JPS6058576A - オプトエレクトロニツク位置センシング方法およびその装置 - Google Patents

オプトエレクトロニツク位置センシング方法およびその装置

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JPS6058576A
JPS6058576A JP59157105A JP15710584A JPS6058576A JP S6058576 A JPS6058576 A JP S6058576A JP 59157105 A JP59157105 A JP 59157105A JP 15710584 A JP15710584 A JP 15710584A JP S6058576 A JPS6058576 A JP S6058576A
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detector
radiation
position sensing
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detectors
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JP59157105A
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マイケル・ジヨージ・スマート
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JII EE PURATON Ltd
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JII EE PURATON Ltd
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    • G01MEASURING; TESTING
    • G01FMEASURING VOLUME, VOLUME FLOW, MASS FLOW OR LIQUID LEVEL; METERING BY VOLUME
    • G01F1/00Measuring the volume flow or mass flow of fluid or fluent solid material wherein the fluid passes through a meter in a continuous flow
    • G01F1/05Measuring the volume flow or mass flow of fluid or fluent solid material wherein the fluid passes through a meter in a continuous flow by using mechanical effects
    • G01F1/20Measuring the volume flow or mass flow of fluid or fluent solid material wherein the fluid passes through a meter in a continuous flow by using mechanical effects by detection of dynamic effects of the flow
    • G01F1/28Measuring the volume flow or mass flow of fluid or fluent solid material wherein the fluid passes through a meter in a continuous flow by using mechanical effects by detection of dynamic effects of the flow by drag-force, e.g. vane type or impact flowmeter

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  • Moving Of Heads (AREA)
  • Polysaccharides And Polysaccharide Derivatives (AREA)
  • Measurement Of Radiation (AREA)
  • Investigating, Analyzing Materials By Fluorescence Or Luminescence (AREA)
  • Length-Measuring Devices Using Wave Or Particle Radiation (AREA)
  • Radiation-Therapy Devices (AREA)
