JPS6034089A - 光双安定半導体レ−ザ - Google Patents
光双安定半導体レ−ザInfo
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- JPS6034089A JPS6034089A JP14292283A JP14292283A JPS6034089A JP S6034089 A JPS6034089 A JP S6034089A JP 14292283 A JP14292283 A JP 14292283A JP 14292283 A JP14292283 A JP 14292283A JP S6034089 A JPS6034089 A JP S6034089A
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- H01S5/20—Structure or shape of the semiconductor body to guide the optical wave ; Confining structures perpendicular to the optical axis, e.g. index or gain guiding, stripe geometry, broad area lasers, gain tailoring, transverse or lateral reflectors, special cladding structures, MQW barrier reflection layers
- H01S5/22—Structure or shape of the semiconductor body to guide the optical wave ; Confining structures perpendicular to the optical axis, e.g. index or gain guiding, stripe geometry, broad area lasers, gain tailoring, transverse or lateral reflectors, special cladding structures, MQW barrier reflection layers having a ridge or stripe structure
- H01S5/227—Buried mesa structure ; Striped active layer
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- H01S—DEVICES USING THE PROCESS OF LIGHT AMPLIFICATION BY STIMULATED EMISSION OF RADIATION [LASER] TO AMPLIFY OR GENERATE LIGHT; DEVICES USING STIMULATED EMISSION OF ELECTROMAGNETIC RADIATION IN WAVE RANGES OTHER THAN OPTICAL
- H01S5/00—Semiconductor lasers
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- H01S5/042—Electrical excitation ; Circuits therefor
- H01S5/0421—Electrical excitation ; Circuits therefor characterised by the semiconducting contacting layers
- H01S5/0422—Electrical excitation ; Circuits therefor characterised by the semiconducting contacting layers with n- and p-contacts on the same side of the active layer
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- H01S5/227—Buried mesa structure ; Striped active layer
