JPS6032910B2 - Mosトンジスタを用いたデコーデイング装置 - Google Patents
Mosトンジスタを用いたデコーデイング装置Info
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Description
【発明の詳細な説明】
この発明は、デコーディング回路および出力段から成る
MOSトランジスタを用いたデコーディング装置であっ
て、その出力段はドライバトランジスタと横形トランジ
スタを含み、ドライバトランジスタは選択信号をデコー
ディング回路からのデコーディング信号に応じて出力段
に送出し、横形トランジスタの被制御区間はデコーディ
ング回路の出力と出力段の出力との間に接続され、その
制御電極に選択信号が与えられるようになったものに関
する。
MOSトランジスタを用いたデコーディング装置であっ
て、その出力段はドライバトランジスタと横形トランジ
スタを含み、ドライバトランジスタは選択信号をデコー
ディング回路からのデコーディング信号に応じて出力段
に送出し、横形トランジスタの被制御区間はデコーディ
ング回路の出力と出力段の出力との間に接続され、その
制御電極に選択信号が与えられるようになったものに関
する。
MOSトランジスタを用いたデコーディング装置は、特
に、MOS型のメモリーを用いる場合に必要である。
に、MOS型のメモリーを用いる場合に必要である。
そのようなメモリーでは、ワード用リード線とビット用
リード線との間に、メモリー素子が接続されている。メ
モリーの中のあるメモリー素子を選び出すことが出来る
ために、いつでも任意のワード用並びにビット用のりー
ド線が選択出来なくてはならない。その選択は、デコー
ブィング装置に加えられるアドレス信号によっておこな
われる。そのアドレス信号に対応してデコーディング装
置により、それに対応したりード線が選び出される。そ
のために、素子選択信号と呼ばれる選択信号がそのリー
ド線に接続される。そのようなメモリー素子は、デコー
ディング装置に接続されたりード線の電位が、そのリー
ド線が選択されようと否とに拘わらず、一定である場合
にのみ誤りなく動作する。あるリード線が選択されると
、そのリード線の電位は選択信号により、ある一定値と
なる。それに反し、あるリード線が選択されない場合に
は、そのリード線がある一定の電位となるような処理を
、更におこなわなくてはならない。それがおこなわれな
いと、このリード線は、漏れ電流と容量性のカップリン
グによる障害を受けやすくなる。西ドイツ特許出願公開
第2331442号公報により、ダイナミックな動作を
するMOSトランジスタのデコーディング装置は公知と
なっている。
リード線との間に、メモリー素子が接続されている。メ
モリーの中のあるメモリー素子を選び出すことが出来る
ために、いつでも任意のワード用並びにビット用のりー
ド線が選択出来なくてはならない。その選択は、デコー
ブィング装置に加えられるアドレス信号によっておこな
われる。そのアドレス信号に対応してデコーディング装
置により、それに対応したりード線が選び出される。そ
のために、素子選択信号と呼ばれる選択信号がそのリー
ド線に接続される。そのようなメモリー素子は、デコー
ディング装置に接続されたりード線の電位が、そのリー
ド線が選択されようと否とに拘わらず、一定である場合
にのみ誤りなく動作する。あるリード線が選択されると
、そのリード線の電位は選択信号により、ある一定値と
なる。それに反し、あるリード線が選択されない場合に
は、そのリード線がある一定の電位となるような処理を
、更におこなわなくてはならない。それがおこなわれな
いと、このリード線は、漏れ電流と容量性のカップリン
グによる障害を受けやすくなる。西ドイツ特許出願公開
第2331442号公報により、ダイナミックな動作を
するMOSトランジスタのデコーディング装置は公知と
なっている。
このデコーデイング装置はデコーデイング回路と出力段
とから成り立っている。デコーディング回路は、その制
御用入力にアドレス信号が否定又は反否定の形で加えら
れるようになされた、並列に接続されたMOSトランジ
スタから出来ている。デコーデイング回路には、もうひ
とつの、アドレス信号によりデコーディング回路を制御
し始める前に、デコーディング回路の出力をある一定の
電位にする、バイアス用トランジスタが含まれている。
ヂコーディング回路の出力は、それに接続されたりード
線が選択される場合にのみ、並列に接続されたMOSト
ランジスタにより放電されることはない。そうすると、
以下でデコーデイングトランジスタと呼ぶすべての並列
に接続されたトランジスタがカットオフとなる。出力段
には少くとも、ビット用又はワード用のりード線で接続
