JPS6045038A - 半導体装置 - Google Patents
半導体装置Info
- Publication number
- JPS6045038A JPS6045038A JP15245983A JP15245983A JPS6045038A JP S6045038 A JPS6045038 A JP S6045038A JP 15245983 A JP15245983 A JP 15245983A JP 15245983 A JP15245983 A JP 15245983A JP S6045038 A JPS6045038 A JP S6045038A
- Authority
- JP
- Japan
- Prior art keywords
- film
- holes
- semiconductor substrate
- element isolation
- substrate
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Pending
Links
Classifications
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L21/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
- H01L21/70—Manufacture or treatment of devices consisting of a plurality of solid state components formed in or on a common substrate or of parts thereof; Manufacture of integrated circuit devices or of parts thereof
- H01L21/71—Manufacture of specific parts of devices defined in group H01L21/70
- H01L21/76—Making of isolation regions between components
- H01L21/765—Making of isolation regions between components by field effect
Landscapes
- Engineering & Computer Science (AREA)
- Physics & Mathematics (AREA)
- Condensed Matter Physics & Semiconductors (AREA)
- General Physics & Mathematics (AREA)
- Manufacturing & Machinery (AREA)
- Computer Hardware Design (AREA)
- Microelectronics & Electronic Packaging (AREA)
- Power Engineering (AREA)
- Element Separation (AREA)
- Internal Circuitry In Semiconductor Integrated Circuit Devices (AREA)
Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
本発明は、確実な素子間分離の構造を有する半導体装置
に関するものである。
に関するものである。
従来、素子間分離の構成としては、第１図に示すよ５Ｋ
、半導体基板ｌ上に形成された二酸化シリコン（Ｓｉ２
０）絶縁膜２により半導体基板ｌ上のトランジスタ３と
４を電気的に分離し、当該絶縁膜２上にトランジスタ３
．４等を接続する配線５を乗せることが可能な構造が一
般的である。
、半導体基板ｌ上に形成された二酸化シリコン（Ｓｉ２
０）絶縁膜２により半導体基板ｌ上のトランジスタ３と
４を電気的に分離し、当該絶縁膜２上にトランジスタ３
．４等を接続する配線５を乗せることが可能な構造が一
般的である。
しかし、この構造では、通信衛星等の宇宙空間で使用す
る場合、電子線照射等により、絶縁Ｂｌｆｉｚ内に電子
正孔対が発生し、移動度が電、子に比べて小さな正孔が
、半導体基板１と絶縁膜２の界面に多数局在している正
孔トラップに捕捉されやすく、また、その正孔の発生量
は絶縁膜２の厚さに比９１ｊする。この正孔トラソゲに
捕捉された正札は、半導体基板１０表面を一層ｎ型化し
、例えばｐ型半導体基板では、第１図に示す半導体基板
ＩＫ影形成れたｎ型トランジスタ３．４が半導体基板１
と絶縁膜２との界面をパスとしてよ通状態となり、素子
間分離が不可能になる欠点があった・寸だ、絶縁膜２の
厚さを薄くし、正孔の発生量を少なくすると、配線５と
半導体基板１とσ）間で容！、ｌが増し、動作速度が低
下する等の欠点があった。
る場合、電子線照射等により、絶縁Ｂｌｆｉｚ内に電子
正孔対が発生し、移動度が電、子に比べて小さな正孔が
、半導体基板１と絶縁膜２の界面に多数局在している正
孔トラップに捕捉されやすく、また、その正孔の発生量
は絶縁膜２の厚さに比９１ｊする。この正孔トラソゲに
捕捉された正札は、半導体基板１０表面を一層ｎ型化し
、例えばｐ型半導体基板では、第１図に示す半導体基板
ＩＫ影形成れたｎ型トランジスタ３．４が半導体基板１
と絶縁膜２との界面をパスとしてよ通状態となり、素子
間分離が不可能になる欠点があった・寸だ、絶縁膜２の
厚さを薄くし、正孔の発生量を少なくすると、配線５と
半導体基板１とσ）間で容！、ｌが増し、動作速度が低
下する等の欠点があった。
本発明は、宇宙空間等の放射線項境でも正孔発生による
素子間分離低下の欠点を解消することのできる素子間分
離膜構造を不する半導体装置を提供するものである。
素子間分離低下の欠点を解消することのできる素子間分
離膜構造を不する半導体装置を提供するものである。
リート図面により本発明の詳細な説明−する。
第２図は本発明の実施例の断面図であって、１１は半導
体基板、１２は二酸化７リコンのような絶縁膜、１２ａ
は高融点のタングステン等σ）金属、］、２ｂは１２と
同様な絶縁膜、１３，１．４は隣接するトランジスタ、
１５ｉ１、配線、１６は保護膜である。
体基板、１２は二酸化７リコンのような絶縁膜、１２ａ
は高融点のタングステン等σ）金属、］、２ｂは１２と
同様な絶縁膜、１３，１．４は隣接するトランジスタ、
１５ｉ１、配線、１６は保護膜である。
このような半導体装置は、従来の同種の製造技術により
製造できるものである。
製造できるものである。
本発明における素子間分離構造では、例えば電子線等の
放射線により誘起された正孔は、絶縁膜１２の厚さが従
来と比べて薄いため、絶縁膜１２内で発生する正孔が少
なくなり、従って半導体基板１１と絶縁膜１２との界面
に捕捉さ第１る正孔が減少する効果がある。
放射線により誘起された正孔は、絶縁膜１２の厚さが従
来と比べて薄いため、絶縁膜１２内で発生する正孔が少
