JPS60500932A - 高真空処理のためのモジュ−ル - Google Patents

Abstract

(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるため要約のデータは記録されません。

Description

【発明の詳細な説明】 六処理のだめのモジュール 出願人のＡランダ特許出願第８２０３３１８号においては、高真空下において処 理が行なわれるモジコール内記載されている。

これらのモジュールにおいては、多数の搬送装置が位置し、該装置においては、 ガス状媒体により、基体の゛浮遊パ搬送が構成され、維持されている。

そこに示されたものは、処理側において、ガス状媒体の大部分が真空ポンプによ り吸引される。

この発明によるモジコールは、補助構造を提供するものである。

１０−８バールのような非常に高い真空度においての処理には、ガス状クッショ ンの手段により基体の搬送を行なう搬送装置に用いられる搬送媒体は、前記モジ コール内において行なわれるきわめてクリゲイ力ルな処理を妨害してはならない ものであることが要求される。

この発明ににる［ジコールは、少なくとも搬送ゼクシ」ンが搬送媒体を基体に対 重る中央通路に供給づる供給部の両側にお番）る処理側に位置し、入口が前記通 路と連通し、かつ、他端が処理チャンバの桟のしジコールコンパー１〜メントに 接続するＪ：うに放出チャンネルが位置することを特徴とするものである。

そして、前記搬送セクションの横に位置する壁により、前記放出チャンネルは、 処理の間、基体が搬送通路を通過してもほとんどリークすることなく前記処理領 域から分離されている。

処理チャンバとしての領域は、モジコール内タおける開口と幅の大きい放出チャ ンネルとを介して高真空ポンプに接続している。

このような構成において、該処理側においては、最小量のガス状媒体が直ちに排 出される。

放出チャンネルの側壁は、ともに同省され、基体表面から分離された金属粒子、 金属細片などの細片および処理材料が供給部に堆積するのをを防ぐカバーどして 機能する。

これらの壁の他の特徴は、これら壁を少なくとも供給部の通路壁の仮想延長部近 くに向は延長させ、通路壁部分となる、その部分を、これらの壁の隣接部分より も拡大させたことである。

この構成において、処理の間、基体に伝導されｌこ熱の相当の量をこの壁を介し て放散でさる。

さらに、放出チャンネルから媒体がリークする量を抑止することができ、これに よって、搬送装置の通路壁と基体の側壁との間の間隙を広くすることができる。

前記の放出チャンネルの通路幅が３ｍｍであり、前記壁と基体の間の間隙が僅か ４０ミクロンメータの幅司法の場合、この間隙におけるガス状搬送媒体の流れに 対づる制限は、約１ｏｏｏｏ倍のものが得られる。

この結果、処理チャンバへの前記媒体のリークは、はぼ完全に防止でき、ごく少 量の媒体が処理領域の横にある共通の放出路を介して簡単に放出でき、処理の妨 げにならない。

前記したチャンネルを処理真空麿に比較し、かなりの高圧に維持することによっ て、搬送媒体がリークしながら前記搬送セクションに細片や処理粒子が入るのを 防ぎ、これらは、前記カバーの通路壁に付着する。

さらに、前記構成により、供給部の通路壁部分には、粒子や金属がイ」着しない 。

チャンネル壁の好ましい形状としては、幅のある通路壁セクションが隣接するよ り小さい側壁部分の方向にある程度傾斜していることである。

その結果、通路壁セクションと供給部との間の距離は、例えば１ｍｍ以下のよう に知くすることができる。

また、基体の移動方向における供給部とカバーとの寸法を制限することもきわめ て重要なことである。

処理操作の間、加熱または冷却の結果による搬送装置の変形を最小に止めること も重要である。

さらに、この発明の特徴は、搬送装置に付設されている端壁が冷却体として作用 し、搬送装置を冷却することにある。　さらに、この発明の特徴は、処理側にお ける搬送セクションとともに、基体の通路側に対する熱の供給は、これら搬送セ クシ」ンの反対側に位置する非通路側に対する熱の供給どほぼ同じである点であ る。

