JPS6047236B2 - 帯状シリコン結晶製造装置 - Google Patents
帯状シリコン結晶製造装置Info
- Publication number
- JPS6047236B2 JPS6047236B2 JP23282182A JP23282182A JPS6047236B2 JP S6047236 B2 JPS6047236 B2 JP S6047236B2 JP 23282182 A JP23282182 A JP 23282182A JP 23282182 A JP23282182 A JP 23282182A JP S6047236 B2 JPS6047236 B2 JP S6047236B2
- Authority
- JP
- Japan
- Prior art keywords
- die
- band
- shaped silicon
- crystal
- silicon crystal
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Expired
Links
Classifications
-
- C—CHEMISTRY; METALLURGY
- C30—CRYSTAL GROWTH
- C30B—SINGLE-CRYSTAL GROWTH; UNIDIRECTIONAL SOLIDIFICATION OF EUTECTIC MATERIAL OR UNIDIRECTIONAL DEMIXING OF EUTECTOID MATERIAL; REFINING BY ZONE-MELTING OF MATERIAL; PRODUCTION OF A HOMOGENEOUS POLYCRYSTALLINE MATERIAL WITH DEFINED STRUCTURE; SINGLE CRYSTALS OR HOMOGENEOUS POLYCRYSTALLINE MATERIAL WITH DEFINED STRUCTURE; AFTER-TREATMENT OF SINGLE CRYSTALS OR A HOMOGENEOUS POLYCRYSTALLINE MATERIAL WITH DEFINED STRUCTURE; APPARATUS THEREFOR
- C30B15/00—Single-crystal growth by pulling from a melt, e.g. Czochralski method
- C30B15/34—Edge-defined film-fed crystal-growth using dies or slits
Landscapes
- Chemical & Material Sciences (AREA)
- Engineering & Computer Science (AREA)
- Crystallography & Structural Chemistry (AREA)
- Materials Engineering (AREA)
- Metallurgy (AREA)
- Organic Chemistry (AREA)
- Crystals, And After-Treatments Of Crystals (AREA)
Description
【発明の詳細な説明】
〔発明の技術分野〕
本発明は、帯状シリコン結晶製造装置の改良に関する。
〔発明の技術的背景とその問題点〕近時、結晶成長技術
の１つとして、帯状シリコン結晶の成長方法が注目され
ている。
の１つとして、帯状シリコン結晶の成長方法が注目され
ている。
帯状シリコン結晶は薄板状であるため、チョクラルスキ
ー法で得られたインゴット状のシリコン結晶とは異なり
、その得られた形状のままで半導体太陽電池の基板とし
て用いられる。従つて、例えばチョクラルスキー法で得
られるシリコン結晶を半導体太陽電池の基板として用い
るよりも安価になると云う大きな特長を有する。第１図
ａ、ｂは帯状シリコン結晶を成長形成する従来装置の概
略構成を示すものて第１図ａは断面図、第１図をは同図