されている出力段の出力に選択信号を加えるドライバ用
のトランジスタがひとつある。これは、デコーデイソグ
回路の出力に加えられた信号とデコーナィング信号に依
存しておこなわれる。デコーデイング回路の出力が放電
されていないと、出力段のこのドライブ用のトランジス
タは導適状態となり、選択信号が加わると出力段の出力
に接続されているリード線上に伝播される。そのあとで
、そのリード線上に電位がそれぞれに対応して生ずる。
しかしながら、デコーデイング回路の出力がデコード用
のトランジスタのうちのひとつにより放電されると、ド
ライブ用のトランジスタはカツトオフとなり、その時に
加わる選択信号は出力段の出力側のりード線に伝播させ
られない。更に、出力段には、被制御区間(ソース・ド
レィン区間)がデコーディング回路の出力と、出力段の
出力との間に接続されている横形トランジスタが組み込
まれている。横形トランジスタの制御入力にも選択信号
が加えられている。横形トランジスタは、デコーデイン
グ回路があるひとつのデコーナィングトランジスタ又は
複数のデコーディングトランジスタを通して放電してい
るか、選択信号が加えられている時には導適状態となる
。そうすると、デコーディング回路の出力の電位は、出
力段の出力に接続されているリード線に伝えられる。そ
の結果、デコーディソグ装置によって選択されていない
リード線は選択信号が加えられている間は、ある一定の
電位になり、その結果、どのような妨害信号が加わって
も影響を受けない。デコーヂィング回路が放電されない
場合には、つまり、すべてのデコーディングトランジス
タがカットオフならば、カップリングトランジスタを通
して出力段の出力とデコーディング段の出力に選択信号
を、横形トランジスタがいつもカットオフとなるように
加える。その結果、出力段とそれに接続されている選び
出されたりード線はドライバトランジスタによって、横
形トランジスタによって変化を受けないような高い電位
となる。この良く知られたデコーディング装置のひとつ
の欠点は、選択されないリード線が、選択信号が加つて
いる間だけは、一定電位におさえられてしまうことであ
る。この発明の目的は、あるデコーディング装置に接続
されたりード線の電位が常に一定になるようにすること
である。
とから成り立っている。デコーディング回路は、その制
御用入力にアドレス信号が否定又は反否定の形で加えら
れるようになされた、並列に接続されたMOSトランジ
スタから出来ている。デコーデイング回路には、もうひ
とつの、アドレス信号によりデコーディング回路を制御
し始める前に、デコーディング回路の出力をある一定の
電位にする、バイアス用トランジスタが含まれている。
ヂコーディング回路の出力は、それに接続されたりード
線が選択される場合にのみ、並列に接続されたMOSト
ランジスタにより放電されることはない。そうすると、
以下でデコーデイングトランジスタと呼ぶすべての並列
に接続されたトランジスタがカットオフとなる。出力段
には少くとも、ビット用又はワード用のりード線で接続
されている出力段の出力に選択信号を加えるドライバ用
のトランジスタがひとつある。これは、デコーデイソグ
回路の出力に加えられた信号とデコーナィング信号に依
存しておこなわれる。デコーデイング回路の出力が放電
されていないと、出力段のこのドライブ用のトランジス
タは導適状態となり、選択信号が加わると出力段の出力
に接続されているリード線上に伝播される。そのあとで
、そのリード線上に電位がそれぞれに対応して生ずる。
しかしながら、デコーデイング回路の出力がデコード用
のトランジスタのうちのひとつにより放電されると、ド
ライブ用のトランジスタはカツトオフとなり、その時に
加わる選択信号は出力段の出力側のりード線に伝播させ
られない。更に、出力段には、被制御区間(ソース・ド
レィン区間)がデコーディング回路の出力と、出力段の
出力との間に接続されている横形トランジスタが組み込
まれている。横形トランジスタの制御入力にも選択信号
が加えられている。横形トランジスタは、デコーデイン
グ回路があるひとつのデコーナィングトランジスタ又は
複数のデコーディングトランジスタを通して放電してい
るか、選択信号が加えられている時には導適状態となる
。そうすると、デコーディング回路の出力の電位は、出
力段の出力に接続されているリード線に伝えられる。そ
の結果、デコーディソグ装置によって選択されていない
リード線は選択信号が加えられている間は、ある一定の
電位になり、その結果、どのような妨害信号が加わって
も影響を受けない。デコーヂィング回路が放電されない
場合には、つまり、すべてのデコーディングトランジス
タがカットオフならば、カップリングトランジスタを通
して出力段の出力とデコーディング段の出力に選択信号