- H01S5/2275—Buried mesa structure ; Striped active layer mesa created by etching
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- Optics & Photonics (AREA)
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Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
この発明は、半導体を用−だ光交換・光情報処理の主要
構成要素である光双安定半導体レーザに関する。
構成要素である光双安定半導体レーザに関する。
光交換・光情報処理のキーデバイスである光記憶・光論
理・光増幅回路は、従来の重子回路よりも高速動作が可
能な新しい回路として期待され、基礎的な検討が始めら
れている。光記憶・光論理穴素子があり、種々の構成が
考えられる。半導体材料を用すたものけその高速性を最
も良く発揮できるものとして注目されている。その中に
、ダブルへテロ構造の半導体レーザの電流注入部と電流
非注入部をその共振器軸方向虻交互に並べることにより
、その方向に不均一な電流分布を形成し、注入電流の小
さい部分での可飽和吸収の領域としての働きにより光双
安定動作を実現したものがある。これ忙ついては河口氏
によりエレクトロニクスレターズ（Ｅｌｅｃｔｒｏｎｉ
ｃｓ Ｌｅｔｔｅｒｓ）誌所載第１７巻、第１６７〜１
６８頁に記載された論文に詳しい。
理・光増幅回路は、従来の重子回路よりも高速動作が可
能な新しい回路として期待され、基礎的な検討が始めら
れている。光記憶・光論理穴素子があり、種々の構成が
考えられる。半導体材料を用すたものけその高速性を最
も良く発揮できるものとして注目されている。その中に
、ダブルへテロ構造の半導体レーザの電流注入部と電流
非注入部をその共振器軸方向虻交互に並べることにより
、その方向に不均一な電流分布を形成し、注入電流の小
さい部分での可飽和吸収の領域としての働きにより光双
安定動作を実現したものがある。これ忙ついては河口氏
によりエレクトロニクスレターズ（Ｅｌｅｃｔｒｏｎｉ
ｃｓ Ｌｅｔｔｅｒｓ）誌所載第１７巻、第１６７〜１
６８頁に記載された論文に詳しい。
この構造により光双安定動作が実現されたが、この素子
は電流注入の幅を限定して横モードを制御するいわゆる
プレーナストライプ構造のために、横モードが不安定で
あるばかりか発振閾値が高く、室温動作が困難であり実
用的とは言えない。上記の問題を改善した光双安定半導
体レーザとしては、電流注入領域と電流非注入領域を共
振器軸方向に活性層内に形成させたいわゆるタンデム電
極構造この場合電流程人領域は十分な電流注入のだめに
光増幅領域として機能し、を流非注入領域では活性層内
での電子と正孔の再結合を抑えるように逆方向電流を流
して可飽和吸収領域としての働きにより光双安定動作を
実現している。これについてはハーダー（）（ａｒｄｅ
ｒ）氏等によシアイ・イー・イー・イー・ジャーナル・
オブ・クラオンタム・エレクトロニクス（ｉ Ｉ’ＥＩ
シＥ Ｊｏｕｒｎａｌ ｏｆ ＱｕａｎｔｕｍＥｌｅｃ
ｔｒｏｎｉｃｓ）誌所載ｉ’ＱＥ−１ｓ＠、第３３５２
〜１３６１ 頁に記載された論文に詳しい。この構造の
素子てよυ光双安定動作を低−流量値、横モード制御で
実現されたが、電流非注入領域での電、流値が一１００
／ｌＡと小さくしかも数μＡの電流変動で注入直流と光
出力の関係が大きく変化してし捷うため、外部からの電
流パルス等のノイズに対して不安定になりやすく、シだ
がって実用的な素子とは言い難い。
は電流注入の幅を限定して横モードを制御するいわゆる
プレーナストライプ構造のために、横モードが不安定で
あるばかりか発振閾値が高く、室温動作が困難であり実
用的とは言えない。上記の問題を改善した光双安定半導
体レーザとしては、電流注入領域と電流非注入領域を共
振器軸方向に活性層内に形成させたいわゆるタンデム電
極構造この場合電流程人領域は十分な電流注入のだめに
光増幅領域として機能し、を流非注入領域では活性層内
での電子と正孔の再結合を抑えるように逆方向電流を流
して可飽和吸収領域としての働きにより光双安定動作を
実現している。これについてはハーダー（）（ａｒｄｅ
ｒ）氏等によシアイ・イー・イー・イー・ジャーナル・
オブ・クラオンタム・エレクトロニクス（ｉ Ｉ’ＥＩ
