339A (ja) | デュアル・エレメント磁気抵抗センサ | |
| US7265947B2 (en) | Stitching of AFM and channeling layers for in-stack biasing CPP | |
| JP2834674B2 (ja) | Ｍｒ型磁気ヘッド及びその製造方法 | |
| JPS6244355B2 (ja) | ||
| US5197025A (en) | Crosstie random access memory element and a process for the fabrication thereof | |
| JP2874627B2 (ja) | 磁気抵抗効果ヘッド | |
| JPH09128715A (ja) | 薄膜磁気抵抗変換器とその製造方法 | |
| KR100203612B1 (ko) | 자기 저항 효과형 헤드 및 그 제작 방법 | |
| JPS6252396B2 (ja) | ||
| JPS59111011A (ja) | 磁気抵抗素子を具える磁気検出器 | |
| JPS5829116A (ja) | 磁気電気信号変換装置 | |
| KR970002894A (ko) | 박막 자기 헤드 및 그 제조 방법 | |
| JPS6212913A (ja) | マルチトラツク磁気抵抗効果型磁気ヘツド | |
| JPH0918069A (ja) | 磁気抵抗装置およびそれを形成するためのプロセス | |
| JPS61190782A (ja) | 磁気バブルデバイス用薄膜検出器 |