さらに、基体の移動方向において、搬送装置の支承体に接続する部分が拡開し、 これによって、熱伝導効果が向上し、装着も容易どなる。　例えば、３５０ヘ− ５００℃のような高温度の処理で、異方性玉ツヂングおよびマグネトロンスパッ タリングを行なうとき、処理の間にお【プる基体の温度は、処理側と非処理側と でほぼ同じ温度になる。　この結果、温度の差に起因Ｊる熱膨張による基体の著 しい変形を防止することができる。

モジュールの特徴は、処理の間、処理媒体により基体の処理側と非処理側とが加 熱される点にあり、この目的のため、例えば、マイクロウェーブまたは赤外線加 熱手段を用いることができる。

搬送装置の上部と下部においては、短い処理の後に冷却が行なわれる。

これは、処理チャンバの間に３０〜１００の搬送装置を配置し、基体における温 度の変化を制限することにより行なわれる。

さらに、搬送セクションの温度は、処理側と非処理側とにおいて、略同じに保た れる。

その結果、粒子や金属粒子が付着する冷却エレメントに対し、処理領域は、無縁 となる。

搬送装置をより強く冷却する必要があるときには、冷却Ｊレメントとしての支承 体が冷却チャンネルを介して互いに連通し、該冷却チャンネルは、搬送セクショ ンに含まれる。

冷媒として圧縮搬送媒体を使用し、前記搬送＠随に位置する媒体供給チャンネル の細い噴出チャンネルを介して前記冷却チャンネルが結合される。

通路の下部に供給された搬送媒体は、主として、相当量消費されながら基体を支 承するガス状クッションを形成する。

搬送放出チャンネルから処理チャンバへの媒体のリークを著しく減少させ、この 媒体の直接放出を著しく増大させることにより、通路下面において処理が行なわ れる。

この結果、処理から基体に対する粒子の付着は、大幅に減少させることができる 。

さらに、前記の搬送装置において、ガス状媒体の供給のために、出願人のオラン ダ特許出願第８３００４４２号に記載された多孔性素材からなるセグメントが使 用される。

前記搬送装置においては、ガス状媒体により基体表面が再三にわたりクリーニン グされる。　さらに、基体通路の下面にお（プる処理により、基体から遊離の粒 子は、重力の作用で除去される。

基体の移動方向にそって、複数個の基体を一連に整列させて処理のためモジコ、 −ルを通過させる場合、これら基体の接触表面から遊離した粒子は、効果的に除 去され、処理に影響しない。

きわめてクリティカルな処理の場合、基体は、別々にモジュールの処理領域に供 給する。

さらに、ストップ装置を前記通路に設け、これに後続の基体を当接させ、先行づ る基体が該ストップ装置を通過させるようにすることらでき、先行づる基体の速 度が早いときは、この装置を移動し、後続でる基体の一時停止位置を変更するこ とができる。

