JPS6037180A - 薄膜太陽電池構造体 - Google Patents
薄膜太陽電池構造体Info
- Publication number
- JPS6037180A JPS6037180A JP59093079A JP9307984A JPS6037180A JP S6037180 A JPS6037180 A JP S6037180A JP 59093079 A JP59093079 A JP 59093079A JP 9307984 A JP9307984 A JP 9307984A JP S6037180 A JPS6037180 A JP S6037180A
- Authority
- JP
- Japan
- Prior art keywords
- solar cell
- foil
- cell structure
- structure according
- network
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Pending
Links
- 239000010409 thin film Substances 0.000 title claims description 8
- 239000011888 foil Substances 0.000 claims description 44
- 239000000758 substrate Substances 0.000 claims description 30
- 239000012783 reinforcing fiber Substances 0.000 claims description 13
- 239000004033 plastic Substances 0.000 claims description 12
- 229920003023 plastic Polymers 0.000 claims description 12
- 238000005219 brazing Methods 0.000 claims description 7
- 239000000463 material Substances 0.000 claims description 7
- 238000000034 method Methods 0.000 claims description 7
- 230000008878 coupling Effects 0.000 claims description 5
- 238000010168 coupling process Methods 0.000 claims description 5
- 238000005859 coupling reaction Methods 0.000 claims description 5
- 238000004519 manufacturing process Methods 0.000 claims description 5
- 239000011521 glass Substances 0.000 claims description 3
- 229920000049 Carbon (fiber) Polymers 0.000 claims description 2
- 239000004760 aramid Substances 0.000 claims description 2
- 229920006231 aramid fiber Polymers 0.000 claims description 2
- 239000004917 carbon fiber Substances 0.000 claims description 2
- 239000000835 fiber Substances 0.000 claims description 2
- VNWKTOKETHGBQD-UHFFFAOYSA-N methane Chemical compound C VNWKTOKETHGBQD-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims 1
- 229910052751 metal Inorganic materials 0.000 description 8
- 239000002184 metal Substances 0.000 description 8
- 239000004065 semiconductor Substances 0.000 description 6
- 229910044991 metal oxide Inorganic materials 0.000 description 4
- 150000004706 metal oxides Chemical class 0.000 description 4
- 229910021417 amorphous silicon Inorganic materials 0.000 description 3
- 239000002800 charge carrier Substances 0.000 description 2
- 239000003795 chemical substances by application Substances 0.000 description 2
- 230000002787 reinforcement Effects 0.000 description 2
- 239000000126 substance Substances 0.000 description 2
- UGFAIRIUMAVXCW-UHFFFAOYSA-N Carbon monoxide Chemical compound [O+]#[C-] UGFAIRIUMAVXCW-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 229920002430 Fibre-reinforced plastic Polymers 0.000 description 1
- YCKRFDGAMUMZLT-UHFFFAOYSA-N Fluorine atom Chemical compound [F] YCKRFDGAMUMZLT-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 239000004952 Polyamide Substances 0.000 description 1
- 239000004642 Polyimide Substances 0.000 description 1
- 239000000853 adhesive Substances 0.000 description 1
- 230000001070 adhesive effect Effects 0.000 description 1
- 230000002411 adverse Effects 0.000 description 1
- 230000015572 biosynthetic process Effects 0.000 description 1
- CJOBVZJTOIVNNF-UHFFFAOYSA-N cadmium sulfide Chemical compound [Cd]=S CJOBVZJTOIVNNF-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 229910052980 cadmium sulfide Inorganic materials 0.000 description 1
- 230000005779 cell damage Effects 0.000 description 1
- 208000037887 cell injury Diseases 0.000 description 1