を、横形トランジスタがいつもカットオフとなるように
加える。その結果、出力段とそれに接続されている選び
出されたりード線はドライバトランジスタによって、横
形トランジスタによって変化を受けないような高い電位
となる。この良く知られたデコーディング装置のひとつ
の欠点は、選択されないリード線が、選択信号が加つて
いる間だけは、一定電位におさえられてしまうことであ
る。この発明の目的は、あるデコーディング装置に接続
されたりード線の電位が常に一定になるようにすること
である。
この目的はこの発明によれば、付加的なトランジスタを
備え、これの被制御5区間が出力段の出力とある一定の
電位の間に接続され、制御入力は少〈なくとも選択信号
が加つてし、ない間には付加的なトランジスタが導通と
なるように制御するようなクロック信号によって制御さ
れることにより達成される。0 このクロック信号が選
択信号が切れる前に加えられ、選択されないリード線が
いかなる場合にもいつも一定の電位にあるようにすると
有利である。
備え、これの被制御5区間が出力段の出力とある一定の
電位の間に接続され、制御入力は少〈なくとも選択信号
が加つてし、ない間には付加的なトランジスタが導通と
なるように制御するようなクロック信号によって制御さ
れることにより達成される。0 このクロック信号が選
択信号が切れる前に加えられ、選択されないリード線が
いかなる場合にもいつも一定の電位にあるようにすると
有利である。
以下に、図に示された実施例によりこの発明を更に説明
する。
する。
図1に示したデコーデイング装置はデコーディング回路
と出力段とに分割される。
と出力段とに分割される。
デコーディング回路はDKKで示され、出力段はASと
記されている。デコーディング回路DKKは、その被制
御区間が並列に接続されているデコーディングトランジ
スタDKIないしDKnから成り立っている。
記されている。デコーディング回路DKKは、その被制
御区間が並列に接続されているデコーディングトランジ
スタDKIないしDKnから成り立っている。
これらのデコーデイングトランジスタDKIないしDK
nの制御入力端子にアドレス信号AOからAnが加えら
れる。更に、クロツク信号SIにより制御され、電源電
圧VDDに接続されたバイアス用トランジスタM山が接
続されている。アドレス信号AOからAnがデコーデイ
ングトランジスタDKIからDKnに加えられる前に、
バイアス用トランジスタMLはクロツク信号SIによっ
て導適状態にさせられている。
nの制御入力端子にアドレス信号AOからAnが加えら
れる。更に、クロツク信号SIにより制御され、電源電
圧VDDに接続されたバイアス用トランジスタM山が接
続されている。アドレス信号AOからAnがデコーデイ
ングトランジスタDKIからDKnに加えられる前に、
バイアス用トランジスタMLはクロツク信号SIによっ
て導適状態にさせられている。
その結果、ヂコーディング回路の出力DCは大体VDD
−UTの電位にバイアスされる。ここで、UTは、バイ
アス用トランジスタMLのしきし、値電圧である。デコ
ーデイングトランジスタDKに印加されたアドレス用の
信号A次第で、デコーディング回路DKKの出力DCが
放電されたり、放電されなかったりする。デコーディン
グ装置に接続されている、あるリード線が飛び出される
と、そのデコーディング回路の出力DCは放電しない。
出力段ASには、デコーディング回路DKXの出力信号
が分離用のトランジスタATを通して加えられるドライ
ブ用トランジスタMTがある。
−UTの電位にバイアスされる。ここで、UTは、バイ
アス用トランジスタMLのしきし、値電圧である。デコ
ーデイングトランジスタDKに印加されたアドレス用の
信号A次第で、デコーディング回路DKKの出力DCが
放電されたり、放電されなかったりする。デコーディン
グ装置に接続されている、あるリード線が飛び出される
と、そのデコーディング回路の出力DCは放電しない。
出力段ASには、デコーディング回路DKXの出力信号
が分離用のトランジスタATを通して加えられるドライ
ブ用トランジスタMTがある。
デコーデイング回路の出力が放電されていない場合には
、出力段のドライブ用トランジスタMTは導適状態にさ
れ、それに印加された選択信号S2が出力段ASの出力
Bに伝えられる。しかしながら、デコーディング回路D
KKの出力DCが放電されている場合には、ドライブ用
トランジスタMTはカットオフとなり、それに加えられ
る選択信号は出力Bに伝えられず、又、その結果出力B
に接続されているリード線LAにも伝えられない。更に
、出力段ASには、その制御される端子が出力段ASの
出力Bと、分離用トランジスタATの間に接続されてい
る横形トランジスタMSがある。
