JPS6038728A - 磁気記録媒体およびその製造方法 - Google Patents
磁気記録媒体およびその製造方法Info
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- JPS6038728A JPS6038728A JP58145194A JP14519483A JPS6038728A JP S6038728 A JPS6038728 A JP S6038728A JP 58145194 A JP58145194 A JP 58145194A JP 14519483 A JP14519483 A JP 14519483A JP S6038728 A JPS6038728 A JP S6038728A
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-
- G—PHYSICS
- G11—INFORMATION STORAGE
- G11B—INFORMATION STORAGE BASED ON RELATIVE MOVEMENT BETWEEN RECORD CARRIER AND TRANSDUCER
- G11B5/00—Recording by magnetisation or demagnetisation of a record carrier; Reproducing by magnetic means; Record carriers therefor
- G11B5/62—Record carriers characterised by the selection of the material
- G11B5/72—Protective coatings, e.g. anti-static or antifriction
Landscapes
- Manufacturing Of Magnetic Record Carriers (AREA)
- Magnetic Record Carriers (AREA)
Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
（ａ〕 産業上の利用分野：
本発明は磁気記録媒体の改良に関するものであり、特に
オーバコート層の走行性、耐摩耗性および耐食性を向上
した薄膜型磁気記録媒体に関する。
オーバコート層の走行性、耐摩耗性および耐食性を向上
した薄膜型磁気記録媒体に関する。
（ｂ） 従来技術：
磁気記録媒体を磁性層作製法の面から分類すると、（１
）薄膜型のものと、（２）塗布型のものに分類できる。
）薄膜型のものと、（２）塗布型のものに分類できる。
薄膜型磁気記録媒体は、支持体上に磁性材料を真空蒸着
スパッタリング、イオンブレーティング、メッキ等の方
法により磁性層を形成したものであり、塗布型磁気記録
媒体は、支持体上に磁性粉をバインダーで粘着した磁性
塗料を塗布し磁性層を形成したものである。
スパッタリング、イオンブレーティング、メッキ等の方
法により磁性層を形成したものであり、塗布型磁気記録
媒体は、支持体上に磁性粉をバインダーで粘着した磁性
塗料を塗布し磁性層を形成したものである。
しかし、塗布型の磁気記録媒体は、磁性層内では、バイ
ンダー含有分だけ磁性粉の単位体積当りの実質的な充て
ん密度が少い。
ンダー含有分だけ磁性粉の単位体積当りの実質的な充て
ん密度が少い。
これに対し、薄膜型磁気記録媒体は、磁性層内での実質
光てん率は高いけれども磁性層面の耐食性が低く、走行
時に磁気ヘッド、ガイドローラ等と接触し、スリ化が付
き−やすく、ノイズ発生の原因となる。また、摩擦係数
が大きく、走行性が悪く、機械的強度が弱い欠点がある
。
光てん率は高いけれども磁性層面の耐食性が低く、走行
時に磁気ヘッド、ガイドローラ等と接触し、スリ化が付
き−やすく、ノイズ発生の原因となる。また、摩擦係数
が大きく、走行性が悪く、機械的強度が弱い欠点がある
。
このような薄膜型磁気記録媒体の欠点を改善するため、
従来から磁性層上面に、真空蒸着、スパッタリング、イ
オンブレーティング等の方法によって、オーバコート層
を設ける方法が採用されている。すなわち、 ■ ロジウム、クロムなどの金属や Ｗ１Ｔｉｅ□、Ｃ
ａＦ２、ＭｇＦ、、などの高硬度無機物：金属セッケン
のような潤滑性有機物を真空蒸着法でオーバコートする
方法： ■ 塗布法により、潤滑性有機物含有層をオーバコート
する方法： ■ プレポリマー液を塗布後、当該塗布膜に紫外線や電
子線を照射して重合反応させ、オーバコート層を形成す
る方法： ■ 特開昭５７−１６７１３２号、同５７−１６７１３
３号、同５７−１６７１３４号公報明細書に示されてい
るように、磁性層上に窒素ガス若しくは酸素ガスのイオ
ン又はこれらのガスをプラズマ処理することにより窒化
膜、酸比膨をオーバコートする方法： ■ 特開昭５７−１３５４２２号公報明細書に開示され
ているように、磁性層上に非弗素含有モノマーガスと弗
素含有有機物モノマーガスとをプラズマ重合させること
により含弗素有機プラズマ重合層をオーバコートさせる
方法等が知られているＯ しかし、前記のおよび■に示される方法で形成された蒸
着膜および塗布膜は、膜強度が弱い。又、特に、■にお
いて高分子塗布膜を用いた場合は薄膜にするのが難しく
、磁気ヘッドとの間にスペーシングロスを生じ、再生出
力が低下する欠点がある。
従来から磁性層上面に、真空蒸着、スパッタリング、イ
オンブレーティング等の方法によって、オーバコート層
を設ける方法が採用されている。すなわち、 ■ ロジウム、クロムなどの金属や Ｗ１Ｔｉｅ□、Ｃ
ａＦ２、ＭｇＦ、、などの高硬度無機物：金属セッケン
のような潤滑性有機物を真空蒸着法でオーバコートする
方法： ■ 塗布法により、潤滑性有機物含有層をオーバコート
する方法： ■ プレポリマー液を塗布後、当該塗布膜に紫外線や電
子線を照射して重合反応させ、オーバコート層を形成す
る方法： ■ 特開昭５７−１６７１３２号、同５７−１６７１３
３号、同５７−１６７１３４号公報明細書に示されてい
るように、磁性層上に窒素ガス若しくは酸素ガスのイオ
ン又はこれらのガスをプラズマ処理することにより窒化
膜、酸比膨をオーバコートする方法： ■ 特開昭５７−１３５４２２号公報明細書に開示され
ているように、磁性層上に非弗素含有モノマーガスと弗
素含有有機物モノマーガスとをプラズマ重合させること
により含弗素有機プラズマ重合層をオーバコートさせる
方法等が知られているＯ しかし、前記のおよび■に示される方法で形成された蒸
着膜および塗布膜は、膜強度が弱い。又、特に、■にお
いて高分子塗布膜を用いた場合は薄膜にするのが難しく
、磁気ヘッドとの間にスペーシングロスを生じ、再生出
力が低下する欠点がある。
■の方法で形成される塗布硬化層は、長期にわたりｆＪ
ｆｆｉ性を保持しつづけることが困難である。
ｆｆｉ性を保持しつづけることが困難である。
寸だ、■の方法で形成された窒化膜、酸化膜は走行安定
性の点で満足が得られない。
性の点で満足が得られない。
さらに、■の方法において、当該公報明細書においては
、非弗素含有モノマーガスとして例示しているのはＡｒ
ガスだけである。
、非弗素含有モノマーガスとして例示しているのはＡｒ
ガスだけである。
しかし、非弗素含有七ツマーガスであるＡｒガスは、弗
素含有有機物モノマーガスとプラズマ重合する時、弗素
含有有機物から弗素を引き＾１￥す力か弱いため、プラ
ズマ重合の際の結合点が少く、架橋度の小さい重合体し
か作らない。
素含有有機物モノマーガスとプラズマ重合する時、弗素
含有有機物から弗素を引き＾１￥す力か弱いため、プラ
ズマ重合の際の結合点が少く、架橋度の小さい重合体し
か作らない。
したがって、形成されたプラズマ重合膜の耐摩耗性が弱
く、走行性もそれ程改善できない。この点に関しては、
グロー放電により、重合膜の架橋度を増大し、重合膜の
表面硬度を高めうろことが、／ことえば１９７７年米国
光学会（０ｐｔｉｃａｌ ５ｏｃｉｅｔｙｏｆ Ａｍｅ
ｒｉｃａ ）発行の学術雑誌「アプライド オプティッ
クス誌Ｊ （Ａｐｐｌｉｅｄ ０ｐｔｉｃ＠）第１６巻
第３号、第７１７頁から第７２１頁にわたる論文「プラ
ズマ ボリマライズドコーテング フォ ポリカーボネ
ート、シングル レイヤ、アブレージヨンレジスタンド
、アンド アンチレルり７ヨン」（Ｐｌａｓｍａ ｐｏ
ｌｙｍｏｒｉｚｅｄ ｃｏａｔｉｎｇ ｆｏｒ ｐｏｌ
ｙｃａｒｂｏｎａｔｅ ： ｓｉｎｇｌｅｌａｙｏｒ
、 ａｂｒａｓｉｏｎ ｒｅｓｉｓｔａｎｔ ＋ ａｎ
ｄ ａｎｔｉｒｅｆｌａｃｔｌｏｎ ）において報告さ
れているようにグロー放電により、重合膜の架橋度が増
し、重合膜の表面硬度をｔ−５めうることが推測される
。したがって、重合の架橋度を高めることによって硬度
を高めることができ、６１１摩耗性が向上することを知
っｌこ〇 さらに、本発明者等は重合の架橋度が高まれば、屈折率
も必然的に晶くなるとの推６１すの下に、Ｊ＋’＋Ｉ折
率の高い重合膜を作製することについて、種々実験を重
ねたところ、プラズマ重合膜の屈折率が１゜４５以上の
ものは、１．４５以下のものに比べて、後述する動摩擦
係数、スチルノ９命がフ１≧躍的に向上できることを見
い出し、本発明に到達した。
く、走行性もそれ程改善できない。この点に関しては、
グロー放電により、重合膜の架橋度を増大し、重合膜の
表面硬度を高めうろことが、／ことえば１９７７年米国
光学会（０ｐｔｉｃａｌ ５ｏｃｉｅｔｙｏｆ Ａｍｅ
ｒｉｃａ ）発行の学術雑誌「アプライド オプティッ
クス誌Ｊ （Ａｐｐｌｉｅｄ ０ｐｔｉｃ＠）第１６巻
第３号、第７１７頁から第７２１頁にわたる論文「プラ
ズマ ボリマライズドコーテング フォ ポリカーボネ
ート、シングル レイヤ、アブレージヨンレジスタンド
、アンド アンチレルり７ヨン」（Ｐｌａｓｍａ ｐｏ
ｌｙｍｏｒｉｚｅｄ ｃｏａｔｉｎｇ ｆｏｒ ｐｏｌ
ｙｃａｒｂｏｎａｔｅ ： ｓｉｎｇｌｅｌａｙｏｒ
、 ａｂｒａｓｉｏｎ ｒｅｓｉｓｔａｎｔ ＋ ａｎ
ｄ ａｎｔｉｒｅｆｌａｃｔｌｏｎ ）において報告さ
れているようにグロー放電により、重合膜の架橋度が増
し、重合膜の表面硬度をｔ−５めうることが推測される
。したがって、重合の架橋度を高めることによって硬度
を高めることができ、６１１摩耗性が向上することを知
っｌこ〇 さらに、本発明者等は重合の架橋度が高まれば、屈折率
も必然的に晶くなるとの推６１すの下に、Ｊ＋’＋Ｉ折
率の高い重合膜を作製することについて、種々実験を重
ねたところ、プラズマ重合膜の屈折率が１゜４５以上の
ものは、１．４５以下のものに比べて、後述する動摩擦
係数、スチルノ９命がフ１≧躍的に向上できることを見
い出し、本発明に到達した。
〔ｃ〕 発明の目的；
木兄りｊは、オーバコート層の走行性、ｉＩ摩耗性およ
び耐食性を向上しだ簿膜型磁気記録媒体を提供すること
を第１の目的とする。
び耐食性を向上しだ簿膜型磁気記録媒体を提供すること
を第１の目的とする。
ｉ：ノｃ１本発明は、薄ルク型磁気記録媒体における磁
性ｊＱ；に走行性、４Ｍ粍性および耐食性に捩れたオー