ａの矢視Ａ−Ａ断面図である。
ー法で得られたインゴット状のシリコン結晶とは異なり
、その得られた形状のままで半導体太陽電池の基板とし
て用いられる。従つて、例えばチョクラルスキー法で得
られるシリコン結晶を半導体太陽電池の基板として用い
るよりも安価になると云う大きな特長を有する。第１図
ａ、ｂは帯状シリコン結晶を成長形成する従来装置の概
略構成を示すものて第１図ａは断面図、第１図をは同図
ａの矢視Ａ−Ａ断面図である。
石英ルツボ１１の中にシリコン融液１２が収容されてお
り、この融液１２中に該融液１２をリボン形状に規定す
るための細いスリットを有する’キャピラリ・ダイ１３
の一端が浸漬されている。タイ１３は２枚の板体１３ａ
、１３ｂを対向配置してなるもので、毛細管現象により
シリコン融液１２をダイ１３の先端部までーヒ昇させる
。この上昇したシリコン融液１２に上方から種子結晶（
図７示せす）を接触させ、種子結晶を徐々に引き上げる
と、シリコン融液１２はダイ１３の先端より持ち上げら
れて固化した帯状シリコン結晶１４になる。そして、シ
リコン融液１２と帯状シリコン結晶１４との境界である
固液界面１５がダイ１３のｏ上端より上方に形成され、
これにより帯状シリコン結晶１４の連続成長が可能とな
る。しかしながら、この種の装置にあつては次のような
問題があつた。
り、この融液１２中に該融液１２をリボン形状に規定す
るための細いスリットを有する’キャピラリ・ダイ１３
の一端が浸漬されている。タイ１３は２枚の板体１３ａ
、１３ｂを対向配置してなるもので、毛細管現象により
シリコン融液１２をダイ１３の先端部までーヒ昇させる
。この上昇したシリコン融液１２に上方から種子結晶（
図７示せす）を接触させ、種子結晶を徐々に引き上げる
と、シリコン融液１２はダイ１３の先端より持ち上げら
れて固化した帯状シリコン結晶１４になる。そして、シ
リコン融液１２と帯状シリコン結晶１４との境界である
固液界面１５がダイ１３のｏ上端より上方に形成され、
これにより帯状シリコン結晶１４の連続成長が可能とな
る。しかしながら、この種の装置にあつては次のような
問題があつた。
すなわち、前記固液界面１５はダイ１３の上端面に平行
ではなく、通常長手方）５向両端部の固液界面がその中
央部よりも低くなつている。このため、ダイ１３の上端
付近の温度が低い方に変動して固液界面１５が低下した
楊合、帯状シリコン結晶１４がダイ１３の上端の長手方
向両端部に達しダイ１３に固着することになり、それ以
上の成長が不可能となる。したがつて、長時間に亘つて
安定した結晶成長を行うことは困難であつた。〔発明の
目的〕 本発明の目的は、温度低下に起因するキャピラリ・ダイ
への結晶固着を防止することができ、帯状シリコン結晶
が長時間安定に成長し得る帯状シリコン結晶製造装置を
提供することにある。
ではなく、通常長手方）５向両端部の固液界面がその中
央部よりも低くなつている。このため、ダイ１３の上端
付近の温度が低い方に変動して固液界面１５が低下した
楊合、帯状シリコン結晶１４がダイ１３の上端の長手方
向両端部に達しダイ１３に固着することになり、それ以
上の成長が不可能となる。したがつて、長時間に亘つて
安定した結晶成長を行うことは困難であつた。〔発明の
目的〕 本発明の目的は、温度低下に起因するキャピラリ・ダイ
への結晶固着を防止することができ、帯状シリコン結晶
が長時間安定に成長し得る帯状シリコン結晶製造装置を
提供することにある。
〔発明の（既要〕本発明の骨子は、キャピラリ・ダイの
長手方向両端部における固液界面を上昇せしめることに
ある。
長手方向両端部における固液界面を上昇せしめることに
ある。
まず、理論的考察から、固液界面の高さを考えてみる。
前記第１図においてルツボ内のシリコン融液面からダイ
先端まての高さＨＤ（第１図ａ参照）を２５〔噸〕、帯
状シリコン結晶の厚さを０．５〔？〕、成長方向に垂直
な断面の長手方向端部を半径０．２５〔順〕の半円形て
あるとすると、ダイ上端融液面と固液界面との間隔はダ
