JPS6056301B2 - 半導体装置 - Google Patents
半導体装置Info
- Publication number
- JPS6056301B2 JPS6056301B2 JP6542676A JP6542676A JPS6056301B2 JP S6056301 B2 JPS6056301 B2 JP S6056301B2 JP 6542676 A JP6542676 A JP 6542676A JP 6542676 A JP6542676 A JP 6542676A JP S6056301 B2 JPS6056301 B2 JP S6056301B2
- Authority
- JP
- Japan
- Prior art keywords
- insulating substrate
- semiconductor
- semiconductor device
- terminal
- semiconductor elements
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Expired
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- Electrodes Of Semiconductors (AREA)
- Cooling Or The Like Of Semiconductors Or Solid State Devices (AREA)
Description
【発明の詳細な説明】
本発明は半導体装置特に高周波高出力半導体装置に関
するものである。
するものである。
一般に高周波高出力半導体装置ては、各リード端子を
放熱部材から絶縁するために半導体素子と放熱器の間に
絶縁基板を介在させ、該絶絶縁基板に半導体素子と各リ
ード端子を取り付ける構造にしかつこの絶縁基板には半
導体素子で発生した熱を有効に放熱部材に放熱する様に
熱伝導の良いセラミック磁器、例えばベリリアが用いら
れている。
放熱部材から絶縁するために半導体素子と放熱器の間に
絶縁基板を介在させ、該絶絶縁基板に半導体素子と各リ
ード端子を取り付ける構造にしかつこの絶縁基板には半
導体素子で発生した熱を有効に放熱部材に放熱する様に
熱伝導の良いセラミック磁器、例えばベリリアが用いら
れている。
また、半導体素子を複数個にして半導体装置のより高
出力化を図ろうとする場合、複数個の半導体素子を搭載
する熱伝導の良い絶縁基板を大きくしなければならない
ことも周知である。
出力化を図ろうとする場合、複数個の半導体素子を搭載
する熱伝導の良い絶縁基板を大きくしなければならない
ことも周知である。
従来の高周波出力半導体装置ては、高出力化に伴ない
、熱伝導の良い絶縁基板の大きさも大きくなるため、絶
縁基板と放熱部材との間の熱膨張差によつて該絶縁基板
にクラックが生じやすくなり、かつ半導体容器の浮遊容
量が大きくなつて、半導体装置の高周波特性が劣化し、
また高価な、熱伝導の良い絶縁基板を多量に使用するた
め、半導体装置の価格も高くなるという欠点があつた。
、熱伝導の良い絶縁基板の大きさも大きくなるため、絶
縁基板と放熱部材との間の熱膨張差によつて該絶縁基板
にクラックが生じやすくなり、かつ半導体容器の浮遊容
量が大きくなつて、半導体装置の高周波特性が劣化し、
また高価な、熱伝導の良い絶縁基板を多量に使用するた
め、半導体装置の価格も高くなるという欠点があつた。
本発明は上記欠点を除き、安価て高周波特性の良好な
半導体装置を提供するものてある。 本発明の半導体装
置は、放熱部材の上に絶縁基板が設けられ、該絶縁基板
上に複数個の半導体素子と複数個の外部導出用リード端
子が設けられている半導体装置において、半導体素子と
外部導出用リード端子の１つとを取付ける部分の絶縁基
板が他の外部導出用リード端子を取付ける部分の絶縁基
板と分離されかつ半導体素子を取付ける部分の絶縁基板
が複数個に分割されていることを特徴とする。
半導体装置を提供するものてある。 本発明の半導体装
置は、放熱部材の上に絶縁基板が設けられ、該絶縁基板
上に複数個の半導体素子と複数個の外部導出用リード端
子が設けられている半導体装置において、半導体素子と
外部導出用リード端子の１つとを取付ける部分の絶縁基
板が他の外部導出用リード端子を取付ける部分の絶縁基
板と分離されかつ半導体素子を取付ける部分の絶縁基板
が複数個に分割されていることを特徴とする。