  • Geophysics And Detection Of Objects (AREA)
  • Non-Silver Salt Photosensitive Materials And Non-Silver Salt Photography (AREA)

Abstract

(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。

Description

【発明の詳細な説明】 〔産業上の利用分野〕 本発明は、オプトエレクトロニクスすなわち光−電子工
学を用いて位置センシングを行なうためのオプトエレク
1へロニツク位置レンジング方法J3よびその装置に関
する。
〔従来の技術〕
液温計(flow+++eter )用のオア1〜エレ
ク1−ロニツ9位置センシングシステムが知られている
。これらは、検出器列に発光源列が対向してなり、各検
出器は、それぞれ対応する唯一つの発光源にJ、り照光
され且つ応答する。可動部材の位置は、検出器からのデ
ィジタルの読みににり検出され、それによって、発光源
から検出器への信号の上記部材による中断により該部材
の位置の識別が7−jなわれる。この既知のシステムに
は種々の不都合がある。
〔発明が解決しようとする問題点〕
上記部材の位置測定の可能な精度は、検出器り11のピ
ッチによって定まり、該検出器ピッチは、検出器が互い
に接したときに限弄に;ヱηる1、また、上記既知のシ
ステムは、上記部材の正確な位置測定のためには相対的
に多数の検出器および発光源が必要となるという不都合
も有している。このことは結果としてシステムの高価格
化を引起こす。
〔問題点を解決するための手段〕
これらの不都合を緩和し且つ普遍的なオプトエレクトロ
ニック位置センシングシステムを確立する目的で、本発
明は、第1の局面では、一連の放射線源と、一連の放射
線検出器と、所定の範囲内において移動可能に設けられ
上記線源のいくつかによる上記検出器のいくつかへの放
射線照射を当該部材の位置に従って制御aIlづ“る可
動部月と、上記検出器からの出力のディジタル解析にJ
:り上記部材の位置を判定する第1の手段と、上記部材
の位置を指示するため上記第1の手段により識別された
複数の検出器の出力のアナログ解析により上記部材の位
置を引続いてより正しく判定する第2の手段とを具備し
、且つ上記各検出器は、上記部材の移動範囲の対応する
部分における該部材の移動に伴って最小値から最大値ま
で変化するアナログ出力信号を生成して、該部材が上記
移動範囲内の位置にある限り該部材の移動にrt’い上
記検出器の少なくとも2個の出力信号が変(Lするよう
にIM成されてなるオブトエレクlヘロニツク位置セン
シシグシステムを提供Jる。
むしろ、」二記部材の移動は、相対的に低)*−Cあり
、上記システムは、上記線源を相対的に^)*に順次付
勢するための手段および上記検出器を相対的に高速に順
次検出させるための手段からなる。
〔実 施 例〕
図示した本発明の一実施例は流i1 L?ン1月ご相合
せて使用される。第1図に示すように、>RUロンサは
、導管10と該導管10内に設けられるフ[J−1・1
2とで構成されている。導恒10は、透明で月っが上部
が最大断面部分となるようにテーパしている。
流体は、導管10を上方へ流通し、■つフロー1−12
は、流体の流れの速度により決定される位置に1′l。
持される。該フロー1〜12の位置は、それ自体のXJ
法、導管10の寸法Jシよび流体の特性にb(在77 
する。
通例通り、導管10には目盛りが(JされてJ3す、流
体のに流れの速度の読取りは、該目盛りについてのフロ
ー1〜12の位置の目視観測によって行なわれる。この
技術は不正確であり、しかも、異なる流体への使用に際
し目盛りあるいはセンサの変更が要求される。本発明の
オア1〜エレクトロニツ9位置センシングシステムは、
導管10内にJjlプるフロート12の位置を正確に決
定することができ、そして、この出力は、他の電子的処
理のために流体の流れの速度のディジタル読出し情報を
供給するように用い得る。異なる流体に関する特性は、
ルックアップ(探索)テーブルに格納され18、且つ導
管10内における流体の流れの識別は、その流体につい
ての流速を正しく表示する装置を具体化しj9る。
第1図に示されるように、上記オプトエレクトロニック
システムは、列をなす発光源14と列をなづ一検出器1
6を備えている。導管10は、発光源14と検出器16
の間に介挿されている。発光源14は9個、検出器16
は8個である。発光源14は、各検出器16が、図示破
線の如く、2個の隣接した発光源14を臨み得るように
検出器16に対して半ピッ′1偏伺(off−set 
) シている。シ〜グンシャルに、発光源14がイ」勢
され、且つ検出器IG’U検出される。
その結果、8個の検出器列で16個の記録(+’(IC