、出力段のドライブ用トランジスタMTは導適状態にさ
れ、それに印加された選択信号S2が出力段ASの出力
Bに伝えられる。しかしながら、デコーディング回路D
KKの出力DCが放電されている場合には、ドライブ用
トランジスタMTはカットオフとなり、それに加えられ
る選択信号は出力Bに伝えられず、又、その結果出力B
に接続されているリード線LAにも伝えられない。更に
、出力段ASには、その制御される端子が出力段ASの
出力Bと、分離用トランジスタATの間に接続されてい
る横形トランジスタMSがある。
横形トランジスタMSの制御用入力には選択信号S2が
接続される。出力段ASの出力Bには、更に、もうひと
つ、その被制御区間が出力段ASの出力Bと一定の電位
VSSの間に接続されているような付加されたトランジ
スタMZがある。この付加的なトランジスタMZには、
少くとも選択信号Sが加つてし、ない時には、この付加
的なトランジスタMZが導適状態をなるように制御され
るクロツク信号S3が加えられる。この付加的なトラン
ジスタMは‘こより、出力Bに接続されたりード線LA
は少くとも選択信号S2が加つてし、ない時には、その
電位が一定、つまり電圧VSSになる。更に、出力段A
Sは制御用入力端子とドライブ用トランジスタMTの被
制御端子のひとつの間に接続されているカップリングコ
ンデンサCKは公知のように選択信号S2が生じた際ド
ライバ用トランジスタMTの制御入力の電位を高める。
分離用トランジスタATは、必ずしも必要ではなく、そ
れは、出力段ASの入力にある負荷容量をデコーディン
グ回路DKKから分離するためだけである。分離用トラ
ンジスタの制御用入力端子には一定電圧VDD−UTが
加えられている。図2のパルス波形を用いて図1のデコ
ーデイング回路の働きを説明する。それぞれのパルス列
の始めにおける信号SI,S2,S3及びA又は、デコ
ーディング回路DKKの出力DCの電位、ドライブ用ト
ランジスタMTの入力DNの電位、及び、出力段ASの
出力Bの電位が示されている。ここではnチャンネルト
ランジスタを用いた場合が示されている。つまり、これ
らのトランジスタは、制御用の入力に高い電位が加えら
れると導適状態となるようなものである。先づ、信号S
IとS2が加えられる。
接続される。出力段ASの出力Bには、更に、もうひと
つ、その被制御区間が出力段ASの出力Bと一定の電位
VSSの間に接続されているような付加されたトランジ
スタMZがある。この付加的なトランジスタMZには、
少くとも選択信号Sが加つてし、ない時には、この付加
的なトランジスタMZが導適状態をなるように制御され
るクロツク信号S3が加えられる。この付加的なトラン
ジスタMは‘こより、出力Bに接続されたりード線LA
は少くとも選択信号S2が加つてし、ない時には、その
電位が一定、つまり電圧VSSになる。更に、出力段A
Sは制御用入力端子とドライブ用トランジスタMTの被
制御端子のひとつの間に接続されているカップリングコ
ンデンサCKは公知のように選択信号S2が生じた際ド
ライバ用トランジスタMTの制御入力の電位を高める。
分離用トランジスタATは、必ずしも必要ではなく、そ
れは、出力段ASの入力にある負荷容量をデコーディン
グ回路DKKから分離するためだけである。分離用トラ
ンジスタの制御用入力端子には一定電圧VDD−UTが
加えられている。図2のパルス波形を用いて図1のデコ
ーデイング回路の働きを説明する。それぞれのパルス列
の始めにおける信号SI,S2,S3及びA又は、デコ
ーディング回路DKKの出力DCの電位、ドライブ用ト
ランジスタMTの入力DNの電位、及び、出力段ASの
出力Bの電位が示されている。ここではnチャンネルト
ランジスタを用いた場合が示されている。つまり、これ
らのトランジスタは、制御用の入力に高い電位が加えら
れると導適状態となるようなものである。先づ、信号S
IとS2が加えられる。
バイアス用トランジスタにSIが加えられると、それは
導適状態となり、デコーディング回路DKKの出力DC
が充電される。そのようにして、出力DCの電位も高く
なる。クロック信号S3は付加的なトランジスタMZを
導適状態とし、出力段ASの出力Bに接続されたりード
線LAを一定の電位、ここではVSSになるようにする
。ここで、アドレス信号Aが非否定又は否定された形で
加えられる。
導適状態となり、デコーディング回路DKKの出力DC
が充電される。そのようにして、出力DCの電位も高く
なる。クロック信号S3は付加的なトランジスタMZを
導適状態とし、出力段ASの出力Bに接続されたりード
線LAを一定の電位、ここではVSSになるようにする
。ここで、アドレス信号Aが非否定又は否定された形で
加えられる。
つまり、デコーディング用トランジスタDKの制御用電
