JPS6043215A - 磁気ヘツドの製造方法 - Google Patents
磁気ヘツドの製造方法Info
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- JPS6043215A JPS6043215A JP15198783A JP15198783A JPS6043215A JP S6043215 A JPS6043215 A JP S6043215A JP 15198783 A JP15198783 A JP 15198783A JP 15198783 A JP15198783 A JP 15198783A JP S6043215 A JPS6043215 A JP S6043215A
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- G11—INFORMATION STORAGE
- G11B—INFORMATION STORAGE BASED ON RELATIVE MOVEMENT BETWEEN RECORD CARRIER AND TRANSDUCER
- G11B5/00—Recording by magnetisation or demagnetisation of a record carrier; Reproducing by magnetic means; Record carriers therefor
- G11B5/127—Structure or manufacture of heads, e.g. inductive
- G11B5/33—Structure or manufacture of flux-sensitive heads, i.e. for reproduction only; Combination of such heads with means for recording or erasing only
- G11B5/39—Structure or manufacture of flux-sensitive heads, i.e. for reproduction only; Combination of such heads with means for recording or erasing only using magneto-resistive devices or effects
- G11B5/3903—Structure or manufacture of flux-sensitive heads, i.e. for reproduction only; Combination of such heads with means for recording or erasing only using magneto-resistive devices or effects using magnetic thin film layers or their effects, the films being part of integrated structures
-
- G—PHYSICS
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- G11B—INFORMATION STORAGE BASED ON RELATIVE MOVEMENT BETWEEN RECORD CARRIER AND TRANSDUCER
- G11B5/00—Recording by magnetisation or demagnetisation of a record carrier; Reproducing by magnetic means; Record carriers therefor
- G11B5/127—Structure or manufacture of heads, e.g. inductive
- G11B5/31—Structure or manufacture of heads, e.g. inductive using thin films