パコー）７Ｆを形成する磁気６己録んで体の製造方法を
提供することを第２の目的とする。
性ｊＱ；に走行性、４Ｍ粍性および耐食性に捩れたオー
パコー）７Ｆを形成する磁気６己録んで体の製造方法を
提供することを第２の目的とする。
（ｄ） 発明の構成：
前記本発明の第１の目的は、支持体上に、磁性層と該磁
性層上に屈折率が１．４５以上の含弗素有機プラズマ重
合層を設けることによって達成される。
性層上に屈折率が１．４５以上の含弗素有機プラズマ重
合層を設けることによって達成される。
本発明にかかる磁気記録媒体の磁性層上に形成される屈
折率１，４５以上の含弗素有機プラズマ重金層の好まし
い組成は弗素の他に酸素（０）、窒素軸、および水素（
６）のうち少くとも１以上を含むものであって、ＣＸＸ
ｙＦｚＹｗまただ腰Ｘは酸素、水素および窒素のうちの
少くとも１つを、Ｙはけい素（Ｓｔ）、硫黄（Ｓ）、り
んＰ）、塩素（ＣＺ）、あるいはほう素Ｑ３）のうちの
少くとも１つを表わす組成を有し、Ｘ％ ＶＳＺＳＶｌ
はそれぞれ ０＜Ｘ≦０．６ ０＜ｙ≦（ｙ５ ０＜Ｚ≦０．７ ０≦Ｗ≦０．５ で表わされる含弗素有機プラズマ重合層である。
折率１，４５以上の含弗素有機プラズマ重金層の好まし
い組成は弗素の他に酸素（０）、窒素軸、および水素（
６）のうち少くとも１以上を含むものであって、ＣＸＸ
ｙＦｚＹｗまただ腰Ｘは酸素、水素および窒素のうちの
少くとも１つを、Ｙはけい素（Ｓｔ）、硫黄（Ｓ）、り
んＰ）、塩素（ＣＺ）、あるいはほう素Ｑ３）のうちの
少くとも１つを表わす組成を有し、Ｘ％ ＶＳＺＳＶｌ
はそれぞれ ０＜Ｘ≦０．６ ０＜ｙ≦（ｙ５ ０＜Ｚ≦０．７ ０≦Ｗ≦０．５ で表わされる含弗素有機プラズマ重合層である。
Ｗが０．７よシ大きいと、たとえば動摩擦係数が小さく
なるが、耐摩耗性は低下する。また、Ｗが０．５よシ大
になると、含弗素有機プラズマ重合層の成膜が困難とな
ったり、また、硬度が高くなりすぎ、磁気ヘッドを損傷
したり、走行性が不安定になったりする傾向を生ずる。
なるが、耐摩耗性は低下する。また、Ｗが０．５よシ大
になると、含弗素有機プラズマ重合層の成膜が困難とな
ったり、また、硬度が高くなりすぎ、磁気ヘッドを損傷
したり、走行性が不安定になったりする傾向を生ずる。
前記組成を有する含弗素有機プラズマ重合の組成物とし
てはたとえば、Ｃ０，３１００，０８Ｆ０．６１ 、
Ｃ，０，２５ｉ（ｏ、ｏ ７００．０９Ｆ０．５９、Ｃ
Ｇ、３２Ｈ０，０５Ｆ０．６ ａ、ＣＧ、２２００．１
５Ｎ０．１ ａＦ０５０、Ｃ０，４５Ｈ０，０９００，
１８ＦＧ、３８、Ｃ０，２ａＨｏ、ｏ ａＮｏ２ｔＱｏ
、ｏ ３Ｆ０．４４Ｃ０，３ｙ）（ｏ、ｏ ２００．０
３Ｓ０．１２Ｆ０．４ ｓ、ＣＧ、５ ａ）ｉｏ、ｏ
ｔＱｏ、ｏ ４Ｆ０．４２、Ｃ０，２０Ｈ０，０８００
，０３Ｂ０．０２ＦＧ、６７、ＣＯ，ＯｓＨｏ、ｏ ２
０Ｇ、２１Ｓ ｉ Ｏ，２ｓ Ｆｏ、ｓ＋Ｃ０，４４Ｈ
０，０＋１００．３２Ｆ０．２１ 、 Ｃ０，３８Ｈ０
，１１Ｎ０．３８Ｆ０．１３等が挙げられる。
てはたとえば、Ｃ０，３１００，０８Ｆ０．６１ 、
Ｃ，０，２５ｉ（ｏ、ｏ ７００．０９Ｆ０．５９、Ｃ
Ｇ、３２Ｈ０，０５Ｆ０．６ ａ、ＣＧ、２２００．１
５Ｎ０．１ ａＦ０５０、Ｃ０，４５Ｈ０，０９００，
１８ＦＧ、３８、Ｃ０，２ａＨｏ、ｏ ａＮｏ２ｔＱｏ
、ｏ ３Ｆ０．４４Ｃ０，３ｙ）（ｏ、ｏ ２００．０
３Ｓ０．１２Ｆ０．４ ｓ、ＣＧ、５ ａ）ｉｏ、ｏ
ｔＱｏ、ｏ ４Ｆ０．４２、Ｃ０，２０Ｈ０，０８００
，０３Ｂ０．０２ＦＧ、６７、ＣＯ，ＯｓＨｏ、ｏ ２
０Ｇ、２１Ｓ ｉ Ｏ，２ｓ Ｆｏ、ｓ＋Ｃ０，４４Ｈ
０，０＋１００．３２Ｆ０．２１ 、 Ｃ０，３８Ｈ０
，１１Ｎ０．３８Ｆ０．１３等が挙げられる。
前記含弗素有機プラズマ重合層は、一部に全く弗素化合
物を含んでいなくともよく、その膜厚は２０〜１，０Ｏ
ＯＡであることが望ましく、特に１００Ａ〜５００Ａの
範囲が好ましい。２０ｉ未満では薄すぎてオーバコート
としての効果がなく、１，０００Ｘを越えると、磁性層
と磁気ヘッドとの間のスペーシングロスが大きくなり、
再生出力が低下する。
物を含んでいなくともよく、その膜厚は２０〜１，０Ｏ
ＯＡであることが望ましく、特に１００Ａ〜５００Ａの
範囲が好ましい。２０ｉ未満では薄すぎてオーバコート
としての効果がなく、１，０００Ｘを越えると、磁性層
と磁気ヘッドとの間のスペーシングロスが大きくなり、
再生出力が低下する。
前記含弗素有機プラズマ重合層は、磁性層の上面だけで
なく、磁性層形成面と反対側の支持体裏面にも形成する
ことができ、この方法に依り支持体の反りを防ぐことが
できる。
なく、磁性層形成面と反対側の支持体裏面にも形成する
ことができ、この方法に依り支持体の反りを防ぐことが
できる。
また、必要に応じ、含弗素有機プラズマ重合Ｉケ上面に
、さらに潤滑層を形成してもよい。
、さらに潤滑層を形成してもよい。
前記本発明の磁気記録媒体は、支持体上に磁性層を形成
後、該磁性層上において非プラズマ性ガスと弗素含有化
合物を同時にプラズマ処理し、磁性層上に屈折率が１．
４５以上の含弗素有機プラズマ重合層を形成することが
できる。
後、該磁性層上において非プラズマ性ガスと弗素含有化
合物を同時にプラズマ処理し、磁性層上に屈折率が１．
４５以上の含弗素有機プラズマ重合層を形成することが
できる。
上記磁気記録媒体の製造法に使用できる非プラズマ性重
合ガスとしては、弗素の他酸素、窒素、水素、塩素ある
いは、−酸化炭素等を用いることができる０特に弗素含
有化合物から弗素を引き抜き、反応後の架橋点の数を増
す意味から、酸素、窒素、水素が好ましく、とりわけ水
素が最も好ましい。
合ガスとしては、弗素の他酸素、窒素、水素、塩素ある
いは、−酸化炭素等を用いることができる０特に弗素含
有化合物から弗素を引き抜き、反応後の架橋点の数を増
す意味から、酸素、窒素、水素が好ましく、とりわけ水
素が最も好ましい。
これは、水素から発生する水素ラジカルが系内に生じる
弗素ラジカルと反応し、弗素ラジカル数を有効に減少せ
しめるため、結合解Ｆ／、ｉａによって、さらに弗素ラ
ジカルが生成することを促’ｔＬさせるだめと考えられ
る。
弗素ラジカルと反応し、弗素ラジカル数を有効に減少せ
しめるため、結合解Ｆ／、ｉａによって、さらに弗素ラ
ジカルが生成することを促’ｔＬさせるだめと考えられ
る。
弗素含有化合物としては、ＣＦ４、ＣＦ２−ＣＦ２、Ｃ
Ｈ２＝ＣＨＦ 、 ＣＨ２＝ＣＦ２、ＣＨＦ＝ＣＦ２、
ＣＨ２＝ＣＦ２１ 。
Ｈ２＝ＣＨＦ 、 ＣＨ２＝ＣＦ２、ＣＨＦ＝ＣＦ２、
ＣＨ２＝ＣＦ２１ 。
ＣＨ２＝ＣＦＣＦ３、ＣＦ２＝ＣＦ ＲｆＳＣＦ２＝Ｃ
Ｆ ＯＲｆ。
Ｆ ＯＲｆ。
タン、ヘキサフルオロベンゼン、パーフルオロシクロヘ
キサンなどがある。
キサンなどがある。
本発明にかかる磁記録媒体の製造に当って、含弗素性
機プラズマ重合層を形成するにあたっては、一般にプラ
ズマ重合と言われる重合法々らどのような方法を採用し
てもよいが、弗素含有化合物ガスと、酸素、窒素、水素
等の非プラズマ重合性ガスを同時にグロー放電させるこ
とが好ましい。
機プラズマ重合層を形成するにあたっては、一般にプラ
ズマ重合と言われる重合法々らどのような方法を採用し
てもよいが、弗素含有化合物ガスと、酸素、窒素、水素
等の非プラズマ重合性ガスを同時にグロー放電させるこ
とが好ましい。
上記プラズマ重合に当っては、必要に応じて弗素を含有
しない化合物を混合してもよい。
しない化合物を混合してもよい。
弗素を含まない化合物として、メチルアクリレート、ス
チレン、アクリロニトリル、塩化ビニル、エチレン、ビ
ニルトリメトキシラン等のいわゆる七ツマ−であっても
よいし、ベンゼン、トルエン、ヘキサン、アセトニトリ
ル、ピリジン、フラン、チオフェン、ヒリメチルフオス
ファイトリメチルボレートテトラメチルシラン等一般的
には非重合性の化合物であってもよい。
チレン、アクリロニトリル、塩化ビニル、エチレン、ビ
ニルトリメトキシラン等のいわゆる七ツマ−であっても
よいし、ベンゼン、トルエン、ヘキサン、アセトニトリ
ル、ピリジン、フラン、チオフェン、ヒリメチルフオス
ファイトリメチルボレートテトラメチルシラン等一般的
には非重合性の化合物であってもよい。
プラズマ重合に用いる化合物としては、操作上の点から
常温で弗点が２００℃以下の化合物が好ましく、１５０
℃以下であるとより好寸しい。
常温で弗点が２００℃以下の化合物が好ましく、１５０
℃以下であるとより好寸しい。
本発明にかかる磁気記録媒体の磁性層に使用できる磁性
材料は、従来から使用されている公知のものでもよく、
かかる磁性材料として、γ−Ｆｅ２Ｏ３、ＣＯ含有ｒ
Ｆｅ２Ｏ３、ＣＯ被着ｒ Ｆｅ２Ｏ３、Ｆｅ３Ｏ４、Ｃ
Ｏ含有Ｆｅ３Ｏ４、ＣｒＯ□等いわゆる酸化物系磁性材
料： Ｆｅ−Ｎｉ−Ｃｏ合金、Ｆｅ−Ｍｎ−Ｚｎ合金、
Ｆ’ｅ −Ｎｉ −Ｚｎ合金、Ｆｅ −Ｇｏ −Ｎｉ−
Ｃｒ合金、Ｆｅ −Ｃｏ −Ｎｉ−Ｐ合金、Ｃ。
材料は、従来から使用されている公知のものでもよく、
かかる磁性材料として、γ−Ｆｅ２Ｏ３、ＣＯ含有ｒ
Ｆｅ２Ｏ３、ＣＯ被着ｒ Ｆｅ２Ｏ３、Ｆｅ３Ｏ４、Ｃ
Ｏ含有Ｆｅ３Ｏ４、ＣｒＯ□等いわゆる酸化物系磁性材
料： Ｆｅ−Ｎｉ−Ｃｏ合金、Ｆｅ−Ｍｎ−Ｚｎ合金、
Ｆ’ｅ −Ｎｉ −Ｚｎ合金、Ｆｅ −Ｇｏ −Ｎｉ−
Ｃｒ合金、Ｆｅ −Ｃｏ −Ｎｉ−Ｐ合金、Ｃ。
−Ｎｉ合金等Ｆｅ ５Ｎｉｓ Ｃｏ を主成分とする合
金系磁性材料等各種の磁性材料が挙げられる。
金系磁性材料等各種の磁性材料が挙げられる。
支持体−ヒに磁性層を形成する方法として、公知の真空
蒸着、スパッタリング、イオンブレーティング、メッキ
法等が誉げられる。酸化物系磁性材料や合金系磁性材料
の中でも、合金系の磁性材料を使用する場合は、組成が
変化しないように組成を制御して蒸着又はメッキしなけ
ればならない。
蒸着、スパッタリング、イオンブレーティング、メッキ
法等が誉げられる。酸化物系磁性材料や合金系磁性材料
の中でも、合金系の磁性材料を使用する場合は、組成が
変化しないように組成を制御して蒸着又はメッキしなけ
ればならない。
支持体の素材としては、ポリエチレンテレフタレート、
ポリエチレン−２，６−ナンタレート等のイン類、セル
ローストリアセテート、セルロースダイアセテート等の
セルロース誘導体、ポリカーボネートなどのプラスチッ
ク、Ｃｕ ％ ＡＺ −ｓ ｚＨなどの金属、ガラス、
いわゆるニューセラぐツク（たとえば窒化はう素、炭化
けい素等）などが使用される。
ポリエチレン−２，６−ナンタレート等のイン類、セル
ローストリアセテート、セルロースダイアセテート等の
セルロース誘導体、ポリカーボネートなどのプラスチッ
ク、Ｃｕ ％ ＡＺ −ｓ ｚＨなどの金属、ガラス、
いわゆるニューセラぐツク（たとえば窒化はう素、炭化
けい素等）などが使用される。
支持体の形態はデーゾ、シート、カード、ディスク、ド
ラム等いずれでもよく、形態に応じて種々の材料が必要
に応じて選択される。
ラム等いずれでもよく、形態に応じて種々の材料が必要
に応じて選択される。
これらの支持体の厚みは、フィルム、シート状の場合は