イ長手方向端部で約０．３〔？〕と計算される。一方、
ダイ上端中央部では、帯状結晶の横幅が無限に広いと仮
定すると、約１．３〔Ｍｇ〕以下の固液界面を取りうる
と計一算される。ここで注目すべきことは、ダイ長手方
向端部のタイ上端融液面と固液界面との間隔か約０．３
〔？〕てあるのに対して、気体一液体界面は長手方向端
部からその倍以上の水平距離をもつてダイ上端融液面上
になだらかな曲線を持つて落ちｊて行くことてある。以
上の計算結果の例を第２図Ａ，ｂ及び第３図Ａ，ｂに示
す。
先端まての高さＨＤ（第１図ａ参照）を２５〔噸〕、帯
状シリコン結晶の厚さを０．５〔？〕、成長方向に垂直
な断面の長手方向端部を半径０．２５〔順〕の半円形て
あるとすると、ダイ上端融液面と固液界面との間隔はダ
イ長手方向端部で約０．３〔？〕と計算される。一方、
ダイ上端中央部では、帯状結晶の横幅が無限に広いと仮
定すると、約１．３〔Ｍｇ〕以下の固液界面を取りうる
と計一算される。ここで注目すべきことは、ダイ長手方
向端部のタイ上端融液面と固液界面との間隔か約０．３
〔？〕てあるのに対して、気体一液体界面は長手方向端
部からその倍以上の水平距離をもつてダイ上端融液面上
になだらかな曲線を持つて落ちｊて行くことてある。以
上の計算結果の例を第２図Ａ，ｂ及び第３図Ａ，ｂに示
す。
ここで、ａはダイ上端部の一部、ｂはタイ中央部付近の
断面図である。固液界面１５のダイ上端融液面からの高
さをＨＭｌダイ長手３方向端部の気体一液体界面の水平
距離をＸ１帯状シリコン結晶１４の厚さをｔとする。第
２図Ａ，ｂは、ＨＭ＝０．３〔朗〕にとつた場合の例て
ある。このとき、距離ｘは０．７〔閘〕以上、厚さｔと
スリット間隔とは、略等しく０．５〔？〕となる。−４
，方、第３図Ａ，ｂはＨＭを０．３〔？〕以上にとつた
例である。帯状シリコン結晶１４の厚さｔはスリット間
隔より明らかに薄くなるが、この厚さｔを維持しながら
の成長は可能である。しかし、ダイ長手方向端部の気体
一液体界面がシリコン結晶１４の長手方向側面より内側
に入り込むため、帯状結晶の幅は次第に小さくなる。し
たがつて、帯状シリコン結晶の連続成長は不可能である
。７ 固液界面の高さが高い程（ＨＭが大きい程）結晶
成長を楽に行うことができるが、上述したようにダイ長
手方向端部の固液界面高さには限度がある。
断面図である。固液界面１５のダイ上端融液面からの高
さをＨＭｌダイ長手３方向端部の気体一液体界面の水平
距離をＸ１帯状シリコン結晶１４の厚さをｔとする。第
２図Ａ，ｂは、ＨＭ＝０．３〔朗〕にとつた場合の例て
ある。このとき、距離ｘは０．７〔閘〕以上、厚さｔと
スリット間隔とは、略等しく０．５〔？〕となる。−４
，方、第３図Ａ，ｂはＨＭを０．３〔？〕以上にとつた
例である。帯状シリコン結晶１４の厚さｔはスリット間
隔より明らかに薄くなるが、この厚さｔを維持しながら
の成長は可能である。しかし、ダイ長手方向端部の気体
一液体界面がシリコン結晶１４の長手方向側面より内側
に入り込むため、帯状結晶の幅は次第に小さくなる。し
たがつて、帯状シリコン結晶の連続成長は不可能である
。７ 固液界面の高さが高い程（ＨＭが大きい程）結晶
成長を楽に行うことができるが、上述したようにダイ長
手方向端部の固液界面高さには限度がある。
そこで、本発明者等は、ダイ長手方向端部の気体一液体
界面を結晶側面より内側（液体側）にク入り込ませるこ
となく固液界面を高くするため、ダイ上端長手方向両端
部に構造物を付設し、この構造物の濡れによる融液の引
き上げを考えた。この考えを模式的に示したものが第４
図である。構造物１６を付設したことにより、この付近
の気体１一液体界面は上昇し、前記第３図ａに示す問題
が解決される。そして、高い固液界面を維持できること
になる。本発明はこのような点に着目し、ルツボ内に収
容されたシリコン融液にスリットを有するキヤピ１ラリ
・ダイの一端を浸漬し、ダイのスリットを介して上昇し
たシリコン融液に種子結晶を接触させ、この種子結晶を
引き上げることにより帯状シリコン結晶を成長せしめる