Ordin(18)が1qられる。上記発光素子14(
よ、赤外線を放射し、月つマイクロプロセッサの制御の
しとにシーケンスにAン7/オフスイッヂされる。少な
くとも長さ5Il1mのフロー1〜12を使用するため
の検出器1Gのビッヂは、0.2インチ(5、08nv
)である。もしも、フロー1〜12によって検出器りI
J1G上に投じられた影が常に検出器1Gの少なくとし
2個の検出部にオーバラップするならば、ノD −1−
12の位置は正確に識別されるであろう。第′1図に示
された発光源14と検出器16のスタカ< =1=、E
Z状)配置は、視野の縁部にお(プる感度低下に関Jる
問題を克服する。
第2図は、発光#i14を作動させ且つ検出3:4+6
からの出力を処理するための回路の甲純化したプ1」ツ
ク図である。該回路は、ワンデツプマイクロプロセッサ
(single cl+ip m1cro proce
ssor ) i8、複数個のプログラム選択スイッチ
20、高電流ドライバ回路22、LED (発光ダイオ
ード)ディスプレイ24、LEDディスプレイのための
付加的ドライバ26、および検出器16の出力を増幅す
る増幅器28を備えている。マイクロプロセッサノ18
は、スイッチ22および付加的なドライバ2Gの各々に
関するl10(入力/出力)ポー1〜を備えている。高
電流ドライバ22は、LEDディスプレイ24を駆動づ
るための出力および素子14を駆動するための出力を有
している。また、マイクロプロセッサリ−18は、プロ
グラムを内蔵するRO〜1(リードオンリメモリ) 3
0、中間結果のようなデータを格納づるR AM(ラン
ダムアクセスメモリ)32、J3.l、びスイッチ20
により選択されたプログラムを実行づるC PU(中央
処理装@)34をも備えている。ざらに、マイクロプロ
セッサ18は、A/D’(アナ1」グーディジタル)コ
ンバータ36をも備えている。
マイクロプロセッサ18は、各発光源14をシーケンシ
ャルに且つ相対的に高速に付勢づる。各検出器16の出
力は、シーケンシャルに且つ相対的に高速にマイクロプ
ロセッサ18に取込まれる。これに対して、フロート1
2の移動速度は相ス・J的に低速である。フロー1へ1
2の置は、まず、検出器1Gの出力のディジタル解析に
より決定され、引続いて、フロート12の位置をディジ
タル的に識別する検出器16の出力のアナログ解析によ
って、Jこり正しく決定される。ディジタル解析は、単
に、出力の低い検出器16を識別することからなってい
る、3出力の。
中間値はディジタル解析に関しては無視される。
検出器16の各々が固有の特性を持つことは実際上問題
となり、同様に発光源14の各々も固有のIi■f’f
を持つことが予想され得る。これらの実際上の問題は、
各検出器16h口らの基準出ノj、すなわら、ノロ−1
へ12を位置センシングシスアムの11ヒ動頃域タ1と
したときの出ノ〕を得て、それを記憶しておくことによ
って回避することができる。定11A動作に、1>ける
検出器16の出力の解析前の各基準出力は動1′1出力
から減算されて、出力(1【1にJji)る変化分のみ
が処理のために転送される。
フロート12の位置の粗い指示はティシタル解iBによ
って与えられ、続くアナログ解析に用いられる正確なア
ルゴリズムは、流速センサおよびそのセンサに使用され
る変換器列に最も適合づるように変化させ得る。
第1図に示された配置についての上述した寸法は、フロ
ート12の影が検出器16の少なくとも2個に出力を生
じさせるという結果を生む。アナlコグ解析のアルゴリ
ズムは、フロート12の位置を示すように、ディジタル
解析により識別された2個の検出器16の出ツノの和と
差の値を計算ツる。該和と差の値の比は、2個の検出器
16についてのフロー1〜12の比例位置を示している
と考えられる。こうして、フロー1〜12の位置は、デ
ィジタルおよびアノ−ログ解析の併用により正確に決定
される。フロート12の位置が決定され得る1′i度が
、従来の純デイジタル技術に比較して、特に検出器1G
か最小のピッチで配置されているとぎは、非富に向上づ
ることは有意義であろう。これに対して、所要の精度レ
ベルをIIるために要求される検出器と発光源の数を減
少させ得る。
上述のアナログアルゴリズムは次のようにし−C改良し
得る。ディジタル解析ににり識別される1−記2個の検
出器1Gに隣接する検出器16からの出力をも参酌する
。このように、処理には3個のアノログ信号が有効とな
り、該アブログ信号の最小値は、唯2個のゼロでない値
か残るように、全ての3個の値から引締される。これら
2個の値の和と差が算定され1、そして、それらの比が
、2個の検出器16の間のフロート12の比例位置を示
すことになる。
その他のアナログアルゴリズム(J5、土ツジ検出に基
づいている。もしも検出器1GのIl終出力かイの最大
比ツノのあるバーセンデージを占めるならば、フロー1