シＥ Ｊｏｕｒｎａｌ ｏｆ ＱｕａｎｔｕｍＥｌｅｃ
ｔｒｏｎｉｃｓ）誌所載ｉ’ＱＥ−１ｓ＠、第３３５２
〜１３６１ 頁に記載された論文に詳しい。この構造の
素子てよυ光双安定動作を低−流量値、横モード制御で
実現されたが、電流非注入領域での電、流値が一１００
／ｌＡと小さくしかも数μＡの電流変動で注入直流と光
出力の関係が大きく変化してし捷うため、外部からの電
流パルス等のノイズに対して不安定になりやすく、シだ
がって実用的な素子とは言い難い。
この発明の目的は、外部からの雷１流パルス等のノイズ
に対して安定であシ且つ室温での低電流動作が可能な光
双安定半導体レーザを提供するととにある。
に対して安定であシ且つ室温での低電流動作が可能な光
双安定半導体レーザを提供するととにある。
この発明によれば、第１の溝により電極が共振器軸方向
に２つ以上に分割された半導体レーザにおいて、前記第
１の溝下の活性層のみが電流注入を遮断する半導体層で
履われていることを特徴とする光双安定半導体レーザが
得られる。
に２つ以上に分割された半導体レーザにおいて、前記第
１の溝下の活性層のみが電流注入を遮断する半導体層で
履われていることを特徴とする光双安定半導体レーザが
得られる。
この発明では共振器軸方向に分割された２つ以上の電極
を持つ半導体レーザにおいて、利得が損失を上根るより
に電流注入される光増幅領域と、電流が十分ＶＣは注入
さＪｒないため利得が損失を上廻る光吸収領域と、電流
注入をほぼ完全に抑えることにより損失が光吸収領域よ
りも圧倒的に大きい溝部分である可飽和吸収領域とに活
性層が分かれている。このタイプの半導体レーザでは光
吸収領域あるーは光増幅領域のいづれか一方への注入電
流をある値に固定した状態で、他方の領域への注入電流
を変化させていくと、光出力が２本位の安定状態を有す
る光双安定動作を示す。この場合溝の存在は単に光増幅
領域と光吸収領域を分離するだめのものではなく、両領
域からの電流が溝型下の活性層Ｋまわシ込めない構造と
万っているため可飽和吸収領域として働く。先に述べた
ハーダー氏らのタンデム電極構造で埋め込みへテロ構造
の半導体レーザとの違いは、２つの電極に同一の電流を
注入した場合に歴然としてくる。ハーダー氏等の場合に
は注入型１流と光出力の関係はこの場合通常の半導体レ
ーザと同じ特性を示しておシ、２つのｐ＠電極への注入
電流の大小関係によってはじめて光双安定動作を示す。
を持つ半導体レーザにおいて、利得が損失を上根るより
に電流注入される光増幅領域と、電流が十分ＶＣは注入
さＪｒないため利得が損失を上廻る光吸収領域と、電流
注入をほぼ完全に抑えることにより損失が光吸収領域よ
りも圧倒的に大きい溝部分である可飽和吸収領域とに活
性層が分かれている。このタイプの半導体レーザでは光
吸収領域あるーは光増幅領域のいづれか一方への注入電
流をある値に固定した状態で、他方の領域への注入電流
を変化させていくと、光出力が２本位の安定状態を有す
る光双安定動作を示す。この場合溝の存在は単に光増幅
領域と光吸収領域を分離するだめのものではなく、両領
域からの電流が溝型下の活性層Ｋまわシ込めない構造と
万っているため可飽和吸収領域として働く。先に述べた
ハーダー氏らのタンデム電極構造で埋め込みへテロ構造
の半導体レーザとの違いは、２つの電極に同一の電流を
注入した場合に歴然としてくる。ハーダー氏等の場合に
は注入型１流と光出力の関係はこの場合通常の半導体レ
ーザと同じ特性を示しておシ、２つのｐ＠電極への注入
電流の大小関係によってはじめて光双安定動作を示す。
これに対して本発明の光双安定半導体レーザでは、２つ
のｐｉｌＩｌｌｅｔ極に同一の電流を注入しても溝型下
が可飽和吸収領域であるためけじめから光双安定動作を
示しておシ１．２つのＮ極への注入ｍ流の大、Ｊ−によ
シ光双安定動作の幅例えば注入電流幅を変化させること
ができる。半導体レーザの構造を埋め込みへテロ構造と
した場合にはこの注入電流の大きさは通常数十ｍＡＧの
で、数十μへ−截百μへ程度の外部からの電流ノイズに
対してその特性が左右されることがない。
のｐｉｌＩｌｌｅｔ極に同一の電流を注入しても溝型下
が可飽和吸収領域であるためけじめから光双安定動作を
示しておシ１．２つのＮ極への注入ｍ流の大、Ｊ−によ
シ光双安定動作の幅例えば注入電流幅を変化させること
ができる。半導体レーザの構造を埋め込みへテロ構造と
した場合にはこの注入電流の大きさは通常数十ｍＡＧの
