JPS605525B2 - 熔剤用シリコン粉粒体の酸化皮膜形成法 - Google Patents

熔剤用シリコン粉粒体の酸化皮膜形成法

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Publication number
JPS605525B2
JPS605525B2 JP53101016A JP10101678A JPS605525B2 JP S605525 B2 JPS605525 B2 JP S605525B2 JP 53101016 A JP53101016 A JP 53101016A JP 10101678 A JP10101678 A JP 10101678A JP S605525 B2 JPS605525 B2 JP S605525B2
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JP
Japan
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silicon powder
oxidizing agent
oxide film
silicon
powder
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Expired
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JP53101016A
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English (en)
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JPS5527471A (en
Inventor
和人 熱田
一郎 富樫
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KINSEI KOGYO KK
Original Assignee
KINSEI KOGYO KK
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Publication date
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Expired legal-status Critical Current

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    • BPERFORMING OPERATIONS; TRANSPORTING
    • B23MACHINE TOOLS; METAL-WORKING NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • B23KSOLDERING OR UNSOLDERING; WELDING; CLADDING OR PLATING BY SOLDERING OR WELDING; CUTTING BY APPLYING HEAT LOCALLY, e.g. FLAME CUTTING; WORKING BY LASER BEAM
    • B23K35/00Rods, electrodes, materials, or media, for use in soldering, welding, or cutting
    • B23K35/22Rods, electrodes, materials, or media, for use in soldering, welding, or cutting characterised by the composition or nature of the material
    • B23K35/24Selection of soldering or welding materials proper
    • B23K35/30Selection of soldering or welding materials proper with the principal constituent melting at less than 1550 degrees C

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  • Engineering & Computer Science (AREA)
  • Mechanical Engineering (AREA)
  • Silicon Compounds (AREA)
  • Powder Metallurgy (AREA)