〜12が該バーセンデージに対応覆る割合−C該検出器
の視野空間内を外れたと想定され得る。
このアルゴリズムは、隣接した検出器からの1′i別の
信号を参入でることにJ、って改善し1!する。このア
ルゴリズムは、長さ5mm以上の)I’l −1・をイ
1りる流速センサに好適であると思われる。
上述したアルゴリズムは、マイクロブロセソリ18のR
OM30に格納されたプログラムにより実現される。
ディジタルおよびアナログ解析の結果はRAM32に格
納される。該情報は、導管10とフロート120寸法に
関するデータおよびセンサ内を流れる流体の特性に関す
るデータと併合される。この情報は、ディスプレイ24
にディジタルの読みを供給するように処理される。上記
システムは、高および/または低流速の警報警告のよう
な特徴を提供づ゛ることによってさらに拡張することが
できる。
上述の構成を実現するには市販されているどのような部
類のマイクロプロセッサをも使用することができ、各タ
イプのマイクロプロセッサは異なる能力を12供づ−る
。それゆえに、標準の構成部品に対し、RAMのような
、付加的な構成部品が必要となることもある。標準的な
マイクロプロセッサで上述のアルゴリズムを処理に適し
た形で実行するためには標準的なプログラミング技術が
用いられる。
上述の実施例の構成は変形あるいは拡張が可能である。
例えば、′ti流計のサイズあるいは所要の精度が許容
するならば、スタガ配列の検出器および発光源は、各発
光源が対応する各検出器のみを照光する整列した列に置
換えることができる。また、フローi・12は、発光源
から検出器への照射を反則させるために使用してもよい
。このため、発光源と検出器との空間配回は多くの変形
が可能である。
上述では、発光源をシーケンシ1フルに付勢づると述べ
た。この特徴は、流速センサに用いるのに有利であるこ
とがわかっており、他の方法で生ずる縁取り効果を防止
するのに有効である。しかしながら、発光源のシーケン
シ九フルなイ1勢は、位nセンシングシステムの全ての
応用に必須であるとは思われない。
さらに、この位置センシングシステム(よ、検出器を群
単位とし群毎にシーケンシ↑・ルに検出値を取込むよう
にしてもよい。各群は、前群の検出器および次群の検出
器を含むほうが右利である。
各発光源による照射が検出器列の照光領域全体について
一定であり、検出器列の照光されない領域がないときに
、最適結果が得られる。これらの条件は、発光源の照射
角および検出器の視角に依存する。工学系は、これらの
特徴を最適化させることができ、相対的に安価に良い結
果を得ることのできる一つの方法は、発光源からの照射
光を拡散させることである。これは、発光源を炭酸カル
シウムの添加剤を有するシリコーン樹脂のような物質で
覆うことで実用し1ワる。
以上においては発光源14として説明した放射線源から
放射される放射線の例としては、光、赤外線、紫外線、
音波等があげられる。
〔発明の効果〕
本発明によれば、検出器および敢口」線源の数または検
出器列のピッチによる位置測定精度の制限を緩和するこ
とができ、しかも安価で普遍的なオブトエレク1−ロニ
ツク位置センシングシステムを提供することができる。
【図面の簡単な説明】
第1図は本発明によるオプトエレク1−〇ニック位置セ
ンシングシステムを流速計とともに使用した一実施例の
構成を示す概略構成図、第2図は同実施例における電気
系の構成を示すブロック028図である。 10・・・導管、12・・・フロート、14・・・発光
源、16・・・検出器、18・・・ワンチップマイクロ
プロ廿ツリー、20・・・プログラム選択スイッチ、2
2・・・高電流1−ライバ回路、24・・・LEDディ
スプレイ、26・・・ドライバ、28・・・増幅器。 出願人代理人 弁理士 鈴江武彦

Claims (1)

  1. 【特許請求の範囲】 (1) 一連の放射線源(14)と、一連のfiiQJ
    線検出器(16)と、所定の範囲内において移動可能に
    設けられ上記線源のいくつかによる上記検出器(1G)
    のいくつかへの放射線照射を当該部材(12)の位置に
    従って制御する可動部材(12)と、上記検出器(16
    )からの出力のディジタル解析により上記部材(12〉
    の位置を判定J゛る第1の手段(18−36)と、上記
    部材(12)の位置を指示するため上記第1の手段(1
    8−36)により識別された複数の検出器(16)の出
    力のアナログ解析により上記部材(12)の位置を引続
    いてより正しく判定する第2の手段(18−36>とを
    具備し、且つ上記各検出器(16)は、上記部材(12
    )の移動範囲の対応する部分における該部材(12)の
    移動に伴って最小値から最大値まで変化するアナログ出
    力信号を生成して、該部材(12)が上記移動範囲内の