で、数十μへ−截百μへ程度の外部からの電流ノイズに
対してその特性が左右されることがない。
第１図はとの発明の実施例の活性層の形状を示す平面断
面図、第２図（ａｌは第１図のＡ−Ａ 断面図、（ｂｌ
はＢ−Ｂ 断面図、第３図は実施例の斜視図を各々あら
れす。この実施例は、プレーナストライブ型の埋め込み
へテロ構弯の、活性層を含むメサストライプを形成する
２本の溝のメサストライプとは反対側の側面が部分的に
狭くなった形状にしだものである。プレーナストライプ
型の埋め込みへテロ構造の半導体レーザは、活性層を含
むメサストライプをｐ及びｎ型半導体層で埋め込んだも
ので、これにつｂては、北村氏等により出願中の発明、
特願昭５６−１６６６６６ Ｋ詳しい。この実施例は以
下のよう罠して製作される。先づ液相もしくは気相成長
法により、ｎ−ＩｎＲ基板１０上に、ｎ−Ｉｎ）’ バ
ッファ層１１、ノンドープのＩｎＧａＡｓＰ活性層１２
、ｐ−’Ｉｎｐ クラッド層１３を積層させたＤＨ基
板に、フォトレジストを塗布して通常のフォトリングラ
フイーとエツチングによシ、第１図に示した形状のウェ
ハを製作する。次に、こ電流ブロック層１４、ｎ−Ｉｎ
Ｐの第２の電流ブロック層１５、ｐ−Ｉｎ）＞埋め込み
層１６、ｐ−ＩｎＧａｋｓＰキャンプ層１７を順次層成
７せる。第１図で示したように、活性層１２を含むメサ
ストライプ２０を形成するだめの２本の第２、第３の溝
２２．２３は、メサストライプ２０の側で直線、メサス
トライプ２０から離れた側では一部に幅の広い部分２４
と狭い部分２５を有している。２回目の結晶成長にお
いて、メサストライプ２０を形成する第２、第３の溝２
２．２３０幅の広い部分２４では第２図で示したように
、第１、第２の電流ブロック層１４．１５はメサストラ
イプ２０上には成長しない。他方筒２、第３の溝２２．
２３の幅の狭い部分２５では第２、第３の溝２２．２３
内を第１の電流ブロック層１４が埋めてしまうために、
第２の電流ブロック層１５を成長する直前のメサスト虞 ライプ２０付近の形状が平〆になってしまうので第２の
電流ブロック層１５はメサストライプ２０の上部で途切
れることなく全体を履ってし寸う。
面図、第２図（ａｌは第１図のＡ−Ａ 断面図、（ｂｌ
はＢ−Ｂ 断面図、第３図は実施例の斜視図を各々あら
れす。この実施例は、プレーナストライブ型の埋め込み
へテロ構弯の、活性層を含むメサストライプを形成する
２本の溝のメサストライプとは反対側の側面が部分的に
狭くなった形状にしだものである。プレーナストライプ
型の埋め込みへテロ構造の半導体レーザは、活性層を含
むメサストライプをｐ及びｎ型半導体層で埋め込んだも
ので、これにつｂては、北村氏等により出願中の発明、
特願昭５６−１６６６６６ Ｋ詳しい。この実施例は以
下のよう罠して製作される。先づ液相もしくは気相成長
法により、ｎ−ＩｎＲ基板１０上に、ｎ−Ｉｎ）’ バ
ッファ層１１、ノンドープのＩｎＧａＡｓＰ活性層１２
、ｐ−’Ｉｎｐ クラッド層１３を積層させたＤＨ基
板に、フォトレジストを塗布して通常のフォトリングラ
フイーとエツチングによシ、第１図に示した形状のウェ
ハを製作する。次に、こ電流ブロック層１４、ｎ−Ｉｎ
Ｐの第２の電流ブロック層１５、ｐ−Ｉｎ）＞埋め込み
層１６、ｐ−ＩｎＧａｋｓＰキャンプ層１７を順次層成
７せる。第１図で示したように、活性層１２を含むメサ
ストライプ２０を形成するだめの２本の第２、第３の溝
２２．２３は、メサストライプ２０の側で直線、メサス
トライプ２０から離れた側では一部に幅の広い部分２４
と狭い部分２５を有している。２回目の結晶成長にお
いて、メサストライプ２０を形成する第２、第３の溝２
２．２３０幅の広い部分２４では第２図で示したように
、第１、第２の電流ブロック層１４．１５はメサストラ
イプ２０上には成長しない。他方筒２、第３の溝２２．
２３の幅の狭い部分２５では第２、第３の溝２２．２３
内を第１の電流ブロック層１４が埋めてしまうために、
第２の電流ブロック層１５を成長する直前のメサスト虞 ライプ２０付近の形状が平〆になってしまうので第２の
電流ブロック層１５はメサストライプ２０の上部で途切
れることなく全体を履ってし寸う。
結晶成長後ｐ側のオーミックコンタクトをとるためキャ
ップｆｆ４ ］ ７ Ｋ Ａｕ Ｚｎを蒸着する。さら
にフォトレジストを塗布して通常のフォトリソグラフィ
ーとエツチングにより、ＮＸ２、第３の溝２２．２３の
１幅の狭い部分２５直上のＡ ｕ Ｚ ｎ ％ ギャッ