- 239000011248 coating agent Substances 0.000 description 1
- 238000000576 coating method Methods 0.000 description 1
- 238000001816 cooling Methods 0.000 description 1
- 238000005520 cutting process Methods 0.000 description 1
- 230000008021 deposition Effects 0.000 description 1
- 238000005516 engineering process Methods 0.000 description 1
- 239000003822 epoxy resin Substances 0.000 description 1
- 238000005530 etching Methods 0.000 description 1
- 230000002349 favourable effect Effects 0.000 description 1
- 239000011151 fibre-reinforced plastic Substances 0.000 description 1
- 239000011152 fibreglass Substances 0.000 description 1
- 239000002657 fibrous material Substances 0.000 description 1
- 229920002457 flexible plastic Polymers 0.000 description 1
- 229910052731 fluorine Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000011737 fluorine Substances 0.000 description 1
- 229910052732 germanium Inorganic materials 0.000 description 1
- GNPVGFCGXDBREM-UHFFFAOYSA-N germanium atom Chemical compound [Ge] GNPVGFCGXDBREM-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 239000003365 glass fiber Substances 0.000 description 1
- 230000005484 gravity Effects 0.000 description 1
- 239000007943 implant Substances 0.000 description 1
- 230000000670 limiting effect Effects 0.000 description 1
- 230000007257 malfunction Effects 0.000 description 1
- 230000000873 masking effect Effects 0.000 description 1
- 239000000155 melt Substances 0.000 description 1
- 229910001092 metal group alloy Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000007769 metal material Substances 0.000 description 1
- 229920002647 polyamide Polymers 0.000 description 1
- 229920000647 polyepoxide Polymers 0.000 description 1
- 229920001721 polyimide Polymers 0.000 description 1
- 229920000915 polyvinyl chloride Polymers 0.000 description 1
- 239000004800 polyvinyl chloride Substances 0.000 description 1
- 238000007665 sagging Methods 0.000 description 1
- 239000004753 textile Substances 0.000 description 1
Classifications
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L31/00—Semiconductor devices sensitive to infrared radiation, light, electromagnetic radiation of shorter wavelength or corpuscular radiation and specially adapted either for the conversion of the energy of such radiation into electrical energy or for the control of electrical energy by such radiation; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof
- H01L31/02—Details
- H01L31/0224—Electrodes
- H01L31/022408—Electrodes for devices characterised by at least one potential jump barrier or surface barrier
- H01L31/022425—Electrodes for devices characterised by at least one potential jump barrier or surface barrier for solar cells
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L31/00—Semiconductor devices sensitive to infrared radiation, light, electromagnetic radiation of shorter wavelength or corpuscular radiation and specially adapted either for the conversion of the energy of such radiation into electrical energy or for the control of electrical energy by such radiation; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof
- H01L31/02—Details
- H01L31/02002—Arrangements for conducting electric current to or from the device in operations
- H01L31/02005—Arrangements for conducting electric current to or from the device in operations for device characterised by at least one potential jump barrier or surface barrier