ストップ装置に多孔性素材を用い、ガス状媒体をこの装置から放出して、基体が ストップ装置に直接、当らないようにすることもできる。

その他の特徴は、下記の図面から明らかとなる。

第１図は、断面形状における、この発明にＪ、るモジコールを示す。

第２図は、モジュールの処理領域の土の第１図によるモジュールの部分断面であ る。

第３図は、モジュールの搬送領域の１の第１図によるモジュールの部分断面であ る。

第４図は、モジコールの一連の搬送セクシ：１ンの上の第１図によるモジュール の長さ方向部分断面である。

第５図は、搬送装置に補助カバーが付設された第１図によるモジコールの長さ方 向部分断面である。

第６図は、第１図のモジュールに含まゼることができる二つの連接した搬送装置 の拡大断面である。

第７図は、第６図による搬送装置の通路の位置における拡大詳細である。

第８図は、第１図によるモジュールの支承体における搬送装置の装着の拡大詳細 である。

第９図は、多孔性セグメン１〜をもつ搬送セクションの詳細を示す。

第１０図は、他の構造の多孔性セグメントをもつ搬送セクションの詳細を示す。

第１１図は、側面において、搬送媒体のみようきゅうチャンネルがエツチングさ れているセグメント付き搬送セクションの詳細を示す。

第１２図は、第９図による搬送セクションの長さ方向断面である。

第１３図は、支承体に搬送装置を装着した詳細を示す。

第１４図は、供給チャンネルが多孔性セグメントの側壁に位置している搬送セク ションの詳細を示す。

第１５図は、平面図における、二つの連続した基体の間にストップ装置が位置し 、一方の基体が該装置に当接している搬送装置を示す。

第１６図は、ストップ装置が通路から外れた位置にある第１５図による装置であ る。

第１１図は、連設された搬送装置の長さ方向断面における第１５図による装置で ある。

第１図にモジュール１０が示されている。　、このモジュール内、に、は、下部 １４、上部１６および゛基ｊ体（搬送用の通路１８を備えた搬送装置が位置して いる。

該モジュールの下部２２には、プラズマ、イオン、エレクトロンなどの高真空度 におけるイオンインブラント、イオン研削、プラズマエツチング、電子ビーム金 属デポジション処理等の処理媒体源２４の少なくとも一つと、ターゲットならび に電極２８（通路１８の底部側の処理コンパートメントに位置するか否かは別と して）等の処理機構、各部が配設されている。

かくして、この発明の範囲においては、このような搬送装置を使用して、高真空 その他の処理が可能となる。

モジュールの側壁３０．３２には、開口３４．３６が朦けてあり、これらに高真 空ポンプ４２．４４のダクｔ　ｐ３．８．４０が接続する（第５図）。　主にこ れらのポンプにより、搬送媒体がモジュールの処理側から吸引される。

モジュールの非処理側４６は、ダク、ト４８、通路５０およびダクト５２を介し て高真空ポンプ５４に連通し、主媒体としての搬送媒体が放出されろ。

第２．３．４図には、搬送部分１４（の詳細が示されている。

搬送ハウス５６では、多孔性の素材からなるセグメント１５．６が噴出チャンネ ル６０ｖ、供給チャンネル６２１、共通チャンネル６４を介して！５８からガス 媒体′９・８を通１路１８へ供給する。

□搬送ハウスー５・６、は、４側゛壁６８．７ｏをもつカバー６６により囲まれ 、放出チャンネル７２．７４を構成する。

高真空ポンプ４２．４４により、通路１８へ送られる媒体は、基体２０にそった 、これら放出チャンネルと処理コンパートメント２０横のモジュールコンパート メント７６．７８を介して放出される。

搬送ハウス５６の拡大端部８０，８２により、このハウスの完全な装着を可能と し、該ハウスがら支承体５８．８４の最良の熱伝達が行なえるようになっている 。冷媒としての圧縮搬送媒体は、冷却エレメントとしての前記支承体を介して送 られる。

第６図には、搬送ハウス５６−内に冷却チャンネル８６が位置する搬送装置１２ −が示されており、該チャンネルに高圧で冷却搬送媒体が通るようになっている 。これによって、きわめて細い通路９ｏをもつ噴出管８８を介して共通チャンネ ル６４と前記チャンネルとが連通している。

ハウス５６にカバ−６６万固着され（いる。　これによって、通路壁部分９２． ９４は、側壁６８．７０により前記カバーの取付部９６と連設している。　この 壁部分は、媒体を通路１８からチャンネル内４へ放出しゃずくするように傾斜し ている。　これによって、チャンネル７２は、通路幅が例えば３ｍｍの広い幅と なるようにされている。　したがって、チャンネル７２は、きわめて低い流れ抵 抗を有し、さらにまた、例えば、全長が５０ｍｍだけという長さの制限により、 そのようになっている。

通路壁部分９２と基体２０との間には、例えば、高さが４０マイクロメータのせ まい間隙１００が設（］られており、これは、ガス媒体に対する比較的長い通路 で、搬送媒体９８に対しかなりの抵抗を足型通路となる。

これにより、この流体に対する抵抗は、チトンネル７２におけるよりも１ｏｏｏ ｏ倍も大ぎい。したがって、この間隙１００からの搬送媒体のリークは、はとん ど防止できる。

この場合、前記チャンネル内の真空度は、１０−４バールに保つことができ、真 空度が１０−８バール、特別の処理では、１ｏ−１０バールとなる処理チャンバ １０２内の処理に影響を与えない。

多孔性のセグメン１−１５６に位置するチャンネルと、チャンネル１０４とを介 して、この媒体の供給が、主として、共通チャンネル６４から狭い間隙１０６へ 、そして、そこから放出チャンネル７２へと行なわれる。