本発明によれは、半導体素子の個数に応じて絶縁基板
を分割するため、各絶縁基板の大きさを不必要に大きく
することもなくその結果絶縁基板のクラックの問題も解
決される。
を分割するため、各絶縁基板の大きさを不必要に大きく
することもなくその結果絶縁基板のクラックの問題も解
決される。
更に絶縁基板を分割しているため各絶縁基板は必要最小
限の大きさにでき、従つて半導体容器の浮遊容量を小さ
くでき、半導体装置の高周波特性を改善できるなどの効
果がある。 更にまた、半導体素子を載置する絶縁基板
に熱伝導性の良好な材料を使用すれば放熱効果が改善さ
れるので好ましく、熱伝導の良好な材料は一般に高価で
あるから、高価な材料の使用を必要最小限に抑えること
ができるので半導体装置を安価にできる利点がある。
限の大きさにでき、従つて半導体容器の浮遊容量を小さ
くでき、半導体装置の高周波特性を改善できるなどの効
果がある。 更にまた、半導体素子を載置する絶縁基板
に熱伝導性の良好な材料を使用すれば放熱効果が改善さ
れるので好ましく、熱伝導の良好な材料は一般に高価で
あるから、高価な材料の使用を必要最小限に抑えること
ができるので半導体装置を安価にできる利点がある。
本発明を更に理解しやすくするために図面を用いて説明
する。
する。
第１図は従来の高周波高出力半導体装置の１例の斜視図
である。
である。
金属よりなる放熱部材１０１に熱伝導の良い絶縁基板１
０２を取り付け該絶縁基板１０２の上に出力端子用金属
化層１０３、入力端子用金属化層１０４が互いに対向し
て形成され、共通端子用金属化層１０５，１０５″が出
力端子用金属化層１０３、入力端子用金属化層１０４を
はさんで両側に形成され該金属化層は共通端子橋絡部材
１０６で橋絡され、出力端子１０７、入力端子１０８が
出力端子用金属化層１０３、入力端子用金属化層１０４
に互いに対向して取付けられ、共通端子１０９，１０９
″が共通端子用金属化層１０５，１０５″に互いに対向
して取付けられている。
０２を取り付け該絶縁基板１０２の上に出力端子用金属
化層１０３、入力端子用金属化層１０４が互いに対向し
て形成され、共通端子用金属化層１０５，１０５″が出
力端子用金属化層１０３、入力端子用金属化層１０４を
はさんで両側に形成され該金属化層は共通端子橋絡部材
１０６で橋絡され、出力端子１０７、入力端子１０８が
出力端子用金属化層１０３、入力端子用金属化層１０４
に互いに対向して取付けられ、共通端子１０９，１０９
″が共通端子用金属化層１０５，１０５″に互いに対向
して取付けられている。
そして複数個の半導体素子１１０，１１『を出力端子金
属化層１０３に取付け、複数個の半導体素子１１０，１
１『の入力端子部と絶縁基板上の入力端子用金属化層１
０４を金、アルミ等の金属細線１１１，１１「で接続し
、複数個の半導体素子１１０，１１『の共通端子部と共
通端子橋絡部材１０６を金、アルミ等の金属細線１１２
，１１２″で接続し封止部材で半導体素子等を封止した
構造になつている。この様な従来の高周波高出力半導体
装置の構造では半導体素子の個数を増加して、より高出
力化を図ろうとする場合、それに伴なつて熱伝導の良い
絶縁基板の大きさも大きくしなければならないため、該
絶縁基板にクラックが生じやすくなり、．かつ半導体容
器の浮遊容量が大きくなつて半導体装置の高周波特性が
劣化し、また高価な熱伝導の良い絶縁基板を多量に使用
するから半導体装置の価格も高くなつてしまう欠点があ
る。
属化層１０３に取付け、複数個の半導体素子１１０，１
１『の入力端子部と絶縁基板上の入力端子用金属化層１
０４を金、アルミ等の金属細線１１１，１１「で接続し
、複数個の半導体素子１１０，１１『の共通端子部と共
通端子橋絡部材１０６を金、アルミ等の金属細線１１２
，１１２″で接続し封止部材で半導体素子等を封止した
構造になつている。この様な従来の高周波高出力半導体
装置の構造では半導体素子の個数を増加して、より高出
力化を図ろうとする場合、それに伴なつて熱伝導の良い
絶縁基板の大きさも大きくしなければならないため、該
絶縁基板にクラックが生じやすくなり、．かつ半導体容
器の浮遊容量が大きくなつて半導体装置の高周波特性が
劣化し、また高価な熱伝導の良い絶縁基板を多量に使用
するから半導体装置の価格も高くなつてしまう欠点があ
る。
次に、本発明を実施例により説明する。
第２図は本発明による高周波高出力半導体装置の１実施