- H01L31/02008—Arrangements for conducting electric current to or from the device in operations for device characterised by at least one potential jump barrier or surface barrier for solar cells or solar cell modules
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L31/00—Semiconductor devices sensitive to infrared radiation, light, electromagnetic radiation of shorter wavelength or corpuscular radiation and specially adapted either for the conversion of the energy of such radiation into electrical energy or for the control of electrical energy by such radiation; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof
- H01L31/0248—Semiconductor devices sensitive to infrared radiation, light, electromagnetic radiation of shorter wavelength or corpuscular radiation and specially adapted either for the conversion of the energy of such radiation into electrical energy or for the control of electrical energy by such radiation; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof characterised by their semiconductor bodies
- H01L31/036—Semiconductor devices sensitive to infrared radiation, light, electromagnetic radiation of shorter wavelength or corpuscular radiation and specially adapted either for the conversion of the energy of such radiation into electrical energy or for the control of electrical energy by such radiation; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof characterised by their semiconductor bodies characterised by their crystalline structure or particular orientation of the crystalline planes
- H01L31/0392—Semiconductor devices sensitive to infrared radiation, light, electromagnetic radiation of shorter wavelength or corpuscular radiation and specially adapted either for the conversion of the energy of such radiation into electrical energy or for the control of electrical energy by such radiation; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof characterised by their semiconductor bodies characterised by their crystalline structure or particular orientation of the crystalline planes including thin films deposited on metallic or insulating substrates ; characterised by specific substrate materials or substrate features or by the presence of intermediate layers, e.g. barrier layers, on the substrate
- H01L31/03921—Semiconductor devices sensitive to infrared radiation, light, electromagnetic radiation of shorter wavelength or corpuscular radiation and specially adapted either for the conversion of the energy of such radiation into electrical energy or for the control of electrical energy by such radiation; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof characterised by their semiconductor bodies characterised by their crystalline structure or particular orientation of the crystalline planes including thin films deposited on metallic or insulating substrates ; characterised by specific substrate materials or substrate features or by the presence of intermediate layers, e.g. barrier layers, on the substrate including only elements of Group IV of the Periodic Table
-
- Y—GENERAL TAGGING OF NEW TECHNOLOGICAL DEVELOPMENTS; GENERAL TAGGING OF CROSS-SECTIONAL TECHNOLOGIES SPANNING OVER SEVERAL SECTIONS OF THE IPC; TECHNICAL SUBJECTS COVERED BY FORMER USPC CROSS-REFERENCE ART COLLECTIONS [XRACs] AND DIGESTS
- Y02—TECHNOLOGIES OR APPLICATIONS FOR MITIGATION OR ADAPTATION AGAINST CLIMATE CHANGE
- Y02E—REDUCTION OF GREENHOUSE GAS [GHG] EMISSIONS, RELATED TO ENERGY GENERATION, TRANSMISSION OR DISTRIBUTION