約３〜１００μ程度、好ましくは５〜５０μであり、デ
ィスク、カード状の場合は３０μ〜１０鯛程度である。
約３〜１００μ程度、好ましくは５〜５０μであり、デ
ィスク、カード状の場合は３０μ〜１０鯛程度である。
［ｅ） 実施例：
ｊ″Ｊ、下、本発明の実施例について説明する〇実施例
１゜ 第１図は、本発明にかかる磁気記録媒体の製造装置の要
部断面図を示す。
１゜ 第１図は、本発明にかかる磁気記録媒体の製造装置の要
部断面図を示す。
製造装置は、全体符号１で示すケーシングから成ってお
り、ケーシングエはベルジャ状の放電室２、支持体送出
室（以下、単に「送出室」とい％）３、支持体巻取り室
（以下、単に「巻取り室」という。）４から成）、放電
室２および巻取シ室４：放電室２および送出室３間には
筒管５が連結され、支持体通路を形成している。
り、ケーシングエはベルジャ状の放電室２、支持体送出
室（以下、単に「送出室」とい％）３、支持体巻取り室
（以下、単に「巻取り室」という。）４から成）、放電
室２および巻取シ室４：放電室２および送出室３間には
筒管５が連結され、支持体通路を形成している。
送出室３、巻取り室４の側壁には導通管１４が付設され
ており、導筒管５には枝管１５が連結されており、導通
管１４の先端はキャリヤガス源（図示せず。）に接続し
、枝管１５の先端は排気系（図示せず。）に接続する。
ており、導筒管５には枝管１５が連結されており、導通
管１４の先端はキャリヤガス源（図示せず。）に接続し
、枝管１５の先端は排気系（図示せず。）に接続する。
また、必要に応じて、巻取シｍ４の底部には前記排気系
に接続する枝管１５の一端が連結する。
に接続する枝管１５の一端が連結する。
放電室２には、上部電極６と下部電極７が配設されてい
る。上部電極６の内部は空洞を形成し、一端は細管を介
してプラズマ重合用ガス供給源（図示せず。）と接続し
、他方の先端面には放電室空間に導通する多数の孔が形
成されており、電極６の細管部を通して空洞内に導入さ
れたガスが、放電室内へも供給できる構造になっている
。
る。上部電極６の内部は空洞を形成し、一端は細管を介
してプラズマ重合用ガス供給源（図示せず。）と接続し
、他方の先端面には放電室空間に導通する多数の孔が形
成されており、電極６の細管部を通して空洞内に導入さ
れたガスが、放電室内へも供給できる構造になっている
。
また、下部電極７は、放電時の発熱を冷却できるように
水冷式に構成され、同時にマツチングボックス８を介し
て電源９から高周波電力が供給される。
水冷式に構成され、同時にマツチングボックス８を介し
て電源９から高周波電力が供給される。
上記の製造装置を使用し、磁気記録媒体を製造するには
、先ず帯状のポリエチレンテレフタレート上に予め公知
の方法に依シ、たとえばＣｏ−Ｎｉ合金膜を蒸着した支
持体１０をリール１１に巻き取り、送出室３に取シ付け
る。リール１１に巻き取られた支持体１０の一端は、ガ
イドローラ１２を介して筒管５内をガイドされ、放電室
２から巻取り室４へ送られる。
、先ず帯状のポリエチレンテレフタレート上に予め公知
の方法に依シ、たとえばＣｏ−Ｎｉ合金膜を蒸着した支
持体１０をリール１１に巻き取り、送出室３に取シ付け
る。リール１１に巻き取られた支持体１０の一端は、ガ
イドローラ１２を介して筒管５内をガイドされ、放電室
２から巻取り室４へ送られる。
巻取り室４内にはリール１３がセットされており、リー
ル１１から送られてきた支持体１０を巻き取るように構
成されている。
ル１１から送られてきた支持体１０を巻き取るように構
成されている。
上述のようにして、ケーシング１内に収納された支持体
１０のＣｏ−Ｎｉ合金層 （磁性層）上に含弗素有機プ
ラズマ重合層をオーツ（コートするには、先ず排気系を
操作し、枝管１５を通じてケーシング１内を真空非気し
た後、導通管１４からケーシフグ１内へＡｒガスを導入
する。
１０のＣｏ−Ｎｉ合金層 （磁性層）上に含弗素有機プ
ラズマ重合層をオーツ（コートするには、先ず排気系を
操作し、枝管１５を通じてケーシング１内を真空非気し
た後、導通管１４からケーシフグ１内へＡｒガスを導入
する。
ついで、上部電極６をアースし、下部電極７にマツチン
グボックス８を介して、高周波電源９から１３．５６Ｍ
Ｈｚ 、 ５０Ｗの高周波電力を加え、Ａｒプラズマを
発生させ、支持体上のＣｏ−Ｎｉ合金層表面を清浄にし
た。
グボックス８を介して、高周波電源９から１３．５６Ｍ
Ｈｚ 、 ５０Ｗの高周波電力を加え、Ａｒプラズマを
発生させ、支持体上のＣｏ−Ｎｉ合金層表面を清浄にし
た。
しかる後、放電室２の上部電極空洞室内へ、重合性ガス
（５）としてオクタフルオロシクロブタン二非プラズマ
重合ガスとして水素ガス（Ｂ）を、（Ａ） ／ （Ｂ）
＝１／２のモル比で混合したガスを導入し、ケーシング
１内の内圧を０．１１ Ｔｏｒｒに維持し、再び下部電
極７に２００Ｗの高周波電力を供給し、放電室２内に放
電を発生させ、導入した前記オクタフルオロシクロブタ
ンガスおよび水素ガスのプラズマが前記支持体１０のＣ
ｏ−Ｎｉ合金層上面に含弗素有機プラズマ重合膜として
オーバコートされた。
（５）としてオクタフルオロシクロブタン二非プラズマ
重合ガスとして水素ガス（Ｂ）を、（Ａ） ／ （Ｂ）
＝１／２のモル比で混合したガスを導入し、ケーシング
１内の内圧を０．１１ Ｔｏｒｒに維持し、再び下部電
極７に２００Ｗの高周波電力を供給し、放電室２内に放
電を発生させ、導入した前記オクタフルオロシクロブタ
ンガスおよび水素ガスのプラズマが前記支持体１０のＣ
ｏ−Ｎｉ合金層上面に含弗素有機プラズマ重合膜として
オーバコートされた。
その後、巻取り室４側の導通管１４から後処理ガスを導
入し、筒管５の枝管１５を通じ、ケーシング内の残留ガ
スを排除した。
入し、筒管５の枝管１５を通じ、ケーシング内の残留ガ
スを排除した。
ケーシング１内を常圧にもどした後、巻取り室内の巻取
リールを取外し、支持体１０上のオーバコート膜を、タ
リステノスＥＰＣＸＥｌｅｃｔｒｏｎ ５ｐｅｃｔｒｏ
ｓｃｏｐｙずｏｒＣＩ＋ｅｍｌｃａｌ Ａｎａｌｙｓｉ
ｇ ）および元素分析法により分析した結果、膜厚は２
２０Ａであり、膜組成はＣ０４２）（ｏ、ｏ ４００．
Ｏｌ）ｉ’ｏ、ｓ ３であることが確認できた。
リールを取外し、支持体１０上のオーバコート膜を、タ
リステノスＥＰＣＸＥｌｅｃｔｒｏｎ ５ｐｅｃｔｒｏ
ｓｃｏｐｙずｏｒＣＩ＋ｅｍｌｃａｌ Ａｎａｌｙｓｉ
ｇ ）および元素分析法により分析した結果、膜厚は２
２０Ａであり、膜組成はＣ０４２）（ｏ、ｏ ４００．
Ｏｌ）ｉ’ｏ、ｓ ３であることが確認できた。
かくして得られた支持体を、１２．６５ｍｎ巾に裁断し
てビデオテープを作製した。この試料テープを実施例テ
ープ１とした。
てビデオテープを作製した。この試料テープを実施例テ
ープ１とした。
また、第１図の゛製造装置は、支持体１０上に磁性層を
、予め装置外で形成した後、当該支持体を蒸着装置内に
取り付け、オーバコート層を形成する際使用する装置の
一例を示したものであるが、第２図に示すように、放電
室の他に、後述する蒸着室を具備する製造装置を使用す
ることに依シ、支持体への磁性層の形成と磁性層へのオ
ーバコート層の形成を、同一製造装置内で一貫して行わ
せることができる。
、予め装置外で形成した後、当該支持体を蒸着装置内に
取り付け、オーバコート層を形成する際使用する装置の
一例を示したものであるが、第２図に示すように、放電
室の他に、後述する蒸着室を具備する製造装置を使用す
ることに依シ、支持体への磁性層の形成と磁性層へのオ
ーバコート層の形成を、同一製造装置内で一貫して行わ
せることができる。
第２図に示す装置は、送出室３と巻き堰塞４の両者を兼
用する室１７を中央部に配置し、室１７の左右両側には
、それぞれ階壁１８を介して放電室２と蒸着室１６が配
設されている０ 蒸着室１６には、ガイドローラ１２、冷却缶２０、るつ
ぼ２１、電子ビーム発生装置２２および遮へい板２３が
設置されている。
用する室１７を中央部に配置し、室１７の左右両側には
、それぞれ階壁１８を介して放電室２と蒸着室１６が配
設されている０ 蒸着室１６には、ガイドローラ１２、冷却缶２０、るつ
ぼ２１、電子ビーム発生装置２２および遮へい板２３が
設置されている。
リール１１から送られるベルト状支持休１０は、隔壁１
８に設けられた細隙通路１９を通り、ガイドロール１２
を介して冷却缶２０の周側面に導かれる。冷却缶２０の
周側面においては、冷却缶２０の下方に設置された電子
ビーム発生装置の操作によって、るつば２１内のＣｏ−
Ｎｉ合金粉を加熱し、支持体１０面にＣｏ−Ｎｉ合金膜
が蒸着される。
８に設けられた細隙通路１９を通り、ガイドロール１２
を介して冷却缶２０の周側面に導かれる。冷却缶２０の
周側面においては、冷却缶２０の下方に設置された電子
ビーム発生装置の操作によって、るつば２１内のＣｏ−
Ｎｉ合金粉を加熱し、支持体１０面にＣｏ−Ｎｉ合金膜
が蒸着される。
Ｃｏ−Ｎｉ合金膜が形成された支持体１０は、他のガイ
ドロール１２を介して、細隙通路２４を通り、放電室２
に送られ、第１図に示す製造装置の場合と同様の手順を
経て、上部電極６内に導入されたオクタフルオロシクロ
ブタンと水素の混合（１：１）ガスを、支持体のＣｏ−
Ｎｉ合金膜上面でプラズマ重合せしめ、同一装置内で支
持体の磁性層と、オーバコート層の形成を連続して行う
ことができる。
ドロール１２を介して、細隙通路２４を通り、放電室２
に送られ、第１図に示す製造装置の場合と同様の手順を
経て、上部電極６内に導入されたオクタフルオロシクロ
ブタンと水素の混合（１：１）ガスを、支持体のＣｏ−
Ｎｉ合金膜上面でプラズマ重合せしめ、同一装置内で支
持体の磁性層と、オーバコート層の形成を連続して行う
ことができる。
実施例２
第１図に示す製造装置を用い、放電室内において、支持
体１０に形成したＣｏ−Ｎｉ合金層上で、オクタフルオ
ロシクロブタンおよび水素をモル比（１：２）で混合し
たガスを、ガス圧０．１１Ｔｏｒｒ 。
体１０に形成したＣｏ−Ｎｉ合金層上で、オクタフルオ
ロシクロブタンおよび水素をモル比（１：２）で混合し
たガスを、ガス圧０．１１Ｔｏｒｒ 。
高周波電力２００Ｗの条件の下でグロー放電させる代り
に、表−１、ＮＩＬ ２に示す四弗化エチレンおよび酸
素をモ・、ル比（１：２）の割合で混合したガスを、ガ
ス圧８ ａｍ Ｔｏｒｒ：供給品周波電力１０Ｗの条件
の下でグロー放電させる以外は、実施例１と同様の処理
および工程を経て、支持体１０上のＣｏ−Ｎｉ合金層表
面にプラズマ重合層を形成した０上記プラズマ重合層形
成後、ケーシング内の残留ガスを排除した後、支持体１
０を取外し、Ｃｏ−Ｎｉ合金層に形成されたオーバコー
ト層をタリステッフ：Ｅ Ｓ ＣＡおよび元素分析法で
分析した結果、膜厚：２４０Ａ 膜組成： Ｃ０，３２■■０．０１Ｑ０．２９Ｆ０．３
８であることが確認できた。
に、表−１、ＮＩＬ ２に示す四弗化エチレンおよび酸
素をモ・、ル比（１：２）の割合で混合したガスを、ガ
ス圧８ ａｍ Ｔｏｒｒ：供給品周波電力１０Ｗの条件
の下でグロー放電させる以外は、実施例１と同様の処理