    位置にある限り該部材(12)の移動に伴い上記検出器
    (16)の少なくとも2個の出力信号が変化覆るように
    構成されてなるオブトエレクI−ロニツク位冒センシン
    グ装置。 (2) 第2の手段(18−3G)は、第1の手段(1
    8−36)により識別された複数の検出器(16)の出
    力の和と差の比を検出する手段を備え!ごことを特徴と
    する特許請求の範囲第1項記載のA11〜工レクトロニ
    ツク位置センシング装置。 (3) 第1の手段(18−,3G)は、3個の検出器
    (16)の出力を識別し、且つ、第2の手段(18−3
    6)は、最小の大きさの出力を上記3個の出力から減算
    することを特徴とする特許請求の範囲第2項記載のオア
    1〜エレク1−ロニツ9位M tンシンク装置。 く4) 第2の手段(18−313)は、検出器(16
    )が部材(12)によって影響されていないどきの各出
    力の大きさと比較したときの識別された検出器(16)
    の各々の出力の大きさに従ったアナログ解析を行なうこ
    とを特徴とする特許請求の範囲第1項記載のオプトエレ
    クトロニック位置センシング装置。 (5) 第2の手段(18−36)は、部材(12)に
    よって影響されていないときの検出器(16)の出ノj
    である各検出器(1G)の基準出力を格納する手段(3
    6)、および検出器(16)の各動作出力から上記基準
    出力を減算するための手段(18−36)を備えたこと
    を特徴とする特許請求の範囲第1項記載のオフ8199
    1〜0299位置センシング装置。 (6) 特許請求の範囲第1JJ′i〜第5項のいずれ
    か1項に記載のオプトエレクトロニック位置センシング
    装置において、部材(12)は移動が比較的低速であり
    、且つ放射線源(14)を相対的に高速でシーケンシャ
    ルに付勢するための手段(22)と検出器(16)を相
    対的に高速でシーケンシャルに読取るための手段(18
    −36)とを備えたことを特徴とするオア1〜エレクト
    ロニツ9位置センシング装置。 く7) 特許請求の範囲第1項〜第6項のいずれか1項
    に記載のオア1−エレク1−02フ9位置センシング装
    置において、各放射線源(14)はそれぞれ唯1個のみ
    の放射線検出器(16)を照DJ iることを特徴とす
    るオプトエレクトロニック位置センシング装置。 (8) 特許請求の範囲第1項〜第6項のいfれか1項
    に記載のオフ81991〜0299位置センシング装置
    において、一連の検出器(1G)は、それによって各検
    出器(16)が21[!aの放射線源(’1.1 )に
    より照射されるように、一連の放射線源(14)に関し
    て偏倚して配置されていることを1−7倣どりるオブト
    エレク1〜ロニソク位置センシングRh。 (9) 特許請求の範囲第1項〜第と3項のいりれか1
    項に記載のオプトエレクトロニック位m tンシング装
    置において、部材(12)は、その位置にJ:って可変
    的に検出器(16)を放口Jlがら覆うことを特徴とす
    るオア1〜エレク1〜(コニック位置しンシング装置。 (10) 特許請求の範囲第1項〜第8項のいり゛れか
    1項に記載のオフ1〜エレク1〜ロニフ9位置センシン
    グ装置において、部材(12)は、その位置によって可
    変的に放射線源(14)から検出器(16)へ向う放射
    線を反射することを特徴とするオプトエレクトロニック
    位置センシング装置。 (11) 特許請求の範囲第1項〜第10項のいずれか
    1項に記載のオプトエレクトロニック位置センシング装
    置において、各放射線1(14)からの放射線を拡散さ
    せる手段を備えたことを特徴とするオア1〜エレクトロ
    ニツ9位置センシング装置。 (12) 特許請求の範囲第1項〜第11項のいずれか
    1項に記載のオア1−エレクトロニツ9位置センシング
    装置において、部材(12)は、導管(1o)内に設け
    られた液流センザ部材であることを特徴とするオブl〜
    エレクl−ロニツク位置センシング装置。 (13) 一連の放射線源(14)と、一連の放射線検
    出器(1G)と、所定の範囲内において移動可能に設け
    られ上記線源のいくつかによる上記検出器(16)のい
    くつかへの放射線照射を当該部?J(12)の位置に従
    って制御する可動部材(12)とを具備し、且つ上記各
    検出器(16)は、上記部材(12)の移動範囲の対応
    する部分にお(プる該部材(12)の移動に伴って最小
    値から最大1]aまで変化するアナログ出力信号を生成