- Y02E10/00—Energy generation through renewable energy sources
- Y02E10/50—Photovoltaic [PV] energy
Landscapes
- Engineering & Computer Science (AREA)
- Microelectronics & Electronic Packaging (AREA)
- Physics & Mathematics (AREA)
- Condensed Matter Physics & Semiconductors (AREA)
- Electromagnetism (AREA)
- General Physics & Mathematics (AREA)
- Computer Hardware Design (AREA)
- Power Engineering (AREA)
- Sustainable Development (AREA)
- Sustainable Energy (AREA)
- Life Sciences & Earth Sciences (AREA)
- Chemical & Material Sciences (AREA)
- Crystallography & Structural Chemistry (AREA)
- Photovoltaic Devices (AREA)
Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
基体を有し、その中に太陽電池を電気的に結合するため
の導電部材が相重力って埋め込まれているような薄膜太
陽電池宿造体に関するものである。
の導電部材が相重力って埋め込まれているような薄膜太
陽電池宿造体に関するものである。
薄膜太陽電池は普通支持体として役立つ基体上に連続層
として多数の方法ステップで取り付けられるものである
。この連続層はその際少くとも１つの感光性半導体層を
含み、その半導体層中には光の入射があると電荷キャリ
アが生じ、そして空間的に分離される。電荷キャリアは
半導体層に関して互いに向き合った２つの電極層に集め
られ、そして付属の電気的接続部材を介して引き出され
る。これらの感光性の半導体層は例えばアモルファスの
シリコンから出来ているが、しかしまたゲルマニウム，
硫化カドミウム又は他の適当な材料で作ることもできる
。光の入射する方向に向けられた電極層は充分な透踏一
酸化物（ＩＴＯ）が選ばれる。光の入射するのと反対の
方向の電極層は普通一種類の金属又は金属合金でできて
おり、これらは金属酸化物よりもより高い電気導電性を
有するものである。基体として、即ち支持体用箔として
は例えば金属箔又はプラスチック箔が使われる。透明れ
らの箔は光の入射方向に向けられうるし、、製造プロセ
スの最中に太陽電池の取り付けらるべき第１の層として
透明で導電性のある金属酸化物層でもってコーティング
されうる。基体として金属箔または不透明乃至は半透明
のプラスチック箔を使用する場合にこの基体は光の入射
と反対の電池の側に配設されるでしよう、その際まず第
一に金属製の裏側電極はなくガねつるものである。
として多数の方法ステップで取り付けられるものである
。この連続層はその際少くとも１つの感光性半導体層を
含み、その半導体層中には光の入射があると電荷キャリ
アが生じ、そして空間的に分離される。電荷キャリアは
半導体層に関して互いに向き合った２つの電極層に集め
られ、そして付属の電気的接続部材を介して引き出され
る。これらの感光性の半導体層は例えばアモルファスの
シリコンから出来ているが、しかしまたゲルマニウム，
硫化カドミウム又は他の適当な材料で作ることもできる
。光の入射する方向に向けられた電極層は充分な透踏一
酸化物（ＩＴＯ）が選ばれる。光の入射するのと反対の
方向の電極層は普通一種類の金属又は金属合金でできて
おり、これらは金属酸化物よりもより高い電気導電性を
有するものである。基体として、即ち支持体用箔として
は例えば金属箔又はプラスチック箔が使われる。透明れ
らの箔は光の入射方向に向けられうるし、、製造プロセ
スの最中に太陽電池の取り付けらるべき第１の層として
透明で導電性のある金属酸化物層でもってコーティング
されうる。基体として金属箔または不透明乃至は半透明
のプラスチック箔を使用する場合にこの基体は光の入射
と反対の電池の側に配設されるでしよう、その際まず第
一に金属製の裏側電極はなくガねつるものである。
米国特許公報第４１１１９９２４−Ｉ；からけ、その基
体が三層のラミネートから出来ている初めに述べた種の
太陽電池構造体が知られている。
体が三層のラミネートから出来ている初めに述べた種の
太陽電池構造体が知られている。
その除２枚のプラスチック箔の間には平面的に組織され
た金属層が埋め込まれており、この屑は支持体上へ取り
付ける前に出来上った個々の太陽電池を相重ねて電気的
に結合するのに役立つものである。この金属層はマスキ
ング技術を用いて実際にはプリント回路の形状で一つの
プラスチック層上に取り付けられる。経費のかか抜き、
そして金属層をコーティングしているプラスチック箔を
部分的に除去することによって太陽電池を直列回路にし
てまたは並列回路にして互いに電気的に接続することが
可能となるものである。
た金属層が埋め込まれており、この屑は支持体上へ取り
付ける前に出来上った個々の太陽電池を相重ねて電気的
に結合するのに役立つものである。この金属層はマスキ
ング技術を用いて実際にはプリント回路の形状で一つの
プラスチック層上に取り付けられる。経費のかか抜き、
そして金属層をコーティングしているプラスチック箔を
部分的に除去することによって太陽電池を直列回路にし
てまたは並列回路にして互いに電気的に接続することが
可能となるものである。
同様に記述されている周知の太陽電池構造体にあっては
太陽電池支持体が同時に電気的に結合する可能性をも備
えている。このことは成程第−には有利なものと思われ
るが、しかしながら種々の理由から問題となることが分
った。大量生産の場合には例えば一つのロールから巻き
出される帯状の基体は多数の処理ステーションを通って
送られ、それらのステーション内で相前後して太陽電池
の種々の層が取り付けられたり乃至は所望のドーピング
物質が添加されることになる。ある所定の処理段階の間
、即ちカス和からグロー放電によってアモルファスのシ
リコン層を沈着させる間、基体はかなりの熱負荷に、即
ち６００７：のオーダーの熱負荷にさらされる。このこ
とは基体が膨張したり、たるんだりし、そして層形成に
続く冷却の時に再び縮まるということになる。このこと
は上に取り付けられた層の付着性及び作用に悪影響を与
えうろことになる。従って熱負荷がかかつても出来るだ
け高い形状安定性と特に出来るだけたるみの少ない傾向
の基体を得ることが望ましいことである。このことは米
国特許公報第ａｏ１９９２４号で知られる太陽電池構造
体の基体として役立つラミネートの場合には明らかに当
て嵌まらないことである。この場合には可撓性のプラス
チック箔が問題となっており、その安定性は埋め込まれ
た薄層の金属構造によっては実質的に改良されないもの
である。
太陽電池支持体が同時に電気的に結合する可能性をも備
えている。このことは成程第−には有利なものと思われ
るが、しかしながら種々の理由から問題となることが分
った。大量生産の場合には例えば一つのロールから巻き
出される帯状の基体は多数の処理ステーションを通って
送られ、それらのステーション内で相前後して太陽電池
の種々の層が取り付けられたり乃至は所望のドーピング
物質が添加されることになる。ある所定の処理段階の間
、即ちカス和からグロー放電によってアモルファスのシ
リコン層を沈着させる間、基体はかなりの熱負荷に、即
ち６００７：のオーダーの熱負荷にさらされる。このこ