および工程を経て、支持体１０上のＣｏ−Ｎｉ合金層表
面にプラズマ重合層を形成した０上記プラズマ重合層形
成後、ケーシング内の残留ガスを排除した後、支持体１
０を取外し、Ｃｏ−Ｎｉ合金層に形成されたオーバコー
ト層をタリステッフ：Ｅ Ｓ ＣＡおよび元素分析法で
分析した結果、膜厚：２４０Ａ 膜組成： Ｃ０，３２■■０．０１Ｑ０．２９Ｆ０．３
８であることが確認できた。
かくして得られた支持体を１２．６５ｍｍ巾に裁断して
ビデオテープを作製した。この試料テープを実施例テー
プ２としンｋ。
ビデオテープを作製した。この試料テープを実施例テー
プ２としンｋ。
以下余白
表−１
実施例３゜
第１図に示す製造装置を用い、放電室内において、支持
体１０に形成したＣｏ−Ｎｉ合金層上で、オクタフルオ
ロシクロブタンおよび水素のをモル比（１：２）で混合
したガスを、ガス圧０．１１Ｔｏｒｒ、高周波電力２０
０Ｗの条件の下でグロー放電させる代シに、表−１、隘
３に示す四弗化エチレンおよび窒素をモル比（１：２）
の割合で混合したガスを、ガス圧１２ ａｒｍ Ｔｏｒ
ｒ：供給高周波電力１５Ｗの条件の下でグロー放電させ
る以外は、実施例１と同様の処理および工程を経て、支
持体１０上のＣｏ＝Ｎｔ合金層表面にプラズマ重合層を
形成した。
体１０に形成したＣｏ−Ｎｉ合金層上で、オクタフルオ
ロシクロブタンおよび水素のをモル比（１：２）で混合
したガスを、ガス圧０．１１Ｔｏｒｒ、高周波電力２０
０Ｗの条件の下でグロー放電させる代シに、表−１、隘
３に示す四弗化エチレンおよび窒素をモル比（１：２）
の割合で混合したガスを、ガス圧１２ ａｒｍ Ｔｏｒ
ｒ：供給高周波電力１５Ｗの条件の下でグロー放電させ
る以外は、実施例１と同様の処理および工程を経て、支
持体１０上のＣｏ＝Ｎｔ合金層表面にプラズマ重合層を
形成した。
上記プラズマ重合層形成後、ケーシング内の残留ガスを
排除した後、支持体１０を取外し、Ｃ。
排除した後、支持体１０を取外し、Ｃ。
−Ｎｉ合金層に形成されたオーバコート層をタリステッ
プ、Ｅ Ｓ ＣＡおよび元素分析法で分析した結果、膜
厚：１６０Ａ 膜組成： Ｃ０，２８００，０２Ｎ０．３２Ｆ０．３１
１であることが確認できた。
プ、Ｅ Ｓ ＣＡおよび元素分析法で分析した結果、膜
厚：１６０Ａ 膜組成： Ｃ０，２８００，０２Ｎ０．３２Ｆ０．３１
１であることが確認できた。
かくしてイひられた支持体を１２．６５５ｍ巾に裁断し
てビデオテープを作製した。この試料テープを実施例テ
ープ３とした。
てビデオテープを作製した。この試料テープを実施例テ
ープ３とした。
実施例４
Ｍ１図に示す製造装置を用い、放電室内において、支持
体１０に形成したＣｏ−Ｎｉ合金層上で、オクタンルオ
ロシクロブタンおよび水素のをモル比（１：２）で混合
したガスを、ガス圧０．ｉ １Ｔｏｒｒ ％高周波電力
２００Ｗの条件の下でグロー放電させる代りに、表−Ｉ
Ｎ［Ｌ４に示す四弗化エチレンおよび水素をモル比（
ｉ：ｉ）の割合で混合したガスを、ガス圧１６ ｗ Ｔ
ｏｒｒ：供給高周波電力ｌＯＷの条件の下でグロー放電
させる以外は、実施例１と同様の処理および工程金紗て
、支持体１０上のＣｏ−Ｎｉ合金層表面にプラズマ重合
層を形成した。
体１０に形成したＣｏ−Ｎｉ合金層上で、オクタンルオ
ロシクロブタンおよび水素のをモル比（１：２）で混合
したガスを、ガス圧０．ｉ １Ｔｏｒｒ ％高周波電力
２００Ｗの条件の下でグロー放電させる代りに、表−Ｉ
Ｎ［Ｌ４に示す四弗化エチレンおよび水素をモル比（
ｉ：ｉ）の割合で混合したガスを、ガス圧１６ ｗ Ｔ
ｏｒｒ：供給高周波電力ｌＯＷの条件の下でグロー放電
させる以外は、実施例１と同様の処理および工程金紗て
、支持体１０上のＣｏ−Ｎｉ合金層表面にプラズマ重合
層を形成した。
上記プラズマ重合）ｉ形成後、ケーシング内の残留ガス
を排除した後、支持体１０を取外し、σ０−Ｎｉ合金層
に形成されたオーバコート層をクリステツブ、ＥＳＣＡ
および元素分析法で分析した結果、膜厚二３００Ａ 膜組成： （：ｏ、）４Ｈｏ、ｏｙＱｏ、ｏ３ｐｏ４ｇ
であることが確認できた。
を排除した後、支持体１０を取外し、σ０−Ｎｉ合金層
に形成されたオーバコート層をクリステツブ、ＥＳＣＡ
および元素分析法で分析した結果、膜厚二３００Ａ 膜組成： （：ｏ、）４Ｈｏ、ｏｙＱｏ、ｏ３ｐｏ４ｇ
であることが確認できた。
かくして得られた支持体を１２．６５＋ｎ＋ａ巾に裁断
してビデオテープを作製した。この試料テープを実施例
テープ４とした。
してビデオテープを作製した。この試料テープを実施例
テープ４とした。
実施例５
第１図に示す製造装置を用い、放電室内において、支持
体重０に形成したＣｏ−Ｎｉ合金層上で、オクタンルオ
ロシクロブタンおよび水素のをモル比（１：２）で混合
したガスを、ガス圧０．１１ Ｔｏｒｒ 。
体重０に形成したＣｏ−Ｎｉ合金層上で、オクタンルオ
ロシクロブタンおよび水素のをモル比（１：２）で混合
したガスを、ガス圧０．１１ Ｔｏｒｒ 。
高周波電力２００Ｗの条件の下でグロー放電させる代り
に、表−１、Ｎ［Ｌ５に示す四弗化エチレンおよび水素
をモル比（１：５）の割合で混合したガスを、ガス圧１
５５ ｔｒａｎ Ｔｏｒｒ：供給高周波電力１５０Ｗの
条件の下でグロー放電させる以外は、実施例１と同様の
処理および工程を経て、支持体１０上のＣｏ−Ｎｉ合金
層表面にプラズマ重合層を形成した。
に、表−１、Ｎ［Ｌ５に示す四弗化エチレンおよび水素
をモル比（１：５）の割合で混合したガスを、ガス圧１
５５ ｔｒａｎ Ｔｏｒｒ：供給高周波電力１５０Ｗの
条件の下でグロー放電させる以外は、実施例１と同様の
処理および工程を経て、支持体１０上のＣｏ−Ｎｉ合金
層表面にプラズマ重合層を形成した。
上記プラズマ重合層形成後、ケーシング内の残留ガスを
排除した後、支持体１０を取外し、Ｃ０−Ｎｉ合金層に
形成されたオーバコート層をクリステツブ、ＥＳＣＡお
よび元素分析法に分析した結果、膜厚：２８０Ａ 膜組成： Ｃ０，４８Ｈ０，１１００，０２Ｆ０．３９
であることが確認できた。
排除した後、支持体１０を取外し、Ｃ０−Ｎｉ合金層に
形成されたオーバコート層をクリステツブ、ＥＳＣＡお
よび元素分析法に分析した結果、膜厚：２８０Ａ 膜組成： Ｃ０，４８Ｈ０，１１００，０２Ｆ０．３９
であることが確認できた。
かくして得られた支持体を１２．６５ａｍ中に裁断して
ビデオテープを作製した。この試料テープを実施例テー
プ５とした。
ビデオテープを作製した。この試料テープを実施例テー
プ５とした。
実施例６
第１図に示す製造装置を用い、放フｄ室内において、支
持体１０に形成したＧｏ−Ｎｉ合金層上で、オクタンル
オロシクロブタンおよび水先のをモル比（１：２）で混
合したガスを、ガス圧０．１１’ｌ’ｏｒｒ。
持体１０に形成したＧｏ−Ｎｉ合金層上で、オクタンル
オロシクロブタンおよび水先のをモル比（１：２）で混
合したガスを、ガス圧０．１１’ｌ’ｏｒｒ。
高周波電力２００Ｗの条件の下でグロー放電させる代シ
に、表−１、）Ｉ［１Ｇに示すＶｉｓｃｏａｔ ４ Ｆ
Ｍおよび水素をモル比（ｉ：ｉ）の割合で混合したガス
を、ガス圧１５順Ｔｏｒｒ：供給高周波゛Ｉにカ１５Ｗ
の条件の下でグロー放電させる以外は、実施例１と同様
の処理および工程を経て、支持体・１０上のＣｏ−Ｎｉ
合金層表面にプラズマ重合層を形成した。
に、表−１、）Ｉ［１Ｇに示すＶｉｓｃｏａｔ ４ Ｆ
Ｍおよび水素をモル比（ｉ：ｉ）の割合で混合したガス
を、ガス圧１５順Ｔｏｒｒ：供給高周波゛Ｉにカ１５Ｗ
の条件の下でグロー放電させる以外は、実施例１と同様
の処理および工程を経て、支持体・１０上のＣｏ−Ｎｉ
合金層表面にプラズマ重合層を形成した。
上記プラズマ重合層形成後、ケーシング内の残留ガスを
排除した後、支持体１０を取外し、Ｃ。
排除した後、支持体１０を取外し、Ｃ。
−Ｎ ｉ合金層に形成されたオーバコート層をクリステ
ツブ、ＥＳＣＡおよび元素分析法で分析した結果、膜厚
：２８０Ａ 膜組成： Ｃ０，２１Ｈ０，２２００，２３Ｆ０．３４
であることが確認できた。
ツブ、ＥＳＣＡおよび元素分析法で分析した結果、膜厚
：２８０Ａ 膜組成： Ｃ０，２１Ｈ０，２２００，２３Ｆ０．３４
であることが確認できた。
かくして得られた支持体を１２．６５問巾に裁断してビ
デオテープを作製した。この試料テープを実施例テープ
６とした。
デオテープを作製した。この試料テープを実施例テープ
６とした。
実施例７
０１図に示す製造装置を用い、放電室内において、支持
体１０に形成したＣｏ−Ｎｉ合金層上で、オクタンルオ
ロシクロブタンおよび水素のをモル比（１：２）で混合
したガスを、ガス圧０．１１Ｔｏｒｒ、高周波電力２０
０Ｗの条件の下でグロー放電させる代りに、衣−１、Ｎ
［Ｌ ７に示すＶｉａｃｏａｔ ４ＦＭおよび酸素をモ
ル比（１：３）の割合で混合したガスを、ガス圧２８
ｔａｒ Ｔｏｒｒ：供給高周波電力２０Ｗの条件の下で
グロー放電させる以外は、実施例１と同様の処理および
工程を経て、支持体１０上のＣｏ−Ｎｉ合金層に面にプ
ラズマ重合層を形成し〆ζ。
体１０に形成したＣｏ−Ｎｉ合金層上で、オクタンルオ
ロシクロブタンおよび水素のをモル比（１：２）で混合
したガスを、ガス圧０．１１Ｔｏｒｒ、高周波電力２０
０Ｗの条件の下でグロー放電させる代りに、衣−１、Ｎ
［Ｌ ７に示すＶｉａｃｏａｔ ４ＦＭおよび酸素をモ
ル比（１：３）の割合で混合したガスを、ガス圧２８
ｔａｒ Ｔｏｒｒ：供給高周波電力２０Ｗの条件の下で
グロー放電させる以外は、実施例１と同様の処理および
工程を経て、支持体１０上のＣｏ−Ｎｉ合金層に面にプ
ラズマ重合層を形成し〆ζ。
上記プラズマ重合１（４形成後、ケーシング内の残留ガ
スを排除した後、支持体１０を取外し、Ｃ。
スを排除した後、支持体１０を取外し、Ｃ。
−１Ｊｉ合金層に形成ぜれたオーバコート層−りをクリ
スプツブ、ＥＳＣＡおよび元素分析法で分析した結果、
〜 膜厚：３２０Ａ 膜組成： Ｃ０，２７ＨＯ，１３００，３１Ｆ０．２９
であることが確認できた。
スプツブ、ＥＳＣＡおよび元素分析法で分析した結果、
〜 膜厚：３２０Ａ 膜組成： Ｃ０，２７ＨＯ，１３００，３１Ｆ０．２９
であることが確認できた。
かくして’４られた支持体を１２．６５ｆＩＩＮ巾に代
断じてビデオテープを作製した。この試料テープを実施
例テープ７とし７゛ζ。
断じてビデオテープを作製した。この試料テープを実施
例テープ７とし７゛ζ。
実屈電ｊ例８
第１Ｍに示す製造装置を用い、ｌｊ’ｉ’、 ’ｊｊ’
ｊ室内において、支持体１０に形成したＣｏ−Ｎｉ合金
１ビ上で、オクタフルオロシクロブタンおよび水素のを
モル比（１：２）で混合したガスを、ガス圧０．１１
’Ｉ’ｏｒｒ ％高周波電力２００Ｗの条件の下でグロ
ー放１１ｔさせる代りに、表−１、随８に示すヘキサフ
ルオロベンゼンおよび窒素をモル比（１：５）の割合で
混合したガスを、ガス圧１ ’８５ ｍｍ Ｔｏｒｒ
：供給高周波電力２００Ｗの条件の下でグロー放電させ
る以外は、実施例１と同様の処理および工程を経て、支
持体１０上のＣｏ−Ｎｉ合金層表面にプラズマ重合層を