なくなり、従って半導体基板１１と絶縁膜１２との界面
に捕捉さ第１る正孔が減少する効果がある。
寸だ、絶縁膜１２ｂ上の配線１５に印加される電位や半
導体基板１１と配線１５との容量を小さくするために厚
く形成した絶縁膜１２）＋内で発生した正孔の影響は、
金属膜１２ａが半導体基板１１と面接液していること、
および金属膜１．２ａの電界シールド効果により、絶縁
膜１２への影響は緩和される効果があさらに、金属膜１
２ａと半導体基板１１とが接する場所に形成される／ヨ
ｙトキーゲー１− ｆ（↓、絶縁膜１２と半導体基板１
１との界面よりも放射線に対する耐性が大きいことが確
かめられているので、例えばｎ型トランジスタ１３と１
４でｐ型半導体基板１１と絶縁膜１２との界面が導通状
態となっても、７′ヨツトキーゲートが形成する空乏層
１７により素子間分離が可能となる効果がある。
導体基板１１と配線１５との容量を小さくするために厚
く形成した絶縁膜１２）＋内で発生した正孔の影響は、
金属膜１２ａが半導体基板１１と面接液していること、
および金属膜１．２ａの電界シールド効果により、絶縁
膜１２への影響は緩和される効果があさらに、金属膜１
２ａと半導体基板１１とが接する場所に形成される／ヨ
ｙトキーゲー１− ｆ（↓、絶縁膜１２と半導体基板１
１との界面よりも放射線に対する耐性が大きいことが確
かめられているので、例えばｎ型トランジスタ１３と１
４でｐ型半導体基板１１と絶縁膜１２との界面が導通状
態となっても、７′ヨツトキーゲートが形成する空乏層
１７により素子間分離が可能となる効果がある。
以上説明したように、本発明σ）素子間ｌＡ離禍ｉ／７
７によれば、電子線等の放射線照射での正孔σ）発生に
よる半導体基板と素子間分店１ｆ膜との界面σ）劣化を
低減する効果があり、宇宙等の放射線環境シ・４：おけ
る半導体集積回路の特性劣化を低減する利点がある。
７によれば、電子線等の放射線照射での正孔σ）発生に
よる半導体基板と素子間分店１ｆ膜との界面σ）劣化を
低減する効果があり、宇宙等の放射線環境シ・４：おけ
る半導体集積回路の特性劣化を低減する利点がある。
第１図は従来の半導体装置の素子間分離部σ）構造を示
す断面図、第２図は本発明の実施例における素子間分離
部を示す断面図である。 １．１１・・半導体基板、 ２．１２．１２ｂ・絶縁膜
、１２ａ・・・金属、３．４． ］−３，１４・・トラ
ンジスタ、５．１５・・・配線、６，１６・・・保護膜
、１７・・・空乏層。 特許出願人 日本電信型、話公社 代 耶 人 白 水 ｎ 雄 外Ｊ名
す断面図、第２図は本発明の実施例における素子間分離
部を示す断面図である。 １．１１・・半導体基板、 ２．１２．１２ｂ・絶縁膜
、１２ａ・・・金属、３．４． ］−３，１４・・トラ
ンジスタ、５．１５・・・配線、６，１６・・・保護膜
、１７・・・空乏層。 特許出願人 日本電信型、話公社 代 耶 人 白 水 ｎ 雄 外Ｊ名
Claims (1)
- 二酸化ノリコンに代表される絶縁膜により素子間分離が
行なわれる素子間分離膜を有する半導体装置において、
該素子間分離膜の半導体基板に直接後する面の中心部に
は金属膜が配置され周縁部には該金属膜の厚さより薄い
絶縁膜が配置されていることを特徴とする半導体装置。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP15245983A JPS6045038A (ja) | 1983-08-23 | 1983-08-23 | 半導体装置 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP15245983A JPS6045038A (ja) | 1983-08-23 | 1983-08-23 | 半導体装置 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPS6045038A true JPS6045038A (ja) | 1985-03-11 |
Family
ID=15540976
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP15245983A Pending JPS6045038A (ja) | 1983-08-23 | 1983-08-23 | 半導体装置 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPS6045038A (ja) |
Cited By (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPH02207809A (ja) * | 1989-02-03 | 1990-08-17 | Kobe Steel Ltd | 固液分離装置および固液分離方法 |
| JPH02211206A (ja) * | 1989-02-10 | 1990-08-22 | Kobe Steel Ltd | 固液分離装置および固液分離方法 |
Citations (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS5617039A (en) * | 1979-07-20 | 1981-02-18 | Mitsubishi Electric Corp | Semiconductor device |
| JPS5858747A (ja) * | 1981-10-02 | 1983-04-07 | Matsushita Electronics Corp | Ｍｏｓ型半導体集積回路 |
-
1983
- 1983-08-23 JP JP15245983A patent/JPS6045038A/ja active Pending
Patent Citations (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS5617039A (en) * | 1979-07-20 | 1981-02-18 | Mitsubishi Electric Corp | Semiconductor device |
| JPS5858747A (ja) * | 1981-10-02 | 1983-04-07 | Matsushita Electronics Corp | Ｍｏｓ型半導体集積回路 |
Cited By (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPH02207809A (ja) * | 1989-02-03 | 1990-08-17 | Kobe Steel Ltd | 固液分離装置および固液分離方法 |
| JPH02211206A (ja) * | 1989-02-10 | 1990-08-22 | Kobe Steel Ltd | 固液分離装置および固液分離方法 |
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