JPS6045070A - 電界効果トランジスタ - Google Patents
電界効果トランジスタInfo
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- JPS6045070A JPS6045070A JP15353983A JP15353983A JPS6045070A JP S6045070 A JPS6045070 A JP S6045070A JP 15353983 A JP15353983 A JP 15353983A JP 15353983 A JP15353983 A JP 15353983A JP S6045070 A JPS6045070 A JP S6045070A
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- layer
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- effect transistor
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Links
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Classifications
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L29/00—Semiconductor devices specially adapted for rectifying, amplifying, oscillating or switching and having potential barriers; Capacitors or resistors having potential barriers, e.g. a PN-junction depletion layer or carrier concentration layer; Details of semiconductor bodies or of electrodes thereof ; Multistep manufacturing processes therefor
- H01L29/66—Types of semiconductor device ; Multistep manufacturing processes therefor
- H01L29/68—Types of semiconductor device ; Multistep manufacturing processes therefor controllable by only the electric current supplied, or only the electric potential applied, to an electrode which does not carry the current to be rectified, amplified or switched
- H01L29/76—Unipolar devices, e.g. field effect transistors
- H01L29/772—Field effect transistors
- H01L29/80—Field effect transistors with field effect produced by a PN or other rectifying junction gate, i.e. potential-jump barrier
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Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
〔発明の技術分野〕
この発明は、高周波特性がよく、しきい値電圧のばらつ
きの少ない電界効果トランジスタに関するものである。
きの少ない電界効果トランジスタに関するものである。
従来のこの種の電界効果トランジスタを第１図で説明す
る。第１図は従来のセルフ７ラインメン） ＧａＡｓ
電界効果トランジスタの構造を示す断面図である。この
図において、１は半絶縁性基板である。４は一導電性の
動作層で、イオン注入あるいはエピタキシャル成長によ
り形成される。６は高いキャリア濃度を有する高濃度層
、１はゲート電極で、例えばＴ１またはＷなどの高融点
金属からなる。そして、高濃度層６はゲート電極Ｔをマ
スクとしてイオン注入によって形成される。８および９
は、それぞれソースおよびドレイン電極である。
る。第１図は従来のセルフ７ラインメン） ＧａＡｓ
電界効果トランジスタの構造を示す断面図である。この
図において、１は半絶縁性基板である。４は一導電性の
動作層で、イオン注入あるいはエピタキシャル成長によ
り形成される。６は高いキャリア濃度を有する高濃度層
、１はゲート電極で、例えばＴ１またはＷなどの高融点
金属からなる。そして、高濃度層６はゲート電極Ｔをマ
スクとしてイオン注入によって形成される。８および９
は、それぞれソースおよびドレイン電極である。
このようなセルフ７ラインメントＧａ Ａｓ電電界効
果トランジスタ構造では、高濃度ｔｒゲグー電極７との
間隔を精度よく制御する必要がある。高濃度層６がゲー
ト電極７に近すぎると、ドレイン１フ圧が低下し、かつ
、ソース・ゲート間容量が増大する。一方、高濃度層６
がゲート電極１より速すぎると、ソース抵抗が増大する
。
間隔を精度よく制御する必要がある。高濃度層６がゲー
ト電極７に近すぎると、ドレイン１フ圧が低下し、かつ
、ソース・ゲート間容量が増大する。一方、高濃度層６
がゲート電極１より速すぎると、ソース抵抗が増大する
。
したがって、ソース・ゲート間容量とソース抵抗がとも
に小さく、高周波特性が最もよくなるように高濃度層６
とゲート電極１との間隔を精度よく制御する必要があっ
た。また、最適な高濃度層６とゲート電極１との間隔に
おいても、表面空乏層の影響によるソース抵抗分は十分
大きく、高見・相互コンダクタンスは得られなかった。
に小さく、高周波特性が最もよくなるように高濃度層６
とゲート電極１との間隔を精度よく制御する必要があっ
た。また、最適な高濃度層６とゲート電極１との間隔に
おいても、表面空乏層の影響によるソース抵抗分は十分
大きく、高見・相互コンダクタンスは得られなかった。
また、高濃度層６が動作層と精液しているため、高濃度
層６かもの注入イオンの横方向拡散によるしきい値電圧
のばらつきが問題となっていた。
層６かもの注入イオンの横方向拡散によるしきい値電圧
のばらつきが問題となっていた。
この発明は、かかる欠点を解消しようとするもので、高
濃度層と動作層との間に、リセス（溝）を有する中間層
を設けることにより、前記問題点を解消し、高周波特性
がよく、しきい値電圧のばらつきの小さい高速論理集積
回路に適した電界効果トランジスタを提供するものであ
る。
濃度層と動作層との間に、リセス（溝）を有する中間層
を設けることにより、前記問題点を解消し、高周波特性
がよく、しきい値電圧のばらつきの小さい高速論理集積
回路に適した電界効果トランジスタを提供するものであ
る。
第２図はこの発明の一実施例であるＧａＡｓ電界効果ト
ランジスタの断面図である。この図において、１は半絶
縁性基板である。２は絶縁膜で、Ｓｉ３Ｎ４あるいは５