極には、低い電位又は高い電位が与えられる。デコーデ
ィングトランジスタDKのうちのひとつに高い電位のア
ドレス信号が加えられると、それは、導適状態となり、
デコーディング回路DKKの出力DCが放電する(この
場合は、図2で点線で示されている)。しかしながら、
すべてのデコーデイングトランジスタDKに低い電位の
アドレス信号が加えられると、これらはカットオフとな
り、デコーデイング回路DKKの出力DCは放電しない
(この場合は、図2に実線で示されている)。デコーデ
ィング回路DKKの出力DCの変化は、分離トランジス
タATを通して、ドライブ用トランジスタMTの入力に
加えられる。選択信号S2が加わる時には、付加的なト
ランジスタMはのクロック信号は切られる。デコーディ
ング回路DKKの出力DCが放電していたとすると(図
中の点線)、横形トランジスタMSが選択信号S2を加
えることにより、導適状態となり、その結果、点DN‘
こ加っている電位の状態は出力段の出力Bに伝えられる
ので、出力段AZの出力Bの電位と、それと同時に、リ
ード線LA上の電位は変化しない。それと反対に、デコ
ーデイング回路DKKの出力DCが放電していない時、
つまり、高い電位(図中の実線)にある場合には、ドラ
イブ用トランジスタMTは導通状態にあり、選択信号S
2は、それを通して出力段ASの出力Bに伝える。この
間は、横形トランジスタMSはカットオフであり、出力
段の出力Bの電位には影響を及ぼさない。カップリング
コンデンサCKを通して、その上に、ドライブ用トラン
ジスタMTの入力の電位が高くなり過ぎる。選択信号S
2がなくなる直前にクロック信号S3が再び加えられ、
付加的なトランジスタMZは導適状態となる。その結果
、出力Bとりード線LAの電位が再び付加的なトランジ
スタMZを通して電位VSSにされる。出力段ASの出
力Bに加つたこの電位も、横形トランジスタを通して、
点DN及びデコーディング回路DKKの出力DCに伝わ
り、それはリード線LAの選択過程のあとでも、再び、
放電される。すべてのデコーディング回路は次のバイア
ス過程の前には同じ初期電位となる。選択信号S2が切
られたあとは、デコーディング回路DKKの出力DCが
再び充電され得るために、信号SIがバイアストランジ
スタMLに再び加えられる。
極には、低い電位又は高い電位が与えられる。デコーデ
ィングトランジスタDKのうちのひとつに高い電位のア
ドレス信号が加えられると、それは、導適状態となり、
デコーディング回路DKKの出力DCが放電する(この
場合は、図2で点線で示されている)。しかしながら、
すべてのデコーデイングトランジスタDKに低い電位の
アドレス信号が加えられると、これらはカットオフとな
り、デコーデイング回路DKKの出力DCは放電しない
(この場合は、図2に実線で示されている)。デコーデ
ィング回路DKKの出力DCの変化は、分離トランジス
タATを通して、ドライブ用トランジスタMTの入力に
加えられる。選択信号S2が加わる時には、付加的なト
ランジスタMはのクロック信号は切られる。デコーディ
ング回路DKKの出力DCが放電していたとすると(図
中の点線)、横形トランジスタMSが選択信号S2を加
えることにより、導適状態となり、その結果、点DN‘
こ加っている電位の状態は出力段の出力Bに伝えられる
ので、出力段AZの出力Bの電位と、それと同時に、リ
ード線LA上の電位は変化しない。それと反対に、デコ
ーデイング回路DKKの出力DCが放電していない時、
つまり、高い電位(図中の実線)にある場合には、ドラ
イブ用トランジスタMTは導通状態にあり、選択信号S
2は、それを通して出力段ASの出力Bに伝える。この
間は、横形トランジスタMSはカットオフであり、出力
段の出力Bの電位には影響を及ぼさない。カップリング
コンデンサCKを通して、その上に、ドライブ用トラン
ジスタMTの入力の電位が高くなり過ぎる。選択信号S
2がなくなる直前にクロック信号S3が再び加えられ、
付加的なトランジスタMZは導適状態となる。その結果
、出力Bとりード線LAの電位が再び付加的なトランジ
スタMZを通して電位VSSにされる。出力段ASの出
力Bに加つたこの電位も、横形トランジスタを通して、
点DN及びデコーディング回路DKKの出力DCに伝わ
り、それはリード線LAの選択過程のあとでも、再び、
放電される。すべてのデコーディング回路は次のバイア
ス過程の前には同じ初期電位となる。選択信号S2が切
られたあとは、デコーディング回路DKKの出力DCが
再び充電され得るために、信号SIがバイアストランジ
スタMLに再び加えられる。
初期電位が同じであるため、すべてのデコーディング部
も同じ最初電位に充電され、その結果、メモリー素子の
試料感度が大きく減少する。ここで言う試料感度とは、