帯状シリコン結晶製造装置において、前記ダイの上端の
長手方向両端部に凸状の構造物を設け、該長手方向両端
部におけるシリコン融液の液面を上昇せしめるようにし
たものてある。
界面を結晶側面より内側（液体側）にク入り込ませるこ
となく固液界面を高くするため、ダイ上端長手方向両端
部に構造物を付設し、この構造物の濡れによる融液の引
き上げを考えた。この考えを模式的に示したものが第４
図である。構造物１６を付設したことにより、この付近
の気体１一液体界面は上昇し、前記第３図ａに示す問題
が解決される。そして、高い固液界面を維持できること
になる。本発明はこのような点に着目し、ルツボ内に収
容されたシリコン融液にスリットを有するキヤピ１ラリ
・ダイの一端を浸漬し、ダイのスリットを介して上昇し
たシリコン融液に種子結晶を接触させ、この種子結晶を
引き上げることにより帯状シリコン結晶を成長せしめる
帯状シリコン結晶製造装置において、前記ダイの上端の
長手方向両端部に凸状の構造物を設け、該長手方向両端
部におけるシリコン融液の液面を上昇せしめるようにし
たものてある。
本発明によれば、構造物の存在により、キャピラリ・ダ
イの長手方向の液面を成長結晶の側面より内側に入り込
ませることなく、固液界面とキャピラリ・ダイとの距離
を従来のものより大幅に長くすることがきる。
イの長手方向の液面を成長結晶の側面より内側に入り込
ませることなく、固液界面とキャピラリ・ダイとの距離
を従来のものより大幅に長くすることがきる。
したがつて結晶成長を容易に、しかも長時間安定に行う
ことが可能となる。また、構造物の存在により、帯状結
晶の幅を一定に維持することが容易となり、さらに帯状
シリコン結晶表面に付着するＳｊＣ粒子を少なくするこ
とができた。〔発明の実施例〕 第５図ａ−ｃは本発明の一実施例に関わる帯状シリコン
結晶製造装置のキャピラリ・ダイ構成を示すものであり
、第５図Ａ，ｂは２片からなるダイ１３の一片１３ａを
正面及び側面から見た図であり、第５図Ｃはこれら２片
を組み合わせて、使用状態にした斜視図である。
ことが可能となる。また、構造物の存在により、帯状結
晶の幅を一定に維持することが容易となり、さらに帯状
シリコン結晶表面に付着するＳｊＣ粒子を少なくするこ
とができた。〔発明の実施例〕 第５図ａ−ｃは本発明の一実施例に関わる帯状シリコン
結晶製造装置のキャピラリ・ダイ構成を示すものであり
、第５図Ａ，ｂは２片からなるダイ１３の一片１３ａを
正面及び側面から見た図であり、第５図Ｃはこれら２片
を組み合わせて、使用状態にした斜視図である。
これは、厚さ０．５〔？〕、幅１００〔閘〕の帯状シリ
コン結晶を固液界面のダイ上端からの距離が０．７〔瓢
〕になるように設計したダイである。ダイ１３の組み合
わせ時のスリット間隔は０．９〔醜〕とした。ダイ１３
の上端両端部には、タイ１３の上面より０．６〔？〕の
高さとなるように、構造物１６をダイ１３に一体化して
付設した。上記構成のダイ１３を炉体内部に組込んだ帯
状シリコン結晶装置の概略図を第６図に示す。
コン結晶を固液界面のダイ上端からの距離が０．７〔瓢
〕になるように設計したダイである。ダイ１３の組み合
わせ時のスリット間隔は０．９〔醜〕とした。ダイ１３
の上端両端部には、タイ１３の上面より０．６〔？〕の
高さとなるように、構造物１６をダイ１３に一体化して
付設した。上記構成のダイ１３を炉体内部に組込んだ帯
状シリコン結晶装置の概略図を第６図に示す。
石英ルツボ１１の中にシリコン融液１２が収容されてお
り、この融液１２中に浸漬するよう第１５図ａ〜ｃに示
すキャピラリ・ダイ１３が設置されている。このダイ１
３は、保温筒１８上に固定されたアッパーシールド１７
に取着されている。また、保温筒１８の中には図示しな
いカーボンヒータがダイ１３の長手方向と並行するよう
に設置されている。ダイ１３の上部長手方向両端部にあ
る凸状構造物１６ａ，１６ｂは、離間して設置した２つ
の炭酸ガスレーザー１９ａ，１９ｂでそれぞれ加熱され
、構造物１６ａ，１６ｂがシリコンの固化点以下に冷え