ｉＯ１などからなる。３はリセスで、空気あるいは絶縁
体で満たされている。４はｎ型の動作層で、イオン注入
により形成される。
ランジスタの断面図である。この図において、１は半絶
縁性基板である。２は絶縁膜で、Ｓｉ３Ｎ４あるいは５
ｉＯ１などからなる。３はリセスで、空気あるいは絶縁
体で満たされている。４はｎ型の動作層で、イオン注入
により形成される。
５はｎ型の中間層で、動作層４と同程度あるいはやや扁
いキャリア濃度を有し、動作層４の厚さよりも十分厚く
、イオン注入あるいは熱拡散により形成される。６は高
いキャリア濃度を有するｎ＋層からなる高濃度層で、イ
オン注入あるいは熱拡散により形成される。１はゲート
＊＝で、例えはＡｌなとの金属からなる。特に、高融点
金属である必要はない。８および９はそれぞれソースお
よびドレイン電極である。
いキャリア濃度を有し、動作層４の厚さよりも十分厚く
、イオン注入あるいは熱拡散により形成される。６は高
いキャリア濃度を有するｎ＋層からなる高濃度層で、イ
オン注入あるいは熱拡散により形成される。１はゲート
＊＝で、例えはＡｌなとの金属からなる。特に、高融点
金属である必要はない。８および９はそれぞれソースお
よびドレイン電極である。
上記実施例においては、高濃度層６がゲート電極１から
十分離れているのでドレイン耐圧は十分高く、ソース・
ゲート間容量も小さい。また、リセス構造により表面空
乏層の影響はなく、ソース抵抗は十分小さい。したがっ
て、相互コンダクタンスが大きく、高速スイッチング動
作に適している。また、高濃度層６からの不純物原子の
横方向拡散については、不純物原子濃度が高濃度層６に
比べ１けた以上小さいので素子特性への影響はほとんど
ない。
十分離れているのでドレイン耐圧は十分高く、ソース・
ゲート間容量も小さい。また、リセス構造により表面空
乏層の影響はなく、ソース抵抗は十分小さい。したがっ
て、相互コンダクタンスが大きく、高速スイッチング動
作に適している。また、高濃度層６からの不純物原子の
横方向拡散については、不純物原子濃度が高濃度層６に
比べ１けた以上小さいので素子特性への影響はほとんど
ない。
なお、上記実施例では、Ｑａ Ａｓ電界効果トランジス
タを例にして説明したが、この他、ＩｎＰ等の他の半導
体材料を用いた電界効果トランジスタにも適用できるこ
とはいうまでもない。
タを例にして説明したが、この他、ＩｎＰ等の他の半導
体材料を用いた電界効果トランジスタにも適用できるこ
とはいうまでもない。
以上説明したように、この発明は、高濃度層と動作層と
の間に、リセスを有する中間層を設けているので、高濃
度層が動作層に隣接することによるドレイン耐圧の低下
および高濃度層の高濃度不純物原子の横方向拡散による
しきい値電圧のばらつきなどの欠点が解消され、かつ、
表面空乏層の影響を抑え、電界効果トランジスタの高周
波特性を著しく向上する上で極めて有効である。
の間に、リセスを有する中間層を設けているので、高濃
度層が動作層に隣接することによるドレイン耐圧の低下
および高濃度層の高濃度不純物原子の横方向拡散による
しきい値電圧のばらつきなどの欠点が解消され、かつ、
表面空乏層の影響を抑え、電界効果トランジスタの高周
波特性を著しく向上する上で極めて有効である。
第１図は従来のセルファジインメン）ＧａＡｓ電界効果
トランジスタの断面図、第２図はこの発明の一実施例で
あるＧａＡｓ電界効果トランジスタの断面図である。 図中、１は半絶縁性基板、２は絶縁膜、３はリセス、４
は動作層、５は中間層、６は高濃度層、１はゲートＷ１
極、８はソース電極、９はドレイン電極である。なお、
図中の同一符号は同一または相当部分を示す。 代理人 大岩増雄 （外２名）
トランジスタの断面図、第２図はこの発明の一実施例で
あるＧａＡｓ電界効果トランジスタの断面図である。 図中、１は半絶縁性基板、２は絶縁膜、３はリセス、４
は動作層、５は中間層、６は高濃度層、１はゲートＷ１
極、８はソース電極、９はドレイン電極である。なお、
図中の同一符号は同一または相当部分を示す。 代理人 大岩増雄 （外２名）
Claims (1)
- 半絶縁性基板の一生面に絶縁膜が形成され、この絶縁膜
に微細な開口部を有し、この開口部下の前記半絶縁性基
板の表面にリセスが形成され、このリセスが形成された
半絶縁性基板表面に、−導電性の動作層が形成され、こ
の動作層の両側に導電性で前記動作層と同程度のキャリ
ア濃度あるいはやや高いキャリア濃度を有し前記動作層
の厚さよりも厚い中間層が形成され、この中間層を介し
て前記動作層の両側に導電性で高いキャリア濃度を有す
る高濃度層が形成され、さらに、前記動作層の表面部分
に位置したゲート電極を具備し、前記高濃度層の表面上
に前記絶縁膜の開口部と、ソースおよびドレイン電極を
具備したことを特徴とする電界効果トランジスタ。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP15353983A JPS6045070A (ja) | 1983-08-22 | 1983-08-22 | 電界効果トランジスタ |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP15353983A JPS6045070A (ja) | 1983-08-22 | 1983-08-22 | 電界効果トランジスタ |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPS6045070A true JPS6045070A (ja) | 1985-03-11 |
Family
ID=15564724
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP15353983A Pending JPS6045070A (ja) | 1983-08-22 | 1983-08-22 | 電界効果トランジスタ |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPS6045070A (ja) |
Cited By (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US5381027A (en) * | 1988-01-26 | 1995-01-10 | Hitachi, Ltd. | Semiconductor device having a heterojunction and a two dimensional gas as an active layer |
-
1983
- 1983-08-22 JP JP15353983A patent/JPS6045070A/ja active Pending
Cited By (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US5381027A (en) * | 1988-01-26 | 1995-01-10 | Hitachi, Ltd. | Semiconductor device having a heterojunction and a two dimensional gas as an active layer |
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