- G11B5/3163—Fabrication methods or processes specially adapted for a particular head structure, e.g. using base layers for electroplating, using functional layers for masking, using energy or particle beams for shaping the structure or modifying the properties of the basic layers
- G11B5/3166—Testing or indicating in relation thereto, e.g. before the fabrication is completed
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- Manufacturing & Machinery (AREA)
- Magnetic Heads (AREA)
Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
この発明は、磁気抵抗効果型の磁気ヘッドの製造方法に
関し、基板」二の磁気抵抗膜による磁気抵抗素子の膜幅
を精度よく得ることを目的とする。
関し、基板」二の磁気抵抗膜による磁気抵抗素子の膜幅
を精度よく得ることを目的とする。
一般に、磁気抵抗効果型の磁気ヘッドは第１図に示すよ
うに構成され、基板（１）上に磁気抵抗膜（以上磁気抵
抗怜を単に八４１ 、＋（・という）によるＭ Ｒ素子
（２＋か形成されるとともに、基板（１）Ｊ二に先端か
それぞれＭ、 Ｉｔ素子（２）の両端に接続されたリー
ド線（３）が形成されている。ここで、Ｍ、 Ｉ（・素
子（２）の膜幅Ｗは、記録媒体からの磁界がＭｌ（・素
子（２）全体に行き渡ること、および耐摩耗性の点から
３〜１０ノｉ Ｉｌｌにする必要がある。
うに構成され、基板（１）上に磁気抵抗膜（以上磁気抵
抗怜を単に八４１ 、＋（・という）によるＭ Ｒ素子
（２＋か形成されるとともに、基板（１）Ｊ二に先端か
それぞれＭ、 Ｉｔ素子（２）の両端に接続されたリー
ド線（３）が形成されている。ここで、Ｍ、 Ｉ（・素
子（２）の膜幅Ｗは、記録媒体からの磁界がＭｌ（・素
子（２）全体に行き渡ること、および耐摩耗性の点から
３〜１０ノｉ Ｉｌｌにする必要がある。
そして、従来、この種磁気ヘッドは、第２図に示す」−
うに、基板（１）上にＭ、 Ｒ膜ばよるＭ Ｒ，素子部
（２（を（０１摩部（４）とともに各トラック毎に形成
し、各トラックのＭ、 Ｈ，素子部（２１のそれぞれの
両端にリード線（３）を接続したのち、基板（１）をΔ
４１（膜とともに１点鎖線の位置、すなわちＭ Ｂ素子
の所定の膜幅Ｗを得る位置１で研摩することにより得ら
れる。
うに、基板（１）上にＭ、 Ｒ膜ばよるＭ Ｒ，素子部
（２（を（０１摩部（４）とともに各トラック毎に形成
し、各トラックのＭ、 Ｈ，素子部（２１のそれぞれの
両端にリード線（３）を接続したのち、基板（１）をΔ
４１（膜とともに１点鎖線の位置、すなわちＭ Ｂ素子
の所定の膜幅Ｗを得る位置１で研摩することにより得ら
れる。
この場合、Ａ’Ｊ Ｒ素子部（２１，研摩部（４）およ
びリード線（３）が形成された基板ｔｌ） ｊ：にはシ
ールド材が被装されるため、基板（１）面から直接膜幅
を見ることはできず、このだめ、正確な膜幅Ｗを得るた
めにＣ１何らかの研摩制御が必要に７Ｓる。
びリード線（３）が形成された基板ｔｌ） ｊ：にはシ
ールド材が被装されるため、基板（１）面から直接膜幅
を見ることはできず、このだめ、正確な膜幅Ｗを得るた
めにＣ１何らかの研摩制御が必要に７Ｓる。
ところで、前述と同様に薄膜技術を駆使した磁気ヘッド
としては巻線型薄膜磁気ヘッドかあるか、ごの種磁気ヘ
ッドにおりるテブス制？１ｌｌｌ Ｉｄ、第３図および
第４図に示すように行なわれている。
としては巻線型薄膜磁気ヘッドかあるか、ごの種磁気ヘ
ッドにおりるテブス制？１ｌｌｌ Ｉｄ、第３図および
第４図に示すように行なわれている。
すなわち、第３図の場合、磁気コア（５）およびコ・ｒ
ル（６）が形成された基板（７）上にコイル（６）の形
成と同時にテプス制御用□観察パターン（８）を形成し
、基板（力を矢印方向からｆｉｅ＋摩するとともに、こ
のパターン（８）の形状を研摩面から観察することによ
