JPS6050810A - 積層コンデンサ用誘電体磁器組成物 - Google Patents
積層コンデンサ用誘電体磁器組成物Info
- Publication number
- JPS6050810A JPS6050810A JP58159472A JP15947283A JPS6050810A JP S6050810 A JPS6050810 A JP S6050810A JP 58159472 A JP58159472 A JP 58159472A JP 15947283 A JP15947283 A JP 15947283A JP S6050810 A JPS6050810 A JP S6050810A
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- Japan
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- capacitance
- temperature
- composition
- porcelain composition
- dielectric porcelain
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- Compositions Of Oxide Ceramics (AREA)
- Ceramic Capacitors (AREA)
- Inorganic Insulating Materials (AREA)
Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
本発明は高誘電系磁器コンデンサの組成物に関するもの
である。
である。
近年電子機器の小型化に伴い、電子回路素子としてコン
デンサ素子も小型化が進み、磁器コンデンサでは積層コ
ンデンサが広範に使用されるようになっている。
デンサ素子も小型化が進み、磁器コンデンサでは積層コ
ンデンサが広範に使用されるようになっている。
斯様な積層コンデンサは薄層の誘電体の表面に内部電極
を形成したものを複数枚積層し、内部電極を交互に外部
接続用電極に並列に接続するもので、単位体積当りの静
電容量の向上が図れる点に大きな特徴がある。しかしな
がら、この積層コンデンサをより薄層化（内部電極間の
誘電体厚さをより小さく）シようとすると、電極間の電
位傾度が大きくなり電界効果による静電容量が低下し、
静電容量温度特性等の規格（例えばＪＩＳ規格のＦ特性
）を満たさなくなるため従来の積層コンデン因みに、現
在使用されているＦ特性（Ｊ工Ｓ規格）＠高誘電率磁器
組成物（７） ＢａＴｉ−０ｓ −ＣａＺｒＯｓ −Ｂ
ａＺｒＯｓ系磁器０において、誘電体の厚さ１．Ｑｍｉ
ｌ（２５，４μｍ）では直流電圧２５ Ｖ印加すると、
静電容量は６３％低下する。
を形成したものを複数枚積層し、内部電極を交互に外部
接続用電極に並列に接続するもので、単位体積当りの静
電容量の向上が図れる点に大きな特徴がある。しかしな
がら、この積層コンデンサをより薄層化（内部電極間の
誘電体厚さをより小さく）シようとすると、電極間の電
位傾度が大きくなり電界効果による静電容量が低下し、
静電容量温度特性等の規格（例えばＪＩＳ規格のＦ特性
）を満たさなくなるため従来の積層コンデン因みに、現
在使用されているＦ特性（Ｊ工Ｓ規格）＠高誘電率磁器
組成物（７） ＢａＴｉ−０ｓ −ＣａＺｒＯｓ −Ｂ
ａＺｒＯｓ系磁器０において、誘電体の厚さ１．Ｑｍｉ
ｌ（２５，４μｍ）では直流電圧２５ Ｖ印加すると、
静電容量は６３％低下する。
本発明は主たる組成りａＴｉＯａ −ＢａＺｒ０３（Ｃ
ａｔ −ａＳｒα） Ｚｒ０ａ ｌこ対して￥２０８を
添加することに依って、多結晶微小組繊゛を改善するこ
とにより、静電容量−電界特性（Ｃ−Ｖ特性）が向上し
て電界効果による静電容量の低下を軽減することができ
、その結果、誘電体の厚さを薄層化できる誘電体磁器組
成物を得ることを目的とするものである。
ａｔ −ａＳｒα） Ｚｒ０ａ ｌこ対して￥２０８を
添加することに依って、多結晶微小組繊゛を改善するこ
とにより、静電容量−電界特性（Ｃ−Ｖ特性）が向上し
て電界効果による静電容量の低下を軽減することができ