とは基体が膨張したり、たるんだりし、そして層形成に
続く冷却の時に再び縮まるということになる。このこと
は上に取り付けられた層の付着性及び作用に悪影響を与
えうろことになる。従って熱負荷がかかつても出来るだ
け高い形状安定性と特に出来るだけたるみの少ない傾向
の基体を得ることが望ましいことである。このことは米
国特許公報第ａｏ１９９２４号で知られる太陽電池構造
体の基体として役立つラミネートの場合には明らかに当
て嵌まらないことである。この場合には可撓性のプラス
チック箔が問題となっており、その安定性は埋め込まれ
た薄層の金属構造によっては実質的に改良されないもの
である。
更に薄層セルを有する価格的に好ましいパネルを製造す
る場合には正に、基体として役立つ箔は枠の中に太陽電
池の層を取り付けることによシびんと張りうるものでな
ければならないという要求が生ずるものである。このこ
とは地上での使用にあっても人工衛星での使用であって
も当て嵌まることである。基体は従ってその表面の方向
に加えられる引張りカをこれによって過剰な伸びの原因
となることなしに吸収しうるものでなければならず、さ
もないとその伸びで再び機能障害および／または太陽電
池がはげる危険が生ずることになる。
る場合には正に、基体として役立つ箔は枠の中に太陽電
池の層を取り付けることによシびんと張りうるものでな
ければならないという要求が生ずるものである。このこ
とは地上での使用にあっても人工衛星での使用であって
も当て嵌まることである。基体は従ってその表面の方向
に加えられる引張りカをこれによって過剰な伸びの原因
となることなしに吸収しうるものでなければならず、さ
もないとその伸びで再び機能障害および／または太陽電
池がはげる危険が生ずることになる。
不発明は、初めに述べた種の太陽電池構造体にして、そ
の基体が熱負荷ががかっても且つ引張り力や例えば風応
カによる変動負荷の影響があっても出来るだけ高い形状
安定性を備えるような太陽電池構造体を作ることに課題
を置くものである。その際適当な基体構造に基づく電気
的結合の可能性は相変わらず与えられているべきである
。
の基体が熱負荷ががかっても且つ引張り力や例えば風応
カによる変動負荷の影響があっても出来るだけ高い形状
安定性を備えるような太陽電池構造体を作ることに課題
を置くものである。その際適当な基体構造に基づく電気
的結合の可能性は相変わらず与えられているべきである
。
この課題は不発明によれば次の様にして解決される、即
ち基体は電気的に絶縁性で可撓性の箔でできており、そ
の中に一方向に延びる補強繊維と、それに対して直角に
向いた導電性の線相とから成る網状組織が埋め込まれで
おり、その際少くとも２，５不の線材はそれぞれ少くと
も部分的に太陽電池と導電性であるように結合されてい
るものである。埋め込まれた網状組織によって補強され
たその種の基体は勿論前記米国特許公報第４０１９９２
４号で知られた太陽電池構造体の上記した基体よりも熱
的及び引張り力によって加えられる負荷に対１−てより
大きな形状安定性を有することになる。負荷の案内はそ
の時埋め込まれた網状組織を介して行うのがより目的に
叶うものである。
ち基体は電気的に絶縁性で可撓性の箔でできており、そ
の中に一方向に延びる補強繊維と、それに対して直角に
向いた導電性の線相とから成る網状組織が埋め込まれで
おり、その際少くとも２，５不の線材はそれぞれ少くと
も部分的に太陽電池と導電性であるように結合されてい
るものである。埋め込まれた網状組織によって補強され
たその種の基体は勿論前記米国特許公報第４０１９９２
４号で知られた太陽電池構造体の上記した基体よりも熱
的及び引張り力によって加えられる負荷に対１−てより
大きな形状安定性を有することになる。負荷の案内はそ
の時埋め込まれた網状組織を介して行うのがより目的に
叶うものである。
適当な箔材料として多数の耐熱性プラスチック、しかも
できるだけ溶融物から取り出し得るようなプラスチック
ではあるが薄いそれ相応に可撓性のあるカラス層が問題
となる。制限的作用をあげずにここに列記するとしょう
：ポリイミドー、ポリアミド−、ポリビニルクロ２イド
−又はエポキシド樹脂−プラスチック。
できるだけ溶融物から取り出し得るようなプラスチック
ではあるが薄いそれ相応に可撓性のあるカラス層が問題
となる。制限的作用をあげずにここに列記するとしょう
：ポリイミドー、ポリアミド−、ポリビニルクロ２イド
−又はエポキシド樹脂−プラスチック。
特に光の入射する方向に向けられる基体用として使用す
るのに適するものとしてフッ素ベース上に合成されたあ
る種のプラスチックにして、その高い透明度のため、そ
の良好な耐候性のため、上に取り付けるべき金属酸化物
層に関するその良好な付着性のため、その比較的高い温
度負荷受容性のため、そして更に特に好ましい特性のた
めに特に使用できるものと思われるプラスチックが挙げ
られる。補強繊維としては例えば高強度のグラスファイ
バー、炭素繊維、アラミド繊維並びに繊維強化されたプ
ラスチックの技術から知られた他の繊維素材が使われう
るものである。光の入射方向に直接さらされる基体にあ
っては、埋め込まれた補強繊維が使用された箔材料と全
く同様高い透明度を有しているということに注意しなけ
ればガらないのは当然である。そうするとここでは、強
化のためのグラスファイバーが話に出てくる。導電性の
線材は周知の金属製素材から作られうるものであり、そ
の際特に高い引張り強度やもろくなるという欠点となる
傾向に注意すべきである。
るのに適するものとしてフッ素ベース上に合成されたあ
る種のプラスチックにして、その高い透明度のため、そ
の良好な耐候性のため、上に取り付けるべき金属酸化物
層に関するその良好な付着性のため、その比較的高い温
度負荷受容性のため、そして更に特に好ましい特性のた
めに特に使用できるものと思われるプラスチックが挙げ
られる。補強繊維としては例えば高強度のグラスファイ
バー、炭素繊維、アラミド繊維並びに繊維強化されたプ
ラスチックの技術から知られた他の繊維素材が使われう
るものである。光の入射方向に直接さらされる基体にあ
っては、埋め込まれた補強繊維が使用された箔材料と全
く同様高い透明度を有しているということに注意しなけ
ればガらないのは当然である。そうするとここでは、強
化のためのグラスファイバーが話に出てくる。導電性の
線材は周知の金属製素材から作られうるものであり、そ
の際特に高い引張り強度やもろくなるという欠点となる
傾向に注意すべきである。
不発明の発展形状のものにあっては、取り付けるべき太
陽電池の方を向いた箔の側（がわ〕に線材を部分的に解
放し且つ太陽電池との電気的接続を可能にする開口が設
けられているものである。箔表面からある距離をおいて
埋め込まれた線材へと通ずるこれらの開口は例えばレー
ザーの助けで焼き通すことによって、また化学的方法、
例えばエツチングによって作りうるものである。太陽電
池に対する電気的接続はその場合開口内に挿入さるべき
導電性の結合手段、例えばろう付は手段、導体接着剤等
によって行うことが出来る。
陽電池の方を向いた箔の側（がわ〕に線材を部分的に解
放し且つ太陽電池との電気的接続を可能にする開口が設
けられているものである。箔表面からある距離をおいて
埋め込まれた線材へと通ずるこれらの開口は例えばレー
ザーの助けで焼き通すことによって、また化学的方法、
例えばエツチングによって作りうるものである。太陽電
池に対する電気的接続はその場合開口内に挿入さるべき
導電性の結合手段、例えばろう付は手段、導体接着剤等
によって行うことが出来る。
これと二者択一のものとして次のものが提案される、即
ち線材の一部を取り付けるべき太陽電池の方に向けられ
た箔の表面に位置させ、その際残った網状組織は箔の内
部に介挿されたま＼とすることが提案される。箔表面の
ところでその全長において自由となっているこれらの線