り１ｉＪｉ摩を制御し、所夛のテブスＩｊ（を得るよう
にしている。
ル（６）が形成された基板（７）上にコイル（６）の形
成と同時にテプス制御用□観察パターン（８）を形成し
、基板（力を矢印方向からｆｉｅ＋摩するとともに、こ
のパターン（８）の形状を研摩面から観察することによ
り１ｉＪｉ摩を制御し、所夛のテブスＩｊ（を得るよう
にしている。
また、第４図の場合、基板（７）」−にコイル（６）の
形成と同時に粗研ｊＶ制御用パターン（（りおよび仕十
、ｉ１（σ［ＩＶ制イｌｊ用パターン（１０を形成し、
矢印方向からの基板（７）の研閉時、各パターン（Ｑｌ
、 ｆｌＯ）のそれぞれの両リード線部（９ｉ１．）
、（９１，１）問お」、Ｏ・（１０・Ｉ） 、 （Ｉ
Ｏｈ）間（１（°磁流を流し、パターン（９）の１０
１摩によるリー ド線部（９ａ） 、（９１１）間の断
線に」：り相ｒσ［＋ｃｙを終了ノーるとともに、パタ
ーンＱｉの研＋Ｖによるリード線部（ｌＱａ、） 。
形成と同時に粗研ｊＶ制御用パターン（（りおよび仕十
、ｉ１（σ［ＩＶ制イｌｊ用パターン（１０を形成し、
矢印方向からの基板（７）の研閉時、各パターン（Ｑｌ
、 ｆｌＯ）のそれぞれの両リード線部（９ｉ１．）
、（９１，１）問お」、Ｏ・（１０・Ｉ） 、 （Ｉ
Ｏｈ）間（１（°磁流を流し、パターン（９）の１０
１摩によるリー ド線部（９ａ） 、（９１１）間の断
線に」：り相ｒσ［＋ｃｙを終了ノーるとともに、パタ
ーンＱｉの研＋Ｖによるリード線部（ｌＱａ、） 。
（＋０１１）間の断線により仕上げ研摩を終了し、所要
のテプス量を得るようにしている。
のテプス量を得るようにしている。
したがって、磁気抵抗効果型磁気ヘッドの製造において
、］）１」述のパターン（８） 、 （！す、（］０を
用いて基板ｉ１） （７，） ｌｉｆ［Ｉｖ′制御を行
なえは、Ｍ Ｒ素子）膜幅ｗを得ることかできる。
、］）１」述のパターン（８） 、 （！す、（］０を
用いて基板ｉ１） （７，） ｌｉｆ［Ｉｖ′制御を行
なえは、Ｍ Ｒ素子）膜幅ｗを得ることかできる。
しかし、１）［」述のパターン（８） 、 （９） 、
（１０）を基板（１）」二にリード線（３）と同時に
形成すると、リード線（３）とΔ′目（、素子部（２；
とのずｈの値（２〜３ ｐ ｍ）がＭｌ（、素子の膜幅
＼■に対し１−分な比をもつため、パターン（８）。
（１０）を基板（１）」二にリード線（３）と同時に
形成すると、リード線（３）とΔ′目（、素子部（２；
とのずｈの値（２〜３ ｐ ｍ）がＭｌ（、素子の膜幅
＼■に対し１−分な比をもつため、パターン（８）。
（（す、顛とＭＩｔ・素子部（２１とのすれも膜幅Ｗに
対し十分な比をもち、このため、出力のほらつきの原因
となり、不都合である。
対し十分な比をもち、このため、出力のほらつきの原因
となり、不都合である。
才だ、パターン（８） 、 （！ｌ 、 （１（ｊをＭ
１．Ｌ膜、すなわち八４１（・素子部（２１と同時に
形成することも考えられるか、伯母の安定性からその膜
厚を５００〜６００大にしな＋ｊＩ川よならず、このよ
うな薄い膜を研摩面から観察すること−はぼ不可能であ
り、寸だ、抵抗イ１１２も非常にソ（きなものとなり、
不都合である。
１．Ｌ膜、すなわち八４１（・素子部（２１と同時に
形成することも考えられるか、伯母の安定性からその膜
厚を５００〜６００大にしな＋ｊＩ川よならず、このよ
うな薄い膜を研摩面から観察すること−はぼ不可能であ
り、寸だ、抵抗イ１１２も非常にソ（きなものとなり、
不都合である。
この発明（・丑、前記の点に留意してなされだもの−で
あり、基板」二に磁気抵抗膜により複数１−ラックの磁
気抵抗素子部と該各素子部に一体に設りられイ０１摩に
より削除されるω［厚部と任、係の研１す部（どこ一体
に設けられ研摩により削除さｈる電路部とを形成しｓ
ｎｉＪ記基板基板に前記各磁気抵抗素子部のそ１）。
あり、基板」二に磁気抵抗膜により複数１−ラックの磁
気抵抗素子部と該各素子部に一体に設りられイ０１摩に
より削除されるω［厚部と任、係の研１す部（どこ一体
に設けられ研摩により削除さｈる電路部とを形成しｓ
ｎｉＪ記基板基板に前記各磁気抵抗素子部のそ１）。
それの両端に接続されるリード線を形成すると同時に粗
研磨制御用パターンを形成し、かつ、任意のリード線か
ら＋）ｉｊ記磁気抵抗素子部、 １）ｉｉｉＪｉ１）