また、間隙１０８は、間隙１０６よりも狭いため、媒体９８のより制限された放 出がチトンネル７４を介して行なわれる。

その結果として、媒体放出の相違のため、基体２０に対し、基体の移動方向にそ い、前記媒体により推力が作用する。

カバー６６と搬送セクション１４との通路壁部分の広い表面を介して、効果的な 熱伝導が、前記処理チャンバ１０２内の基体処理表面１１０の処理による加熱に よって、前記表面から行なわれる。

搬送セクション１４の下部１１２もまた、冷却媒体９８に対する二つの側面から の熱伝導の結果、処理媒体により加熱される。

熱伝導に対するごく僅かな距離、例えば、約５ｍｍの距離ど、下部の横方向にお ける処理幅全体に対する熱伝導により、熱伝導は、前記下部１２と通路壁９２． ９４との間の温度差がぎわめで少ないことが加わって最高である。

その結果、搬送セクション１４とカバー６６内においては、温度変化による変形 がほとんど全く生ぜず、これは、これ等の基体と搬送セクションとの横の微小間 隙をもつ基体のための極く狭い通路にとり最も重要なことである。

カバー６６の下面には、−または複数のシールド１１４が着脱自由に装着され、 金属粒？−などの処理媒体を収集する。　このシールドの形状は、どのようなも のでもよく、必要に応じて、通路１８に近接させてカバ−６６全体を囲むように もできる。

さらに、処理チャンバの横に位置するシールド１１４は、千ジュールコンパート メント７６．７８を全体的または部分的に前記チャンバから隔離でき、これらの コンパートメントを第５図に示づ−ように、モジュールコンパートメント２２か ら部分的または完全に隔離する。

通路上の搬送セクション１６は、はぼ同様なｆｉ造であるが、セグメント１５６ に対し、供給チャンネル６０１６２．６４を備えている。

搬送セクション１６の上方には、電極板１１６が設置され、第１図に示すように 、処理チャンバ１０２を基体に当たらずに通過する処理媒体の一部が、これに吸 引される。

処理の間、高温処理のため、搬送セクシヨン１４．１６は、はぼ同じ温度をもつ ことが要求される。　これは、これらのセクションにおける変形を防止づるため である。

この目的のため、このモジコール内には、−または複数のオーブン１７０が非処 理側４６に設置してあり、搬送セクション１６を加熱して、その温度を下部の搬 送セクション１４の温度とほぼ同じにする。　ざらに、基体の上面も加熱される 。

また、搬送セクション１４．１６の両者には、冷却チャンネル８６が設置されて いると否とに関係なく、はぼ同じ冷却方法が行なわれる。

第７図には、搬送装置の通路部分が拡大されて示されている。　これにより、通 路間隙と放出チャンネルの寸法相違が明らかである。

基体２０は、比較的遅い速度、例えば、１０ｍｍ／　ｓｅｃの速度で動く。　さ らに、基体の側面は、他の処理装置における先行処理により段付き面になってい る。

したがって、この側面は、通路セクション１０６を介して逃げる媒体に対するか なりの妨害物として作用する。

真空度１０−５バールにおける逃散速度５０ｍｍ／　ＳｅＣ，において、逃散媒 体量が例えば、搬送セクション当り２００ｍｍ　”／ｓｅｃ、のように、きわめ て小さいものであっても、真空度１０−８バールにおける無視できる量は、０． ２リツトル／ｓｅｃ　である。　これは、５０００リットル／ｓｅｃ、または以 上の能力の真空ポンプの放出キャパシティに匹敵する。

第８図には、支承体５８に搬送装置１２−が装着されている状態が示されている 。

第１４図に示す傾斜したチャンネル１１８からの媒体の流れにより、基体２０は 、通路１８の中間位置に保たれる。　このような基体を中央から除くと、基体に 対づる媒体の流れの摩擦は、ただちに平衡化される。

モジコールの側壁３０−には、通路１８’Ｏが位置し、非処理側の搬送媒体は、 該通路を介して高真空ポンプにより吸引される。

第９図は、多孔性セグメントの他の例としての多孔性セグメン１〜１５６′を示 ず。　このセグメントの部分１２０により通路壁が形成される。　移動する基体 は、直ちにガス状クッションに保たれ、このガス状クッションは、多孔性材料を 通る媒体の流れにより連続状に維持される。

多孔性セグメントの上部は、第１２図に示すように、層１２２により部分的にカ バーされる。　その結果、中央部１２４における媒体の放出量が最大となり、側 部１２６．１２８にかけて媒体の放出量は、徐々に減少する。

