JPS6054505A - 奇数次高周波逓倍回路 - Google Patents
奇数次高周波逓倍回路Info
- Publication number
- JPS6054505A JPS6054505A JP58163749A JP16374983A JPS6054505A JP S6054505 A JPS6054505 A JP S6054505A JP 58163749 A JP58163749 A JP 58163749A JP 16374983 A JP16374983 A JP 16374983A JP S6054505 A JPS6054505 A JP S6054505A
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- JP
- Japan
- Prior art keywords
- circuit
- push
- odd
- pull
- trs
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Pending
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Classifications
-
- H—ELECTRICITY
- H03—ELECTRONIC CIRCUITRY
- H03B—GENERATION OF OSCILLATIONS, DIRECTLY OR BY FREQUENCY-CHANGING, BY CIRCUITS EMPLOYING ACTIVE ELEMENTS WHICH OPERATE IN A NON-SWITCHING MANNER; GENERATION OF NOISE BY SUCH CIRCUITS
- H03B19/00—Generation of oscillations by non-regenerative frequency multiplication or division of a signal from a separate source
- H03B19/06—Generation of oscillations by non-regenerative frequency multiplication or division of a signal from a separate source by means of discharge device or semiconductor device with more than two electrodes
- H03B19/14—Generation of oscillations by non-regenerative frequency multiplication or division of a signal from a separate source by means of discharge device or semiconductor device with more than two electrodes by means of a semiconductor device
-
- H—ELECTRICITY
- H03—ELECTRONIC CIRCUITRY
- H03B—GENERATION OF OSCILLATIONS, DIRECTLY OR BY FREQUENCY-CHANGING, BY CIRCUITS EMPLOYING ACTIVE ELEMENTS WHICH OPERATE IN A NON-SWITCHING MANNER; GENERATION OF NOISE BY SUCH CIRCUITS
- H03B2200/00—Indexing scheme relating to details of oscillators covered by H03B
- H03B2200/006—Functional aspects of oscillators
- H03B2200/0062—Bias and operating point
-
- H—ELECTRICITY
- H03—ELECTRONIC CIRCUITRY
- H03B—GENERATION OF OSCILLATIONS, DIRECTLY OR BY FREQUENCY-CHANGING, BY CIRCUITS EMPLOYING ACTIVE ELEMENTS WHICH OPERATE IN A NON-SWITCHING MANNER; GENERATION OF NOISE BY SUCH CIRCUITS
- H03B2200/00—Indexing scheme relating to details of oscillators covered by H03B
- H03B2200/006—Functional aspects of oscillators
- H03B2200/0092—Measures to linearise or reduce distortion of oscillator characteristics
Landscapes
- Amplitude Modulation (AREA)
- Manipulation Of Pulses (AREA)
Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
産業上の利用分野
本発明は、高周波回路における奇数次逓倍回路続開する
ものである。