形成し４０ 上記プラズマ重合層形成後、ケーシング内の残留ガスを
錘除した後、支持体１０を取外し、Ｃ。
ｊ室内において、支持体１０に形成したＣｏ−Ｎｉ合金
１ビ上で、オクタフルオロシクロブタンおよび水素のを
モル比（１：２）で混合したガスを、ガス圧０．１１
’Ｉ’ｏｒｒ ％高周波電力２００Ｗの条件の下でグロ
ー放１１ｔさせる代りに、表−１、随８に示すヘキサフ
ルオロベンゼンおよび窒素をモル比（１：５）の割合で
混合したガスを、ガス圧１ ’８５ ｍｍ Ｔｏｒｒ
：供給高周波電力２００Ｗの条件の下でグロー放電させ
る以外は、実施例１と同様の処理および工程を経て、支
持体１０上のＣｏ−Ｎｉ合金層表面にプラズマ重合層を
形成し４０ 上記プラズマ重合層形成後、ケーシング内の残留ガスを
錘除した後、支持体１０を取外し、Ｃ。
−Ｎｉ合金層に形成されたオーバコート層をクリスプツ
ブ、ＥＳＣＡおよび元素分析法で分析した結果、 膜厚：２００Ａ 膜組成： Ｃ０，３９００，０１Ｎ０．１８Ｆ０．４２
であることが確認できた。
ブ、ＥＳＣＡおよび元素分析法で分析した結果、 膜厚：２００Ａ 膜組成： Ｃ０，３９００，０１Ｎ０．１８Ｆ０．４２
であることが確認できた。
かくして得られた支持体を１２．６５ｍｍ巾に裁断して
ビデオテープを作製した。この試料テープを実施例テー
プ８とした。
ビデオテープを作製した。この試料テープを実施例テー
プ８とした。
実施例９
第１図に示す製造装置を用い、放電室内において、支持
体１０に形成したＣｏ−Ｎｉ合金層上で、オクタフルオ
ロシクロブタンおよび水素のをモル比（１：２）で混合
したガスを、ガス圧０．１１Ｔｏｒｒｓ高周波電力２０
０Ｗの条件の下でグロー放電させる代シに、表−１、醜
９に示すヘキサフルオロベンゼンおよび水素をモル比（
１：３）の割合で混合したガスを、ガス圧１０５ ｗ
Ｔｏｒｒ：供給高周波電力１５０Ｗの条件の下でグロー
放電させる以外は、実施例１と同様の処理および工程を
経て、支持体１０上のＣｏ−Ｎｉ合金層表面にプラズマ
重合層を形成した。
体１０に形成したＣｏ−Ｎｉ合金層上で、オクタフルオ
ロシクロブタンおよび水素のをモル比（１：２）で混合
したガスを、ガス圧０．１１Ｔｏｒｒｓ高周波電力２０
０Ｗの条件の下でグロー放電させる代シに、表−１、醜
９に示すヘキサフルオロベンゼンおよび水素をモル比（
１：３）の割合で混合したガスを、ガス圧１０５ ｗ
Ｔｏｒｒ：供給高周波電力１５０Ｗの条件の下でグロー
放電させる以外は、実施例１と同様の処理および工程を
経て、支持体１０上のＣｏ−Ｎｉ合金層表面にプラズマ
重合層を形成した。
上記プラズマ重合層形成後、ケーシング内の残留ガスを
排除した後、支持体１０を取外し、Ｃ。
排除した後、支持体１０を取外し、Ｃ。
−Ｎｉ合金層に形成されたオーバコート層をクリスプツ
ブ、ＥＳＣＡおよび元素分析法で分析した結果、 膜厚：１８０Ａ 膜組成： Ｃ０，３７Ｈ０，０７００，０５Ｆ０．５１
であることが確認できた。
ブ、ＥＳＣＡおよび元素分析法で分析した結果、 膜厚：１８０Ａ 膜組成： Ｃ０，３７Ｈ０，０７００，０５Ｆ０．５１
であることが確認できた。
かぐして得られた支持体を１２．６５ｍ巾に裁断してビ
デオテープを作製した。この試料テープを実施例テープ
９とした。
デオテープを作製した。この試料テープを実施例テープ
９とした。
実施例１０
第１図に示す製造装置を用い、放電室内において、支持
体１０上に形成したＣｏ−Ｎｉ合金層上で、オクタフル
オロシクロブタンおよび水素なモル比（１：２）で混合
したガスを、ガス圧０．１１Ｔｏｒｒ ％高周波電力２
００Ｗの反応条件の下でグロー放電させる代りに、表−
１、Ｎａ １０に示す四弗化メタン、チオフェンおよび
水素をモル比（２０／１／１０） （Ｄ割合で混合した
ガスを、ガス圧５■Ｔｏｒｒ：、供給高周波電力１５Ｗ
の条件でグロー放電させた他は、実施例１と同様の処理
および工程を経て、Ｃｏ−Ｎｉ合金層表面にプラズマ重
合層を形成した。
体１０上に形成したＣｏ−Ｎｉ合金層上で、オクタフル
オロシクロブタンおよび水素なモル比（１：２）で混合
したガスを、ガス圧０．１１Ｔｏｒｒ ％高周波電力２
００Ｗの反応条件の下でグロー放電させる代りに、表−
１、Ｎａ １０に示す四弗化メタン、チオフェンおよび
水素をモル比（２０／１／１０） （Ｄ割合で混合した
ガスを、ガス圧５■Ｔｏｒｒ：、供給高周波電力１５Ｗ
の条件でグロー放電させた他は、実施例１と同様の処理
および工程を経て、Ｃｏ−Ｎｉ合金層表面にプラズマ重
合層を形成した。
上記プラズマ重合層形成後、製造装置内の残留ガスを排
除した後、支持体１０を取外し、Ｃｏ−Ｎｉ合金層に形
成されたオーバコート層をクリスプツブ、ＥＳＣＡおよ
び元素分析法で分析した結果、膜厚：２４ＯＡ 膜組成： Ｃ０，４８Ｈ０，２１００，０２Ｆ０．１３
８０．１６であることが確認できた。
除した後、支持体１０を取外し、Ｃｏ−Ｎｉ合金層に形
成されたオーバコート層をクリスプツブ、ＥＳＣＡおよ
び元素分析法で分析した結果、膜厚：２４ＯＡ 膜組成： Ｃ０，４８Ｈ０，２１００，０２Ｆ０．１３
８０．１６であることが確認できた。
かくして得られた広巾のテープを１２．６５ｍ中に裁断
してビデオテープを作製した。
してビデオテープを作製した。
この試料テープを実施例テープ１０とした。
実施例１１
第１図に示す製造装置を用い、グロー放電室内において
、支持体１０上に形成したＣｏ−Ｎｉ合金層上で、オク
タ７Ａ／オロシクロブタンおよび水素をモル比（１：２
）で混合したガスを、ガス圧０、１１ Ｔｏｒｒｓ高周
波電力２００Ｗの反応条件の下でグロー放電させる代り
に、表−１、Ｎα１１に示すパーフルオロシクロヘキサ
ン、トリメチルボレートおよび水素をモル比（２０／１
／１０ ）の割合で混合したガスを、ガス圧１０ ｙｅ
ｎ ’ｌ’Ｏｒｒ：供給高周波電力２０Ｗの条件でグロ
ー放電させた他は、実施例１と同様の処理および工程を
経て、Ｃｏ−Ｎｉ合金層表面にプラズマ重合層を形成し
たＯ 上記プラズマ重合層形成後、製造装置内の残留ガスを排
除した後、支持体１０を取外し、Ｃｏ−Ｎｉ合金層に形
成されたオーバコート層をタリステップ、ＥＳＣＡおよ
び元素分析法で分析した結果、膜組成：Ｃ００２ＺＨ０
，３２００，０２Ｆ０．２１８Ｏ，２３であることが確
認できた。
、支持体１０上に形成したＣｏ−Ｎｉ合金層上で、オク
タ７Ａ／オロシクロブタンおよび水素をモル比（１：２
）で混合したガスを、ガス圧０、１１ Ｔｏｒｒｓ高周
波電力２００Ｗの反応条件の下でグロー放電させる代り
に、表−１、Ｎα１１に示すパーフルオロシクロヘキサ
ン、トリメチルボレートおよび水素をモル比（２０／１
／１０ ）の割合で混合したガスを、ガス圧１０ ｙｅ
ｎ ’ｌ’Ｏｒｒ：供給高周波電力２０Ｗの条件でグロ
ー放電させた他は、実施例１と同様の処理および工程を
経て、Ｃｏ−Ｎｉ合金層表面にプラズマ重合層を形成し
たＯ 上記プラズマ重合層形成後、製造装置内の残留ガスを排
除した後、支持体１０を取外し、Ｃｏ−Ｎｉ合金層に形
成されたオーバコート層をタリステップ、ＥＳＣＡおよ
び元素分析法で分析した結果、膜組成：Ｃ００２ＺＨ０
，３２００，０２Ｆ０．２１８Ｏ，２３であることが確
認できた。
かくして得られた広巾のテープを１２．６５■巾に裁断
してビデオテープを作製した。
してビデオテープを作製した。
この試料テープを実施例テープ１１とした。
実施例１２
第１図に示す製造装置を用い、放電室内において、支持
体１０上に形成したＣｏ−Ｎｉ合金層上で、オクタフル
オロシクロブタンおよび水素をモル比（１：２）で混合
したガスを、ガス圧０．１１ Ｔｏｒｒ 。
体１０上に形成したＣｏ−Ｎｉ合金層上で、オクタフル
オロシクロブタンおよび水素をモル比（１：２）で混合
したガスを、ガス圧０．１１ Ｔｏｒｒ 。
ｈ周波電力２００Ｗの反応榮件の下でグロー放電させる
代りに、表−１、Ｎａ１２に示すパーフルオロシクロヘ
キサン、トリメチルフォスファイトおよび酸素をモル比
（４０／１／４０ ）の割合で混合したガスを、ガス圧
１８ ｔｒｐ＋ Ｔｏｒｒ：供給高周波電力２０Ｗの条
件でグロー放電させた他は、実施例１と同様の処理およ
び工程を経て、Ｃｏ−Ｎ１合金層表面にプラズマ重合層
を形成した。
代りに、表−１、Ｎａ１２に示すパーフルオロシクロヘ
キサン、トリメチルフォスファイトおよび酸素をモル比
（４０／１／４０ ）の割合で混合したガスを、ガス圧
１８ ｔｒｐ＋ Ｔｏｒｒ：供給高周波電力２０Ｗの条
件でグロー放電させた他は、実施例１と同様の処理およ
び工程を経て、Ｃｏ−Ｎ１合金層表面にプラズマ重合層
を形成した。
上記プラズマ重合層形成後、製造装置内の残留ガスを排
除した後、支持体１０を取外し、Ｃｏ−Ｎｉ合金層に形
成されたオーバコート層をタリステップ、ＥＳＣＡおよ
び元素分析法で分析した結果、膜厚：２２０Ａ 膜組成： Ｃ０，２２Ｈ０，３１００，１８Ｆ０．１１
１ＰＯ，＋ １であることが確認できた。
除した後、支持体１０を取外し、Ｃｏ−Ｎｉ合金層に形
成されたオーバコート層をタリステップ、ＥＳＣＡおよ
び元素分析法で分析した結果、膜厚：２２０Ａ 膜組成： Ｃ０，２２Ｈ０，３１００，１８Ｆ０．１１
１ＰＯ，＋ １であることが確認できた。
かくして得られた広［１］のテープを１２．６５咽巾に
裁断してビデオテープを作製した。
裁断してビデオテープを作製した。
この試料テープを実施例テープ１２とした。
実施例１３
第１図に示す製造装置を用い、放電室内において、支持
体１０土に形成したＣｏ−Ｎｉ合金＆ｉ上で、オクタフ
ルオロシクロブタンおよび水素をモル比（に２）で混合
したガスを、ガス圧０．１１ Ｔｏｒｒ 。
体１０土に形成したＣｏ−Ｎｉ合金＆ｉ上で、オクタフ
ルオロシクロブタンおよび水素をモル比（に２）で混合
したガスを、ガス圧０．１１ Ｔｏｒｒ 。
高周波電力２００Ｗの反応条件の下でグロー放電させる
代シに、表−ＩＳＦ１１１３に示すオクタフルオロシク
ロブタン、ベンゼンおよび窒素をモル比（５／３／４
ａ ）の割合で混合したガスを、ガス圧１９５＋ｍＴｏ
ｒｒ：供給高周波電力２２０Ｗの条件でグロー放電させ
た他は、実施例１と同様の処理および工程を経て、Ｃｏ
−Ｎｉ合金層表面にプラズマ重合層を形成した。
代シに、表−ＩＳＦ１１１３に示すオクタフルオロシク
ロブタン、ベンゼンおよび窒素をモル比（５／３／４
ａ ）の割合で混合したガスを、ガス圧１９５＋ｍＴｏ
ｒｒ：供給高周波電力２２０Ｗの条件でグロー放電させ
た他は、実施例１と同様の処理および工程を経て、Ｃｏ
−Ｎｉ合金層表面にプラズマ重合層を形成した。
上記プラズマ重合層形成後、製造装置内の残留ガスを排
除した後、支持体ｌＯを取外し、Ｃｏ−Ｎｉ合金層に形
成されたオーバコート層をタリステップ、ＥＳＣＡおよ
び元素分析法で分析した結果、膜厚：１８０Ａ 膜組成： Ｃｏ、ｚｓＨｏ、ａａＱｏ、ｏａＮｏ、ｔｓ
ｐｏｌｇであることが確認できた。
除した後、支持体ｌＯを取外し、Ｃｏ−Ｎｉ合金層に形
成されたオーバコート層をタリステップ、ＥＳＣＡおよ
び元素分析法で分析した結果、膜厚：１８０Ａ 膜組成： Ｃｏ、ｚｓＨｏ、ａａＱｏ、ｏａＮｏ、ｔｓ