このような放出の制限により、媒体の消費部が節減できる。

ハウス５６の突出部１３０は、満１３２とともに、セグメン１への側壁に位置し 、前記セグメントを通路方向において包む。

第１０図には、他の例としての多孔性セグメント１５６″が示されており、セク ション１３４をもつチャンネル６４″が該セグメントの下面１２０”近くに達し ている。

その結果、多孔性セグメン１への短い部分１３６を介して、搬送媒体がセクショ ン１３６の横に位Ｈ”４る通路１３８を通って、より容易に、かつ、平均に流れ る。

これらのチャンネルは、第１４図に示でように、チャンネル１１８と同じく傾斜 部分を有する。

多孔性セグメントの素材としては、低い処理温度の場合には、テフロンが、５０ ０℃のような高温の処理においては、ステンレススチールなどの素材が適してい る。

第１１図において、セグメント１５６°゛は、硬質金属からなるもので、供給チ ャンネル６４°°°における出口とともにチャンネル１１８°パが、その側壁に エツチングされる。

第１３図において、多孔性セグメント１４０，１４２は、支承体近くに伸びてい る。　これによって、側壁部分１４４は、中央に位置した通路部分１８の両側に おける通路領域１４６を満たす。

これらのセグメント１４０．１４２を介して供給される媒体９８は、鼠が増加し て壁部分１４８から通路部分１８へ流入し、基体に対するガス状クッションを形 成し、基体が壁部分１４８と機械的に接触するのを防ぐ。

第１５図においては、連続した搬送装置＆１２の間にバッファーストップ１５０ が、第１７図にも見られるように、位置している。

図示したレスト位置において、基体１５２は、バッファー壁１５４．１５６のガ ス状クッションに当接している。　指令により、該クッションは、前記バッファ ーの多孔性素材を通る媒体の供給により形成され、維持される。

このバッファーを通るガスの流れは、前記バッファーに基体が機械的に接触しな いことを可能とする程度に大きく、集中している。

ストップは、また多孔性素材でなくともよく、この場合、セグメントは、その側 壁にチャンネルが設けられる。

これによって、前方に位置する基体１５８は、基体１５２から移動する機会を得 る。　両基体の間にある距離が得られた後、前記ストップ装置は、ある距離分離 間し、この間を通って基体１５２が先行する基体に続くことができる。

他の例においては、このような移動は、横方向に行なわれる。

第１６図においては、このような移動したストップ装置が示され、ある時間を置 いて基体は、ストップ装置から離れ、ついで該ストップ装置は、後続の基体を一 時的に停止すべく閉止状態に戻る。

このように、搬送装置を介して、ある程度より高速で供給される搬送媒体により 、モジュールの処理コンパートメントをそれぞれ独立的に分離されて基体が移動 できる。

該ストップ装置は、処理が行なわれるモジュールセクションの背後に、ある距離 を置いて、基体の移動方向にそって位置する。

非処理−９おけ、搬送セク、３７．搬送媒体、−、Ｃヶ′　用しないことは、重 要なことである。

これは、この第２のセクションのガス状搬送媒体の消費量を、かなり多くするこ とができ、第１のセクションの放出ダクトの放出能力に、高度の真空度が得られ ない状態での危険な処理となる程度に影響することができるからである。

この目的のため、第１図に示すように、壁１６２．１６４により、これらが第１ ３図におけるようにセグメント１４０の側壁セクション１４４と組合わされてい るか、否かに拘らず、処理側と非処理側とが分離される。

第８図に示された通路両側からの放出は、また充分な分離を形成する。

この発明の範囲においては、あらゆる種類の処理が可能であり、また処理媒体お よび搬送媒体の冷却、放出、洗浄も種々の手段が可能である。　さらに、粒子の 除去は、高真空ポンプまたは通常の真空ポンプに対する放出ダクトの内部に設置 されたつＡ−ターバッフルまたは同様な構造により行なうことができる。

さらに、モジュールにおいては、連続した基体としてテープの処理も可能である 。

また、連接したモジュールにおける数種類の処理も可能である。

さらにまた、モジュールにおいて、また供給または放出ルートにおいて、基体を メイン通路から横道にそらせることもでき、この目的のために、ガス状搬送媒体 の流れをガイド壁と組合わせ、または組合わせずに利用することができ、指令に より開放通路の閉止位置から案内位置にすることができる′。