１％’部。
研磨制御用パターンを形成し、かつ、任意のリード線か
ら＋）ｉｊ記磁気抵抗素子部、 １）ｉｉｉＪｉ１）
１％’部。
前記′電路部を通って他のリード線に孕る仕上り萌摩制
御用′磁流の通′屯路を形成し、］Ｊ１」記ノ、ｌ；板
を前記磁気抵抗膜とともに（１」ｌ厚し、１）１ｊ記１
ｉＪｔ ｌ’ｉ’によるｔｉ１１１喝？−面からのｎＩ
Ｊ記パターンの所定形状のｉ１ｉ’ｌｔ誌（ｌて」、り
粗ｆｉｌｌ厚を終了するとともに、前記通電路の断線に
」：り仕−１−リｆｉＪｌ’ Ｉ’ｉ’−を終了するこ
とを％徴どする磁気ヘッドの製造方法を提供するもので
ある。
御用′磁流の通′屯路を形成し、］Ｊ１」記ノ、ｌ；板
を前記磁気抵抗膜とともに（１」ｌ厚し、１）１ｊ記１
ｉＪｔ ｌ’ｉ’によるｔｉ１１１喝？−面からのｎＩ
Ｊ記パターンの所定形状のｉ１ｉ’ｌｔ誌（ｌて」、り
粗ｆｉｌｌ厚を終了するとともに、前記通電路の断線に
」：り仕−１−リｆｉＪｌ’ Ｉ’ｉ’−を終了するこ
とを％徴どする磁気ヘッドの製造方法を提供するもので
ある。
したがって、この発明の眠気ヘッドの製造方ｌ）、によ
ると、基板］二にり一１〜線と同１１−１１に形１戊さ
ノ１プら租研摩制御用パターンを研１１１ｒ而」−り観
察することにより、粗研摩制御か行１よえ、この場合、
Ｊ’ｌ−１（ｉｌｆ Ｉ〒による磁気抵抗素子部の残余
幅に（ｄ： ＋ｌ：Ｉｉ定の膜幅に対し誤差を有するが
、粗研１φ１（おいては十分許容できるものであり、丑
だ、基板上に磁気抵抗膜による磁気抵抗素子部と同時に
電路部を形成し、該゛１１１路部を用いて仕」二けω）
摩制御用電流の通電路を形成することができるため、電
路部の研摩による通′小路の断線により什」二けω■摩
を精度よく制御することがてき、磁気抵抗素子部の膜幅
を正確に得ることかできるものである。
ると、基板］二にり一１〜線と同１１−１１に形１戊さ
ノ１プら租研摩制御用パターンを研１１１ｒ而」−り観
察することにより、粗研摩制御か行１よえ、この場合、
Ｊ’ｌ−１（ｉｌｆ Ｉ〒による磁気抵抗素子部の残余
幅に（ｄ： ＋ｌ：Ｉｉ定の膜幅に対し誤差を有するが
、粗研１φ１（おいては十分許容できるものであり、丑
だ、基板上に磁気抵抗膜による磁気抵抗素子部と同時に
電路部を形成し、該゛１１１路部を用いて仕」二けω）
摩制御用電流の通電路を形成することができるため、電
路部の研摩による通′小路の断線により什」二けω■摩
を精度よく制御することがてき、磁気抵抗素子部の膜幅
を正確に得ることかできるものである。
つぎにこの発明を、その実施例を示した？ｉｓ ５図以
下の図面とともに詳細に説明する。
下の図面とともに詳細に説明する。
１ず、１実施例を示しだ第５図について説明する。
同図にｌ）に示Ｊ−ように、基板（１υ−ににたとえは
ニッケルー鉄の合金からプＡり膜厚５００〜６００ Ｘ
の磁気抵抗膜（以−ド磁気抵抗を単にＡ４１（・という
）ｏりにょシ、４１−ラックのＭ几素子部０１と、該各
素子部ａ葎にそ７１それ一体に設けらＩＬ研摩により削
除される／＋７［即゛部（１４ンと、隣合う研摩部（ｊ
４）間にそれぞれ一体にｌＹ’にりられ研摩により削除
されるとともに後述の通′市路の一部を構成する電路部
０句とを形成し、各トラックのＭＲ・素子部ａＱを要ｒ
ｉ［ｅ部分で一体に連結する。このとき−１基板＋ｎ）
Ｊ二のＭ−Ｘ、＋・膜（１２） ｉＪ各各種１１、素
子１ｌｌｓ （１１が突出した形状となり、この突出長
が＾１１童素子の膜幅Ｗとなシ、また、突出横幅がトラ
ック幅（・と後述のリード線接触部幅αとの和となり、
さらに、突出部ピッチがトラックピッチ１）となる。
ニッケルー鉄の合金からプＡり膜厚５００〜６００ Ｘ
の磁気抵抗膜（以−ド磁気抵抗を単にＡ４１（・という
）ｏりにょシ、４１−ラックのＭ几素子部０１と、該各
素子部ａ葎にそ７１それ一体に設けらＩＬ研摩により削
除される／＋７［即゛部（１４ンと、隣合う研摩部（ｊ
４）間にそれぞれ一体にｌＹ’にりられ研摩により削除
されるとともに後述の通′市路の一部を構成する電路部
０句とを形成し、各トラックのＭＲ・素子部ａＱを要ｒ
ｉ［ｅ部分で一体に連結する。このとき−１基板＋ｎ）
Ｊ二のＭ−Ｘ、＋・膜（１２） ｉＪ各各種１１、素
子１ｌｌｓ （１１が突出した形状となり、この突出長