ることが抑えられている。第６図に示した装置の石英ル
ツボ１１内に３００〔ｙ〕のシリコン原料を入れて成長
を行つたところ、幅１００±１〔藺〕、厚さ０．５５±
０．０５〔糖〕の帯状シリコン結晶１４をルツボ】１内
のシリコン融液がなくなるまで極めて安定に引き上げる
ことがてきた。
り、この融液１２中に浸漬するよう第１５図ａ〜ｃに示
すキャピラリ・ダイ１３が設置されている。このダイ１
３は、保温筒１８上に固定されたアッパーシールド１７
に取着されている。また、保温筒１８の中には図示しな
いカーボンヒータがダイ１３の長手方向と並行するよう
に設置されている。ダイ１３の上部長手方向両端部にあ
る凸状構造物１６ａ，１６ｂは、離間して設置した２つ
の炭酸ガスレーザー１９ａ，１９ｂでそれぞれ加熱され
、構造物１６ａ，１６ｂがシリコンの固化点以下に冷え
ることが抑えられている。第６図に示した装置の石英ル
ツボ１１内に３００〔ｙ〕のシリコン原料を入れて成長
を行つたところ、幅１００±１〔藺〕、厚さ０．５５±
０．０５〔糖〕の帯状シリコン結晶１４をルツボ】１内
のシリコン融液がなくなるまで極めて安定に引き上げる
ことがてきた。
本発明者等の実験では、固液界面のタイ上面からの高さ
は、結晶の厚み及び固液界面付近の拡大写真等の結果か
ら判断して略０．７〔糖〕てあつた。０．７〔順〕とい
う値は大きな値ではないが、従来装置による値０．２〜
０．３〔順〕に比べると、２倍以上高くなつたことによ
り、成長制御の容易さ及び安定性は数段向上した。
は、結晶の厚み及び固液界面付近の拡大写真等の結果か
ら判断して略０．７〔糖〕てあつた。０．７〔順〕とい
う値は大きな値ではないが、従来装置による値０．２〜
０．３〔順〕に比べると、２倍以上高くなつたことによ
り、成長制御の容易さ及び安定性は数段向上した。
さらに、凸状構造物１６ａ，１６ｂを局部的に加熱する
炭酸ガスレーザー１９ａ，１９ｂのパワーは、極端に小
さくてよいことも判明した。また、従来装置で成長した
結晶を本装置で成長した結晶とは、その結晶面が大きく
異なつていた。つまり、ＳｉＣ粒子の個数が大幅に減少
した。従来、１〔ｄ〕当りの平均で０．２個程度が最少
値であつたが、本装置では平均して１〔ｄ〕当り０．０
４個であつた。以上のように、本実施例装置は良品質の
帯状シリコン結晶を量産するのに適しており、太陽電池
基板の低価格化に寄与するものと期待される。なお、本
発明は上述した実施例に限定されるものではない。
炭酸ガスレーザー１９ａ，１９ｂのパワーは、極端に小
さくてよいことも判明した。また、従来装置で成長した
結晶を本装置で成長した結晶とは、その結晶面が大きく
異なつていた。つまり、ＳｉＣ粒子の個数が大幅に減少
した。従来、１〔ｄ〕当りの平均で０．２個程度が最少
値であつたが、本装置では平均して１〔ｄ〕当り０．０
４個であつた。以上のように、本実施例装置は良品質の
帯状シリコン結晶を量産するのに適しており、太陽電池
基板の低価格化に寄与するものと期待される。なお、本
発明は上述した実施例に限定されるものではない。
例えば、前記キャピラリ・ダイの上部に付設した凸状構
造物は、ダイと一体形成する必要はなく、ダイに固定で
きるものであればよい。構造物の水平方向及び垂直方向
に自由に設置して最適条件を見つけ出そうとするとき等
、タイのスリットに棒状の構造物を挾み込む方法も有効
である。さらに、凸状構造物の形や向きも角柱状で垂直
方向に何ら限定されるものではない。また、凸状構造物
の局部的加熱手段は、炭酸ガスレーザーに限るものでは
なく、その他のレーザー、或いは赤外線や超音波を用い
てもよい。その他、本発明の要旨を逸脱しない範囲て、
種々変形して実施することができる。
造物は、ダイと一体形成する必要はなく、ダイに固定で
きるものであればよい。構造物の水平方向及び垂直方向
に自由に設置して最適条件を見つけ出そうとするとき等
、タイのスリットに棒状の構造物を挾み込む方法も有効
である。さらに、凸状構造物の形や向きも角柱状で垂直
方向に何ら限定されるものではない。また、凸状構造物