この目的のため、ガイド壁を介して、供給部分から多量のガスが流れて、基体を 少なくとも一時的に押圧することができる。　このような供給部分は、連続する 搬送セクションの間に位置する。

この発明の範囲において、搬送媒体の流れによって、基体は、連続する搬送装置 内を独立的に移動され、供給、放出ルートの両者内において、各搬送装置グルー プごとに基体の速度は、調整される。

この目的のため、少なくともある搬送セクションにおいては、通路方向に流れる 搬送媒体は、基体の移動方向と逆の方向に通路を流れながら、基体に推力作用を 与える。

このような推力は、搬送媒体の供給を調節することにより度合を変えることがで きる。　このような場合、モジュールに基体の速度をコントロールするセンサが 設置されており、搬送媒体の供給ルートに位置するバルブに補正信号を送る。

基体を効果的に後続させるためには、これらの基体に方向きめ手段を設けること ができ、例えば、金属層を基体に部分的に設け、これがセンサと共働して単位時 間当りの基体の連続した状態における位置を正確に決定することができる。　さ らに、必要に応じて、基体の通過速度を調節できる。

前記した基体の方向きめ手段は、基体の非平滑面や薄い側壁に設けることができ 、これによって、処理を妨害しない。

速度調節その他のセンサがモジュールの非処理側および／またはモジュールの供 給または放出ルートに設けることができ、その作用領域は、連接の搬送装置の中 間である。

さらに、前記センサの汚染を防ぐために、処理コンパートメントの横のコンパー トメントに内蔵することもできる。

さらに、このモジュールにおいては、操作の中間段階で、基体の検査および測定 を行なうことができる。

この目的のためには、第１５図に示すようなバッファーストップが適当な態様の ものとして使用される。

このような検査と測定は、連接する基体に接触することなく、例えば、０，３秒 の間になされる。

検査、測定部分を処理コンパートメントの前部または後部に配置する場合には、 少なくとも基体の長さ分だけは、該コンパートメントから離してｇ５１　ＧＪる もので、これにより処理操作に影響を与えない。

この発明の範囲においては、調節、検査、測定、ソーティングなどの付帯設備の 設置が可能である。

さらに、モジュールにおいては、通路の片側のみにおける搬送手段により少なく とも部分的な゛浮遊″搬送が達成できる。

浄書（内容に変更なし） ＦＩＧ、９　ＦＩＧ、１０　ＦＩＧ、１１手続ネ［■１書（方式） ％式％） １、事件の表示 ３、補正をする者 事件との関係　出　願　人 氏名（名称）　ポック、ニドワード ４、代理人 住　所　東京都港区南青山−丁目１番１号５、補正命令の日付（） （発送日）昭和６０年２月５日 ６、補正の対象 図面翻訳文 委任状 国際調査報告 【 Δ゛

Claims (1)