例の斜視図である。
例の斜視図である。
金属よりなる放熱部材２０１に複数個の、半導体素子を
載置する熱伝導の良い絶縁基板２０２ａ，２０２ａ″が
互いに分離して取付けられ、複数・個の該絶縁基板の三
方を取り囲む様にコ字形またはＵ字形の絶縁基板２０２
ｂが取付けられる。
載置する熱伝導の良い絶縁基板２０２ａ，２０２ａ″が
互いに分離して取付けられ、複数・個の該絶縁基板の三
方を取り囲む様にコ字形またはＵ字形の絶縁基板２０２
ｂが取付けられる。
絶縁基板２０２ａ，２０２ａ″の半導体素子を載置する
面の全面に金属化層２０３，２０３″が形成され、コ字
形またはＵ字形の絶縁基板２０２ｂのリード端子を取り
付ける面には入力端子用金属化層２０牡共通端子用金属
化層２０５，２０５″がそれぞれ形成され、該共通端子
用金属化槽は共通端子橋絡部材２０６て橋絡される。絶
縁基板２０２ａ，２０２ａ″の金属化層２０３，２０３
″には出力端子２０７が取付けられる。該出力端子２０
７は金属化層２０３，２０３″を短絡しかつ出力端子２
０７の一端がコ字形またはＵ字形の絶縁基フ板２０２ｂ
に取り囲まれていない方向に突出して取付けられる。コ
字形またはＵ字形の絶縁基板２０２ｂの入力端子用金属
化層２０４には入力端子２０８が、出力端子２０７と対
向する方向に取付けられる。共通端子用金属化層２０５
，２０５″７には共通端子２０９，２０「が出力端子２
０７、入力端子２０８と直交する方向に取付けられられ
る。そして半導体素子２１０，２１『を金属化層２０３
，２０３″にそれぞれ取付け、半導体素子２１０，２１
『の入力部とコ字形またはＪＵ字形の絶縁基板２０２Ｂ
の入力端子用金属化層２０４を金、アルミ等の金属細線
２１１，２１１″て接続し、複数個の半導体素子２１０
，２１０″の共通端子部と共通端子橋絡部材２０６を金
、アルミ等の金属細線２１２，２１２゛で接続し封止部
材２１３で半導体素子等を封止した構造になつている。
この様な構造にすれば高価な熱伝導の良い絶縁基板は半
導体素子を搭載する部分のみで良く、かつ、半導体素子
の個数に応じて前記絶縁基板をより多くの個数に分割で
きるため個々の絶縁基板の大きさを不必要に大きくする
ことがない。
面の全面に金属化層２０３，２０３″が形成され、コ字
形またはＵ字形の絶縁基板２０２ｂのリード端子を取り
付ける面には入力端子用金属化層２０牡共通端子用金属
化層２０５，２０５″がそれぞれ形成され、該共通端子
用金属化槽は共通端子橋絡部材２０６て橋絡される。絶
縁基板２０２ａ，２０２ａ″の金属化層２０３，２０３
″には出力端子２０７が取付けられる。該出力端子２０
７は金属化層２０３，２０３″を短絡しかつ出力端子２
０７の一端がコ字形またはＵ字形の絶縁基フ板２０２ｂ
に取り囲まれていない方向に突出して取付けられる。コ
字形またはＵ字形の絶縁基板２０２ｂの入力端子用金属
化層２０４には入力端子２０８が、出力端子２０７と対
向する方向に取付けられる。共通端子用金属化層２０５
，２０５″７には共通端子２０９，２０「が出力端子２
０７、入力端子２０８と直交する方向に取付けられられ
る。そして半導体素子２１０，２１『を金属化層２０３
，２０３″にそれぞれ取付け、半導体素子２１０，２１
『の入力部とコ字形またはＪＵ字形の絶縁基板２０２Ｂ
の入力端子用金属化層２０４を金、アルミ等の金属細線
２１１，２１１″て接続し、複数個の半導体素子２１０
，２１０″の共通端子部と共通端子橋絡部材２０６を金
、アルミ等の金属細線２１２，２１２゛で接続し封止部
材２１３で半導体素子等を封止した構造になつている。
この様な構造にすれば高価な熱伝導の良い絶縁基板は半
導体素子を搭載する部分のみで良く、かつ、半導体素子
の個数に応じて前記絶縁基板をより多くの個数に分割で
きるため個々の絶縁基板の大きさを不必要に大きくする
ことがない。
その結果、半導体装置の価格を安価にでき、絶縁基板の
クラックの問題も解消する。その上半導体素子を搭載す
る絶縁基板と各リード端子を取り付ける絶縁基板を分離
し、かつ半導体素子を搭載する絶縁基板も分割した構造
であるため個々の絶縁基板は必要最小限の大きさにでき
、また各絶縁基板の間には、絶縁基板よりも誘電率の小
さい空気または封止部材が存在するため半導体容器の浮
遊容量を小さくでき、半導体装置の高周波特性を改善す
ることができる。
クラックの問題も解消する。その上半導体素子を搭載す
る絶縁基板と各リード端子を取り付ける絶縁基板を分離
