JPS6036579B2 - マスク基板の修正方法 - Google Patents

マスク基板の修正方法

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JPS6036579B2
JPS6036579B2 JP51080168A JP8016876A JPS6036579B2 JP S6036579 B2 JPS6036579 B2 JP S6036579B2 JP 51080168 A JP51080168 A JP 51080168A JP 8016876 A JP8016876 A JP 8016876A JP S6036579 B2 JPS6036579 B2 JP S6036579B2
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JP
Japan
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scratch
mask
light
substrate
scratches
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JP51080168A
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JPS536026A (en
Inventor
公雄 柳田
勝之 有井
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Fujitsu Ltd
Original Assignee
Fujitsu Ltd
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Publication date
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Publication of JPS536026A publication Critical patent/JPS536026A/ja
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    • G—PHYSICS
    • G03—PHOTOGRAPHY; CINEMATOGRAPHY; ANALOGOUS TECHNIQUES USING WAVES OTHER THAN OPTICAL WAVES; ELECTROGRAPHY; HOLOGRAPHY
    • G03C—PHOTOSENSITIVE MATERIALS FOR PHOTOGRAPHIC PURPOSES; PHOTOGRAPHIC PROCESSES, e.g. CINE, X-RAY, COLOUR, STEREO-PHOTOGRAPHIC PROCESSES; AUXILIARY PROCESSES IN PHOTOGRAPHY
    • G03C11/00—Auxiliary processes in photography
    • G03C11/06—Smoothing; Renovating; Roughening; Matting; Cleaning; Lubricating; Flame-retardant treatments

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  • Physics & Mathematics (AREA)
  • General Physics & Mathematics (AREA)
  • Preparing Plates And Mask In Photomechanical Process (AREA)
  • Exposure Of Semiconductors, Excluding Electron Or Ion Beam Exposure (AREA)

Description

【発明の詳細な説明】 本発明は、マスク基板のキズを修正する方法に関するも
のである。
今まで、ホトマスク、原板マスクを製造した場合、基板
の裏面にキズがあると、このキズの部分で光が散乱した
り集東したりして、レジストに光が部分的に強く照射さ
れたり、照射されなかったりするのでマスクの製造をや
り直していた。
しかし、これはマスクのコスト上昇につながっていた。
本発明はこの様な欠点を除去することを目的とし、この
様な目的は、遮光パターンが形成された面と反対側の面
に存在するキズの近傍を研摩することによりキズの形状
をなめらかにする様にしたことを特徴とするマスク基板
の修正方法によって達成される。
以下、本発明を実施例に基づいて詳細に説明する。
第１図ａは、キズの修正をする前のマスクを示す図、ｂ
はそれを修正したマスクを示す図である。図において、
１は基板、２は遮光パターン、３はキズである。第１図
ａの様に、キズ３の形状が鋭いと露光のために照射した
光が、散乱したり集東したりするために、レジストを露
光した場合に部分的に強く露光させたり、露光されなか
ったりする。
そこで、本発明ははｂ図の如く、キズ３の部分のみを研
摩してキズ３の形状をなめらかにする様にした。
キズ３の形状がなめらかになれば、照射した光が散乱し
たりしないので前述の問題はなくなる。
基板の裏面全面を研摩して、キズを完全に除去する様に
してもよいが、基板が薄くなるので強度が弱くなり、又
基板の面の平行度が狂ってくるので好ましくない。平行
度が狂ってくると、露光した時に透過光量に差が生じる
ので露光むらが生じる。
次に具体的な実施例を示す。
ホトマスクの遮光パターン側にシンナーにて溶解した塩
化ビニールを塗布し、乾燥を行うことにより保護膜を形
成する。
この保護膜は、研摩剤等により遮光パターンが傷つかな
い様にするためである。
しかる後曲率半径２０側の凸面型フェルトを２００瓜ｐ
ｍで回転させつつ、ホトマスクのキズの箇所に接触させ
、水と酸化セリウムより成る研摩剤を注入して研摩を行
なう。
研摩終了後水で洗浄し研摩剤を除去した後保護膜を除去
し再度洗浄を行なう。
以上述べた様に本発明によればキズを部分的に研摩する
様にしているため、ホトマスクを作り直す必要がなくな
り、これによりマスクを下げることが可能となる。
尚、ホトマスクの例について述べたが、原板マスクにも
適用が可能となる。
【図面の簡単な説明】
第１図ａは修正前のマスクを示し、ｂは修正後のマスク
を示す。 図において、１は基板、２はパターン、３はキズである
。 第１図

Claims (1)

  1. 【特許請求の範囲】 １ 遮光パターンが形成された面と反対側の面に存在す
    るキズの近傍を研摩することにより、キズの形状をなめ
    らかにする様にしたことを特徴とするマスク基板の修正
    方法。 ２ 上記遮光パターン上に保護膜を形成した後上記研摩
    を行なう様にしたことを特徴とする特許請求の範囲第１
    項記載のマスク基板の修正方法。
JP51080168A 1976-07-06 1976-07-06 マスク基板の修正方法 Expired JPS6036579B2 (ja)

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JPS536026A JPS536026A (en) 1978-01-20
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JPS60233103A (ja) * 1984-05-07 1985-11-19 Shin Etsu Chem Co Ltd ビニル系単量体の重合方法
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