JPS6045542A - 3−ハロゲノ−4−アルコキシネオフィルハライドの製造方法 - Google Patents

3−ハロゲノ−4−アルコキシネオフィルハライドの製造方法

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JPS6045542A
JPS6045542A JP58151502A JP15150283A JPS6045542A JP S6045542 A JPS6045542 A JP S6045542A JP 58151502 A JP58151502 A JP 58151502A JP 15150283 A JP15150283 A JP 15150283A JP S6045542 A JPS6045542 A JP S6045542A
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JP
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compound
halide
acid
halogeno
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Mitsumasa Umemoto
梅本 光政
Tamotsu Asano
保 浅野
Teruyuki Nagata
永田 輝幸
Satoshi Numata
智 沼田
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Mitsui Toatsu Chemicals Inc
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Mitsui Toatsu Chemicals Inc
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    • Y02TECHNOLOGIES OR APPLICATIONS FOR MITIGATION OR ADAPTATION AGAINST CLIMATE CHANGE
    • Y02PCLIMATE CHANGE MITIGATION TECHNOLOGIES IN THE PRODUCTION OR PROCESSING OF GOODS
    • Y02P20/00Technologies relating to chemical industry
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    • Y02P20/52Improvements relating to the production of bulk chemicals using catalysts, e.g. selective catalysts

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  • Organic Low-Molecular-Weight Compounds And Preparation Thereof (AREA)
  • Low-Molecular Organic Synthesis Reactions Using Catalysts (AREA)