、その結果、誘電体の厚さを薄層化できる誘電体磁器組
成物を得ることを目的とするものである。
本発明はＢａＴｉ０ａ 、 ＢａＺｒＯｓ及び（Ｃａｔ
−ａ ５ｒａ） ＺｒＯ３を主成分としこれ督こＹｌ
！０３を添加する組成物に於いて、 ｘＢａｆｆｌｏａ −１−ｙＢａＺｒｏｇ −１−ｚ
（Ｃａｔ −ａ Ｓｒａ ） Ｚｒ○３＋βＹ９０３ なる化学式で示したとき、Ｘ ＋ ：５’ ＋ Ｚ ＝
１．０．７４）に換算して０．３〜２．０原子％（０
，００１５≦β≦ｏ、ｏ ｉ ）の￥２０３を添加する
ことにより比誘電率（１：ｒ）の値を実用的な値である
９０００以上を維持しながら電界効果による静電容量の
低下を軽減することを要旨とするものである。
−ａ ５ｒａ） ＺｒＯ３を主成分としこれ督こＹｌ
！０３を添加する組成物に於いて、 ｘＢａｆｆｌｏａ −１−ｙＢａＺｒｏｇ −１−ｚ
（Ｃａｔ −ａ Ｓｒａ ） Ｚｒ○３＋βＹ９０３ なる化学式で示したとき、Ｘ ＋ ：５’ ＋ Ｚ ＝
１．０．７４）に換算して０．３〜２．０原子％（０
，００１５≦β≦ｏ、ｏ ｉ ）の￥２０３を添加する
ことにより比誘電率（１：ｒ）の値を実用的な値である
９０００以上を維持しながら電界効果による静電容量の
低下を軽減することを要旨とするものである。
Ｂａ’ｆｉＯｓ及びＢａＺｒ０ａの上記組成範囲はキュ
ーリ温度（Ｔａｐ）を５〜２５℃の範囲に位置づける為
に必要な限定である。即ち、ＢａＴｉ０ ａが７４モル
％未満になると、キューリ温度（Ｔｃｐ）が５℃と以下
となり、９６モル％を越えると２５℃以上となり目的に
合致しない。また、ＢａＺｒＯ３が２モル％未満ではキ
ューり温度（Ｔａｐ）が２５℃となり、１６モル％を越
えるとキューリ温度（Ｔａｐ ）が５℃以下となり目的
に合致しない。
ーリ温度（Ｔａｐ）を５〜２５℃の範囲に位置づける為
に必要な限定である。即ち、ＢａＴｉ０ ａが７４モル
％未満になると、キューリ温度（Ｔｃｐ）が５℃と以下
となり、９６モル％を越えると２５℃以上となり目的に
合致しない。また、ＢａＺｒＯ３が２モル％未満ではキ
ューり温度（Ｔａｐ）が２５℃となり、１６モル％を越
えるとキューリ温度（Ｔａｐ ）が５℃以下となり目的
に合致しない。
つぎに、（Ｏａｔ −ａ Ｓｒａ ） Ｚｒ０ａが１６
モル％を越えると比誘電率（Ａ’ｒ）が９０００以下と
なり実用性を失ない、２モル％未満になると、温度に対
する静電容量の変化が大きく、規格（例えばＪＩＳ規格
ができる。（即ち、第１表試料悪２と３とを比較された
し、即ちα＝０とα＝０．５とでは比誘電率（Ｆ：ｒ）
が１０４００から１１０００ Ｉｎ向上しティる） Ｃ
ａＺｒＯ３に対して５ｒＺｒＯｓが等モルを越えると（
即ちα〉ｏ、５となると）静電容量の温度に対する変化
が大きくなり規格（例えばＪ工Ｓ規格−Ｆ特性）を満足
しなくなる。
モル％を越えると比誘電率（Ａ’ｒ）が９０００以下と
なり実用性を失ない、２モル％未満になると、温度に対
する静電容量の変化が大きく、規格（例えばＪＩＳ規格
ができる。（即ち、第１表試料悪２と３とを比較された
し、即ちα＝０とα＝０．５とでは比誘電率（Ｆ：ｒ）
が１０４００から１１０００ Ｉｎ向上しティる） Ｃ
ａＺｒＯ３に対して５ｒＺｒＯｓが等モルを越えると（
即ちα〉ｏ、５となると）静電容量の温度に対する変化
が大きくなり規格（例えばＪ工Ｓ規格−Ｆ特性）を満足
しなくなる。
７２０ａをＹ（イツトリウム）に換算して０．３原子％
未満となると電界効果薔こよる静電容量の低下を軽減す
る効果が小さく、２．０原子％を越えると比誘電率が低
下し、９０００以下となり実用的価値を損なう。
未満となると電界効果薔こよる静電容量の低下を軽減す
る効果が小さく、２．０原子％を越えると比誘電率が低
下し、９０００以下となり実用的価値を損なう。
以下本発明の実施例を詳細に説明する。
ＢａＴｉ０ａ 、 ＣａＣｏａ 、５ｒＣｏａ 、 Ｔ
ｉＯ２及びＺｒＯｓ＋を出発原料として、それぞれ１２
００℃、１２２０℃及び１２２０℃にて同相反応により
合成して得られたＢａＴｉ。
ｉＯ２及びＺｒＯｓ＋を出発原料として、それぞれ１２
００℃、１２２０℃及び１２２０℃にて同相反応により
合成して得られたＢａＴｉ。
