JP2797855B2 - 半導体素子用容器 - Google Patents
半導体素子用容器Info
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- JP2797855B2 JP2797855B2 JP23320492A JP23320492A JP2797855B2 JP 2797855 B2 JP2797855 B2 JP 2797855B2 JP 23320492 A JP23320492 A JP 23320492A JP 23320492 A JP23320492 A JP 23320492A JP 2797855 B2 JP2797855 B2 JP 2797855B2
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- JP
- Japan
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- extraction block
- lead
- side wall
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Description
【０００１】
【産業上の利用分野】本発明は半導体素子用容器に関
し、特にマイクロ波帯で使用する半導体素子用容器に関
する。
し、特にマイクロ波帯で使用する半導体素子用容器に関
する。
【０００２】
【従来の技術】従来のマイクロ波帯用トランジスタの特
に高出力トランジスタを搭載する半導体素子用容器の第
１の例は、図３（ａ），（ｂ）に示すように、金属から
なる放熱板１の上に設けた金属からなる枠状の側壁部２
の対向する２辺のそれぞれの一部に嵌込んで誘電体から
なるリード引出しブロック３を設け、そのリード引出し
ブロック３を貫通するリード引出し電極５と、リード引
出し電極５に接続するリード４とを設けて構成される。
に高出力トランジスタを搭載する半導体素子用容器の第
１の例は、図３（ａ），（ｂ）に示すように、金属から
なる放熱板１の上に設けた金属からなる枠状の側壁部２
の対向する２辺のそれぞれの一部に嵌込んで誘電体から
なるリード引出しブロック３を設け、そのリード引出し
ブロック３を貫通するリード引出し電極５と、リード引
出し電極５に接続するリード４とを設けて構成される。
【０００３】ここで、リード引出しブロック３の下面全
部及び内側面の一部が放熱板１と接合されているため、
放熱板１上に搭載する半導体素子の動作時の発熱によ
り、放熱板１とリード引出しブロック３の熱膨張率の違
いで熱ストレスを生じリード引出しブロック３にクラッ
クを発生して半導体素子用容器の気密性が保てなくなる
という問題点があった。
部及び内側面の一部が放熱板１と接合されているため、
放熱板１上に搭載する半導体素子の動作時の発熱によ
り、放熱板１とリード引出しブロック３の熱膨張率の違
いで熱ストレスを生じリード引出しブロック３にクラッ
クを発生して半導体素子用容器の気密性が保てなくなる
という問題点があった。
【０００４】そこで、図４に示すように、リード引出し
ブロック３の下面のみを放熱板１と接合し、リード引出
しブロック３の内側面が放熱板１と接触しないように空
隙を設けたり、図５に示すように、更にリード引出しブ
ロック３の下面の一部に接合する放熱板１と同じ材質の
枠７を設けて熱ストレスによるクラックの発生を防止し
ているものがある。
ブロック３の下面のみを放熱板１と接合し、リード引出
しブロック３の内側面が放熱板１と接触しないように空
隙を設けたり、図５に示すように、更にリード引出しブ
ロック３の下面の一部に接合する放熱板１と同じ材質の
枠７を設けて熱ストレスによるクラックの発生を防止し
ているものがある。
【０００５】
【発明が解決しようとする課題】この従来の半導体素子
用容器は、リード引出しブロックの下面及び内側面が放
熱板に接合しているものでは、搭載した半導体素子の動
作時に生ずる発熱により熱ストレスを生じてリード引出
しブロックが破壊され気密性不良を生じ易く、リード引
出しブロックの内側面と放熱板との間に空隙を設けたも
のでは、高周波特性が低下するという問題点があった。
用容器は、リード引出しブロックの下面及び内側面が放
熱板に接合しているものでは、搭載した半導体素子の動
作時に生ずる発熱により熱ストレスを生じてリード引出
しブロックが破壊され気密性不良を生じ易く、リード引
出しブロックの内側面と放熱板との間に空隙を設けたも
のでは、高周波特性が低下するという問題点があった。
【０００６】
【課題を解決するための手段】本発明の半導体素子用容
器は、半導体素子を搭載するための放熱板と、前記放熱
板の周縁部に接合して設けた枠状側壁部と、前記側壁部
の一部に嵌込んで設けたリード引出しブロックと、前記
リード引出しブロックを貫通して設けたリード引出し電
極とを有する半導体素子用容器において、前記リード引
出しブロックを含む側壁部の下面に接合した前記放熱板
が前記リード引出しブロックの内側面最下端と接する斜
面又は曲面を有する。
器は、半導体素子を搭載するための放熱板と、前記放熱
板の周縁部に接合して設けた枠状側壁部と、前記側壁部
の一部に嵌込んで設けたリード引出しブロックと、前記
リード引出しブロックを貫通して設けたリード引出し電
極とを有する半導体素子用容器において、前記リード引
出しブロックを含む側壁部の下面に接合した前記放熱板
が前記リード引出しブロックの内側面最下端と接する斜
面又は曲面を有する。
【０００７】
【実施例】次に、本発明について図面を参照して説明す
る。
る。
【０００８】図１（ａ），（ｂ）は本発明の第１の実施
例を示す平面図及びＡ−Ａ′線断面図である。
例を示す平面図及びＡ−Ａ′線断面図である。
【０００９】図１（ａ），（ｂ）に示すように、銅等の
放熱効果及び導電性の良い金属からなる放熱板１の上面
に銅等の金属からなる枠状の側壁部２をろう付けして設
け、この側壁部２の対向する２辺のそれぞれの一部に嵌
込んで誘電体のリード引出しブロック３及びリード引出
しブロック３を貫通するリード引出し電極５を形成し、
さらに側壁部２の外側に引出されたリード引出し電極５
に接続してリード電極４を設けている。