が＾１１童素子の膜幅Ｗとなシ、また、突出横幅がトラ
ック幅（・と後述のリード線接触部幅αとの和となり、
さらに、突出部ピッチがトラックピッチ１）となる。
さらに、同図（ｂ）に示すよって、基板（１１）−１−
に八・１． Ｒ膜（１りΩ各Ｍ、 ＩＬ素子部（喝のそ
れぞれの両端に接続されるたとえは銅からなる１μＩ１
１厚のリード線（＋６ａ）。
に八・１． Ｒ膜（１りΩ各Ｍ、 ＩＬ素子部（喝のそ
れぞれの両端に接続されるたとえは銅からなる１μＩ１
１厚のリード線（＋６ａ）。
（］ Ａ５１））を形成するとともに、該各リード線（
１１３；＋、、） 。
１１３；＋、、） 。
（＋６１Ｊ）の形成と同時に、基板（ＩＩ）Ｊ−０１＼
４且膜（１２）の両側の所定位置にそｔｚそれ階段状の
相１１Ｊｉ Ｉ？制御用パターンｑカを形成する。そし
て、Ｍ、 、１（膜（功の両端のリード線（今特妬こ八
を（１６＋１．）’、（１６１１）’でンｌ（す）（１
６ａ）′＋ （＋６１））′間に、該リード線（＋６８
．）’から左！ｒ、□１．：１−ラックのＡ４１１・素
子部（ｔＸ（ｌ、各トラックのｆＪＩ’ Ｉ甲部（１４
＋ 、各１−ラック間の′電路部（１０お」：ひ右端ト
ラックの」＼１１（素子部（１３）を通してリード線（
＋６１））’に牟るイ１ｌ−ＣＩＩＪ（１’１’制御川
′屯流の通゛市路を形成する。
４且膜（１２）の両側の所定位置にそｔｚそれ階段状の
相１１Ｊｉ Ｉ？制御用パターンｑカを形成する。そし
て、Ｍ、 、１（膜（功の両端のリード線（今特妬こ八
を（１６＋１．）’、（１６１１）’でンｌ（す）（１
６ａ）′＋ （＋６１））′間に、該リード線（＋６８
．）’から左！ｒ、□１．：１−ラックのＡ４１１・素
子部（ｔＸ（ｌ、各トラックのｆＪＩ’ Ｉ甲部（１４
＋ 、各１−ラック間の′電路部（１０お」：ひ右端ト
ラックの」＼１１（素子部（１３）を通してリード線（
＋６１））’に牟るイ１ｌ−ＣＩＩＪ（１’１’制御川
′屯流の通゛市路を形成する。
つきに、同図（１〕）に矢印で示す方向から基板（団イ
〔研１〒−する。このとき、研摩側の基板０１）をある
程度切断してから＋：ノを摩を行へってもよい。
〔研１〒−する。このとき、研摩側の基板０１）をある
程度切断してから＋：ノを摩を行へってもよい。
そして、基板（１ｊ）の１ｉＪｌ摩の進行に伴ない、基
板（１１）とともにＭ ＩＩ膜（喝の研摩部（１４）お
よび゛電路部０句も順次削除され、妊らに、両側のパタ
ーン０７）も順次削除される。このｆｉｌｒ摩時、基板
（１１）の研摩面からパターン０７）を観察すると、ｉ
ｉＪ［摩の進行に伴なってその形状か戟化し、Ｃれによ
り粗研磨を制御することかでき、パターン０７）の所定
形状により粗（σ１摩を終ｒする。このとき、Ｍｌ（、
膜（１りによる（ＩＪ１摩部厚部４）および゛小路部０
５１Ｃ」すべて削除されることはなく、残余している。
板（１１）とともにＭ ＩＩ膜（喝の研摩部（１４）お
よび゛電路部０句も順次削除され、妊らに、両側のパタ
ーン０７）も順次削除される。このｆｉｌｒ摩時、基板
（１１）の研摩面からパターン０７）を観察すると、ｉ
ｉＪ［摩の進行に伴なってその形状か戟化し、Ｃれによ
り粗研磨を制御することかでき、パターン０７）の所定
形状により粗（σ１摩を終ｒする。このとき、Ｍｌ（、
膜（１りによる（ＩＪ１摩部厚部４）および゛小路部０
５１Ｃ」すべて削除されることはなく、残余している。
このよう（（シて得られたＭ、 Ｉ（・膜α４の残余幅
ｄ非γ；３におおさつばなものであり、常に２〜３．ｉ
ｉｍの５呉差を覚＋ｉｉ シｆ、ｉリハはならないが、
粗１ＩＩＴ Ｉ！］ｔ：においてＱ−１この値ｉＪ、ｉ
′＋容てき、したかつて、当該パターン０７）において
粗研ｊす０の制御かり能となる。
ｄ非γ；３におおさつばなものであり、常に２〜３．ｉ
ｉｍの５呉差を覚＋ｉｉ シｆ、ｉリハはならないが、
粗１ＩＩＴ Ｉ！］ｔ：においてＱ−１この値ｉＪ、ｉ
′＋容てき、したかつて、当該パターン０７）において
粗研ｊす０の制御かり能となる。
つきに、１」上Ｕ団ｊリーを行ない、このとき、前記し
た通電路に仕」−け１ＩＪｆ摩制御用電流を流し、該′
磁流のオン、オフを観察し１よから＋ｒ＞ｒ ＋ｖ−を
進行する。
た通電路に仕」−け１ＩＪｆ摩制御用電流を流し、該′
磁流のオン、オフを観察し１よから＋ｒ＞ｒ ＋ｖ−を