ｐｏｌｇであることが確認できた。
かくして得られた広巾のテープを１２．６５ｍ中に裁断
してビデオテープを作製した。
してビデオテープを作製した。
この試料テープを実施例テープ１３とした。
実施例１４
第１図に示す製造装置を用い、放電室内において、支持
体１０上に形成したＣｏ−Ｎｉ合金層上で、オクタフル
オロシクロブタンおよび水素をモル比（１：２）で混合
したガスを、ガス圧Ｑ、 １１Ｔｏｒｒ ％高周波電力
２００Ｗの反応条件の下でグロー放電させる代りに、表
−１，Ｎａｌ ４に示すオクタフルナシクロブタン、テ
トラメチル７ランおよび酸素をモル比（１０／３／２０
）の割合そ混合したガスを、ガス圧ｇ ｍ Ｔｏｒｒ
：供給高周波電力１５Ｗの条件でグロー放電させた他
は、実施例１と同様の処理および工程を経て、Ｃｏ−Ｎ
ｉ合金層表面にプラズマ重合層を形成した。
体１０上に形成したＣｏ−Ｎｉ合金層上で、オクタフル
オロシクロブタンおよび水素をモル比（１：２）で混合
したガスを、ガス圧Ｑ、 １１Ｔｏｒｒ ％高周波電力
２００Ｗの反応条件の下でグロー放電させる代りに、表
−１，Ｎａｌ ４に示すオクタフルナシクロブタン、テ
トラメチル７ランおよび酸素をモル比（１０／３／２０
）の割合そ混合したガスを、ガス圧ｇ ｍ Ｔｏｒｒ
：供給高周波電力１５Ｗの条件でグロー放電させた他
は、実施例１と同様の処理および工程を経て、Ｃｏ−Ｎ
ｉ合金層表面にプラズマ重合層を形成した。
上記プラズマ重合層形成後、製造装置内の残留ガスを排
除した後、支持体１０を取外し、Ｃｏ−Ｎｉ合金層に形
成されたオーバコート層をタリステップ、ＥＳＣＡおよ
び元素分析法で分析した結果、膜厚：１６０Ａ 膜組成： Ｃ０，１１Ｈ０，３１１００，２１Ｆ０．１
ｙＳｉ ｏ、ｔ ｓでちることが確認できた。
除した後、支持体１０を取外し、Ｃｏ−Ｎｉ合金層に形
成されたオーバコート層をタリステップ、ＥＳＣＡおよ
び元素分析法で分析した結果、膜厚：１６０Ａ 膜組成： Ｃ０，１１Ｈ０，３１１００，２１Ｆ０．１
ｙＳｉ ｏ、ｔ ｓでちることが確認できた。
かくして得られた広巾のテープを１２．６５ ｍ＋＋＋
ｒｌｌに裁断してビデオテープを作製した。
ｒｌｌに裁断してビデオテープを作製した。
この試料テープを実施例テープ１４とした。
実施例１５
第１図に示す製造装置を用い、放電室内において、支持
体１０上に形成したＣ ｏ −Ｎ ｉ合金層上で、オク
タフルオロシクロブタンおよび水素をモル比（１：２）
で混合したガスを、ガス圧０．１１Ｔｏｒｒ 。
体１０上に形成したＣ ｏ −Ｎ ｉ合金層上で、オク
タフルオロシクロブタンおよび水素をモル比（１：２）
で混合したガスを、ガス圧０．１１Ｔｏｒｒ 。
高周波電力２００Ｗの反応条件の下でグロー放電させる
代りに、表−１、Ｈａ １５に示す四弗化エチレン、メ
チルメタクリレートおよび水素をモル比（５１５／２
）の割合で混合したガスを、ガス圧８鰭Ｔｏｒｒ：供給
高周波電力１５Ｗの搬件でグロー放電させだ他ば、実施
例１と同様の処理および工程を経て、Ｃｏ−Ｎｉ合金層
表面にプラズマ重合層を形成した。
代りに、表−１、Ｈａ １５に示す四弗化エチレン、メ
チルメタクリレートおよび水素をモル比（５１５／２
）の割合で混合したガスを、ガス圧８鰭Ｔｏｒｒ：供給
高周波電力１５Ｗの搬件でグロー放電させだ他ば、実施
例１と同様の処理および工程を経て、Ｃｏ−Ｎｉ合金層
表面にプラズマ重合層を形成した。
上記プラズマ重合層形成後、製造装置内の残留ガスを排
除した後、支持体１０を取外し、Ｃｏ−Ｎｉ合金層に形
成されたオーバコート層をタリステソプ、ＥＳＣＡおよ
び元素分析法で分析した結果、膜厚：２８０Ａ 膜組成： ００．３８Ｈ０，１１００，３８Ｆ０．１３
であることが確認できた。
除した後、支持体１０を取外し、Ｃｏ−Ｎｉ合金層に形
成されたオーバコート層をタリステソプ、ＥＳＣＡおよ
び元素分析法で分析した結果、膜厚：２８０Ａ 膜組成： ００．３８Ｈ０，１１００，３８Ｆ０．１３
であることが確認できた。
かくして得られた広巾のテープを１２．６５ｒ＋ｍ巾に
裁断してビデオテープを作製した。
裁断してビデオテープを作製した。
この試料テープを実施例テープ１５とした。
比較例１
第１図に示す製造装置を用い、放電室内において、支持
体１０に形成したＣｏ−Ｎｉ合金層上で、オクタフルオ
ロシクロブタンおよび水素なモル比（１： ２ ）テ混
合したガスを、ガス圧０．１１Ｔｏｒｒｓ供給高周波電
力２００Ｗの反応条件の下でグロー放電させる代りに、
下記の表−２、Ｍａｌに示す四弗化エチレンガスを、ガ
ス圧１００ ｔｒｔｐ＋ Ｔｏｒｒ：供給高周波電力５
０Ｗの条件の下でグロー放電させる以外は、実施例１と
同様の処理および工程を経て、支持体１０のＣｏ−Ｎｉ
合金層表面にプラズマ重合層をオーバコートした。
体１０に形成したＣｏ−Ｎｉ合金層上で、オクタフルオ
ロシクロブタンおよび水素なモル比（１： ２ ）テ混
合したガスを、ガス圧０．１１Ｔｏｒｒｓ供給高周波電
力２００Ｗの反応条件の下でグロー放電させる代りに、
下記の表−２、Ｍａｌに示す四弗化エチレンガスを、ガ
ス圧１００ ｔｒｔｐ＋ Ｔｏｒｒ：供給高周波電力５
０Ｗの条件の下でグロー放電させる以外は、実施例１と
同様の処理および工程を経て、支持体１０のＣｏ−Ｎｉ
合金層表面にプラズマ重合層をオーバコートした。
上記プラズマ重合層がオーバコートされた後、反応装置
内の残留ガスを排気した後、支持体１０を取外し、ｃｏ
−Ｎｉ合金層に形成されたオーバコート層をタリステッ
プ、ＥＳＣＡおよび元素分析中４組５父 ； （：６．
ｓ・ ＦＯＪ’１ ００．Ｏｔであることを確認した。
内の残留ガスを排気した後、支持体１０を取外し、ｃｏ
−Ｎｉ合金層に形成されたオーバコート層をタリステッ
プ、ＥＳＣＡおよび元素分析中４組５父 ； （：６．
ｓ・ ＦＯＪ’１ ００．Ｏｔであることを確認した。
かくしてイ静られた広巾のテープを、１２．６５πＢ巾
に裁断してビデオテープを作製した。この試料テープを
比較例テープ］どした。
に裁断してビデオテープを作製した。この試料テープを
比較例テープ］どした。
辰−２
比較例２
第１図に示ず製造装置を用い、放電室内において、支持
体］０に形成したＣｏ−Ｎｉ合金層上で、オクタフルオ
ロシクロブタンおよび水素なモル比（１：４）”’Ｃ”
混合シタガスを、カス圧０．１１’Ｉ’ｏｒｒ。
体］０に形成したＣｏ−Ｎｉ合金層上で、オクタフルオ
ロシクロブタンおよび水素なモル比（１：４）”’Ｃ”
混合シタガスを、カス圧０．１１’Ｉ’ｏｒｒ。
供給高周波電力２００Ｗの反応条件の下でグロー放電さ
せる代りに、下記の老−２、陥２に示す四弗化エチレン
およびエチレンをモル比（１ｉ１ ）の割合で混合した
ガスを、ガス圧８５ ｍｍ ’ｒｏｒｒ：供給高周波電
力５０Ｗの条件め下でグロー放電させる以外は、実施例
１と同様の処理および工程を経て、支持体１０のＣｏ
−Ｎ ｉ合金層表面にプラズマ重合層をオーバコートし
た。
せる代りに、下記の老−２、陥２に示す四弗化エチレン
およびエチレンをモル比（１ｉ１ ）の割合で混合した
ガスを、ガス圧８５ ｍｍ ’ｒｏｒｒ：供給高周波電
力５０Ｗの条件め下でグロー放電させる以外は、実施例
１と同様の処理および工程を経て、支持体１０のＣｏ
−Ｎ ｉ合金層表面にプラズマ重合層をオーバコートし
た。
上記プラズマ重合層がオーバコートされた後、反応装置
内の残留ガスを排気した後、支持体１゜を取外し、Ｃｏ
−Ｎｉ合金層に形成されたオーバコート層をクリスプツ
ブ、ＥＳＣＡおよび元素分析法で分析した結果、 膜厚：２２０Ａ 膜組成： ＣＯ，４２Ｉ（０，１３ＦＯ，４３Ｑ０．０
２であることを確認した。
内の残留ガスを排気した後、支持体１゜を取外し、Ｃｏ
−Ｎｉ合金層に形成されたオーバコート層をクリスプツ
ブ、ＥＳＣＡおよび元素分析法で分析した結果、 膜厚：２２０Ａ 膜組成： ＣＯ，４２Ｉ（０，１３ＦＯ，４３Ｑ０．０
２であることを確認した。
かくして得られた広巾のテープを、１２．６５ｍ巾に裁
断してビデオテープを作製した。この試料テープを比較
例テープ２とした。
断してビデオテープを作製した。この試料テープを比較
例テープ２とした。
比較例３
第１図に示す製造装置を用い、放電室内において、支持
体１０に形成しだＣｏ −Ｎ ｉ合金層上で、オクタフ
ルオロシクロブタンおよび酸素をモル比（１： １ ）
で混合したガスを、ガス圧０．１１Ｔｏｒｒ ％供給高
周波電力２００Ｗの反応午件の下でグロー放電させる代
りに、下記の表−２、Ｎα３に示すヘキサフルオロベン
ゼンガスを、ガス圧３５ ｆＪｉＴＯｒｒ：供給高周波
電力２０Ｗの条件の下でグロー放電させる以外は、実施
例１と同様の処理および工程を経て、支持体１０のＣｏ
−Ｎｉ合金層表面にプラズマ重合層をオーバコードンタ
。
体１０に形成しだＣｏ −Ｎ ｉ合金層上で、オクタフ
ルオロシクロブタンおよび酸素をモル比（１： １ ）
で混合したガスを、ガス圧０．１１Ｔｏｒｒ ％供給高
周波電力２００Ｗの反応午件の下でグロー放電させる代
りに、下記の表−２、Ｎα３に示すヘキサフルオロベン
ゼンガスを、ガス圧３５ ｆＪｉＴＯｒｒ：供給高周波
電力２０Ｗの条件の下でグロー放電させる以外は、実施
例１と同様の処理および工程を経て、支持体１０のＣｏ
−Ｎｉ合金層表面にプラズマ重合層をオーバコードンタ
。
上記プラズマ重合層がオーバコートされた後、反応装置
内の残留ガスを排気した後、支持体１０を取外し、Ｃｏ
−Ｎｉ合金層に形成されたオーバコート層をクリスプツ
ブ、ＥＳＣＡおよび元素分析法で分析した結果、 膜厚：３６０Ａ 膜組成： Ｃ０，５４Ｈ０，０ＩＦ０．４２００．０３
でちることを確認した。
内の残留ガスを排気した後、支持体１０を取外し、Ｃｏ
−Ｎｉ合金層に形成されたオーバコート層をクリスプツ
ブ、ＥＳＣＡおよび元素分析法で分析した結果、 膜厚：３６０Ａ 膜組成： Ｃ０，５４Ｈ０，０ＩＦ０．４２００．０３
でちることを確認した。
かくして得られた広巾のテープを、１２．６５ｍ巾に裁
断してビデオテープを作製した。この試料テープを比較
例テープ３とした。
断してビデオテープを作製した。この試料テープを比較
例テープ３とした。
比較例４
第１図に示す製造装置を用い、放ＴＬ室内において、支
持体１０に形成したＣｏ−Ｎｉ合金層上で、オクタフル
オロシクロブタンおよび酸素をモル比（１：１）で混合
したガスを、ガス圧０．１１Ｔｏｒｒ ％供給高周波′
准力２００Ｗの反応条件の下でグロー放電させる代りに
、下記の表−２、ｌ？α４に示すヘキサフルオロベンゼ
ンおよびスチレンをモル比（ｉ：Ｂの割合で混合し）ζ
ガスを、ガス圧１２ｔｍ Ｔｏｒｒ ：供給高周波電力
１０Ｗの条件の下でグロー放電させる以外は、実施例１
と同様の処理および工程を経て、支持体１０のＣｏ−Ｎ
ｉ合金層表面にプラズマ重合ｊ（１をオーバコートしだ
。
持体１０に形成したＣｏ−Ｎｉ合金層上で、オクタフル
オロシクロブタンおよび酸素をモル比（１：１）で混合
したガスを、ガス圧０．１１Ｔｏｒｒ ％供給高周波′
准力２００Ｗの反応条件の下でグロー放電させる代りに
、下記の表−２、ｌ？α４に示すヘキサフルオロベンゼ