し、かつ半導体素子を搭載する絶縁基板も分割した構造
であるため個々の絶縁基板は必要最小限の大きさにでき
、また各絶縁基板の間には、絶縁基板よりも誘電率の小
さい空気または封止部材が存在するため半導体容器の浮
遊容量を小さくでき、半導体装置の高周波特性を改善す
ることができる。
第１図は従来の高周波高出力半導体装置の１例の斜視図
、第２図は本発明の斜視図である。 １０１，２０１・・・ ・・放熱部材、１０２，２０２
ａ，２０２ａ″・・・・・・熱伝導の良い絶縁基板、２
０２ｂ・・・・・・熱伝導性の劣る絶縁基板、１０３，
２０３，２０３″・・・・出力端子用金属化層、１０４
，２０４・・・・・・入力端子用金属化層、１０５，１
０５″，２０５，２０５″・・・・・共通端子用金属化
層、１０６，２０６・・・・・・共通端子橋絡部材、１
０７，２０７・・・・・・出力端子、１０８，２０８・
・・・・・入力端子、１０９，１０９″，２０９，２０
９″・・・・・共通端子、１１０，１１『２１０，２１
『・・・・・半導体素子、１１１，１１「，１１２，１
１２″，２１１，２１「，２１２，２１２″・・・・・
・金属細線。
、第２図は本発明の斜視図である。 １０１，２０１・・・ ・・放熱部材、１０２，２０２
ａ，２０２ａ″・・・・・・熱伝導の良い絶縁基板、２
０２ｂ・・・・・・熱伝導性の劣る絶縁基板、１０３，
２０３，２０３″・・・・出力端子用金属化層、１０４
，２０４・・・・・・入力端子用金属化層、１０５，１
０５″，２０５，２０５″・・・・・共通端子用金属化
層、１０６，２０６・・・・・・共通端子橋絡部材、１
０７，２０７・・・・・・出力端子、１０８，２０８・
・・・・・入力端子、１０９，１０９″，２０９，２０
９″・・・・・共通端子、１１０，１１『２１０，２１
『・・・・・半導体素子、１１１，１１「，１１２，１
１２″，２１１，２１「，２１２，２１２″・・・・・
・金属細線。
Claims (1)
- １ 放熱部材の上に絶縁基板を介して複数の半導体素子
が取り付けられる半導体装置において、前記複数の半導
体素子を少なくとも２個に分離して設けた絶縁基板の上
にわけて取り付けたことを特徴とする半導体装置。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP6542676A JPS6056301B2 (ja) | 1976-06-03 | 1976-06-03 | 半導体装置 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP6542676A JPS6056301B2 (ja) | 1976-06-03 | 1976-06-03 | 半導体装置 |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPS52147973A JPS52147973A (en) | 1977-12-08 |
| JPS6056301B2 true JPS6056301B2 (ja) | 1985-12-09 |
Family
ID=13286728
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP6542676A Expired JPS6056301B2 (ja) | 1976-06-03 | 1976-06-03 | 半導体装置 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPS6056301B2 (ja) |
Families Citing this family (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS55148449A (en) * | 1979-05-08 | 1980-11-19 | Toshiba Corp | Semiconductor device |
-
1976
- 1976-06-03 JP JP6542676A patent/JPS6056301B2/ja not_active Expired
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| JPS52147973A (en) | 1977-12-08 |
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