プ層１７を順次抜いて共振器軸３０方向にｐ ＠Ｎ、極
が２つに分割されるように第１の溝２１を形成させる。
ップｆｆ４ ］ ７ Ｋ Ａｕ Ｚｎを蒸着する。さら
にフォトレジストを塗布して通常のフォトリソグラフィ
ーとエツチングにより、ＮＸ２、第３の溝２２．２３の
１幅の狭い部分２５直上のＡ ｕ Ｚ ｎ ％ ギャッ
プ層１７を順次抜いて共振器軸３０方向にｐ ＠Ｎ、極
が２つに分割されるように第１の溝２１を形成させる。
次いでＡ ｕ Ｚ ｎをアロイする。次にｎ−ＩｎＲ基
板１０を研磨して１２０μｍ程度の厚さとしたのち、Ｉ
Ｉ側のオーミックコンタクト用Ｋ Ａ ｕ −Ｇ ｅ
−Ｎ ｉを蒸着し、アロイしてウェハ製作を終了する。
板１０を研磨して１２０μｍ程度の厚さとしたのち、Ｉ
Ｉ側のオーミックコンタクト用Ｋ Ａ ｕ −Ｇ ｅ
−Ｎ ｉを蒸着し、アロイしてウェハ製作を終了する。
このウェハを通常の材間法により第１の溝２１によって
第１１第２のｎ側電極２６．２７が分割されるようにメ
サストライプ２０に直角に共振器面を形成し素子が製作
される。この素子の第１、第２のｐ（１Ｎ電極２６．２
７を正、ｎ側電極２８を負にバイアスすると、この素子
は電流入力あるいは光入力に対して安定な２準位をもつ
光双安定半導体レーザとして働く。これは次の理由によ
る。すなわち溝幅の広い部分２４では、従来の埋め込み
へテロ構造の半導体レーザと同様ＩＣ活性層１２に電流
が注入されるのに対して、溝幅の狭い部分２５では、第
２の電流ブロック層１５がメサストライプ２ｏの上部を
含めて全体にわたって形成されているので、活性層１２
に電流が注入されることけ々い。そのため第１の溝２１
直下の部分は可飽和吸収領域として働くために、共振器
中に可飽和吸収部分と利得部分が形成されて光双安定動
作が実現される。
第１１第２のｎ側電極２６．２７が分割されるようにメ
サストライプ２０に直角に共振器面を形成し素子が製作
される。この素子の第１、第２のｐ（１Ｎ電極２６．２
７を正、ｎ側電極２８を負にバイアスすると、この素子
は電流入力あるいは光入力に対して安定な２準位をもつ
光双安定半導体レーザとして働く。これは次の理由によ
る。すなわち溝幅の広い部分２４では、従来の埋め込み
へテロ構造の半導体レーザと同様ＩＣ活性層１２に電流
が注入されるのに対して、溝幅の狭い部分２５では、第
２の電流ブロック層１５がメサストライプ２ｏの上部を
含めて全体にわたって形成されているので、活性層１２
に電流が注入されることけ々い。そのため第１の溝２１
直下の部分は可飽和吸収領域として働くために、共振器
中に可飽和吸収部分と利得部分が形成されて光双安定動
作が実現される。
この光双安定半導体レーザは埋め込みへテロ構造である
ため、室温で容易に低す動作電流で働かせることができ
る。寸だ第１の溝２１直下が可飽和吸収領域であるから
＊ １．第２のｎ側電極２６．２７への注入マ毘流を増
減させて、可飽和吸収領域の大きさを変えることによシ
光双安定動作の幅例えば電流幅を変化させることができ
る。との実施例では第１、第２のｎ側電極２６．２７へ
の注入電流が等しい場合に発振開始の閾値が室温で４０
ｍＡであシこのときの光双安定動作を示す電流幅は１０
ｍＡであった。また第１１第２のｐ （［１１１電極２
６．２７へを１〜３０ｍＡの範囲で変化させることがで
きた。
ため、室温で容易に低す動作電流で働かせることができ
る。寸だ第１の溝２１直下が可飽和吸収領域であるから
＊ １．第２のｎ側電極２６．２７への注入マ毘流を増
減させて、可飽和吸収領域の大きさを変えることによシ
光双安定動作の幅例えば電流幅を変化させることができ
る。との実施例では第１、第２のｎ側電極２６．２７へ
の注入電流が等しい場合に発振開始の閾値が室温で４０
ｍＡであシこのときの光双安定動作を示す電流幅は１０
ｍＡであった。また第１１第２のｐ （［１１１電極２
６．２７へを１〜３０ｍＡの範囲で変化させることがで
きた。
この実施例の光双安定半導体レーザの大きさは、メサス
トライプ２０の幅が１．５μｍ溝幅の広す部分２４の幅
が７μｍ１狭込部分２５の幅が３μｍ１溝幅の狭い部分
２５の長さが２０μｍ１第１のｎ側電極２６の長さが１
００μｍ１第２のｎ側電極２７の長さが１５０μｍであ
る。結晶成長の様子は、成長方法や成長条件等によシ大
幅に変わるので、それらとともに適切な寸法を採用すべ
きことは言うまでもない。またこの実施例では第１のｎ
側電極２６ と第２のｐＨ！ｌ電極２７の共振器軸３ｏ