材にして、単にある距離を置いて横方向に補強繊維と絡
み合っている線材は、そこでは直接太陽電池と内部的電
気接触をするようにもたらされうるものであり、しかも
そこで自由になっている線材を有するかさも力〈ば開口
内に挿入されたろう付は手段等を有する箔の表面に太陽
電池の第１の層として導電性の電極層が取り付けられる
ようにして電気接触が成されるものである。自由となっ
ている線材でもってこの場合には直接電気的接触が行わ
れ、一方ろう付は手段を使用する時には′場合によって
は同付加的な熱が供給されうるものである。
ち線材の一部を取り付けるべき太陽電池の方に向けられ
た箔の表面に位置させ、その際残った網状組織は箔の内
部に介挿されたま＼とすることが提案される。箔表面の
ところでその全長において自由となっているこれらの線
材にして、単にある距離を置いて横方向に補強繊維と絡
み合っている線材は、そこでは直接太陽電池と内部的電
気接触をするようにもたらされうるものであり、しかも
そこで自由になっている線材を有するかさも力〈ば開口
内に挿入されたろう付は手段等を有する箔の表面に太陽
電池の第１の層として導電性の電極層が取り付けられる
ようにして電気接触が成されるものである。自由となっ
ている線材でもってこの場合には直接電気的接触が行わ
れ、一方ろう付は手段を使用する時には′場合によって
は同付加的な熱が供給されうるものである。
相貫なった太陽電池を電気的に結合するために基体内に
埋め込まれ乃至はその表面に位置付けられた網状組織の
線材が役に立つものである。
埋め込まれ乃至はその表面に位置付けられた網状組織の
線材が役に立つものである。
これらの線材は一方では付随する電極層と電気的に結合
されており、そして他方では太陽電池乃至は基体の縁部
に所望の方法で互いに結合し合っている。一般にその場
合には並列回路が構成される。しかしながら適当な構造
体にあっては直列回路であっても良い。そうして例えば
導電性の電極層が線材の長手方向に延びこれらと電気的
に導電性をなして結合されている相貫なり合って絶縁さ
れた多数のストライブに分割されているように設けるこ
とができる。このことは直接基体上に取り付けられた電
極層に電極層に関係することである。相貫々り合って絶
縁されたストライブに適当に分割することが太陽電池の
他側上に取り付けられた電極層においても行われるとす
ると、そのようにして出来上った部分セルは直列に接続
されうろことに女る。このことは太陽電池の緑で外部へ
導びかれた線材を適当に結合することによって生ずるも
のである。
されており、そして他方では太陽電池乃至は基体の縁部
に所望の方法で互いに結合し合っている。一般にその場
合には並列回路が構成される。しかしながら適当な構造
体にあっては直列回路であっても良い。そうして例えば
導電性の電極層が線材の長手方向に延びこれらと電気的
に導電性をなして結合されている相貫なり合って絶縁さ
れた多数のストライブに分割されているように設けるこ
とができる。このことは直接基体上に取り付けられた電
極層に電極層に関係することである。相貫々り合って絶
縁されたストライブに適当に分割することが太陽電池の
他側上に取り付けられた電極層においても行われるとす
ると、そのようにして出来上った部分セルは直列に接続
されうろことに女る。このことは太陽電池の緑で外部へ
導びかれた線材を適当に結合することによって生ずるも
のである。
不発明は、網目状に配設された大面積の基体上に多数の
個別セルを取り付ける可能性をも示すし、且つまた一つ
の平らな基体を唯一つのほぼ全体の基体面を被う薄膜太
陽電池でカバーする可能性をも提供するものである。特
に最後に述べた場合においては既に上述し７た如く相貫
なった絶縁ストライブに電極層を分割することも並びに
これらのストライブ状の部分セルを直列接続することも
長所となりうるものである。
個別セルを取り付ける可能性をも示すし、且つまた一つ
の平らな基体を唯一つのほぼ全体の基体面を被う薄膜太
陽電池でカバーする可能性をも提供するものである。特
に最後に述べた場合においては既に上述し７た如く相貫
なった絶縁ストライブに電極層を分割することも並びに
これらのストライブ状の部分セルを直列接続することも
長所となりうるものである。
＼
不発明に従う薄膜太陽電池構造体の形状安定性を更に高
めるために、太陽電池を基体に向い合う側で同じく補強
繊維と線材とから成る埋め込まれた網状組織を有する可
撓性箔で被うことがより目的に叶うこととなりうるもの
である。
めるために、太陽電池を基体に向い合う側で同じく補強
繊維と線材とから成る埋め込まれた網状組織を有する可
撓性箔で被うことがより目的に叶うこととなりうるもの
である。
次に本発明の２つの実施例を図面に基づいて詳細に説明
することにしよう。
することにしよう。
両実施例において基体として役立つ電気的に絶縁性の可
撓性の箔１上には固有の太陽電池を形成する層構造が取
り付けられている。この層構造は導電性の特に有利には
金属製の電極層２から成り、この層は上方から光が入射
する場合には裏側電極として役立つものである。この電
極の上に感光性で例えばアモルファスのシリコンから成
る半導体層３がある。特に光の入射すできている透明な
金属酸化物層として構成されつるような別の導電性電極
層が続くものである。
撓性の箔１上には固有の太陽電池を形成する層構造が取
り付けられている。この層構造は導電性の特に有利には
金属製の電極層２から成り、この層は上方から光が入射
する場合には裏側電極として役立つものである。この電
極の上に感光性で例えばアモルファスのシリコンから成
る半導体層３がある。特に光の入射すできている透明な
金属酸化物層として構成されつるような別の導電性電極
層が続くものである。
感光性の半導体層は境界層１ｏを備え、この層は相異な
ってドーピングされた２つの領域を互に境界付けるもの
である。
ってドーピングされた２つの領域を互に境界付けるもの
である。
第１図の場合に基体として役立つ箔１内に導電性の線材
５とこれに対して直角に延びる補強繊維６とから成る網
状組織が埋め込まれている。
５とこれに対して直角に延びる補強繊維６とから成る網
状組織が埋め込まれている。
線材と補強繊維とは織物の分野で公知のここでは示され
ていな５万法で互いに編み合わされうるものである。こ
の網状組織ｕ ｌ’ｔ ＃？ｌ’一平面内で延び、そし
て全体的には箔の中に介挿されている。この箔の中には
開ロアが設けられており、この開口は製造方法の途中に
電極層２が取り付けられるべき箔の表面から埋め込まれ
た線材５にまで達するものである。電極層２を取り付け
る前に仁の開口内にはろう付は手段８が満たされ、その
結果最終的には線材５と電極層２との間には良好な電気
的接触が実現することになる。
ていな５万法で互いに編み合わされうるものである。こ
の網状組織ｕ ｌ’ｔ ＃？ｌ’一平面内で延び、そし
て全体的には箔の中に介挿されている。この箔の中には
開ロアが設けられており、この開口は製造方法の途中に
電極層２が取り付けられるべき箔の表面から埋め込まれ
た線材５にまで達するものである。電極層２を取り付け
る前に仁の開口内にはろう付は手段８が満たされ、その
結果最終的には線材５と電極層２との間には良好な電気
的接触が実現することになる。
第２図によれば補強繊維６とそれに対して直角に延びる
線材５及び９から成る網状組織は基体として役立つ箔１
の中に単に部分的に介挿されており、しかも各５番目毎
の線拐９が箔１０表面に接するように位置付けられてい
るものである。そこでは線材９はその上に取り付けられ
た電極層２に対して直接電気的接触を成、している。こ
こでは従って電気的結合のために網状組織の線材の一部
分だけが使用される。このような構造には、第１図の場
合には必要であるような、例えばレーザーによる点照射
に基づくような箔の中へ付加的に開口を設けなくて良い
という長所がある。
線材５及び９から成る網状組織は基体として役立つ箔１