の局部的加熱手段は、炭酸ガスレーザーに限るものでは
なく、その他のレーザー、或いは赤外線や超音波を用い
てもよい。その他、本発明の要旨を逸脱しない範囲て、
種々変形して実施することができる。
第１図Ａ，ｂは従来の帯状シリコン結晶製造装置を示す
概略構成図、第２図Ａ，ｂ〜第４図はそれぞれ本発明の
概要を説明するための模式図、第５図ａ−ｃは本発明の
一実施例に係わるキヤピラリ・ダイ構成を示す図、第６
図は上記ダイを炉内に組み込んだ帯状シリコン結晶製造
装置を示す概略構成図てある。 １１・・・・・・石英ルツボ、１２・・・・シリコン融
液、１３・・・・・・キャピラリ・ダイ、１６・・・・
・・凸状構造５物、１９・・・・・・炭酸ガスレーザー
（加熱機構）。
概略構成図、第２図Ａ，ｂ〜第４図はそれぞれ本発明の
概要を説明するための模式図、第５図ａ−ｃは本発明の
一実施例に係わるキヤピラリ・ダイ構成を示す図、第６
図は上記ダイを炉内に組み込んだ帯状シリコン結晶製造
装置を示す概略構成図てある。 １１・・・・・・石英ルツボ、１２・・・・シリコン融
液、１３・・・・・・キャピラリ・ダイ、１６・・・・
・・凸状構造５物、１９・・・・・・炭酸ガスレーザー
（加熱機構）。
Claims (1)
- 【特許請求の範囲】 １ ルツボ内に収容されたシリコン融液にスリットを有
するキャピラリ・ダイの一端を浸漬し、ダイのスリット
を介して上昇したシリコン融液に種子結晶を接触させ、
この種子結晶を引き上げることにより帯状シリコン結晶
を成長せしめる帯状シリコン結晶製造装置において、前
記ダイの上端の長手方向両端部に凸状の構造物を設け、
該長手方向両端部におけるシリコン融液の液面を上昇せ
しめたことを特徴とする帯状シリコン結晶製造装置。 ２ 前記構造物は、前記シリコン融液を加熱する加熱機
構とは別の加熱機構によつて加熱されるものであること
を特徴とする特許請求の範囲第１項記載の帯状シリコン
結晶製造装置。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP23282182A JPS6047236B2 (ja) | 1982-12-25 | 1982-12-25 | 帯状シリコン結晶製造装置 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP23282182A JPS6047236B2 (ja) | 1982-12-25 | 1982-12-25 | 帯状シリコン結晶製造装置 |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPS59121191A JPS59121191A (ja) | 1984-07-13 |
| JPS6047236B2 true JPS6047236B2 (ja) | 1985-10-21 |
Family
ID=16945303
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP23282182A Expired JPS6047236B2 (ja) | 1982-12-25 | 1982-12-25 | 帯状シリコン結晶製造装置 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPS6047236B2 (ja) |
Families Citing this family (5)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US4971650A (en) * | 1989-09-22 | 1990-11-20 | Westinghouse Electric Corp. | Method of inhibiting dislocation generation in silicon dendritic webs |
| CN113957518A (zh) * | 2021-09-08 | 2022-01-21 | 杭州富加镓业科技有限公司 | 一种基于导模法生长装置的氧化镓晶体生长方法 |