アドレス信号がデコーディングの時デコーディング回路
が前に選択されていたかどうかによって、デコーデイン
グ回路の充電の過程でそれ以前に、加えられていたアド
レス信号の組合せに対応して、異なる電位から始まると
解される。この発明によるデコーディング装置ではそれ
とは反対に、いつも同じ電位から始まる。付加的なトラ
ンジスタによって出力段ASの出力B及びその出力に接
続されたりード線LAは、そのリード線LAが選択され
ているか否かに拘わらず、いつも同じ電位となる。
も同じ最初電位に充電され、その結果、メモリー素子の
試料感度が大きく減少する。ここで言う試料感度とは、
アドレス信号がデコーディングの時デコーディング回路
が前に選択されていたかどうかによって、デコーデイン
グ回路の充電の過程でそれ以前に、加えられていたアド
レス信号の組合せに対応して、異なる電位から始まると
解される。この発明によるデコーディング装置ではそれ
とは反対に、いつも同じ電位から始まる。付加的なトラ
ンジスタによって出力段ASの出力B及びその出力に接
続されたりード線LAは、そのリード線LAが選択され
ているか否かに拘わらず、いつも同じ電位となる。
その結果、容量性の誘導又はリーク電流により、丁度選
択されていないリード線には影響を与えない。図面の簡
単な説明図1はこの発明によるデコーディング装置、図
2は図1のデコーディング装置のパルスの時間変化を示
してある(電圧を時間tに対して示してある)。
択されていないリード線には影響を与えない。図面の簡
単な説明図1はこの発明によるデコーディング装置、図
2は図1のデコーディング装置のパルスの時間変化を示
してある(電圧を時間tに対して示してある)。
MZ…・・・付加的なトランジスタ、B・・・…出力、
AS・・・・・・出力段、VSS・・・・・・一定電位
、S3・・・・・・クロック信号、S2・・・・・・選
択信号。
AS・・・・・・出力段、VSS・・・・・・一定電位
、S3・・・・・・クロック信号、S2・・・・・・選
択信号。
Fi9.1
Fig.2
Claims (1)
- 【特許請求の範囲】 1 デコーデイング回路および出力段から成るデコーデ
イング装置であつて、その出力段はドライバトランジス
タと横形トランジスタを含み、ドライバトランジスタは
選択信号をデコーデイング回路からのデコーデイング信
号に応じて出力段に送出し、横形トランジスタの被制御
区間はデコーデイング回路の出力と出力段の出力との間
に接続され、横形トランジスタの制御入力電極に選択信
号が与えられるようになつたものにおいて、付加的なト
ランジスタMZが備えられ、その被制御区間は出力段A
Sの出力Bと固定電位VSSの間に接続され、付加的な
トランジスタの制御入力電極は、少なくとも選択信号S
2が印加されていない間は付加的なトランジスタが導通
するように制御するクロツク信号S3によつて制御され
ることを特徴とするMOSトランジスタを用いたデコー
デイング装置。 2 クロツク信号S3は選択信号S2のパルス後縁が生
ずる前に既に付加的なトランジスタMZに導通状態に制
御することを特徴とする特許請求の範囲第1項記載の装
置。 3 デコーデイング回路の出力は横形トランジスタMS
を通して選択過程のあと放電されることを特徴とする特
許請求の範囲第1項または第2項記載の装置。
Applications Claiming Priority (2)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
DE2641693A DE2641693C2 (de) | 1976-09-16 | 1976-09-16 | Decodierschaltung mit MOS-Transistoren |
DE2641693.3 | 1976-09-16 |
Publications (2)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
JPS5336440A JPS5336440A (en) | 1978-04-04 |
JPS6032910B2 true JPS6032910B2 (ja) | 1985-07-31 |
Family
ID=5988080
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
JP52109773A Expired JPS6032910B2 (ja) | 1976-09-16 | 1977-09-12 | Mosトンジスタを用いたデコーデイング装置 |
Country Status (5)
Country | Link |
---|---|
US (1) | US4145622A (ja) |
JP (1) | JPS6032910B2 (ja) |