進行する。
そして、仕上は研ＪｆＫより各１−ラック間の軍１洛部
０■がすべて削除されると、通′小路が断線し、こｔｌ
により仕」〕け研摩を終了すると、同図（ｃ）に示すよ
うに膜幅Ｗを有するＭｌ（、素子（ｌ：４か得られる。
０■がすべて削除されると、通′小路が断線し、こｔｌ
により仕」〕け研摩を終了すると、同図（ｃ）に示すよ
うに膜幅Ｗを有するＭｌ（、素子（ｌ：４か得られる。
したかって、前記実施例にょるど、リード線（１６ａ）
。
。
（１６１））と同時に形成されたパターン（１７）ｆ、
てより徂１］ノ［摩を制御するとともに、八ｉ、 ＩＩ
膜（１２１によるＭ、 Ｉｔ素子部（至）と同時眞形成
された電路部ｏ！ｉ）を利用して仕１−リ研摩を制御す
ることにまや、Ｍｌ（、素子（１；４の膜幅＼Ｖを正確
に得ることかでき、性能の良好な磁気ヘッドの製造を百
１能にするものである。
てより徂１］ノ［摩を制御するとともに、八ｉ、 ＩＩ
膜（１２１によるＭ、 Ｉｔ素子部（至）と同時眞形成
された電路部ｏ！ｉ）を利用して仕１−リ研摩を制御す
ることにまや、Ｍｌ（、素子（１；４の膜幅＼Ｖを正確
に得ることかでき、性能の良好な磁気ヘッドの製造を百
１能にするものである。
つきに、他の実施例を示し〕こ第６図について説明する
。
。
１す、基板（１８）上ＫＡ目（・膜（１１１置二り、／
１トランクのＡ１． Ｒ素子部（２０と、該各素子部シ
ＯＫそトと７１−−一体にｊｒ’にけらｊｌ渭υ［摩に
ょシ削除さ）７る（Ｕｒ Ｉ”１ 部（２１） Ｌ、両
Ｖ、ｔ、ｉトラックのｆｉｌｉＹ部（ａ＋）のそれぞれ
の外側方向Ｇ′こ一体に設けられ（１ＪＨＩＰに」、り
削除されるととも（で後述の通′市路の一部を構成する
電路部シ→とを形成し、−）きに、基板０８）」二に各
Ａ４１（、素子部い）のそｉＬ・ε７１の右１１６１部
に接続される信号取出用リード線翰を形成するととも（
で、両゛電路部（２）のそれぞれの端部に接続される端
丁−用す−ト線（至）を形成し、かっ、当該ソー１−線
＆４）の形成時に一体に階段状の机研摩制御用パターン
（ハ）を形成する。さらに、基板（１８）Ｊ：、に各Δ
Ｉ１．Ｒ素千部Ｉ２０）のそれぞれの左端部に接続され
る共通のアース線’２に’ｊを形成する。
１トランクのＡ１． Ｒ素子部（２０と、該各素子部シ
ＯＫそトと７１−−一体にｊｒ’にけらｊｌ渭υ［摩に
ょシ削除さ）７る（Ｕｒ Ｉ”１ 部（２１） Ｌ、両
Ｖ、ｔ、ｉトラックのｆｉｌｉＹ部（ａ＋）のそれぞれ
の外側方向Ｇ′こ一体に設けられ（１ＪＨＩＰに」、り
削除されるととも（で後述の通′市路の一部を構成する
電路部シ→とを形成し、−）きに、基板０８）」二に各
Ａ４１（、素子部い）のそｉＬ・ε７１の右１１６１部
に接続される信号取出用リード線翰を形成するととも（
で、両゛電路部（２）のそれぞれの端部に接続される端
丁−用す−ト線（至）を形成し、かっ、当該ソー１−線
＆４）の形成時に一体に階段状の机研摩制御用パターン
（ハ）を形成する。さらに、基板（１８）Ｊ：、に各Δ
Ｉ１．Ｒ素千部Ｉ２０）のそれぞれの左端部に接続され
る共通のアース線’２に’ｊを形成する。
そして、ｎｉｊ記両′市路電路２）の一方もしく−、両
方を利用して仕上りｌｏｉｆ Ｉｆ制御用゛蛾流の通電
路を形成する。ずｉｊわち、左側の電路部（ハ）を利用
する場合、左側の喘了−用リード線（至）から電路部（
２２） 、左端１〜ラツクのｈ）（ｌｔｉ’部（２１）
および八４１（・素子部翰を通して当該１〜ラツクの信
号取出月］リーＩ・線（２）に至る通′市路、あるいｆ
ｄ’、 ／Ｔ−′端１〜ラックのＭ、 ］（素子部（２
））からさらにアース線い９を通り、中央のいずれかの
トラックの八′１１（・素Ｆ部は多を介して信号取出用
リード線体やに至る通電路を形成する。ぼだ、両電路部
（イ）を利用する場合（Ｆ↓、両端子−用リード線（ハ
）５両′市路部（ハ）、左右端１−ラックのそれそｈの
ｉＤＦ Ｉｉ１部Ｑ１）、それぞれのＡ、１． ＩＣ・
素子部（２（２）およびアース線（２Ｑにより通電路を
形つき眞、同図に矢印で示す方向から基板Ｑ８）を研摩
し、ｆｉＩＩ摩面か厚部パターン時の形状を観察し１よ
がら粗研磨を制御し、粗ｆ１月摩の終了後、通電路の電
流のオン、オフを観察しなから仕１−けω［ｒｑを制御
し、通′嘔路の断線、すなわち゛ｒ１シ路部（イ）のす
