JPS6037531A - 光制御素子 - Google Patents
光制御素子Info
- Publication number
- JPS6037531A JPS6037531A JP14486783A JP14486783A JPS6037531A JP S6037531 A JPS6037531 A JP S6037531A JP 14486783 A JP14486783 A JP 14486783A JP 14486783 A JP14486783 A JP 14486783A JP S6037531 A JPS6037531 A JP S6037531A
- Authority
- JP
- Japan
- Prior art keywords
- optical
- switches
- waveguides
- waveguide
- thin metallic
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Pending
Links
Classifications
-
- G—PHYSICS
- G02—OPTICS
- G02F—OPTICAL DEVICES OR ARRANGEMENTS FOR THE CONTROL OF LIGHT BY MODIFICATION OF THE OPTICAL PROPERTIES OF THE MEDIA OF THE ELEMENTS INVOLVED THEREIN; NON-LINEAR OPTICS; FREQUENCY-CHANGING OF LIGHT; OPTICAL LOGIC ELEMENTS; OPTICAL ANALOGUE/DIGITAL CONVERTERS
- G02F1/00—Devices or arrangements for the control of the intensity, colour, phase, polarisation or direction of light arriving from an independent light source, e.g. switching, gating or modulating; Non-linear optics
- G02F1/29—Devices or arrangements for the control of the intensity, colour, phase, polarisation or direction of light arriving from an independent light source, e.g. switching, gating or modulating; Non-linear optics for the control of the position or the direction of light beams, i.e. deflection
- G02F1/31—Digital deflection, i.e. optical switching
- G02F1/313—Digital deflection, i.e. optical switching in an optical waveguide structure
-
- G—PHYSICS
- G02—OPTICS
- G02F—OPTICAL DEVICES OR ARRANGEMENTS FOR THE CONTROL OF LIGHT BY MODIFICATION OF THE OPTICAL PROPERTIES OF THE MEDIA OF THE ELEMENTS INVOLVED THEREIN; NON-LINEAR OPTICS; FREQUENCY-CHANGING OF LIGHT; OPTICAL LOGIC ELEMENTS; OPTICAL ANALOGUE/DIGITAL CONVERTERS
- G02F1/00—Devices or arrangements for the control of the intensity, colour, phase, polarisation or direction of light arriving from an independent light source, e.g. switching, gating or modulating; Non-linear optics
- G02F1/01—Devices or arrangements for the control of the intensity, colour, phase, polarisation or direction of light arriving from an independent light source, e.g. switching, gating or modulating; Non-linear optics for the control of the intensity, phase, polarisation or colour
- G02F1/0147—Devices or arrangements for the control of the intensity, colour, phase, polarisation or direction of light arriving from an independent light source, e.g. switching, gating or modulating; Non-linear optics for the control of the intensity, phase, polarisation or colour based on thermo-optic effects