Description

【発明の詳細な説明】 本発明は、被覆アーク溶接棒の被覆剤または焼結形熔剤
等に添加するシリコン(金属シリコンまたはシリコン合
金)粉粒体の表面に酸化皮膜を形成する方法に関し、酸
化皮膜を均一に形成できるうえ、製品の粒度を均一にで
き、粉塵による環境汚染を無くし、生産性を高める事を
目的とする。
被覆アーク熔接棒の芯材に被覆剤を塗着するとき、また
は焼給形熔剤等を形造るときに、水ガラスなどのアルカ
リ液にシリコン粉粒体を添加すると、アルカリ分とシリ
コンとが化学反応を起して、水素ガスが発生する。この
水素ガスで未硬化のアーク熔接榛被覆剤等が膨らんだり
亀裂を生じたりして、その品質を低下させる。これを防
止するために、シリコン粉粒体の表面に酸化皮膜を形成
しておき、この酸化皮膜で前記化学反応による水素ガス
の発生を無くす事が行なわれている。
この酸化皮膜を形成する方法として、シリコン粉粒体を
酸化剤(例えば、過マンガン酸カリ、クロム酸塩)の水
溶液に浸薄し、これを煮沸・乾燥する方法が知られてい
る。
ところがこれには、次の欠点がある。‘a} 煮沸・乾
燥時に、シリコン粉粒体同士ランダムに固結し、粒度ム
ラができる。
‘b} シリコン粉粒体同士がランダムに固結するうえ
、上層と下層との間に加熱ムラがある事から、酸化皮膜
を均一に形成できない。
‘c} その固結や加熱ムラを少なくする為に、煮沸・
乾燥時に濃伴する事が考えられるが、その蝿梓のための
粉塵が舞い立つ為、作業環境が汚染されるうえ、製品の
粒度が粗くなる。
{d} シリコンと酸化剤との化学反応による酸化皮膜
の生成速度が遅く、そのうえ、煮沸・乾燥がバッチ式で
断続的に行なわれるから、生産性が低い。
本発明方法は、このような欠点を解消するために、まず
、酸化皮膜の生成速度の速い酸化剤を用い、これの溶液
をシリコン粉粒体の表面に満遍な〈塗着し、次いで、ロ
ータリードライヤでシリコン粉粒体同士をほぐしながら
、溶液分を蒸発させて、酸化剤をシリコン粉粒体の表面
に満遍なく付着させ、ロータリーキルンで高温加熱によ
り「酸化剤とシリコンの表面とを活発に化学反応させて
、シリコンの表面に酸化皮膜を均一に急速に形成するも
のである。
以下、本発明方法の実施手順例を説明すると、表面に酸
化皮膜を形成したシリコン粉粒体は、次の一連の工程に
より、連続して製造される。
シリコン原料→粗砕→粉砕→節分→酸化皮膜形成→冷却
→節別→包装このうち、酸化皮膜の形成は、さらに、{
ィ}酸化剤溶液の塗着、{〇}溶液の液分の乾燥、し一
酸化反応の工程順から成り、その内容を次に順を追って
説明する。
‘ィ’シリコン粉粒体(例えば「金属シリコン又はシリ
コン合金)と酸化剤溶液(例えば、カ性ソーダと過マン
ガン酸カリ及びその他の酸化剤の混合溶液)をミキサー
に所定の割合し、で投入し、混線することにより、その
シリコン粉粒体の表面に酸化剤溶液を満遍なく塗着する
(o} 酸化剤溶液を塗着させたシリコン粉粒体を、ミ
キサーから取り出して、ホッパーに貯え、ここから外燃
式ロータリ−ドラィャに連続的に供給する。
そのシリコン粉粒体は、ロータリードラィャで蝿拝され
ながら400qo前後で加溢される。これにより、シリ
コン粉粒体同士が互いにほぐされ続けながら、その表面
に塗着した酸化剤溶液の液分が蒸発し、乾燥後の酸化剤
がシリコン粉粒体の表面に所定の厚みに満遍なく定着す
る。し一 酸化剤が充分に定着してから、シリコン粉粒
体がロータリードラィャから連続的に敬出され、ホッパ
ーに貯えられ、ここから外燃式ロータリーキルンに連続
的に供給される。
そのシリコン粉粒体は、ロータリーキルンで鷹拝されな
がら、約800℃前後で加熱される。これにより、酸化
剤とシリコン粉粒体の表面とが活発に化学反応し、シリ
コン粉粒体の表面に酸化皮膜が所定の厚みに満遍なく形
成される。このときの酸化皮膜生成速度は、シリコン粉
粒体の比表面積の大きさに比例する。
酸化皮膜の厚みは、酸化剤の種類、酸化剤溶液の添加量
、ロータリーキルンの加熱温度を選定する蔓により、希
望通りに得られる。
酸化皮膜が充分に形成されて安定した後に、シリコン粉
粒体が製品としてロータリーキルンから取出され、次の
冷却工程に搬送される。
本発明方法は、上記‘ィ)乃至し一の工程をとることに
より、次の効果を奏する。風 酸化剤溶液を塗着したシ
リコン粉粒体同士は、ロータリーミキサで互いにほぐさ
れながら乾燥されるから、よく分離され、即粒状に固結
する事を防止され、製品の粒度を均一にできる。
曲 シリコン粉粒体はよくほぐされて分離する状態に分
離されるため、シリコン粉粒体の表面に酸化剤が満遍な
く塗着される。
この酸化剤が満遍なく塗着されたシリコン粉粒体が、ロ
ータリーキルンで蝿拝されながら均等に加熱されるから
、シリコン粉粒体の表面に酸化皮膜が満遍なく形成され
る。‘C’ ロータリードライヤによる蝿拝が穏やかで
あるから、粉塵が余り発生せず、粉塵による作業環境の
汚染を大幅に低減乃至は無くす事ができるうえ、粉塵の
抜出し‘こよる製品粒度の粗大化を無くす事もできる。
皿 シリコンと酸化剤との化学反応による酸化皮膜の生
成速度が大変速いうえ、加温乾燥及び加熱焼成を。

Claims (1)

  1. 【特許請求の範囲】 1 次の(イ)乃至(ハ)の工程の順からなる熔剤用シ
    リコン粉粒体の酸化皮膜形成法。 (イ) 金属シリコン又はシリコン合金の粉粒体と酸化
    剤溶液とをミキサーで混練する事により、そのシリコン
    粉粒体の表面に酸化剤溶液を満遍なく塗着し、(ロ)
    酸化剤溶液を塗着させたシリコン粉粒をロータリードラ
    イヤで撹拌しながら加温する事により、シリコン粉粒体
    同士を互いにほぐしながら、酸化剤溶液を乾燥させて、
    酸化剤をシリコン粉粒体の表面に満遍なく付着させ、(
    ハ) 酸化剤を付着させたシリコン粉粒体をロータリー
    キルンで撹拌しながら、上記工程(ロ)の加温よりも高
    温に加熱する事により酸化剤とシリコン粉粒体の表面と
    を活発に化学反応させて、シリコン粉粒体の表面に酸化
    皮膜を形成する。
JP53101016A 1978-08-18 1978-08-18 熔剤用シリコン粉粒体の酸化皮膜形成法 Expired JPS605525B2 (ja)

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JPS5527471A JPS5527471A (en) 1980-02-27
JPS605525B2 true JPS605525B2 (ja) 1985-02-12

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JPS59232201A (ja) * 1983-06-15 1984-12-27 Kobe Steel Ltd 溶接フラツクス用Fe−Si粉粒体の表面処理方法
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JPS5527471A (en) 1980-02-27

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