    して、該部44’(12)か−[記移動範囲内の位置に
    ある限り該部材り12)の移動に伴い上記検出器(1G
    )の少なくとも2個の出力信号が変化するように構成さ
    れたシステムにおりるオア1〜エレク1〜ロニフ9位置
    センシング方法において、上記検出器(1G)からの出
    力のディジタル解析により上記部材−(12)の位置を
    判定し、引続いて、ディジタル的に識別された複数の検
    出器(16)の出ノjのアナログ解析により上記部4J
    (12)の位置をより正しく判定することを特徴とづる
    Aブトエレクトロニック位置センシング方法。 (14) アナログ解析は、部材(12)の位置をライ
    ジタル的に識別した検出器(1G)の出ツノの((]ど
    差の比の算出を含むことを特徴とする特8′]請求の範
    囲第13項記載のオア1−エレク1−ロニツ9位1FI
    L’ンシング方法。 (15) 検出器(16)の出力のディジタル解析は、
    3個の検出器(16)の出力の識別を含み、且つ、アナ
    ログ解析は、最小の大きさの出力の上記3個全ての出力
    からの減算を含むことを特徴とする特許請求の範囲第1
    4項記載のオプトエレクトロニック位置センシング方法
    。 (16) アナログ解析は、識別された検出器り16)
    の各々の出力の大きさを、該検出器(16)が部材〈1
    2)によって影響されていないときの各出力の大きざと
    の比較を含むことを特徴とする特許請求の範囲第13項
    記載のオプ1へエレクトロニック位置センシング方法。 (17) アナログ解析は、部材(12)によって影響
    されていないときの検出器(1G)の出力である各検出
    器(16)の基準出力の記憶、J5よび検出器(16)
    の各動作出力からの上記Jli出力の減算を含むことを
    特徴とする特許請求の範囲第13項記載のオプトエレク
    トロニック位fffitンシング方法。 (18) 特許請求の範囲第13項〜第17項のいずれ
    か1項に記載のオプトエレクトロニック位置センシング
    方法において、部材(12)は移動が比較的低速であり
    、且つ相対的に高速でシーケンシャルな放射線源(14
    )の付勢、および相対的に高速でシーケンシャルな検出
    器(16)の読取りを含むことを特徴とするオプトエレ
    クトロニック位置センシング方法。 (79) 特許請求の範囲第13項〜第18項のいずれ
    か1項に記載のオプトエレクトロニック位置センシング
    方法において、放射線源〈14)と放射線検出器(1G
    )を、各放射線源(14)がそれぞれ唯1個のみの放射
    線検出器(16)を照射するように配置することを特徴
    とするオプトエレクトロニック位置センシング方法。 (20) 特許請求の範囲第13項〜第18項のいずれ
    か1項に記載のオア1−エレクトロ位置センシング方法
    グ方法において、一連の検出器(16)を、それによっ
    て各検出器(16)が2個の放射線源(14)により照
    射されるように、一連の/lり射線源〈14)に関して
    偏倚して配置することを特徴とするオプトエレクトロニ
    ック位置センシング方法。 (21) 特許請求の範囲第13項〜第20項のいずれ
    か1項に記載のオプトエレクトロニック位置センシング
    方法において、放射線源(14,)、放射線検出器(1
    6)および部材(12)を、該部材(12)がその位置
    によって可変的に検出器(16)を放射線から覆うよう
    に配置することを含むことを特徴とするオプトエレクト
    ロニック位置センシング方法。 (22) 特許請求の範囲第13項〜第20項のいずれ
    か1項に記載のオア1−エレクトロニック位置センシン
    グ方法において、放射線源(14)、放射線検出器(1
    6〉および部材(12)を、該部材(12)が、その位
    置によって可変的に検出器(16)から検出器(16)
    へ向う放射線を反射するようにすることを含むことを特
    徴とするオプトエレクトロニック位置センシング方法。 (23) 特許請求の範囲第13項〜第22項のいずれ
    か1項に記載のオプトエレクトロニック位置センシング
    方法において、各放射線源(1G)からの放射線の拡散
    を含むことを特徴とするオプトエレクトロニック位置セ
    ンシング方法。
JP59157105A 1983-07-28 1984-07-27 オプトエレクトロニツク位置センシング方法およびその装置 Pending JPS6058576A (ja)

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