JPS6042445B2 - 多層薄膜光学系 - Google Patents

多層薄膜光学系

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JPS6042445B2
JPS6042445B2 JP52119695A JP11969577A JPS6042445B2 JP S6042445 B2 JPS6042445 B2 JP S6042445B2 JP 52119695 A JP52119695 A JP 52119695A JP 11969577 A JP11969577 A JP 11969577A JP S6042445 B2 JPS6042445 B2 JP S6042445B2
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JP
Japan
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thin film
optical system
film
multilayer
titanium dioxide
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Expired
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JP52119695A
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JPS5453549A (en
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光治 沢村
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Canon Inc
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Description

【発明の詳細な説明】 本発明は二酸化チタンTiO2とフッ化マグネシウム
MgF2の薄膜の交互層より成る多層薄膜光学系に関す
るものである。
誘電体多層蒸着膜は各種フィルターに用いられている
が、目標とする透過特性を得る為には高屈折率の膜と低
屈折率の膜の屈折率比の大きなものを用いると有利な場
合がある。
ハードコーテイン・グにおいて、二酸化チタンTiO。
の膜とフッ化マグネシウムMgF。の膜は屈折率比も大
きく耐久性に富み有用な組み合せである。 この二酸化
チタンとフッ化マグネシウムより成る多層蒸着膜は、蒸
着時の基板の温度が高いと可視域の短波長側で可成りの
吸収を生じる。
例えば基板温度を300℃にして、二酸化チタン膜の蒸
着時の真空度を1.5〜2×10−’Torr)蒸着ス
ピードを幾可学的膜厚で2〜3A/sec、フッ化マグ
ネシウム膜の蒸着時の真空度を2×10−5Torr)
蒸着スピードを幾可学的膜厚で6〜9八/secの条件
の下で、TIO濃を314λo、MgF2膜を114λ
O(但しλ。は設計波長で、λ0=500nmである)
の膜厚で交互に蒸着し10層膜を形成すると、該10層
膜は可視域の短波長側て可成りの吸収を生じる。この吸
収を除去するには、基板の温度を230℃以下にして蒸
着を行なえば良いが、基板を230℃以下にすると、前
記蒸着条件で形成したTiO。膜とMgF。膜の交互層
より成る多層膜は膜クラックを生じてしまう。本発明は
二酸化チタンTiO2の膜とフッ化マグネシウムMgF
2の膜の交互層より成る多層薄膜光学系において、可視
域の短波長側で吸収が無く且つ膜クラックをも生じない
様な多層薄膜光学系を提供するものである。
本発明においては、二酸化チタンTiO2膜とフ化マグ
ネシウムMgF′2膜が共に引張り応力を有することに
着目した。
そしてTiO2膜の少なくとも一層をTlO2の屈折率
に近く且つ圧縮応力を有する膜で置換すること、あるい
はMgF2膜の少なくとも一層をMgF2の屈折率に近
く且つ圧縮応力を有する膜て置換することにより、基板
の温度を230℃以下にして蒸着しても膜クラックを生
じないものである。尚、TiO2膜、MgF2膜が引張
り応力を有することは、W.HeitmanIl著RP
rOpertiesOfevapOratedSlO2
,SiOxNyandTiO2,fllmsJAppl
ldOPtiCS,l97l年VOLlO,NO.l2
2685〜2689又はArlthOnyE.EnnO
s著RStr′EssesdeveIOpedinOp
ticaIfilmcOatingsJApplled
Optics,l966年VOL5,NO.l,5l〜
61に示されている。本発明に係る薄膜光学系において
は、フッ化マグネシウム膜と置換する膜に使用される圧
縮応力を有する物質としては、フッ化トリウム′111
F4、二酸化シリコンSiO2、及び酸化マグネシウム
陰ρがある。
又、二酸化チタン膜と置換する膜に使用される圧縮応力
を有する物質としては硫化亜鉛Znsl二酸化セリウム
CeO2がある。第1図は本発明に係る一実施例として
12層構成の青反射色分解薄膜光学系の透過率特性曲線
を示すもので、実線はTiO2膜とMgF′2膜から成
る構成の特性曲線、破線は基板側から10層目のMgF
′2膜をSiO2膜で置換した場合の特性曲線を示す。
この薄膜光学系のデータを第1表に示す。尚TiO2膜
の屈折率はn=2.01+−』J−(λは波長で、
λ−255単位はNnl)の分散式で
表わされ、MgF2の屈折率は、n=1.鳳SiO2膜
の屈折率はn=1.49であり、空気側からの入射角が
43.6はの場合である。
第1表に示す構成の膜は、基板の温度を230℃以下に
して蒸着したことは言うまでもないが、第1図の特性曲
線より明らかな様に、この実施例においては10層目の
MgF′2膜をSiα膜て置換することにより膜クラッ
クを防止するだけでなく、更に透過率特性も向上するも
の、である。薗面の簡単な説明 第21図は本発明の多層薄膜光学系の一実施例の透過率
特性を示す図。
λ・・・・・・波長、T・・・・・・透過率。

Claims (1)

  1. 【特許請求の範囲】 1 二酸化チタンTiO_2の薄膜とフッ化マグネシウ
    ムMgF_2の薄膜とを交互に積層した多層薄膜光学系
    において、フッ化マグネシウムに近い屈折率を有し且つ
    圧縮応力を有する薄膜で上記フッ化マグネシウムの薄膜
    の少なくとも一層を置換することにより膜クラックを防
    止する事を特徴とする多層薄膜光学系。 2 上記フッ化マグネシウムの薄膜と置換する薄膜は、
    二酸化シリコンSiO_2の薄膜である特許請求の範囲
    第1項記載の多層薄膜光学系。 3 上記フッ化マグネシウムの薄膜と置換する薄膜は、
    フッ化トリウムThF_2の薄膜である特許請求の範囲
    第1項記載の多層薄膜光学系。 4 上記フッ化マグネシウムの薄膜と置換する薄膜は、
    酸化マグネシウムMgOの薄膜である特許請求の範囲第
    1項記載の多層薄膜光学系。 5 二酸化チタンTiO_2の薄膜とフッ化マグネシウ
    ムMgF_2の薄膜とを交互に積層した多層薄膜光学系
    において、二酸化チタンに近い屈折率を有し且つ圧縮応
    力を有する薄膜で上記二酸化チタンの薄膜の少なくとも
    一層を置換することにより膜クラックを防止する事を特
    徴とする多層薄膜光学系。 6 上記二酸化チタンの薄膜と置換する薄膜は硫化亜鉛
    ZnSの薄膜である特許請求の範囲第5項記載の多層薄
    膜光学系。 7 上記二酸化チタンの薄膜と置換する薄膜は二酸化セ
    リウムCeO_2の薄膜である特許請求の範囲第5項記
    載の多層薄膜光学系。
JP52119695A 1977-10-05 1977-10-05 多層薄膜光学系 Expired JPS6042445B2 (ja)

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JPS5831307A (ja) * 1981-08-20 1983-02-24 Tokyo Optical Co Ltd 干渉フイルタ−
JPH0629882B2 (ja) * 1986-04-14 1994-04-20 東芝硝子株式会社 多層膜反射鏡
DE102004025646A1 (de) * 2004-05-24 2005-12-22 Jenoptik Laser, Optik, Systeme Gmbh Hochreflektierender dielektrischer Spiegel und Verfahren zu dessen Herstellung
CN103233200A (zh) * 2013-03-28 2013-08-07 同济大学 一种355nm高阈值高反膜的制备方法

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