Landscapes
- Physics & Mathematics (AREA)
- Nonlinear Science (AREA)
- General Physics & Mathematics (AREA)
- Optics & Photonics (AREA)
- Optical Integrated Circuits (AREA)
- Electrochromic Elements, Electrophoresis, Or Variable Reflection Or Absorption Elements (AREA)
Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
（産業上の利用分野）
この発明は元利９１累子、特に熱電気効果を用いた光ス
ィッチを複数個並列させた光制御ｉｌｌ累子に関する。
ィッチを複数個並列させた光制御ｉｌｌ累子に関する。
（ＯＥ米技術）
ガラス基板上にイオン交換によって基板よシ屈折率の商
い導波路を設けた光防４＊子はよく知られている。
い導波路を設けた光防４＊子はよく知られている。
一方、ガラス等のｖｊ１１Ｌ体媒質社温ｌによって屈折
率が変化し、１００℃の昇湛によって１０−３程度の屈
折率上昇が見られ、これはイオン交換による屈折率変化
と同程度である口 これを利用し、イオン交換法によって形成する光導波路
の一部をイオン交換せずに導波路を切断しておき、この
切ｌ＃ｒ部上に導波路と同形の抵抗発熱膜を形成し、光
スイツチ素子とすることが試与られている。この素子で
は、一方の光導波路から入射した元は、導波路の切断部
で拡散してしまう。しかし、切ｗｔ部上の発熱体に通電
し、その直下の基板を加熱すると、該部分が導波路とほ
ぼ同じ屈折率を持ち、一方Ｖ）導波路から入射した光は
そのまま曲刃／／）導波路へと導かれる０このように構
成された光スィッチは、導波路幅２０μｍ％導ｔＢＬ路
切断部長０．５ ｍｍ 。
率が変化し、１００℃の昇湛によって１０−３程度の屈
折率上昇が見られ、これはイオン交換による屈折率変化
と同程度である口 これを利用し、イオン交換法によって形成する光導波路
の一部をイオン交換せずに導波路を切断しておき、この
切ｌ＃ｒ部上に導波路と同形の抵抗発熱膜を形成し、光
スイツチ素子とすることが試与られている。この素子で
は、一方の光導波路から入射した元は、導波路の切断部
で拡散してしまう。しかし、切ｗｔ部上の発熱体に通電
し、その直下の基板を加熱すると、該部分が導波路とほ
ぼ同じ屈折率を持ち、一方Ｖ）導波路から入射した光は
そのまま曲刃／／）導波路へと導かれる０このように構
成された光スィッチは、導波路幅２０μｍ％導ｔＢＬ路
切断部長０．５ ｍｍ 。
抵抗発熱体として約０．２μｍ岸のＴｉ 薄膜によシ、
。Ｎ１０）’Ｆ元出出力比約１０応答連ｋが０．５ｍ８
程度のデータが優られている。
。Ｎ１０）’Ｆ元出出力比約１０応答連ｋが０．５ｍ８
程度のデータが優られている。
このような光スィッチを複数個、＾密度で同一基板上に
形成できれは、光スイツチアレイとして光通信用デバイ
ス、光ＩＣあるいは光誉込用デバイスとして応用面が大
きく拡大するものと期待されている。
形成できれは、光スイツチアレイとして光通信用デバイ
ス、光ＩＣあるいは光誉込用デバイスとして応用面が大
きく拡大するものと期待されている。
ところが、このような光スィッチを第１図のように近接
して並べた場合、主に導波路切断部から出た５は１折に
よって拡がシ、隣接する光導波路にも入ってしまり机象
が生じる。すなわち、第１図でＢのスイッチを作動させ
ると、スイッチＡおよびＣからの出力が減少する。また
そのため、入力端で等皺の４波光を入射させても、出力
端で会だ各線路の強度が勢しくならないと云う塊象が生
じる。さらに、導波光■洩れが多く、各スイッチからの
出力光が鮮明なスポットにならず、スイッチ間Ｏ光の分
離が不可能になってしまう。図中１れ基板、２は光導波
路、３は抵抗発熱体である。
して並べた場合、主に導波路切断部から出た５は１折に
よって拡がシ、隣接する光導波路にも入ってしまり机象
が生じる。すなわち、第１図でＢのスイッチを作動させ
ると、スイッチＡおよびＣからの出力が減少する。また
そのため、入力端で等皺の４波光を入射させても、出力
端で会だ各線路の強度が勢しくならないと云う塊象が生
じる。さらに、導波光■洩れが多く、各スイッチからの
出力光が鮮明なスポットにならず、スイッチ間Ｏ光の分
離が不可能になってしまう。図中１れ基板、２は光導波
路、３は抵抗発熱体である。
（発明の目的）
この発明は、上記のように光スィッチを集積化した場合
の相互干渉いわゆるクロストークをなくした光制御素子
を得ようとするものである。
の相互干渉いわゆるクロストークをなくした光制御素子
を得ようとするものである。
（発明■構成）
この発明の先制ｍ素子は、第２図に示すように、基板１
上に形成された光導波路２間にＡｔ勢の金＠薄膜を設け
ることによって、切断部から横に拡がる光を除去するよ
うにしたものである。
上に形成された光導波路２間にＡｔ勢の金＠薄膜を設け
ることによって、切断部から横に拡がる光を除去するよ
うにしたものである。
Ａｔ等の金ｍｌ腺は光の吸収が大きく、これによって基
板鉄面にまつわ如ついて横方向に広がる光を吸収するこ
とができる。勿論、導波路切断部からの光は基板の厚与
方向へも拡散するが、向えばに＋ｒオン交換で作られる
光導波路２の厚へＦｉｉ、 ｓ〜２μｍ程度であ）、厚
め方向へ拡散する光の影Ｉｗは小さい。従って、導波路