DE (1) | DE2641693C2 (ja) |
FR (1) | FR2365246A1 (ja) |
GB (1) | GB1582365A (ja) |
Families Citing this family (17)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
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DE2932605C2 (de) * | 1979-08-10 | 1982-12-16 | Siemens AG, 1000 Berlin und 8000 München | Schaltungsanordnung mit MOS-Transistoren zum raschen Bewerten des logischen Zustandes eines Abtastknotens |
US4259731A (en) * | 1979-11-14 | 1981-03-31 | Motorola, Inc. | Quiet row selection circuitry |
GB2066009A (en) * | 1979-12-14 | 1981-07-01 | Philips Electronic Associated | Ratioless two phase shift register bit |
US4381460A (en) * | 1980-05-27 | 1983-04-26 | National Semiconductor Corporation | Bootstrap driver circuit |
JPS5774886A (en) * | 1980-10-29 | 1982-05-11 | Toshiba Corp | Semiconductor integrated circuit device |
JPS57106228A (en) * | 1980-12-24 | 1982-07-02 | Fujitsu Ltd | Semiconductor circuit |
EP0057025B1 (en) * | 1981-01-22 | 1985-09-11 | Koninklijke Philips Electronics N.V. | Switching circuit |
JPS57212690A (en) * | 1981-06-24 | 1982-12-27 | Hitachi Ltd | Dynamic mos memory device |
US4514829A (en) * | 1982-12-30 | 1985-04-30 | International Business Machines Corporation | Word line decoder and driver circuits for high density semiconductor memory |
GB8303886D0 (en) * | 1983-02-11 | 1983-03-16 | Itt Ind Ltd | Memory decoder circuit |
FR2552257B1 (fr) * | 1983-09-16 | 1985-10-31 | Labo Electronique Physique | Circuit decodeur pour memoire ram statique |
DE3427454A1 (de) * | 1984-07-25 | 1986-01-30 | Siemens AG, 1000 Berlin und 8000 München | Integrierte schaltung fuer einen in komplementaerer schaltungstechnik aufgebauten dynamischen halbleiterspeicher |
US4633220A (en) * | 1984-11-29 | 1986-12-30 | American Microsystems, Inc. | Decoder using pass-transistor networks |
US4678941A (en) * | 1985-04-25 | 1987-07-07 | International Business Machines Corporation | Boost word-line clock and decoder-driver circuits in semiconductor memories |
US4661724A (en) * | 1985-05-06 | 1987-04-28 | Motorola, Inc. | Row decoder |