の中に単に部分的に介挿されており、しかも各５番目毎
の線拐９が箔１０表面に接するように位置付けられてい
るものである。そこでは線材９はその上に取り付けられ
た電極層２に対して直接電気的接触を成、している。こ
こでは従って電気的結合のために網状組織の線材の一部
分だけが使用される。このような構造には、第１図の場
合には必要であるような、例えばレーザーによる点照射
に基づくような箔の中へ付加的に開口を設けなくて良い
という長所がある。
網状組織の埋め込みは例えばこれが連続的方法で両側か
ら溶融した箔材料でコーティングされるようにして作ら
れうるものである。この場合網状組織は互いに反対方向
に回転する２つのロールの間を通って引き出されるのが
合目的であり且つ溶融された箔材料がロールを通過する
前に網状組織の両側に塗付されるのが良い。
ら溶融した箔材料でコーティングされるようにして作ら
れうるものである。この場合網状組織は互いに反対方向
に回転する２つのロールの間を通って引き出されるのが
合目的であり且つ溶融された箔材料がロールを通過する
前に網状組織の両側に塗付されるのが良い。
第１図は基体内に埋め込まれた網状組織を有する薄膜太
陽電池構造体を示し、第２図は基体の表面に部分的に位
置付けられた線材を有する薄膜太陽電池構造体を示すも
のである。 図中参照番号 １・・・絶縁性可撓箔 ２・・・電極層 ３・・・半導体層 ５・・・線材 ６・・・補強繊維 ７・・・開口 ８・・・ろう付は手段 ９・・・線材 １０・・・境界層 代理人江崎光好 代理人江崎先史 第１頁の続き ＠発明者 ツーベルト・フレック ドインシュタイン
セ、 ０発 明 者 クラウス・エーレリツ ドイヒ プツ ソ連邦共和国、ハルトハウゼン、プルメン ストラーソ
連邦共和国、ミュンヘン２、ザンクトーパウルスーツ、
７
陽電池構造体を示し、第２図は基体の表面に部分的に位
置付けられた線材を有する薄膜太陽電池構造体を示すも
のである。 図中参照番号 １・・・絶縁性可撓箔 ２・・・電極層 ３・・・半導体層 ５・・・線材 ６・・・補強繊維 ７・・・開口 ８・・・ろう付は手段 ９・・・線材 １０・・・境界層 代理人江崎光好 代理人江崎先史 第１頁の続き ＠発明者 ツーベルト・フレック ドインシュタイン
セ、 ０発 明 者 クラウス・エーレリツ ドイヒ プツ ソ連邦共和国、ハルトハウゼン、プルメン ストラーソ
連邦共和国、ミュンヘン２、ザンクトーパウルスーツ、
７
Claims (1)
- 【特許請求の範囲】 （１） 太陽電池用の支持体として役立つ基体を有し、
その中に太陽電池を電気的に結合するための導電部材が
招電なって埋め込まれているような薄膜太陽電池構造体
において、前記基体が電気的に絶縁性の可撓性箔ででへ
ており、組織が埋め込まれており、その際少〈七も２゜
３不の線材はそれぞれ少くとも部分的であっても太陽電
池と導電的に接続されていることを特徴とする太陽電池
構造体。 （２）太陽電池を取り付けるべき方に向けられた箔の側
（がわ）に、線材を部分的に解放し且つ太陽電池との電
気的結合を可能にする開口が設けられていることを特徴
とする特許請求（３） 前記電気的結合が前記開口内に
納めらるべき導電性の接続手段、例えばろう付は手段に
よって行われうることを特徴とする特許請求の範囲第２
項による太陽電池構造体。 （４）線材の一部が取り付けるべき太陽電池の方に向け
られた箔の表面のところに位置しており、そしてその他
では前記網状組織は箔の内部に介挿されていることを特
徴とする特許請求の範囲第１項による太陽電池構造体。 （５） そこで解放されている線材を有する箔の表面に
又は前記開口内に納入されたろう付は手段を有する箔の
表面に太陽電池の第一の層として導電性の電極層が取り
付けられていることを特徴とする特許請求の範囲第６項
または第４項による太陽電池構造体。 （６）導電性の電極層が線材の長手方向に延び且つこれ
らと電気的に通ずるように接続された招電なって絶縁さ
れた数個の条片に分割されていることを特徴とする特許
請求の範囲第５（７）太陽電池が基体に向い合う側で同
じく補強繊維と線材とからなる埋め込まれた網状組織を
有する可撓性箔でコーティングされていることを特徴と
する先行する特許請求の範囲のうちの１項による太陽電
池構造体。 （８）前記箔がプラスチックから成ることを特徴とする
特許請求の範囲第１項〜第７項のうちの１項による太陽
電池構造体。 （９）前記箔が曲り易い薄いガラス層であることを特徴
とする特許請求の範囲第１項〜第７項のうちの１項によ
る太陽電池構造体。 （１０）透明の補強繊維、例えばグラスファイノく−が
使われていることを特徴とする特許請求の範囲第１項〜
第９項のうちの１項による太陽電池構造体。 （１１）補強繊維として炭素繊維が使われていることを
特徴とする特許請求の範囲第１項〜第９項のうちの１項
による太陽電池構造体。 （１２）プラスチックベース上に補強繊維が、例えばア
ラミド繊維が使われていることを特徴とする特許請求の
範囲第１項〜第９項のうちの１項による太陽電池構造体
。 （１３）補強繊維と線材から寿る予め準備された網状組
織は連続的方法で両側から溶融された箔材料でコーティ
ングされることを特徴とする先行する特許請求の範囲の
うちの１項による太陽電池構造体の製造方法。 （１４）前記網状組織が互いに反対方向に回転する２つ
のローラの間を通され、そして溶融１．た箔材料がロー
ラを通過する前に網状組織の両側に塗付されることを特
徴とする特許請求の範囲第１３項による方法。
Applications Claiming Priority (2)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| DE19833317309 DE3317309A1 (de) | 1983-05-11 | 1983-05-11 | Duennschicht-solarzellenanordnung |
| DE3317309.5 | 1983-05-11 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPS6037180A true JPS6037180A (ja) | 1985-02-26 |
Family
ID=6198796
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP59093079A Pending JPS6037180A (ja) | 1983-05-11 | 1984-05-11 | 薄膜太陽電池構造体 |
Country Status (2)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPS6037180A (ja) |
| DE (1) | DE3317309A1 (ja) |
Cited By (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP2004128411A (ja) * | 2002-10-07 | 2004-04-22 | Sharp Corp | 太陽電池セルおよびその製造方法 |
Families Citing this family (10)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| DE3427574A1 (de) * | 1984-07-26 | 1986-02-06 | Stromeyer Ingenieurbau GmbH, 7750 Konstanz | Vorrichtung zur beschattung von flaechen |
| DE3700792C2 (de) * | 1987-01-13 | 1996-08-22 | Hoegl Helmut | Photovoltaische Solarzellenanordnung und Verfahren zu ihrer Herstellung |