へての削除により仕」二けωＦｌｆを終ｒノーる。
方を利用して仕上りｌｏｉｆ Ｉｆ制御用゛蛾流の通電
路を形成する。ずｉｊわち、左側の電路部（ハ）を利用
する場合、左側の喘了−用リード線（至）から電路部（
２２） 、左端１〜ラツクのｈ）（ｌｔｉ’部（２１）
および八４１（・素子部翰を通して当該１〜ラツクの信
号取出月］リーＩ・線（２）に至る通′市路、あるいｆ
ｄ’、 ／Ｔ−′端１〜ラックのＭ、 ］（素子部（２
））からさらにアース線い９を通り、中央のいずれかの
トラックの八′１１（・素Ｆ部は多を介して信号取出用
リード線体やに至る通電路を形成する。ぼだ、両電路部
（イ）を利用する場合（Ｆ↓、両端子−用リード線（ハ
）５両′市路部（ハ）、左右端１−ラックのそれそｈの
ｉＤＦ Ｉｉ１部Ｑ１）、それぞれのＡ、１． ＩＣ・
素子部（２（２）およびアース線（２Ｑにより通電路を
形つき眞、同図に矢印で示す方向から基板Ｑ８）を研摩
し、ｆｉＩＩ摩面か厚部パターン時の形状を観察し１よ
がら粗研磨を制御し、粗ｆ１月摩の終了後、通電路の電
流のオン、オフを観察しなから仕１−けω［ｒｑを制御
し、通′嘔路の断線、すなわち゛ｒ１シ路部（イ）のす
へての削除により仕」二けωＦｌｆを終ｒノーる。
したかつて、前述と１「１１様に、Ａ４１（素子の膜幅
＼へｌ ′を正ｔｍｔ ｔｃ得ることかできる。
＼へｌ ′を正ｔｍｔ ｔｃ得ることかできる。
グ目図幻一般の磁気抵抗効果型磁気ヘットの斜視図、第
２図は従来の磁気ヘッドの製造方法を説明する平面図、
第３図および第４ン１（弓巻線型ｌ：、１昌ぐ磁気ヘッ
ド（Ｃおけるテブス制御を説Ｆｙ］する゛１７：而１×
１、第５図ＤＪ−ドの図面はこの発明のＭＵ気ヘットの
製造方法の実施例を示し、第５図Ｕ］ｌ実施例の゛Ｉｆ
−曲図を示し、同図０１）に磁気抵抗膜形成時、同図間
？：Ｌパターン形成形成量図（（ｚ）Ｉｉ研ｊリー終了
時、第６図に１他の実施例の平面図である。 （Ｉ］） 、 （１８）・基板、（１功、 （＋！ｌ）
磁気抵抗ｊ１・；さ、（１；や、シ０磁気抵抗素了一
部、（１４） 、 （２］）・ｌｏｉｆ部、（埒、（２
） ′電路部、（１６ａ）、（１６ａ）’、（１６１）
）、（１６ｈ）’ 、 ｅ；Ｊ 、 （２４１リード線
、（１力、（ハ）・・粗研磨制御用パターン、（ハ）
アース線。 代理人 弁理士 腟口」龍人部 第１図
２図は従来の磁気ヘッドの製造方法を説明する平面図、
第３図および第４ン１（弓巻線型ｌ：、１昌ぐ磁気ヘッ
ド（Ｃおけるテブス制御を説Ｆｙ］する゛１７：而１×
１、第５図ＤＪ−ドの図面はこの発明のＭＵ気ヘットの
製造方法の実施例を示し、第５図Ｕ］ｌ実施例の゛Ｉｆ
−曲図を示し、同図０１）に磁気抵抗膜形成時、同図間
？：Ｌパターン形成形成量図（（ｚ）Ｉｉ研ｊリー終了
時、第６図に１他の実施例の平面図である。 （Ｉ］） 、 （１８）・基板、（１功、 （＋！ｌ）
磁気抵抗ｊ１・；さ、（１；や、シ０磁気抵抗素了一
部、（１４） 、 （２］）・ｌｏｉｆ部、（埒、（２
） ′電路部、（１６ａ）、（１６ａ）’、（１６１）
）、（１６ｈ）’ 、 ｅ；Ｊ 、 （２４１リード線
、（１力、（ハ）・・粗研磨制御用パターン、（ハ）
アース線。 代理人 弁理士 腟口」龍人部 第１図
Claims (1)
- 【特許請求の範囲】 ■ 基板」−に磁気抵抗膜により複数トラックの磁気抵
抗素９部と該各素子部に一体に設けられ【υ■摩により
削除される（ＩＪ１厚部と任意のω■摩部に一体に設り
られ研１ｙにより削除される電路部とを形成し、ｎＩＪ
記基根基板上記各磁気抵抗素子部のそれぞれの両端に接
続されるリード線を形成すると同時に粗研摩制御用パタ
ーンを形成し、かつ、任意のリード線から＋＝＋ｉｉ記
磁気抵抗素子部、前記研摩部、前記゛電路部を通１）て
他のリード線に至る仕−１−け（υ［Ｗ：、制御用′市
流の通′市路を形成し、 ６：ｉ記基板を前記磁気抵抗
膜とともに研摩し、前記研摩による（σ［厚部からの１
’＋ｉｉ記パターンの所定形状の確認にまり机研摩を終
了するとともに、前記通電路の断線により仕十けＧＪｆ
Ｉ’Ｗを終了することを特徴とする磁気ヘッドの製造
方法。 ■ 基板十、の磁気抵抗膜による電路部により隣合う各
トラックの磁気抵抗素子部のそｈぞれの研摩部間を連結
し、両端のトラックの磁気抵抗素子部に接続されたリー