間の基板表面に設けた金ｈ４薄膜によって効果的にスイ
ッチ間のクロストークをなくすることができる。
板鉄面にまつわ如ついて横方向に広がる光を吸収するこ
とができる。勿論、導波路切断部からの光は基板の厚与
方向へも拡散するが、向えばに＋ｒオン交換で作られる
光導波路２の厚へＦｉｉ、 ｓ〜２μｍ程度であ）、厚
め方向へ拡散する光の影Ｉｗは小さい。従って、導波路
間の基板表面に設けた金ｈ４薄膜によって効果的にスイ
ッチ間のクロストークをなくすることができる。
また、こ■金鵬膜４と導波路２ｖ）間隔を１０μｍ以上
とれば、纒波光自体の伝搬損失の増加は、１〜２ ｄＢ
におさえることが出来る。
とれば、纒波光自体の伝搬損失の増加は、１〜２ ｄＢ
におさえることが出来る。
イオン交換によってｆｔ、導波路を形成するには、基板
表面にＡｔ等のマスク膜を作シ、これに導波路形状の窓
をあけてイオン交換を行なうが、このマスク膜を残して
おき、縦接にフォトエツチング等によシ吸収膜を形成す
れはよい。
表面にＡｔ等のマスク膜を作シ、これに導波路形状の窓
をあけてイオン交換を行なうが、このマスク膜を残して
おき、縦接にフォトエツチング等によシ吸収膜を形成す
れはよい。
上記のようにして、導波路幅２０μｍ 、 Ｔｉスパッ
タ膜の抵抗発熱体の幅２０μｍ１厚さ０゜２μｍ１長さ
Ｑ、５ｍｒｎ、Ａｔの洩れ光吸収用金属膜厚さ１μｍ１
幅２０μｍ光導波路ピッチ６０μｍで、全体で１０チヤ
ンネルの導波路を持つデバイスを試作し、クロストーク
のない、鮮明な出力光スポットを得ることが確認できた
。
タ膜の抵抗発熱体の幅２０μｍ１厚さ０゜２μｍ１長さ
Ｑ、５ｍｒｎ、Ａｔの洩れ光吸収用金属膜厚さ１μｍ１
幅２０μｍ光導波路ピッチ６０μｍで、全体で１０チヤ
ンネルの導波路を持つデバイスを試作し、クロストーク
のない、鮮明な出力光スポットを得ることが確認できた
。
（発明り効果）
この発明は上記のように、導波路間の基板表（３）に光
秋収膜を設けるという部活な構造で、効果的に元スイッ
チ間のクロストークを防止し、光スィッチの集積化を可
能としたＯまた、その光畝収膜は、イオン交換のための
金属薄膜マスクをそのまま杓吊できるので、製造工程も
特に複体となる仁とはない等、顕蓄な効果を秦する。
秋収膜を設けるという部活な構造で、効果的に元スイッ
チ間のクロストークを防止し、光スィッチの集積化を可
能としたＯまた、その光畝収膜は、イオン交換のための
金属薄膜マスクをそのまま杓吊できるので、製造工程も
特に複体となる仁とはない等、顕蓄な効果を秦する。
姶１図Ｖｉ従来υ元スイッチを集積化したデバイスυ里
面図、第２図はこの発明の光スィッチを集積化したデバ
イスＱ１実施例のｉト面図１：基板 ２：光導波路 ３
：発熱抵抗体４：金−薄膜 特許出願人 医式会旺 リ コ − 出願人代理人 弁理士 佐 藤 文 男（ほか１名）
面図、第２図はこの発明の光スィッチを集積化したデバ
イスＱ１実施例のｉト面図１：基板 ２：光導波路 ３
：発熱抵抗体４：金−薄膜 特許出願人 医式会旺 リ コ − 出願人代理人 弁理士 佐 藤 文 男（ほか１名）
Claims (1)
- 透明基板上に屈折率が該基板よシわずかに高くして形成
された複数の並列した光導波路を有し、該導波路の切断
部分上に各導波路毎に独立した発熱体を配設して複数の
光スィッチを形成すると共に、上記各党スイッチ間の基
板表面に金楓薄膜を設けたことを特徴とする光制御！Ｉ
Ｉ子
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP14486783A JPS6037531A (ja) | 1983-08-10 | 1983-08-10 | 光制御素子 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP14486783A JPS6037531A (ja) | 1983-08-10 | 1983-08-10 | 光制御素子 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPS6037531A true JPS6037531A (ja) | 1985-02-26 |
Family
ID=15372236
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP14486783A Pending JPS6037531A (ja) | 1983-08-10 | 1983-08-10 | 光制御素子 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPS6037531A (ja) |
Cited By (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP2005331857A (ja) * | 2004-05-21 | 2005-12-02 | Sony Corp | 表示装置 |
-
1983
- 1983-08-10 JP JP14486783A patent/JPS6037531A/ja active Pending
Cited By (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP2005331857A (ja) * | 2004-05-21 | 2005-12-02 | Sony Corp | 表示装置 |
| JP4691902B2 (ja) * | 2004-05-21 | 2011-06-01 | ソニー株式会社 | 表示装置 |
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