DE3672345D1 (de) * | 1985-09-20 | 1990-08-02 | Siemens Ag | Integrierbare dekodierschaltung. |
Family Cites Families (12)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
US3702926A (en) * | 1970-09-30 | 1972-11-14 | Ibm | Fet decode circuit |
US3718826A (en) * | 1971-06-17 | 1973-02-27 | Ibm | Fet address decoder |
GB1375958A (en) * | 1972-06-29 | 1974-12-04 | Ibm | Pulse circuit |
US3795898A (en) * | 1972-11-03 | 1974-03-05 | Advanced Memory Syst | Random access read/write semiconductor memory |
US3986054A (en) * | 1973-10-11 | 1976-10-12 | International Business Machines Corporation | High voltage integrated driver circuit |
DE2443490A1 (de) * | 1974-09-11 | 1976-03-25 | Siemens Ag | Schalter aus mos-transistoren |
US3959781A (en) * | 1974-11-04 | 1976-05-25 | Intel Corporation | Semiconductor random access memory |
JPS51139247A (en) * | 1975-05-28 | 1976-12-01 | Hitachi Ltd | Mos logic circuit |
JPS526044A (en) * | 1975-07-04 | 1977-01-18 | Toko Inc | Dynamic decoder circuit |
US4011549A (en) * | 1975-09-02 | 1977-03-08 | Motorola, Inc. | Select line hold down circuit for MOS memory decoder |
US4048629A (en) * | 1975-09-02 | 1977-09-13 | Motorola, Inc. | Low power mos ram address decode circuit |
US4001601A (en) * | 1975-09-25 | 1977-01-04 | International Business Machines Corporation | Two bit partitioning circuit for a dynamic, programmed logic array |
-
1976
- 1976-09-16 DE DE2641693A patent/DE2641693C2/de not_active Expired
-
1977
- 1977-08-17 US US05/825,274 patent/US4145622A/en not_active Expired - Lifetime
- 1977-09-06 FR FR7726940A patent/FR2365246A1/fr active Granted
- 1977-09-12 JP JP52109773A patent/JPS6032910B2/ja not_active Expired
- 1977-09-15 GB GB38480/77A patent/GB1582365A/en not_active Expired
Also Published As
Publication number | Publication date |
---|---|
DE2641693B1 (de) | 1978-03-16 |
US4145622A (en) | 1979-03-20 |
FR2365246B1 (ja) | 1982-10-22 |
FR2365246A1 (fr) | 1978-04-14 |
DE2641693C2 (de) | 1978-11-16 |
GB1582365A (en) | 1981-01-07 |
JPS5336440A (en) | 1978-04-04 |
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