ものである。
従来例の構成メその問題点
近年、音響機器用受信機分野においては高性能、高忠実
度再生、高品位受信の要望が高く、従来通信機分野に属
していた回路技術、方法が数多く採用され、導入される
ようになってきた。しかし、通信機分野の技術を採用す
る場合、従来技術そのままの転用のみでは音響機器用受
信機に適さない面があった。
度再生、高品位受信の要望が高く、従来通信機分野に属
していた回路技術、方法が数多く採用され、導入される
ようになってきた。しかし、通信機分野の技術を採用す
る場合、従来技術そのままの転用のみでは音響機器用受
信機に適さない面があった。
以下に従来の奇数次逓倍回路について説明する。第７図
は従来の奇数次逓倍回路である。本回路の特徴は、２つ
のトランジスタｌ、２でプッシュプル動作を行ない、偶
数次の高調波成分の発′生をキャンセルすることにより
、偶数次高調波を減衰させ、そののちに負荷同調回路の
周波数対振幅特性により、他の成分を減衰させ、局望の
逓倍信号を出力させることにある。第８図は、２つのト
ランジスタ１．２によって奇数次の出力レベルを大きく
、また偶数次をキャンセルさせてレベルを小さくした状
態を示すグラフである。第９図は、負荷８と９によって
得られた選択度粘性により、他の成分が減衰され、局留
の逓倍信号のみが出力されている状態を示したグラフで
ある。
は従来の奇数次逓倍回路である。本回路の特徴は、２つ
のトランジスタｌ、２でプッシュプル動作を行ない、偶
数次の高調波成分の発′生をキャンセルすることにより
、偶数次高調波を減衰させ、そののちに負荷同調回路の
周波数対振幅特性により、他の成分を減衰させ、局望の
逓倍信号を出力させることにある。第８図は、２つのト
ランジスタ１．２によって奇数次の出力レベルを大きく
、また偶数次をキャンセルさせてレベルを小さくした状
態を示すグラフである。第９図は、負荷８と９によって
得られた選択度粘性により、他の成分が減衰され、局留
の逓倍信号のみが出力されている状態を示したグラフで
ある。
しかし、上記のように高調波含有４１を改善する目的で
負荷８と９の結合係数を変化させ、高選択度特性を負荷
として採用すると、高調波含有率は改善するが、第６図
に示すように信号伝達の２つの要素である高帯域特性の
レベルＣと群遅延時間特性ｄは劣化する。
負荷８と９の結合係数を変化させ、高選択度特性を負荷
として採用すると、高調波含有率は改善するが、第６図
に示すように信号伝達の２つの要素である高帯域特性の
レベルＣと群遅延時間特性ｄは劣化する。
このように、従来の方式では、帯域の広い信号逓倍とし
ては適切でないということを示し５問題点を有している
。
ては適切でないということを示し５問題点を有している
。
発明の目的
本発明は、奇数次の高周波を逓倍する場合、伝送信号の
群遅延時間特性を改善するどとによって広帯域の伝送特
性を実現できる安価な奇数次高調波逓倍回路を提供する
ことを目的とする。
群遅延時間特性を改善するどとによって広帯域の伝送特
性を実現できる安価な奇数次高調波逓倍回路を提供する
ことを目的とする。
発明の構成
プッシュプル接続された２つのトランジスタと、この２
つのトランジスタに負荷を与える負荷同調回路と、前記
２つのトランジスタとエミッタを共通接続した他のトラ
ンジスタと、前記各トランジスタにそれぞれバイアス電
位を供するバイアス回路とから成る構成を採っている。
つのトランジスタに負荷を与える負荷同調回路と、前記
２つのトランジスタとエミッタを共通接続した他のトラ
ンジスタと、前記各トランジスタにそれぞれバイアス電
位を供するバイアス回路とから成る構成を採っている。
この構成によって、負荷は２つのトランジスタと他のト
ランジスタとの間にスイッチされ、負荷が他のトランジ
スタにかかっている時には出力信号は発生せず、また、
プッシュプル動作によって偶数次の高調波成分はキャン
セルされることになる。
ランジスタとの間にスイッチされ、負荷が他のトランジ
スタにかかっている時には出力信号は発生せず、また、
プッシュプル動作によって偶数次の高調波成分はキャン
セルされることになる。
実施例の説明
第１図は本発明の一実施例における奇数次高周波逓倍回
路をしめす。ｌ、２は、それぞれトランジスタで、プッ
シュプル動作を行ない、偶数次の高調波成分の発生をキ
ャンセルする。３は他のトランジスタであ、る。トラン
ジスタ３のエミッタは、２つのトランジスタ１．２のエ
ミッタに共通に接続されている。４〜７はそれぞれ抵抗
で、これらによってバイアス回路を構成している。ト・
ランジスタ３のベースは、抵抗６．７に接続している。
路をしめす。ｌ、２は、それぞれトランジスタで、プッ
シュプル動作を行ない、偶数次の高調波成分の発生をキ
ャンセルする。３は他のトランジスタであ、る。トラン
ジスタ３のエミッタは、２つのトランジスタ１．２のエ
ミッタに共通に接続されている。４〜７はそれぞれ抵抗
で、これらによってバイアス回路を構成している。ト・
ランジスタ３のベースは、抵抗６．７に接続している。
尚、抵抗６．７によって発生するバイアス電位は、抵抗
４．５によって発生するバイアス電位より、指数逓倍数
に応じた電位分高く設足する。このことにより、２つの
トランジスタ１，２のコレクタ電流は、第２図に示すよ
うに、人力信号の一定期のみ流れ、他の時間はトランジ
スタ３にスイッチされてしまう。第４図は２つのトラン
ジスタｌ、２により発生する高調波成分の発生レベルを
示したものである。第５図は、第１図に示す負荷同調回