放熱効果及び導電性の良い金属からなる放熱板１の上面
に銅等の金属からなる枠状の側壁部２をろう付けして設
け、この側壁部２の対向する２辺のそれぞれの一部に嵌
込んで誘電体のリード引出しブロック３及びリード引出
しブロック３を貫通するリード引出し電極５を形成し、
さらに側壁部２の外側に引出されたリード引出し電極５
に接続してリード電極４を設けている。
【００１０】ここで、放熱板１はリード引出しブロック
３を有する側壁部２の内側面に沿って設け、且つ側壁部
２及びリード引出しブロック３の内側面の最下端と接す
る斜面６ａを有しており、放熱板１とリード引出しブロ
ック３の熱応力を緩和できると同時に、高周波特性の低
減を防止できる利点がある。
３を有する側壁部２の内側面に沿って設け、且つ側壁部
２及びリード引出しブロック３の内側面の最下端と接す
る斜面６ａを有しており、放熱板１とリード引出しブロ
ック３の熱応力を緩和できると同時に、高周波特性の低
減を防止できる利点がある。
【００１１】図２は本発明の第２の実施例を示す断面図
である。
である。
【００１２】図２に示すように、リード引出しブロック
３を含む側壁部２の内側面最下端と接する部分の放熱板
１が曲面６ｂを有している以外は第１の例と同様の構成
を有しており、高周波特性が更に向上できる利点があ
る。
３を含む側壁部２の内側面最下端と接する部分の放熱板
１が曲面６ｂを有している以外は第１の例と同様の構成
を有しており、高周波特性が更に向上できる利点があ
る。
【００１３】
【発明の効果】以上説明したように本発明は、リード引
出しブロックを含む側壁部の最下端と接する部分の放熱
板に斜面又は曲面を設けることにより、放熱板上に搭載
した半導体素子の発熱による放熱板とリード引出しブロ
ックとの熱応力を緩和してリード引出しブロックのクラ
ック発生を防止するとができ、高周波特性の低下を招く
ことなく気密性不良による信頼性低下を低減できるとい
う効果を有する。
出しブロックを含む側壁部の最下端と接する部分の放熱
板に斜面又は曲面を設けることにより、放熱板上に搭載
した半導体素子の発熱による放熱板とリード引出しブロ
ックとの熱応力を緩和してリード引出しブロックのクラ
ック発生を防止するとができ、高周波特性の低下を招く
ことなく気密性不良による信頼性低下を低減できるとい
う効果を有する。
【図１】本発明の第１の実施例を示す平面図及びＡ−
Ａ′線断面図。
Ａ′線断面図。
【図２】本発明の第２の実施例を示す断面図。
【図３】従来の半導体素子用容器の第１の例を示す平面
図及びＢ−Ｂ′線断面図。
図及びＢ−Ｂ′線断面図。
【図４】従来の半導体素子用容器の第２の例を示す断面
図。
図。
【図５】従来の半導体素子用容器の第３の例を示す断面
図。
図。
１ 放熱板 ２ 側壁部 ３ リード引出しブロック ４ リード ５ リード引出し電極 ６ａ 斜面 ６ｂ 曲面 ７ 枠
Claims (1)
- 【請求項１】 半導体素子を搭載するための放熱板と、
前記放熱板の周縁部に接合して設けた枠状側壁部と、前
記側壁部の一部に嵌込んで設けたリード引出しブロック
と、前記リード引出しブロックを貫通して設けたリード
引出し電極とを有する半導体素子用容器において、前記
リード引出しブロックを含む側壁部の下面に接合した前
記放熱板が前記リード引出しブロックの内側面最下端と
接する斜面又は曲面を有することを特徴とする半導体素
子用容器。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP23320492A JP2797855B2 (ja) | 1992-09-01 | 1992-09-01 | 半導体素子用容器 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP23320492A JP2797855B2 (ja) | 1992-09-01 | 1992-09-01 | 半導体素子用容器 |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH0685098A JPH0685098A (ja) | 1994-03-25 |
| JP2797855B2 true JP2797855B2 (ja) | 1998-09-17 |
Family
ID=16951387
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP23320492A Expired - Fee Related JP2797855B2 (ja) | 1992-09-01 | 1992-09-01 | 半導体素子用容器 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JP2797855B2 (ja) |
-
1992
- 1992-09-01 JP JP23320492A patent/JP2797855B2/ja not_active Expired - Fee Related
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| JPH0685098A (ja) | 1994-03-25 |
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Legal Events
| Date | Code | Title | Description |
|---|---|---|---|
| A01 | Written decision to grant a patent or to grant a registration (utility model) |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A01 Effective date: 19980602 |
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Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250 |
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