Abstract

(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。

Description

【発明の詳細な説明】
本発明は式(I> Y。 (式(I)中、右、右は水素原子、塩素原子、または臭
素原子であり、Yl、Y、の少くとも一つは塩素原子、
または臭素原子である。Rは低級アルキル基である。ン で示される又−ハロゲン−アルコキシベンゼンに、酸触
媒の存在下メタリルハライドを反応させることにより、
式(6)、 Y。 (式(6)中、Yr 、 Y2、およびRに、式(I)
中のY3、Y2、およびRと同じ。XGXハロゲン原子
〕で示される3−ハロゲ/−ダーアルコキシネオフィル
ハライドの製造方法に関する。 最近、3−フェノキシベンジルエーテル系誘導体の或種
の化合物が極めて高い殺虫、殺ダニ活性を有することが
知られており、その一種として、3−フェノキシベンジ
ルアルコール類と、前記式(均で示される3−ハロゲン
−4−アルコキシネオフィルハライドとの縮合物も開示
されている。 また特開昭58−32840号公報には、下記化前記特
開昭58−32840号公報には、その原料となる4−
エトキシネオフィルタロライドの製造法の記載もあり、
公知方法(CHEM、BER:銑2609(19611
)により、即ち、フエネトールとメタリルクロライドを
濃硫酸の存在下0°C〜10°Cで反応させて、4−エ
トキシネオフィルタロライドが得られている。 は、エトキシ基に対し〇−位が優先的であり、また本発
明の式(6)で示される化合物を得るためには、さらに
少くとも一個のハロゲン原子を〇−位に選択的に導入せ
ねばならず、フエネトールを出発原料とする限り、副生
成物の増加はまぬかれない。 本発明は、3−フェノキシベンジルエーテル系額導体の
中で3−ハロゲノ−午−アルコキシネオフィル基乞有す
る殺虫剤の原料、または種々の中間体原料となる式(田
で示さ第1る化合物の製造方法を提供するものである。 また例えば、上記した特開昭58−32840号公報に
開示されている3−フエ/キシベンジル2−(4−エト
キシフェニル)−2−メチルフロヒルエーテルを製造す
る場合においては、本発明で得られのり臼ルQ工容易に
脱塩素化でき、また、式(6)化合物は4−アルコキシ
ネオフィルクロライドのような不安定な化合物ではない
ので、取扱い精製も容易であるので高収率で目的物を得
ることができる。 本発明方法の特徴は、式(2)化合物を得るために、安
価に入手できる式(I)化合物を出発原料とするもので
あり、式CI)化合物を用いることにより、メタリルハ
ライドとのアルキル化反応を行った場合、アルコキシ基
に対して選択的にP−位にのみに反応させることができ
、工業的製造法において大きな経済性を有するものであ
る。 たとえば、式(I)化合物のYlが塩素でY、が水素で
あるモノクロルアルコキシベンゼンの場合においても、
本発明方法においては、アルコキシ基に対し゛で4−位
にメタリルハライドが優先的に導入されrj P一体が
大部分であり、6−位に導入される〇−異性体は殆んど
生成しない。 また、式(I)化合物は工業的に安価に製造でき、例え
ばO−クロルエトールの場合GX、Q−クロルフェノー
ルのアルキル化剤によるエチル化や、0−ジクロルベン
ゼンのエトキシ化などの常法に従って容易に得ることが
できる。 本発明においては、用いる式(I)で示される化合物は
、2−り咀8トキシベンゼン、2,6−ジクロノメメト
キシベンゼン、2−ブロムメトキシベンゼン、2 9 2.6−ジブロムメトキシベンゼン、2−クロルエト中
 t 2−ブロムエトキシベンゼン、2−クロルプロポキン シベンゼン、2−ブロムプロポキシベンゼンなどが挙げ
られ、これらの化合物とメタリルクロライドまたはメタ
リルブロマイドとの反応は以下のようにして実施する。 式(1)で示されるスーハロゲノー アルコキシベンゼ
ン1モルに対して、メタリルハライドを0.5〜10モ
ル、好ましくは1〜5モル用いる。使用割合がこの範囲
をはずれた場合には、反応が遅くなりまた、副生成物の
生成も多くなり収率が低下する。 本発明方法においては、無溶媒でも実施できるが通常フ
リーデル−クラフッ反応に用いられる二1−口メタン、
アセトニトリル、二硫化炭素等の溶媒を使用してもよい
。 また、本発明方法においては、酸触媒存在下に反応を実
施するが、酸性触媒としては、濃硫酸、メタンスルホン
酸、強酸性イオン交換樹脂(アンバーリスト、ナフィオ
ン)、トリフロロメタンスルホン酸、フッ化水素酸、等
があげられる。これらの中ででも、収率面ではトリフロ
ロメタンスルホン酸がもっとも好ましいが、工業的諸事
情を考慮した場合、濃硫酸の使用も好ましい酸触媒の一
つである。 これらの酸触媒使用割合は、メタリルハライド1モルに
対して、0.1〜2.0モル好ましくは05〜1.2モ
ル用いる。使用割合がこの範囲をはずれた場合には、反
応が遅くなるか、副生成物の生成が多くなり収率が低下
する。 反応温度は、−20〜50℃、好ましくは0〜30゛C
で実施し、好ましくは、式(I)化合物へ1.触媒とメ
タリルハライドをそれぞれ同時に滴下装入して反応を行
うのがよい。メタリルハライドは酸触媒の存在下アGX
長時間滞留t8とボ、入ど、劣イケ。 傾向にあり、反応温度および各原料の装入方式が上記の
条件と異なると反応速度が遅くなったり、副生物が多く
なるので好ましくない。通常は、0.5〜2時間で同時
滴下して、滴下終了後さらに2〜6時間熟成反応を続け
、反応を完結させればよい。 以下実施例および参考例を示す。 (参考例) 特開昭58−32840号公報記載の合成実施例8に準
じて以下の方法で2−メチル−2−
【4−エトキシフェ
ニル】プロピルクロリド(P−エトキシネオフィルクロ
ライド)を合成した。 50QmJ四ツロフラスコに98%−硫酸120Iを加
えた後、 5℃を保ちながらフェネ1−−ル200Iを
滴下した00℃〜10:Cを保ちながら、メタリルクロ
ライド90g/フェネトール165g混合溶液を10時
間で滴下した。次いで25°Cに15時間保った後、氷
水に注ぎ込んだ。有機層を分離後、希水酸化ナトリウム
水溶液、水の順に充分洗浄し、無水硫酸ナトリウムで乾
燥後、粗2−メチル−2−(+−エトキシフェニル)プ
ロピルクロライド501.27を得た。この粗製物を、
ガスクロマトグラフィーで分析したところ、2−メチル
−2−(4−エトキシフェニル)プロビルクロライド(
4−エトキシネオフィルりロライドンを22%− 異性体の2−メチル−2−(2−エトキシフェニル)プ
ロピルクロリドを78%の比率で含んでいたO (実施例−1) 2−メチル−2−(3−クロル−4−エトキシフェニル
)プロピルクロライド(0−クロル−P翫 一エトキシネオフィルクロライドンの合成500ゴ四ツ
ロフラスコに98%−硫酸120Iを加えた後、5°C
を保ちなからO−クロルフエネトール256gを滴下し
た。0℃〜10℃を保ちながらメタリルクロライド9f
110−クロルフエネトール211gの混合溶液を、1
0時間で滴下した。あとは前記参考例と同様に操作し、
粗2−メチル−2−(3−クロル−4−エトキシフェニ
ル)プロピルクロライド560.7gを得た。 この粗製物をガスクロマトグラフィーで分析したところ
、目的の2−メチル−2−(3−クロル−4−エトキシ
フェニル)プロピルクロリド95%、異性体の2−メチ
ル−2−(3−クロル−2−エトキシフェニル)プロピ
ルクロリド5%の比率で含んでいた。 この粗製物を減圧蒸留にて精製し、百的の情2−メチル
−2−(3−クロル−4−エトキシフェニル)プロピル
クロリドを136g得た。 (129〜b 純度〔ガスクロマトグラフィ面積%〕955%収率 5
50%(対メタリルクロライド)元素分析値 (CuH
,、CIl、c))理論値 C:58.311H:6.
53、CA!:28.69、c) : 6.474.0
〜42 (2H,q、−C11,CH,入6.8〜7.
4 (2H,m、 aranaticprotons 
) pP 〔実施例−2〕 500 Ill四ツロフラスコにO−クロルフエネトー
ル208.6 & (1,33モル)を装入し、2本の
滴下ロートを通じ、98%−硫酸39.2FC0,40
モル〕およびメタリルクロライド90.6.9 (1,
00モル)を、10℃にてそれぞれ2時間を要し、同じ
に滴下装入し、引き続き同温で2時間保温カキマゼを行
なった。 反応溶液を約0.51の水に排温し、分液ロート中でよ
く振と5後、下層の油層と水層と分液し、油層を引き続
き、3%−苛性ソーダ水2ooIi。 水2ooy3回の順序で洗浄し、最後に、減圧下に脱水
を行ない、粗製の2−メチル−2−(3−クロル−4−
エトキシフェニル)プロピルクロライド287.8J7
を得た。 この粗製物化ガスクロマトグラフィーで分析したところ
、2−メチル−2−(3−クロル−4−エトキシフェニ
ルンプロビルクロリド96.5%、異性体の2−メチル
−2−(3−クロル−2−エトキシフェニル)プロピル
クロリド3.5%の比率で含んでいた。 粗製物は減圧蒸留にて精製し、目的精製品(127〜b gを得た。 純度(ガスクロマトグラフィー面積%)96.3%収率
 67.7%(対メタリルクロリド〕(実施例−3) 実施例−2で98%−硫酸392gを用いた代りに、ト
リフロロメタンスルポン酸11.6gを使用した外は、
実施例−2と全く同様な方法で反応、後処理を行い、粗
製の2−メチル−2玄3−クロル−4−エトキシフェニ
ル)プロピルクロライド293.8Fを得た。 この粗製物をガスクロマトグラフィーで分析したところ
、目的の2−メチル−2−(3−クロル−4−エトキシ
フエニルンプロビルクロライド96%、異性体の2−メ
チル−2−(3−クロル−2−エトキシフェニル〕プロ
ピルクロライド4%の比率で含んでいた。 粗製品は減圧蒸留を行ない、未反応のO−クロルフエネ
トール67.7 gを回収すると共に、目的精製品17
5.1gを得た。(131〜bHg ) 純度(ガスクロマトグラフイ二面積%) 936%収率
 709%(対メタリルクロライド)特許出願人 三井東圧化学株式会社