Ｑａ 、 ＢａＺｒＯ８及び（Ｃａｔ −ａ ５ｒｃｙ
） Ｚｒ０ａ ノ粉末をボールミルに依って湿式粉砕
する。
） Ｚｒ０ａ ノ粉末をボールミルに依って湿式粉砕
する。
ＩＫｇでかつ第１表の割合になるようｆこし、内容積１
．６１の磁製ポットの中に入れる。この主原料に加えて
、粒成長抑制のためＹ２０ｇを第１表の割合に添加し、
さらに焼結促進剤等を加えて上記ポットを回転させ、原
料スラリーを調整する。こうして得られたスラリーに有
機結合剤を加えて充分攪拌する。つぎに、ドクターブレ
ード法に依って肉厚３３μｍのフィルム状に成型し、縦
−１３０ＷＩＩ、横−１００ｆｆ ｌこ切断して、１０
枚を積重ね低温でホットプレスする。得られた肉厚約０
．２４ｆｆの板状試料を約１０５１１平方の角板試料８
こ切断する。 さらにこれを１３２０℃〜１３６０℃で
２時間焼成し、得られた約８Ｈ平方、厚さ０．２ ｔｙ
ｘの角板状磁器の上下面全面に銀ペーストを塗付し、８
００’Ｃにて１０分間焼きつけてコンデンサ素子とする
。
．６１の磁製ポットの中に入れる。この主原料に加えて
、粒成長抑制のためＹ２０ｇを第１表の割合に添加し、
さらに焼結促進剤等を加えて上記ポットを回転させ、原
料スラリーを調整する。こうして得られたスラリーに有
機結合剤を加えて充分攪拌する。つぎに、ドクターブレ
ード法に依って肉厚３３μｍのフィルム状に成型し、縦
−１３０ＷＩＩ、横−１００ｆｆ ｌこ切断して、１０
枚を積重ね低温でホットプレスする。得られた肉厚約０
．２４ｆｆの板状試料を約１０５１１平方の角板試料８
こ切断する。 さらにこれを１３２０℃〜１３６０℃で
２時間焼成し、得られた約８Ｈ平方、厚さ０．２ ｔｙ
ｘの角板状磁器の上下面全面に銀ペーストを塗付し、８
００’Ｃにて１０分間焼きつけてコンデンサ素子とする
。
こうして得たコンデンサ素子を銀の焼付は後４８時間経
過したものを評価試料として電気的特性を測定した。図
は測定温度が２５±１℃で、静電容また、周囲温度を低
温側から高温側へ変化させたとき静電容量が最大になる
温度をキューリ温度とした。
過したものを評価試料として電気的特性を測定した。図
は測定温度が２５±１℃で、静電容また、周囲温度を低
温側から高温側へ変化させたとき静電容量が最大になる
温度をキューリ温度とした。
尚、静電容量値と試料のたて、よこ、厚さの寸法から比
誘電率を計算した。
誘電率を計算した。
計測器はＬＣＲメータと絶縁計を用いた。つぎに静電容
量のＤＣ電圧依存性を知るため１こ、ＬＣＲメータの外
部端子に直流電圧０〜２００ Ｖを印加し、印加ＤＣ電
圧と静電容量との関係を各試料につぃてめた。
量のＤＣ電圧依存性を知るため１こ、ＬＣＲメータの外
部端子に直流電圧０〜２００ Ｖを印加し、印加ＤＣ電
圧と静電容量との関係を各試料につぃてめた。
これらの測定結果を試料の組成とともに第１表に、また
電界による静電容量の低下率の測定結果を図に示した。
電界による静電容量の低下率の測定結果を図に示した。
第１表に示す如く、試料應２及び３のものはＹを添加し
ない場合で、電界に依る容量低下率（−５０％）が大き
すぎる。試料＆９のものはＹを添加し過ぎた場合（５，
Ｏａｔｍ％）で比誘電率（Ｔｃｐ ）が５９００と非常
に低く実用に供することができない。試料ＡＩと１０と
は特に望ましい状態のものを示している。
ない場合で、電界に依る容量低下率（−５０％）が大き
すぎる。試料＆９のものはＹを添加し過ぎた場合（５，
Ｏａｔｍ％）で比誘電率（Ｔｃｐ ）が５９００と非常
に低く実用に供することができない。試料ＡＩと１０と
は特に望ましい状態のものを示している。
尚、（Ｃａ＋ −ａ Ｓｒａ ） Ｚｒ０ａ ニおいて
αが０．５を越えると温度特性が高くなり過ぎ、規格１
こ適合せ（Ｃａ＋−αＳｒα） Ｚｒ０ａの特定の組成
範囲から成る主成分に対して、Ｙ２Ｏ３をＹに換算して
０．３〜２．０原子％添加することにより、比誘電率及
び誘電正接等の所望の電気的特性が得られると共に、Ｃ
−■特性が顕著に向上されるため、高誘電率系磁器コン
デンサに有効に適用される誘電体楯器組成物が得られる
。
αが０．５を越えると温度特性が高くなり過ぎ、規格１
こ適合せ（Ｃａ＋−αＳｒα） Ｚｒ０ａの特定の組成
範囲から成る主成分に対して、Ｙ２Ｏ３をＹに換算して