ンおよびスチレンをモル比（ｉ：Ｂの割合で混合し）ζ
ガスを、ガス圧１２ｔｍ Ｔｏｒｒ ：供給高周波電力
１０Ｗの条件の下でグロー放電させる以外は、実施例１
と同様の処理および工程を経て、支持体１０のＣｏ−Ｎ
ｉ合金層表面にプラズマ重合ｊ（１をオーバコートしだ
。
上記プラズマ重合層がオーバコートされた後、反応装置
内の残留ガスを排気した後、支持体１０を取外し、Ｃｏ
−Ｎｉ合金層に形成されたオーバコート層をクリスプツ
ブ、ＥＳＣＡおよび元Ｘ分析法で分析した結果、 膜厚：３ＢＯＡ 膜組成： Ｃｏ、５ａｌ（ｏｉｓＦｏ、ｚａＱｏ、ｏｔ
であることを確認した。
内の残留ガスを排気した後、支持体１０を取外し、Ｃｏ
−Ｎｉ合金層に形成されたオーバコート層をクリスプツ
ブ、ＥＳＣＡおよび元Ｘ分析法で分析した結果、 膜厚：３ＢＯＡ 膜組成： Ｃｏ、５ａｌ（ｏｉｓＦｏ、ｚａＱｏ、ｏｔ
であることを確認した。
かくして得られた広巾のテープを、１２．６５ ｍｙ＋
巾に裁断してビデオテープを作製した。この試料テープ
を比較例テープ４とした。
巾に裁断してビデオテープを作製した。この試料テープ
を比較例テープ４とした。
比較例５
第１図に示す製造装置を用い、放電室内において、支持
体１０に形成したＣｏ−Ｎｉ合金層上で、オクタフルオ
ロシクロブタンおよび酸素をモル比（に１）で混合した
ガスを、ガス圧０． ｉ １Ｔｏｒｒ ％供給高周波電
力２００Ｗの反応条件の下でグロー放電させる代りに、
下記の表−２、尚５に示すＶｉａｃｏａｔ ４ Ｆ Ｍ
ガスを、ガス圧１０ ｖａｎ Ｔｏｒｒ：供給高周波電
力２０Ｗの条件の下でグロー放電させる以外は、実施例
１と同様の処理および工程を経て、支持体１０のＣｏ−
Ｎｉ合金層表面にプラズマ重合層をオーバコートした。
体１０に形成したＣｏ−Ｎｉ合金層上で、オクタフルオ
ロシクロブタンおよび酸素をモル比（に１）で混合した
ガスを、ガス圧０． ｉ １Ｔｏｒｒ ％供給高周波電
力２００Ｗの反応条件の下でグロー放電させる代りに、
下記の表−２、尚５に示すＶｉａｃｏａｔ ４ Ｆ Ｍ
ガスを、ガス圧１０ ｖａｎ Ｔｏｒｒ：供給高周波電
力２０Ｗの条件の下でグロー放電させる以外は、実施例
１と同様の処理および工程を経て、支持体１０のＣｏ−
Ｎｉ合金層表面にプラズマ重合層をオーバコートした。
上記プラズマ重合層がオーバコートされた後、反応装置
内の残留ガスを排気した後、支持体１０を取外し、Ｃｏ
−Ｎｉ合金層に形成されたオーバコート層をクリスプツ
ブ、ＥＳＣＡおよび元素分析法で分析した結果、 膜厚：２８０Ａ 膜組成： （：：ｏ４ｓ）ｉｏ、ｚ’ｙｐｏ３２Ｑｏ、
ｏ３であることを確認した。
内の残留ガスを排気した後、支持体１０を取外し、Ｃｏ
−Ｎｉ合金層に形成されたオーバコート層をクリスプツ
ブ、ＥＳＣＡおよび元素分析法で分析した結果、 膜厚：２８０Ａ 膜組成： （：：ｏ４ｓ）ｉｏ、ｚ’ｙｐｏ３２Ｑｏ、
ｏ３であることを確認した。
かくして得られた広巾のテープを、１２．６５ｍｍ巾に
裁断してビデオテープを作製した。この試料テープを比
較例テープ５とした。
裁断してビデオテープを作製した。この試料テープを比
較例テープ５とした。
比較例６
第１図に示す製造装置を用い、放電室内において、支持
体１０に形成したＣｏ−Ｎｉ合金層上で、オクタフルオ
ロシクロブタンおよび（（ｆｂ Ｆをモル比（１：１）
で混合したガスを、ガス圧０．１１Ｔｏｒｒ 。
体１０に形成したＣｏ−Ｎｉ合金層上で、オクタフルオ
ロシクロブタンおよび（（ｆｂ Ｆをモル比（１：１）
で混合したガスを、ガス圧０．１１Ｔｏｒｒ 。
供給高周波電力２００Ｗの反応条件の下でグロー放電さ
せる代りに、下記の表−２、Ｎα６に示すＶｉｓｃｏａ
ｔ ４ Ｆ Ｍガスを、ガス圧４５ ｔｎｍ Ｔｏｒｒ
：供給高周波電力２００Ｗの条件の下でグロー放電させ
る以外は、実施例１と同様の処理および工υを経て、支
持体１０のＣｏ −Ｎ ｉ合金層表面にプラズマ重合層
をオーバコートした。
せる代りに、下記の表−２、Ｎα６に示すＶｉｓｃｏａ
ｔ ４ Ｆ Ｍガスを、ガス圧４５ ｔｎｍ Ｔｏｒｒ
：供給高周波電力２００Ｗの条件の下でグロー放電させ
る以外は、実施例１と同様の処理および工υを経て、支
持体１０のＣｏ −Ｎ ｉ合金層表面にプラズマ重合層
をオーバコートした。
上記プラズマ重合層がオーバコートされた後、反応装置
内の残留ガスを排気した後、支持体１０を取外し、Ｃｏ
−Ｎｉ合金層に形成されたオーバコート層をタリステッ
プ、ＥＳＣＡおよび元素分析法で分析した結果、 膜厚：２８０Ａ 膜組成： Ｃ０，４７Ｉ（０，２６Ｆ０．２５００．０
２であることを確認した。
内の残留ガスを排気した後、支持体１０を取外し、Ｃｏ
−Ｎｉ合金層に形成されたオーバコート層をタリステッ
プ、ＥＳＣＡおよび元素分析法で分析した結果、 膜厚：２８０Ａ 膜組成： Ｃ０，４７Ｉ（０，２６Ｆ０．２５００．０
２であることを確認した。
かくして得られ水広巾のテープを、１２．６５ｍｍ巾に
裁断してビデオテ−プを作製した。この試料テープを比
較例テープ６とした。
裁断してビデオテ−プを作製した。この試料テープを比
較例テープ６とした。
次に、実施例１〜１５および比較例１〜６の処理ｆ：施
して得られた各実施例テープト１５および比較例テープ
ト６のオーバコート層の屈折率、テープの動摩擦係数、
σの劣化およびメチル寿命■）について測定した結果を
表−３に示す。
して得られた各実施例テープト１５および比較例テープ
ト６のオーバコート層の屈折率、テープの動摩擦係数、
σの劣化およびメチル寿命■）について測定した結果を
表−３に示す。
以下余白
表−３
ただし、表−３における屈折率、動摩擦係数、σ８劣化
率およびスチル寿命は次の方法に依り評価した。
率およびスチル寿命は次の方法に依り評価した。
（ａ） オーバコート層の屈折率：
エリプソメータを使用して測定した。
（ｂ） 動摩擦係数：
テープを温度２５℃：湿度５５裂雰囲気下で、２４時間
放置後、テープの一端をテンション検出部に取り付け、
他方の端には３０２荷重をかけて静止しておき、さらに
当該テープ下面に回転ローラ（直径４ ｔｔｔｒ＋ ）
を接触させて、周速度１４ ｍｎ／ｓｅｃで回転させた
とき、上記テンション検出部に検出される値をもって動
摩擦係数とした。
放置後、テープの一端をテンション検出部に取り付け、
他方の端には３０２荷重をかけて静止しておき、さらに
当該テープ下面に回転ローラ（直径４ ｔｔｔｒ＋ ）
を接触させて、周速度１４ ｍｎ／ｓｅｃで回転させた
とき、上記テンション検出部に検出される値をもって動
摩擦係数とした。
（ｃ） σ劣化率：
テープを高温・多湿の条件下（温度６０℃、相対湿度８
０％）において１週間放置した後の、当該テープの飽和
磁化σと、放置前のテープの飽和磁化σ８ｏとから、次
式に従ってめた、をもって表示した。
０％）において１週間放置した後の、当該テープの飽和
磁化σと、放置前のテープの飽和磁化σ８ｏとから、次
式に従ってめた、をもって表示した。
（ｄ） スチルジｊ命：
ＴＶ画面上の再生静止画像が消失する寸での時間を（６
）単位で表示した。１だ、前記実施例１〜１５および比
較例１〜６におけるテープのオーバコート居の膜厚はＲ
ａｎｋ Ｔａ１ｏｒ ｌｌｏｂｓｏｎ社製タリステップ
を用い常法に従って測定した。
）単位で表示した。１だ、前記実施例１〜１５および比
較例１〜６におけるテープのオーバコート居の膜厚はＲ
ａｎｋ Ｔａ１ｏｒ ｌｌｏｂｓｏｎ社製タリステップ
を用い常法に従って測定した。
表−３に表わされた測定結果から、オーバコート層の屈
折率が１．４５以下の試料テープ（比較例テープト６）
は、屈折率１．４５以上の試料テープ（実施例テープト
１５）Ｋ比べて、動摩擦係数、σ劣化率がいずれも太き
く、テープ走行性が悪くスリ傷を生じやすく、耐食＋’
４− （保存安定性）も劣ることが判る。
折率が１．４５以下の試料テープ（比較例テープト６）
は、屈折率１．４５以上の試料テープ（実施例テープト
１５）Ｋ比べて、動摩擦係数、σ劣化率がいずれも太き
く、テープ走行性が悪くスリ傷を生じやすく、耐食＋’
４− （保存安定性）も劣ることが判る。
さらに、オーバコート層の屈折率１４５以上の試料テー
プは、屈折率１．４５以下のオーバコート層を翁する試
料テープに比べて、スチル寿命が長く耐摩耗性が優れて
いることが判る。
プは、屈折率１．４５以下のオーバコート層を翁する試
料テープに比べて、スチル寿命が長く耐摩耗性が優れて
いることが判る。
表−３に示された測定値に基づいて、試料テープの屈折
率とスチル寿命との関係をプーットすると、第３図に示
すごとき結果となる。図中Ｘ印は、屈折率１．４５以下
の試料テープの特性値であり、ｅ印は、屈折率１．４５
以上の試料テープの特性値を表わす。この結果に基づい
て内挿線をプロットすると、曲線Ｃを得る。
率とスチル寿命との関係をプーットすると、第３図に示
すごとき結果となる。図中Ｘ印は、屈折率１．４５以下
の試料テープの特性値であり、ｅ印は、屈折率１．４５
以上の試料テープの特性値を表わす。この結果に基づい
て内挿線をプロットすると、曲線Ｃを得る。
内挿線Ｃから、磁性層上に屈折率１．４５以上の含弗素
イ１機プラズマ重合層をオーバコートした磁気１ｏ己録
々・古体は、スチル寿命が急叡に向上することが判る。
イ１機プラズマ重合層をオーバコートした磁気１ｏ己録
々・古体は、スチル寿命が急叡に向上することが判る。
〔ｆ〕 発明の効果：
以上のごとく、
（１）本発明の磁気記録媒体は、磁性層上に屈折率１４
５以上の含弗素有機プラズマ重合層を形成することによ
って、 ■ 磁気記録媒体の走行性を向上できる。
５以上の含弗素有機プラズマ重合層を形成することによ
って、 ■ 磁気記録媒体の走行性を向上できる。
■ 磁気記録媒体の耐食性、保存安定性を向上できる。
■ 磁気記録媒体の爾摩耗性を向上できる０■ 磁気記
録点体のメチル寿命を向上できる０（２） さらに、本
発明の（ｄ気記録媒体は、Ｉｉａ性層上において非プラ
ズマ重合性゛ガスと弗素含有有機化合物ガスを同時にプ
ラズマ処理することによって、容易に磁性層上に屈折率
１．４５以上の含弗素有機プラズマ重合層をオーバコー
トすることができる。
録点体のメチル寿命を向上できる０（２） さらに、本
発明の（ｄ気記録媒体は、Ｉｉａ性層上において非プラ
ズマ重合性゛ガスと弗素含有有機化合物ガスを同時にプ
ラズマ処理することによって、容易に磁性層上に屈折率
１．４５以上の含弗素有機プラズマ重合層をオーバコー
トすることができる。
２＋ｒ １図は、本発明の磁気記録媒体製造装置の要部
断面図、第２図は本発明の磁気記録媒体製造装置の他の
実施例の要部断面図、第３図は本発明にかかる磁気記録
媒体と比較例の磁気記録媒体のオーバコート層の屈折率
対メチル寿命の関係を示す特性曲線図である。 ２・・・・・・放電室、 ３・・・・・・支ｔＩ体送出
室、４・・・・・・支持体巻取り室、 ６・・・・・・
上部電極、７・・・・・・下部！極、 ８・・・・・・
マツチングボックス、９・・・・・・高周波電源、 １
０・・・・・・支持体、１１．１３・・・・・・支持体