| JPH036867A (ja) * | 1989-06-05 | 1991-01-14 | Mitsubishi Electric Corp | 光発電素子の電極構造、形成方法、及びその製造装置 |
| EP0440869A1 (de) * | 1990-02-09 | 1991-08-14 | Bio-Photonics, Inc. | Photovoltaisches Bauelement zur Umwandlung des Sonnenlichts in elektrischen Strom und photoelektrische Batterie |
| US6224016B1 (en) * | 1997-12-19 | 2001-05-01 | Sky Station International, Inc. | Integrated flexible solar cell material and method of production |
| DE29817803U1 (de) | 1998-10-06 | 1999-02-04 | ixis Elektronik GmbH, 58640 Iserlohn | Sturzhelm mit einer Kommunikationseinrichtung |
| DE102007052971A1 (de) | 2007-11-07 | 2009-06-10 | Solarion Ag | Kontaktierung und Modulverschaltung von Dünnschichtsolarzellen auf polymeren Trägern |
| GB0808038D0 (en) * | 2008-05-02 | 2008-06-11 | Power Textiles Ltd | Improvements in and relating to textiles incorporating photovoltaic cells |
| DE102009035703B4 (de) | 2009-08-02 | 2014-11-27 | Solarion Ag | Verfahren zur Herstellung von Verbünden flexibler Dünnschichtsolarzellen |
| DE102011077479A1 (de) * | 2011-06-14 | 2012-12-20 | Robert Bosch Gmbh | Solarzellenmodul und Verfahren zu dessen Herstellung |
Family Cites Families (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US3255047A (en) * | 1961-09-07 | 1966-06-07 | Int Rectifier Corp | Flexible fabric support structure for photovoltaic cells |
| US4019924A (en) * | 1975-11-14 | 1977-04-26 | Mobil Tyco Solar Energy Corporation | Solar cell mounting and interconnecting assembly |
-
1983
- 1983-05-11 DE DE19833317309 patent/DE3317309A1/de active Granted
-
1984
- 1984-05-11 JP JP59093079A patent/JPS6037180A/ja active Pending
Cited By (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP2004128411A (ja) * | 2002-10-07 | 2004-04-22 | Sharp Corp | 太陽電池セルおよびその製造方法 |
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| DE3317309A1 (de) | 1984-11-29 |
| DE3317309C2 (ja) | 1989-01-19 |
Similar Documents
| Publication | Publication Date | Title |
|---|---|---|
| US5158618A (en) | Photovoltaic cells for converting light energy to electric energy and photoelectric battery | |
| KR100221179B1 (ko) | 솔라 셀 소자군, 및 솔라 셀 모듈과 이의 제조 방법 | |
| US8993364B2 (en) | Integrated thin film solar cell interconnection | |
| US8013239B2 (en) | Electrode for photovoltaic cells, photovoltaic cell and photovoltaic module | |
| KR100225054B1 (ko) | 솔라 셀 모듈 및 이의 제조 방법(Solar Cell Module And Maunfacturing Method Thereof) | |
| US20050022857A1 (en) | Solar cell interconnect structure | |
| JP2002540633A (ja) | 光起電デバイスおよびその製造方法 | |
| US7259323B2 (en) | Thin film solar cell thermal radiator | |
| JP2000068542A (ja) | 集積型薄膜太陽電池モジュール | |
| JPS6037180A (ja) | 薄膜太陽電池構造体 | |
| EP3655998A1 (en) | Stabilized shingled solar cell strings and methods for their production | |
| JP3503824B2 (ja) | 太陽電池およびその製造方法 | |
| US8168881B2 (en) | Monolithic photovoltaic module | |
| JP2010521822A (ja) | 補剛層を有する太陽電池モジュール | |
| WO2023036288A1 (zh) | 柔性光伏电池组件及其制造方法 | |
| JP4738147B2 (ja) | 太陽電池モジュール及びその製造方法 | |
| US7638353B2 (en) | Method for fabrication of semiconductor devices on lightweight substrates | |
| JP2001513264A (ja) | 耐候性及び耐食性の層構造体 | |
| JP3017420B2 (ja) | 太陽電池モジュール | |
| JPH0294574A (ja) | 可撓性太陽電池シート | |
| JPS60148175A (ja) | 太陽電池モジユ−ル用裏面保護シ−ト | |
| JP2000164900A (ja) | 太陽電池モジュールとその製造方法および製造装置 | |
| JP4461607B2 (ja) | 太陽電池モジュールの電力リード引き出し方法 | |
| JP4061525B2 (ja) | 太陽電池モジュールの製造方法 | |
| JPH07321351A (ja) | 光起電力素子の電極構造及びその製造方法 |