ド線間に通′市路を形成したことを特徴とする特許請求
の範囲第１項に記載の磁気ヘッドの製造方法。 ■ 基板」二の磁気抵抗膜によるｒば路部を両端の１へ
ラックの仙摩部のそれぞれの外側方向に形成し、前記両
電路部のそれぞれの端部に端子片リート線を接続し、各
１−ラックの磁気抵抗素子部のそれぞれの一端間を接続
するアース用り−１・線をｌ役けるととも（（、各磁気
抵抗素子部のそれぞれの他端に接続される信づ取出用リ
ート線を設け、一方の端子用リード線と任意の信号取出
用リード線あるいに、他方の端子用リード線表の間（・
て通゛小路を形成したことを特徴とする特π「請求の範
囲第１ 、＋Ｊ’ｉに、、１２載の磁気ヘッドの製造方
法。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP15198783A JPS6043215A (ja) | 1983-08-19 | 1983-08-19 | 磁気ヘツドの製造方法 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP15198783A JPS6043215A (ja) | 1983-08-19 | 1983-08-19 | 磁気ヘツドの製造方法 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPS6043215A true JPS6043215A (ja) | 1985-03-07 |
Family
ID=15530580
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP15198783A Pending JPS6043215A (ja) | 1983-08-19 | 1983-08-19 | 磁気ヘツドの製造方法 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPS6043215A (ja) |
Cited By (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| WO2001091115A2 (en) * | 2000-05-25 | 2001-11-29 | Seagate Technology Llc | Improved lapping sensor for recording heads |
-
1983
- 1983-08-19 JP JP15198783A patent/JPS6043215A/ja active Pending
Cited By (5)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| WO2001091115A2 (en) * | 2000-05-25 | 2001-11-29 | Seagate Technology Llc | Improved lapping sensor for recording heads |
| WO2001091115A3 (en) * | 2000-05-25 | 2002-05-30 | Seagate Technology Llc | Improved lapping sensor for recording heads |
| GB2379322A (en) * | 2000-05-25 | 2003-03-05 | Seagate Technology Llc | Improved lapping sensor for recording heads |
| GB2379322B (en) * | 2000-05-25 | 2004-03-24 | Seagate Technology Llc | Improved lapping sensor for recording heads |
| US6760197B2 (en) | 2000-05-25 | 2004-07-06 | Seagate Technology Llc | Lapping sensor for recording heads having guide element kept |
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