Claims (1)

  1. 【特許請求の範囲】 (式(I)中、 YISYlは水素原子、塩素原子、ま
    たは臭素原子であり、Ys、Y寓の少くとも一つは塩素
    原子、または臭素原子である。Rは低級アルキル基であ
    る。) で示されるスーハロゲノー アルコキシベンゼンに、酸
    触媒の存在下、−20〜50℃でメタリルハライドを反
    応させることを特徴とする式(6)(式(6)中、Y8
    、Yll およびRは、式(I)中のYt、Ytおよび
    Rと同じ。Xはハロゲン原子〕 で示される3−ハロゲノ−4−アルコキシネオフィルハ
    ライドの製造方法。 2 酸触媒が、トリフロロメタンスルホン酸である特許
    請求の範囲第1項記載の方法。 3 酸触媒が、濃硫酸である特許請求の範囲第1項記載
    の方法。 4 式(1)で示されるスーハロゲノー アルコキシベ
    ンゼンに、酸触媒とメタリルハライドを同時に添加しな
    がら行う、特許請求の範囲第1項記載の方法。
JP58151502A 1983-08-22 1983-08-22 3−ハロゲノ−4−アルコキシネオフィルハライドの製造方法 Granted JPS6045542A (ja)

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JPS6045542A true JPS6045542A (ja) 1985-03-12
JPH0439449B2 JPH0439449B2 (ja) 1992-06-29

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Cited By (3)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JPH0544723U (ja) * 1991-11-25 1993-06-15 日本電子ロツク株式会社 自動車用盗難防止装置
US5338024A (en) * 1990-05-04 1994-08-16 The Baum Research & Development Co., Inc. Golf club
US5511787A (en) * 1990-05-04 1996-04-30 The Baum Research & Development Co. Golf club

Cited By (3)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US5338024A (en) * 1990-05-04 1994-08-16 The Baum Research & Development Co., Inc. Golf club
US5511787A (en) * 1990-05-04 1996-04-30 The Baum Research & Development Co. Golf club
JPH0544723U (ja) * 1991-11-25 1993-06-15 日本電子ロツク株式会社 自動車用盗難防止装置

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