０．３〜２．０原子％添加することにより、比誘電率及
び誘電正接等の所望の電気的特性が得られると共に、Ｃ
−■特性が顕著に向上されるため、高誘電率系磁器コン
デンサに有効に適用される誘電体楯器組成物が得られる
。
図面は板状コンデンサ薔こ於ける静電容量と極板間に印
加する単位厚さ当り（ｌミｉＬ／）の直流電圧の関係を
示す特性図である。 出願人 京セラ株式会社
加する単位厚さ当り（ｌミｉＬ／）の直流電圧の関係を
示す特性図である。 出願人 京セラ株式会社
Claims (1)
- 【特許請求の範囲】 ＢａＴｉ−０８７４〜９６ モル％ ＢａＺｒ０ａ ２ｊ）〜１６ モル％ （Ｃａ１〜ａ Ｓｒａ ）ＺｒＯｓ ２．０〜１６−Ｅ
：Ａ／％（ただしＯ〈α≦０．５） 体磁器組成物。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP58159472A JPS6050810A (ja) | 1983-08-30 | 1983-08-30 | 積層コンデンサ用誘電体磁器組成物 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP58159472A JPS6050810A (ja) | 1983-08-30 | 1983-08-30 | 積層コンデンサ用誘電体磁器組成物 |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPS6050810A true JPS6050810A (ja) | 1985-03-20 |
| JPH0434244B2 JPH0434244B2 (ja) | 1992-06-05 |
Family
ID=15694514
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP58159472A Granted JPS6050810A (ja) | 1983-08-30 | 1983-08-30 | 積層コンデンサ用誘電体磁器組成物 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPS6050810A (ja) |
Cited By (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP2012140258A (ja) * | 2010-12-28 | 2012-07-26 | Tdk Corp | 誘電体磁器組成物および電子部品 |
Citations (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS5553007A (en) * | 1978-10-13 | 1980-04-18 | Suwa Seikosha Kk | Dielectric material and method of manufacturing same |
-
1983
- 1983-08-30 JP JP58159472A patent/JPS6050810A/ja active Granted
Patent Citations (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS5553007A (en) * | 1978-10-13 | 1980-04-18 | Suwa Seikosha Kk | Dielectric material and method of manufacturing same |
Cited By (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP2012140258A (ja) * | 2010-12-28 | 2012-07-26 | Tdk Corp | 誘電体磁器組成物および電子部品 |
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| JPH0434244B2 (ja) | 1992-06-05 |
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