| CN113913924A (zh) * | 2021-09-08 | 2022-01-11 | 杭州富加镓业科技有限公司 | 一种氧化镓单晶生长装置 |
| CN113957529A (zh) * | 2021-09-08 | 2022-01-21 | 杭州富加镓业科技有限公司 | 一种基于导模法生长装置的氧化镓晶体生长方法 |
| CN114086244B (zh) * | 2021-10-12 | 2023-01-03 | 杭州富加镓业科技有限公司 | 一种导模法生长氧化镓晶体的方法 |
-
1982
- 1982-12-25 JP JP23282182A patent/JPS6047236B2/ja not_active Expired
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| JPS59121191A (ja) | 1984-07-13 |
Similar Documents
| Publication | Publication Date | Title |
|---|---|---|
| JP5864998B2 (ja) | β−Ｇａ２Ｏ３系単結晶の成長方法 | |
| JP4569957B2 (ja) | 多結晶半導体製造用ルツボ及び多結晶半導体製造方法 | |
| TWI493082B (zh) | 矽晶鑄錠之製造方法 | |
| TWI620838B (zh) | 包含成核促進顆粒之矽晶鑄錠及其製造方法 | |
| JP2008105896A (ja) | ＳｉＣ単結晶の製造方法 | |
| US7314518B2 (en) | Furnace for growing compound semiconductor single crystal and method of growing the same by using the furnace | |
| WO2003091483A1 (fr) | Procede de production de silicium monocristallin, silicium monocristallin et plaquette de silicium | |
| JPS6047236B2 (ja) | 帯状シリコン結晶製造装置 | |
| JPH0139998B2 (ja) | ||
| EP1538242A1 (en) | Heater for crystal formation, apparatus for forming crystal and method for forming crystal | |
| US11761119B2 (en) | System for growing crystal sheets | |
| JPS6111914B2 (ja) | ||
| JP2008536793A (ja) | 薄型半導体リボンの成長方法 | |
| JP2627901B2 (ja) | 結晶材料の融液サセプタの蓋 | |
| JPS59121190A (ja) | 帯状シリコン結晶製造装置 | |
| JPS5973492A (ja) | 帯状シリコン結晶の製造装置 | |
| JP2814796B2 (ja) | 単結晶の製造方法及びその装置 | |
| JPS62270488A (ja) | 帯状シリコン結晶の製造装置 | |
| JPS59182292A (ja) | 帯状シリコン結晶製造装置 | |
| CN208632695U (zh) | 一种多晶硅铸锭炉 | |
| JP2000327490A (ja) | シリコン結晶の製造方法およびその製造装置 | |
| JPS62113792A (ja) | 帯状シリコン結晶製造装置 | |
| JP2773339B2 (ja) | 液相エピタキシャル成長方法 | |
| JPH06305875A (ja) | 化合物半導体単結晶製造装置 | |
| JP2773441B2 (ja) | ＧａＡｓ単結晶の製造方法 |