路の周波数対振幅特性により、他の成分が減衰され、希
望の逓倍信号のみ出力している状態を示したものである
。８．９は負荷同調回路内の負荷である。第４図に示し
たように、近傍の偶数次高調波成分は従来のものに比べ
少なくなると同時に不要な奇数次の高調波成分も少なく
なるため、負荷同調回路の選択度特性を従来の回路に比
べ大幅に広くすることが可能となった。このため、第６
図で示すように、周波数対振幅特性ａの帯域幅、周波数
対遅延時間特性すの帯域が大幅に広くなり、結果的に広
い伝送特性を実現することができた。
４．５によって発生するバイアス電位より、指数逓倍数
に応じた電位分高く設足する。このことにより、２つの
トランジスタ１，２のコレクタ電流は、第２図に示すよ
うに、人力信号の一定期のみ流れ、他の時間はトランジ
スタ３にスイッチされてしまう。第４図は２つのトラン
ジスタｌ、２により発生する高調波成分の発生レベルを
示したものである。第５図は、第１図に示す負荷同調回
路の周波数対振幅特性により、他の成分が減衰され、希
望の逓倍信号のみ出力している状態を示したものである
。８．９は負荷同調回路内の負荷である。第４図に示し
たように、近傍の偶数次高調波成分は従来のものに比べ
少なくなると同時に不要な奇数次の高調波成分も少なく
なるため、負荷同調回路の選択度特性を従来の回路に比
べ大幅に広くすることが可能となった。このため、第６
図で示すように、周波数対振幅特性ａの帯域幅、周波数
対遅延時間特性すの帯域が大幅に広くなり、結果的に広
い伝送特性を実現することができた。
発明の効果
本発明によれば、負荷同調回路の選択度特性を広くする
ことを可能ならしめ、群遅延時間特性を改善したことに
より、帯域の広い信号逓倍をすることができる。また本
発明では特に高価なバンドパスフィルターなど不要で、
従来通りの回路部品をそのまま使用できるため、コスト
上昇を最少にととめることができる。
ことを可能ならしめ、群遅延時間特性を改善したことに
より、帯域の広い信号逓倍をすることができる。また本
発明では特に高価なバンドパスフィルターなど不要で、
従来通りの回路部品をそのまま使用できるため、コスト
上昇を最少にととめることができる。
第１図は本発明の音数次高岡波逓倍回路の一実施例を示
す回路図、第２図はトランジスタｌ、２のスイッチング
状態を示す波形図、第３図は第２図のスイッチング時に
おける負荷同調回路からの出力を示す波形図、第４図は
トランジスタｌ、２により発生する高調波成分の発生レ
ベルを示すグラフ、第５図は本発明による高調波成分の
発生レベルを示すグラフ、第６図は本発明および従来例
の周波数対振幅特性および周波数対遅延特性を示す波形
図、第７図〜第９図は従来例の回路およびその特性を示
すグラフである。 １〜３・・・トランジスタ、４〜７・・・抵抗８．９・
・・負荷 代理人 介理士 大 島 −公 第１図 第２図 第３図 第４図 第５図 第６図
す回路図、第２図はトランジスタｌ、２のスイッチング
状態を示す波形図、第３図は第２図のスイッチング時に
おける負荷同調回路からの出力を示す波形図、第４図は
トランジスタｌ、２により発生する高調波成分の発生レ
ベルを示すグラフ、第５図は本発明による高調波成分の
発生レベルを示すグラフ、第６図は本発明および従来例
の周波数対振幅特性および周波数対遅延特性を示す波形
図、第７図〜第９図は従来例の回路およびその特性を示
すグラフである。 １〜３・・・トランジスタ、４〜７・・・抵抗８．９・
・・負荷 代理人 介理士 大 島 −公 第１図 第２図 第３図 第４図 第５図 第６図
Claims (1)
- プッシュプル接続された２つのトランジスタと、この２
つのトランジスタに負荷を与える負荷同調回路と、前記
２つのトランジスタとエミッタを共通接続した他のトラ
ンジスタと、前記各トランジスタにそれぞれバイアス電
位を供するバイアス回路とから成る奇数次高周波逓倍回
路。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP58163749A JPS6054505A (ja) | 1983-09-05 | 1983-09-05 | 奇数次高周波逓倍回路 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP58163749A JPS6054505A (ja) | 1983-09-05 | 1983-09-05 | 奇数次高周波逓倍回路 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPS6054505A true JPS6054505A (ja) | 1985-03-29 |
Family
ID=15779960
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP58163749A Pending JPS6054505A (ja) | 1983-09-05 | 1983-09-05 | 奇数次高周波逓倍回路 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPS6054505A (ja) |
-
1983
- 1983-09-05 JP JP58163749A patent/JPS6054505A/ja active Pending
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