方向の長さの比を２：３ としたが、この値に限定され
るものではない。
トライプ２０の幅が１．５μｍ溝幅の広す部分２４の幅
が７μｍ１狭込部分２５の幅が３μｍ１溝幅の狭い部分
２５の長さが２０μｍ１第１のｎ側電極２６の長さが１
００μｍ１第２のｎ側電極２７の長さが１５０μｍであ
る。結晶成長の様子は、成長方法や成長条件等によシ大
幅に変わるので、それらとともに適切な寸法を採用すべ
きことは言うまでもない。またこの実施例では第１のｎ
側電極２６ と第２のｐＨ！ｌ電極２７の共振器軸３ｏ
方向の長さの比を２：３ としたが、この値に限定され
るものではない。
なお、上記実施例においては第１の溝２１ 直下での第
２の電流ブロック層１５がメサストライプ２０の上部を
含めて全体にわたって形成させる方法として、第２、第
３の溝２２．２３がメサストライプ２０の側で直線、メ
サストライプ２ｏがら離れで直線、メサストライプ２０
の側で幅の広い部分２４ と狭い部分２５を有するよう
にしてもよい。
２の電流ブロック層１５がメサストライプ２０の上部を
含めて全体にわたって形成させる方法として、第２、第
３の溝２２．２３がメサストライプ２０の側で直線、メ
サストライプ２ｏがら離れで直線、メサストライプ２０
の側で幅の広い部分２４ と狭い部分２５を有するよう
にしてもよい。
この場合にも第１の溝２１ 直下が幅の狭い部分２５に
対応しておれば上記実施例と同じ結晶成長が可能であり
、特性面の差はない。
対応しておれば上記実施例と同じ結晶成長が可能であり
、特性面の差はない。
実施例ではｐ（ｉＩＩＮ極をＡ ｕ Ｚ ｎの全面電極
構造としたが、第１のｐ側電極２６と第２のｐ側電極２
７の抵抗を大きくするだめにオキサイドストライプ構造
にしたシあるいはＩ）ＩｎＧａＡｓＰのキャップ層の代
りにｎ−ＩｎＧａＡｓＰのキャップ層としてメサストラ
イプ２０上面付近にのみ例えばＺｎ拡散することＫより
ｐ ｊ＠に変換させてもよい。以上の実施例ではｉ ｎ
ｐ ／ Ｉ ｎ Ｇ ａ Ａ ｓ Ｐ系の半導体材料
を用いたが（） ａ Ａ Ｉ Ａ ｓ ／Ｇ ａ Ａ
ｓ系等他の半導体材料をｍ−てもよい。まだ実施例では
第１の溝２１ でｐ側電極を部分したが、第１の溝２１
に相当するような溝を２つ以上つくってｐ側電極を３つ
以上に分割させてもよｌ、−ｉｏこの場合２つ以上の溝
の直下の活性層１２の少なくとも１つは第２の電流ブロ
ック層で臆われている必要がある。
構造としたが、第１のｐ側電極２６と第２のｐ側電極２
７の抵抗を大きくするだめにオキサイドストライプ構造
にしたシあるいはＩ）ＩｎＧａＡｓＰのキャップ層の代
りにｎ−ＩｎＧａＡｓＰのキャップ層としてメサストラ
イプ２０上面付近にのみ例えばＺｎ拡散することＫより
ｐ ｊ＠に変換させてもよい。以上の実施例ではｉ ｎ
ｐ ／ Ｉ ｎ Ｇ ａ Ａ ｓ Ｐ系の半導体材料
を用いたが（） ａ Ａ Ｉ Ａ ｓ ／Ｇ ａ Ａ
ｓ系等他の半導体材料をｍ−てもよい。まだ実施例では
第１の溝２１ でｐ側電極を部分したが、第１の溝２１
に相当するような溝を２つ以上つくってｐ側電極を３つ
以上に分割させてもよｌ、−ｉｏこの場合２つ以上の溝
の直下の活性層１２の少なくとも１つは第２の電流ブロ
ック層で臆われている必要がある。
第１図は本発明の実施例の平面断面図、第２図（ａｌ、
（ｂｌは第１図の部分断面図、第３図は本発明の実゛施
例の斜視図を示す図である。 なお図において、１０・ｎ−ＩｎＰ基板、１ｌ−ｎ−１
ｎＰバツフア４．１２＝４ｎＧａＡｓＰ活性層１３・・
・ｐ −Ｉ ｎ Ｐクラッド層、１４・・・ｐ−１ｎＰ
の第ｒの直流ブロック層、Ｊ５・・ｎ−１ｎＰの第 ２
の電流ブロック層、１６−ｐ−ＩｎＰ埋め込み層、１７
−ｐ−ＩｎＧａＡｓＰキャップ層、２０・・メサストラ
イプ、２１・・・第１１の溝、２２・・−第２の溝 ２
３・第３の溝、２４・・幅の広い部分、２５・・幅の狭
い部分、２６・第１のｐｆｌｌｉ電極、２７・・第２の
ｐ側電極、２８・・ｎ側電極３０・・・共振器軸 をそれぞれあられす。 オ １ 図 メ０ ７２ 図 オ ３ 図
（ｂｌは第１図の部分断面図、第３図は本発明の実゛施
例の斜視図を示す図である。 なお図において、１０・ｎ−ＩｎＰ基板、１ｌ−ｎ−１
ｎＰバツフア４．１２＝４ｎＧａＡｓＰ活性層１３・・
・ｐ −Ｉ ｎ Ｐクラッド層、１４・・・ｐ−１ｎＰ
の第ｒの直流ブロック層、Ｊ５・・ｎ−１ｎＰの第 ２
の電流ブロック層、１６−ｐ−ＩｎＰ埋め込み層、１７