【特許請求の範囲】
1. １．供給された基体およびテープを通路において浮遊搬送する一連の搬送装置を 含み、これら搬送装置は、基体の移動方向にそって、つぎつぎと配置され、これ らの間に処理チャンバが位置するもので、この搬送装置のほかに、前記搬送装置 から前記処理部に向は逃げるガス状媒体の少なくとも一部を横方向に除去する手 段を備えている供給された基体およびテープを処理するためのモジュール。 ２、前記搬送装置において、前記通路の処理側と非処理側に、それぞれ搬送セク ションが位置し、各セクションは、少なくとも前記通路に向はガス状媒体を供給 する供給部を含み、該供給部は、処理の間、前記搬送セクションの間において、 前記ガス状媒体が前記基体の側面に作用し、浮遊ガスクッションの状態で前記基 体を搬送するように構成されている請求の範囲１によるモジュール。 ３、前記ガス状搬送媒体の少なくとも一つの放出ダクトが処理側において前記モ ジュールセクションと接続している請求の範囲２によるモジュール。 ４、前記処理チャンバの両側における横方向の前記通路の前記処理側において、 前記ガス状媒体を放出するための連通チャンバが位置する請求の範囲３によるモ ジュール。 ５、搬送セクションを介して前記処理側において供給される前記ガス状搬送媒体 の大部分が、処理の間に前記処理側の横方向に行なわれる請求の範囲４によるモ ジュール。 ６、前記処理側における前記搬送セクションを介して供給される、前記ガス状搬 送媒体の大部分の放出が少なくとも一つのダクトを介して横方向に行なわれ、該 ダクトは、前記処理側において前記モジコールセクションに接続するようになっ ている請求の範囲５によるモジュールの方法。 ７、前記処理部から逃げる前記ガス状媒体の放出のため、前記搬送セクションか らの放出が前記連通チャンバに接続している請求の範囲６による前記方法と組合 わせたモジュール。 ８、前記連通チャンバは、前記通路の処理の側前記モジュールセクションの側壁 に位置するボートと接続し、該ボートは、ダクトを介して少なくとも一つの高真 空ポンプに接続している請求の範囲７によるモジュール。 ９、前記処理側に連通チャンバとダクｌ〜が位置し、前記非処理側に前記搬送装 置から搬送媒体の放出が連通チャンバとダクトを介して高真空ポンプに向は行な われる前記請求の！！囲の一つによるモジコール。 １０、中央通路セクションの両側において、前記非処理側から前記処理側を適宜 区分するように壁が位置する請求の範囲６によるモジュール。 １１　前記処理側における前記搬送セクションの前記供輪部の両側面に壁が設け てあり、これらの壁は、前記供給部と前記壁の間において、前記通路に向は延長 し、放出チャンネルは、前記ガス状搬送媒体を少なくとも部分的の放出するよう に位置し、前記壁は、前記処理部の横の前記連通チャンバにむけ横方向に伸び、 前記供給部は、前記連通チャンバと連通している前記請求の範囲のいずれか一つ によるモジュール。 １２、前記供給部の横の前記壁は、ハウジングの一部であり、前記供給部と、そ の放出チャンネルは、連続的に設けられている請求の範囲１１によるモジュール 。 １３　前記搬送セクションは、その横の支承体に、横方向に接続し、該支承体に おいては、前記ガス状搬送媒体の供給チャンネルが位置し、ざらに、前記搬送セ クションの供給部の前記供給ヂ１７ンネルが前記チャンネルを接続している請求 の範囲１２によるモジュール。 １４　少なくとも処理の間、前記搬送セクションの前記供給チャンネルを流れる 搬送媒体が前記搬送セクションを冷却する請求の範囲１３による前記モジュール の方法。 １５　前記搬送セクションにおいて、前記通路壁の一部である通路壁セクション をもつセグメントが固着され、このセグメントにおいて、前記通路に流れるチャ ンネルが位置し、このチャンネルの入口が共通チャンネルに接続し、この共通チ ャンネルは、前記搬送セクションに位置する前記供給チャンネルと、狭い連通チ ャンネルを介して連通している請求の範囲１３によるモジコール。 １６、前記セグメントは、少なくとも多孔性月利を含む請求の範囲１５によるモ ジコール。 １７、前記共通チャンネルは、ある距離以上に前記通路壁セクションに向は前記 セグメン１〜へ伸びている請求の範囲１５によるモジュール。 １８、前記基体の移動方向に見られるように、前記セグメントの前における前記 供給部の通路壁セクションが前記セグメントの後方において、前記通路壁セクシ ョンの仮想延長部から除去される前記請求の範囲の一つによるモジュール。 １９　前記搬送装置のｌ１ｌｓ造は、両セクションにおけるガス状搬送媒体の流 れを、前記搬送部の前記通路壁セクションと前記基体との間の間隙における流れ の制限よりも大きくし、最高の高さをもつ前記請求の範囲の一つによるモジュー ル。 ２０、非処理側における前記搬送セクションに位置する前記供給部の前記共通チ トンネルにおける供給圧力は、処理側における前記搬送セクションに位置する前 記供給部の供給圧力よりも大きい請求の範囲１９による前記モジュールの方法。 ２１、前記基体の移動方向に見られるように、前記非処理側における前記搬送セ クションの長さｔよ、前記処理側における前記搬送セクションの長さよりも長い 前記請求の範囲の一つによるモジュール。 ２２、前記モジコールの前記処理側は、前記基体の前記通路の下側に位置する前 記請求の範囲の−っによるモジコール。 ２３、処理の間、処理熱が前記基体に向り加えられ、前記基体の温度が容認され る値に維持されるように後続の搬送体が前記基体を冷却するｌｉ造になっている 前記請求の範囲の一つによるモジュール。 ２４、前記ガス状搬送媒体は、高圧下で前記搬送装置の前記供給チャンネルを流 れて前記搬送装置の冷媒として作用する請求の範囲２３による前記モジュールの 方法。 ２５、処理熱が前記基体に加えられる処理の間、前記非処理側に熱を供給する少 なくとも一つの熱源が位置覆る前記請求の範囲の一つによるモジコール。 ２６、＠記処理側において、前記搬送セクションの近くに着脱自由のシールドが 取付られて、前記処理媒体を前記搬送装置の間の処理部に案内し、前記搬送セク ションに処理媒体の大部分が付着しないように、処理媒体を該シールドに付着さ ゼるように構成した前記希求の範囲の一つによるモジュール。 ２７、Ｎ極のような手段が次の処理の少なくとも一つを正しく機能させるために 位置している前記請求の範囲の一つによるモジュール： イオンビームデポジション、プラズマデポジション、プラズマエツチング、スパ ッタエツチング、スパッタデポジション、イオン研削、ＣｖＤシステム、クロム エツチング、電子ビームアンニーリング、イオンインプランテーション、電子ビ ームデポジション、高真空蒸着、反応イオンエツチングなど。 ２８　少なくとも一つの電極板が連接の搬送体の間の前記処理部を通過する処理 媒体の捕集のために設置されている前記請求の範囲の一つによるモジコール。 ２９　多孔性またｔま非多孔性の、傾斜または傾斜していない前記セグメントの 側壁において、前記搬送媒体のためのチャンネルがエツチングされ、このヂ１７ ンネルは、前記基体に対する前記通路の中心に向は傾斜している位置にある前記 請求の範囲の一つによるモジ」−ル。 ３０、前記モジュール手段の供給またシよ放出における少なくとも一つのセクシ ョンが、前記基体に対する一時的なストップ装置を構成するように位置している 前記請求の範囲の一つによるモジュール。 ３１、連接する搬送体の間の前記セクションにおいて、前記通路の少なくとも一 部分を一時的にブロックするバッファーブロック装置ｈ（位置し、このブロック 装置において、ガス状媒体のチャンネルがクッションストッパを構成するように 位置している請求の範囲３ｏによるモジュール。 ３２　基体通過後、前記バッファーブロックが後続づる基体の通過を阻止し、同 時に前記ブロックを介してガス状媒体を前記後続の基体の方向に流し、この基体 “を停止させ、このブロックと前記基体の間に小さなガスクッションを形成し、 先行する基体と後続の基体との間の距離を充分にとり、前記バッファーブロック の移動後前記後続の基体を独立的に移動させるようにした前記請求の範囲の一つ による前記モジュールの方法。 ３３、指令により、基体を前記通路の横方向に移動させる手段が設けられている 前記請求の範囲の一つによるモジュール。 ３４、少なくとも搬送媒体の一時的流れにより、前記基体を横方向に移動させる 推力を与える請求の範囲３３による前記モジュールの方法。 ３５　少なくとも一つの搬送体は、その一つの面に前記通路と別の開口が設けら れている請求の範囲３３によるモジュール。 ３６、ガス状搬送媒体の流れによる基体に対する推力は、搬送体グループを含め て調節可能である前記請求の範囲の一つによるモジュール。 ３７　処理の間、少なくとも前記基体の速度を感知するセンサにより、コントロ ールインパルスがバルブに与えられ、このバルブは、前記搬送体の少なくとも一 つの供給部に位ｉする請求の範囲３６による前記玉ジュールの方法。 ３８、好ましくは、非処理側にあって前記センサとともに、前記基体の移動をコ ントロールする方向きめ手段を備えている請求の範囲３１による前記方法が組合 わされた前記モジュールにおける処理に適した基体。 ３９、前記センサは、非処理側に位置する請求の範囲３７による前記方法と組合 わされたモジコール。 ４０　前記基体の検査、テスト、測定その他の操作のためにセクションが位置し ている前記請求の範囲の一つによるモジュール。 ４１、処理のための装置が一つ以上配置しである前記請求の範囲の一つによるモ ジュール。