リール 特許出願人 小西六写真工業抹式会社 第１図 第２図 ５ 第３図 万ｉ率 手続補正吉（自発） ８川１」５８年９月１４日 ′”ｇ’ＦＴ′″＊’ｆＥ ａ ＃ ；ＴＩＪ ＊ Ｍ
ぐ、−：、。 １、事件の表示 昭和５８年 ｌ旨 Ｒｉｌ 釦 亀１４５１９４号２、
発明の名称 磁気記録操体およびその製造方法 ３、補正をする者 η）件との関係 特許出願人 住 所 東京都新宿区西新宿１丁目２６番２号氏 名
（１２７）小西六写真工業株式会社４・代理人 〒１０
２ 住 所 東京都千代田区九段南２丁目２香８号明細書の
「発明の詳細な説明」の欄 ６、補正の内容 別紙のとおり。 、・−１ ７′・１．・・′プーーーー ６ ネｆｉｌ正の同容 （１） 明細書第１頁下から４行目の「・・・ｋ吹型磁
気記録媒体ＶＣ関する。」と）〕る記載を「・・・薄物
型磁気記録媒体およびその製造方法に関する。」とする
。 （２） 明＃＋１１書第３ｐ２行目の「・・・Ｗ、Ｊと
慶）るｄ己載を「・・・〜（Ｃ１」とし、同頁下から４
行目のト・１３５４２２月・・・」とある記載を１・・
１３５４４２号−」とする。 （３） 明細化−第７頁１３行目の「Ｗが０．７より大
きいと・・・」とある記載を「Ｚが０．７より太きいと
・・・」とする。 （４１’ＪＪ ａｌ ８ ｍ ９ Ｆｌ 下カラ３ 行
ｇ ）ｒ ・・・ＣＦ２−ＣＦ−）ｉｆ、・・・」とあ
る記載を［・・・Ｃ弓＝Ｃ）’−Ｉ（ｆ（但し、ゴはフ
ッ素置換された直釦状あるいは環状の一ルキル茫または
フッ素ダｒ換されたアリールアルキル基を表わす。以下
のＲｆについても同様。）、・・・」とする。 （５）明細書第９頁下かも２行目の「・・・ＣＨ，＝Ｃ
Ｈ−Ｒ・・・」とある記載を［・・・Ｃｕｔ−Ｃｌ−１
−Ｒｆ・・・」とする。 （６）明細書第９頁下から１行目のｒｃＨｔ −Ｃ（Ｒ
）−ＣＯＯＩｔｆ、・・・」とある記載をｒ ＣＨ，−
Ｃ（Ｒ） −ＣＱＱＩｔｆ（但し、１（は水素原子また
は戻水原子数が１から１０までのアルキル基を表わす。 ）、・・・」とず２）。 （力 明細１田、第１０頁下から６行目の「・・・ビニ
ルトリメト虻７ラン・・・」とある記、１シを１−・・
・ビニルトリメトキシシラン・・・」とする。 （８） 四純１舎卯、］０頁丁かも３〜２行目の１・・
・ヒリメチルフオスファイトリメチルボレートテトラメ
チルシラン・・・」とある記載を１・・・トリメチルフ
ォスファイト、トリメチルボレート、テトラメチルシラ
ン・・・」とする。 （９）明シ１１１書第１１頁下から６〜５行目の［・・
・酸化物系磁性材料や合金系磁性材料の中でも、・・・
」とある記載を削除する。 （１１明πロ１書第１６頁２行目の「・・・Ｅ Ｐ Ｃ
Ａ・・・」とある記載を「・・・ＥＳ ＣＡ・・・」と
する。 （ｌ］） ＃Ｊ細」第２５頁２行目の［・・・元素分析
法に・・・」とある記載を［・・・元素分明法で・・句
とする。 以上 手続補正書 ７□５♀・１２．、．１７８ （，、 特許庁長官 若杉相夫殿 ゛シ甚゛ゝ １ 事件の表示 昭和５８年 特 許 願第１４５１９４号２、発明の名
称 磁気記録媒体およびその製造方法 ３、 補正をする者 事件との関係 特許用り人 住 ＋９ｉ 東京都功宿区西肋宿１丁目２６番２号筐”
９（お。、（１２７）小西六与真工梨抹式会社代表Ｊｉ
Ｑ綿役 用本個彦 ６、 補正により増加する発明の数 １７、補正の対象 ｆｉｌ ｒ４％許法第３６糸」にょ゛る出ルｉｉを「特
許法第３８糸但し岱」の規定にょる％ ｒｌ「出願に補
正する。 （２、特許請求の範囲にεＣ載された発明の数」につい
て、２と補正する。 以上
断面図、第２図は本発明の磁気記録媒体製造装置の他の
実施例の要部断面図、第３図は本発明にかかる磁気記録
媒体と比較例の磁気記録媒体のオーバコート層の屈折率
対メチル寿命の関係を示す特性曲線図である。 ２・・・・・・放電室、 ３・・・・・・支ｔＩ体送出
室、４・・・・・・支持体巻取り室、 ６・・・・・・
上部電極、７・・・・・・下部！極、 ８・・・・・・
マツチングボックス、９・・・・・・高周波電源、 １
０・・・・・・支持体、１１．１３・・・・・・支持体
リール 特許出願人 小西六写真工業抹式会社 第１図 第２図 ５ 第３図 万ｉ率 手続補正吉（自発） ８川１」５８年９月１４日 ′”ｇ’ＦＴ′″＊’ｆＥ ａ ＃ ；ＴＩＪ ＊ Ｍ
ぐ、−：、。 １、事件の表示 昭和５８年 ｌ旨 Ｒｉｌ 釦 亀１４５１９４号２、
発明の名称 磁気記録操体およびその製造方法 ３、補正をする者 η）件との関係 特許出願人 住 所 東京都新宿区西新宿１丁目２６番２号氏 名
（１２７）小西六写真工業株式会社４・代理人 〒１０
２ 住 所 東京都千代田区九段南２丁目２香８号明細書の
「発明の詳細な説明」の欄 ６、補正の内容 別紙のとおり。 、・−１ ７′・１．・・′プーーーー ６ ネｆｉｌ正の同容 （１） 明細書第１頁下から４行目の「・・・ｋ吹型磁
気記録媒体ＶＣ関する。」と）〕る記載を「・・・薄物
型磁気記録媒体およびその製造方法に関する。」とする
。 （２） 明＃＋１１書第３ｐ２行目の「・・・Ｗ、Ｊと
慶）るｄ己載を「・・・〜（Ｃ１」とし、同頁下から４
行目のト・１３５４２２月・・・」とある記載を１・・
１３５４４２号−」とする。 （３） 明細化−第７頁１３行目の「Ｗが０．７より大
きいと・・・」とある記載を「Ｚが０．７より太きいと
・・・」とする。 （４１’ＪＪ ａｌ ８ ｍ ９ Ｆｌ 下カラ３ 行
ｇ ）ｒ ・・・ＣＦ２−ＣＦ−）ｉｆ、・・・」とあ
る記載を［・・・Ｃ弓＝Ｃ）’−Ｉ（ｆ（但し、ゴはフ
ッ素置換された直釦状あるいは環状の一ルキル茫または
フッ素ダｒ換されたアリールアルキル基を表わす。以下
のＲｆについても同様。）、・・・」とする。 （５）明細書第９頁下かも２行目の「・・・ＣＨ，＝Ｃ
Ｈ−Ｒ・・・」とある記載を［・・・Ｃｕｔ−Ｃｌ−１
−Ｒｆ・・・」とする。 （６）明細書第９頁下から１行目のｒｃＨｔ −Ｃ（Ｒ
）−ＣＯＯＩｔｆ、・・・」とある記載をｒ ＣＨ，−
Ｃ（Ｒ） −ＣＱＱＩｔｆ（但し、１（は水素原子また
は戻水原子数が１から１０までのアルキル基を表わす。 ）、・・・」とず２）。 （力 明細１田、第１０頁下から６行目の「・・・ビニ
ルトリメト虻７ラン・・・」とある記、１シを１−・・
・ビニルトリメトキシシラン・・・」とする。 （８） 四純１舎卯、］０頁丁かも３〜２行目の１・・
・ヒリメチルフオスファイトリメチルボレートテトラメ
チルシラン・・・」とある記載を１・・・トリメチルフ
ォスファイト、トリメチルボレート、テトラメチルシラ
ン・・・」とする。 （９）明シ１１１書第１１頁下から６〜５行目の［・・
・酸化物系磁性材料や合金系磁性材料の中でも、・・・
」とある記載を削除する。 （１１明πロ１書第１６頁２行目の「・・・Ｅ Ｐ Ｃ
Ａ・・・」とある記載を「・・・ＥＳ ＣＡ・・・」と
する。 （ｌ］） ＃Ｊ細」第２５頁２行目の［・・・元素分析
法に・・・」とある記載を［・・・元素分明法で・・句
とする。 以上 手続補正書 ７□５♀・１２．、．１７８ （，、 特許庁長官 若杉相夫殿 ゛シ甚゛ゝ １ 事件の表示 昭和５８年 特 許 願第１４５１９４号２、発明の名
称 磁気記録媒体およびその製造方法 ３、 補正をする者 事件との関係 特許用り人 住 ＋９ｉ 東京都功宿区西肋宿１丁目２６番２号筐”
９（お。、（１２７）小西六与真工梨抹式会社代表Ｊｉ
Ｑ綿役 用本個彦 ６、 補正により増加する発明の数 １７、補正の対象 ｆｉｌ ｒ４％許法第３６糸」にょ゛る出ルｉｉを「特
許法第３８糸但し岱」の規定にょる％ ｒｌ「出願に補
正する。 （２、特許請求の範囲にεＣ載された発明の数」につい
て、２と補正する。 以上
Claims (2)
- （１）支持体上に、磁性層と磁性層上に形成した屈折率
が１．４５以上の含弗素有機プラズマ重合層を有する磁
気記録媒体。 - （２）支持体上に磁性層を形成後、該磁性層上において
非プラズマ重合性ガスと弗素含有化合物を同時にプラズ
マ処理し、磁性層上に屈折率が１．４５以上の含弗素有
機プラズマ重合層を形成することを特徴とする磁気記録
媒体の製造方法。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP58145194A JPS6038728A (ja) | 1983-08-09 | 1983-08-09 | 磁気記録媒体およびその製造方法 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP58145194A JPS6038728A (ja) | 1983-08-09 | 1983-08-09 | 磁気記録媒体およびその製造方法 |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPS6038728A true JPS6038728A (ja) | 1985-02-28 |
| JPH0325850B2 JPH0325850B2 (ja) | 1991-04-09 |
Family
ID=15379595
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP58145194A Granted JPS6038728A (ja) | 1983-08-09 | 1983-08-09 | 磁気記録媒体およびその製造方法 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPS6038728A (ja) |
Cited By (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP2010049782A (ja) * | 2008-07-08 | 2010-03-04 | Seagate Technology Llc | 薄膜記憶媒体用パーフルオロポリエーテル潤滑薄膜 |
| JP2016521296A (ja) * | 2013-03-26 | 2016-07-21 | センブラント リミテッド | コーティングされた電気アセンブリ |
-
1983
- 1983-08-09 JP JP58145194A patent/JPS6038728A/ja active Granted
Cited By (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP2010049782A (ja) * | 2008-07-08 | 2010-03-04 | Seagate Technology Llc | 薄膜記憶媒体用パーフルオロポリエーテル潤滑薄膜 |
| JP2016521296A (ja) * | 2013-03-26 | 2016-07-21 | センブラント リミテッド | コーティングされた電気アセンブリ |
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| JPH0325850B2 (ja) | 1991-04-09 |
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