−ｐ−ＩｎＧａＡｓＰキャップ層、２０・・メサストラ
イプ、２１・・・第１１の溝、２２・・−第２の溝 ２
３・第３の溝、２４・・幅の広い部分、２５・・幅の狭
い部分、２６・第１のｐｆｌｌｉ電極、２７・・第２の
ｐ側電極、２８・・ｎ側電極３０・・・共振器軸 をそれぞれあられす。 オ １ 図 メ０ ７２ 図 オ ３ 図
Claims (1)
- Ｆ 第１の溝によシＮ極が共振器軸方向に２つ以上に分
割された半導体し〜ザ忙おいて、前記第１の溝直下の活
性層のみが電流注入を遮断する第１の半導体層で履われ
ていることを特徴とする光双安定半導体レーザ。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP14292283A JPS6034089A (ja) | 1983-08-04 | 1983-08-04 | 光双安定半導体レ−ザ |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP14292283A JPS6034089A (ja) | 1983-08-04 | 1983-08-04 | 光双安定半導体レ−ザ |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPS6034089A true JPS6034089A (ja) | 1985-02-21 |
Family
ID=15326746
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP14292283A Pending JPS6034089A (ja) | 1983-08-04 | 1983-08-04 | 光双安定半導体レ−ザ |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPS6034089A (ja) |
Cited By (4)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US4773076A (en) * | 1985-06-26 | 1988-09-20 | Sharp Kabushiki Kaisha | Internal reflector interferometric semiconductor laser device |
| EP0413567A2 (en) * | 1989-08-15 | 1991-02-20 | Sony Corporation | Semiconductor lasers |
| JPH0339328U (ja) * | 1989-06-30 | 1991-04-16 | ||
| US5252839A (en) * | 1992-06-10 | 1993-10-12 | Hewlett-Packard Company | Superluminescent light-emitting diode with reverse biased absorber |
-
1983
- 1983-08-04 JP JP14292283A patent/JPS6034089A/ja active Pending
Cited By (4)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US4773076A (en) * | 1985-06-26 | 1988-09-20 | Sharp Kabushiki Kaisha | Internal reflector interferometric semiconductor laser device |
| JPH0339328U (ja) * | 1989-06-30 | 1991-04-16 | ||
| EP0413567A2 (en) * | 1989-08-15 | 1991-02-20 | Sony Corporation | Semiconductor lasers |
| US5252839A (en) * | 1992-06-10 | 1993-10-12 | Hewlett-Packard Company | Superluminescent light-emitting diode with reverse biased absorber |
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